芯片封裝中級(jí)工技能鑒定理論考試題庫大全-下（簡(jiǎn)答題）

PAGEPAGE1芯片封裝中級(jí)工技能鑒定理論考試題庫大全-下（簡(jiǎn)答題匯總）簡(jiǎn)答題1.PBGA的特點(diǎn)有哪些。答案：制作成本低，性價(jià)比高；焊球參與再流焊點(diǎn)形成，共面度要求寬松；與環(huán)氧樹脂基板熱匹配性好、裝配至PCB時(shí)質(zhì)量高、性能好；對(duì)潮氣敏感，可靠性存在隱患。2.簡(jiǎn)述球柵陣列封裝的特點(diǎn)。答案：主要特點(diǎn)包括以下幾點(diǎn)：①提高成品率。I/O引腳數(shù)雖然增多，但引腳間距遠(yuǎn)大于QFP，從而提高了組裝成品率；②改進(jìn)了器件引出端數(shù)和本體尺寸的比例，例如邊長(zhǎng)為31mm的BGA，當(dāng)間距為1.5mm時(shí)有400個(gè)引腳，而當(dāng)間距為1mm時(shí)有900個(gè)引腳，相比之下，邊長(zhǎng)為32mm而引腳間距為0.5mm的QFP只有208個(gè)引腳；③雖然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，C4焊接，從而可以改善它的電熱性能；④明顯改善共面問題，極大地減少了共面損壞，組裝可用共面焊接，可靠性高；④厚度比QFP減少1/2以上，重量減輕3/4以上；⑤BGA引腳變短，信號(hào)傳輸路徑變短，寄生參數(shù)減小，信號(hào)傳輸延遲小，使用頻率大大提高；⑥BGA引腳牢固，不像QFP那樣存在引腳變形問題；⑦球形觸點(diǎn)有利于散熱；3.簡(jiǎn)述芯片封裝的層次。答案：零級(jí)層次：在芯片上的集成電路元器件間的連線工藝。

第一層次：芯片層次的封裝。

第二層次：將第一個(gè)層次完成的封裝與其他電子元器件組成的一個(gè)電路卡的工藝。

第三層次：將第一個(gè)層次完成的封裝組裝成的電路卡組合成在一個(gè)主電路板上使之成為。

一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。

第四層次：將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成一個(gè)完整電子產(chǎn)品的工藝過程。

計(jì)算題4.什么是加速測(cè)試？什么是加速因子？答案：為確保封裝的可靠性，在產(chǎn)品出廠之前要經(jīng)過大量的試驗(yàn)來驗(yàn)證。理想的做法是在與實(shí)際應(yīng)用完全相同的環(huán)境下進(jìn)行實(shí)驗(yàn)。但通常電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)壽命都很長(zhǎng)，這樣不切實(shí)際。即使時(shí)間不是問題，在實(shí)驗(yàn)室里模擬實(shí)際環(huán)境也是不可能的。

加速實(shí)驗(yàn)：為在適當(dāng)?shù)沫h(huán)境下、合理的時(shí)間內(nèi)進(jìn)行可靠性試驗(yàn)，這就需要進(jìn)行加速實(shí)驗(yàn)。熱、力、電與環(huán)境濕度等因素構(gòu)成了加速實(shí)驗(yàn)的基本要素。

加速因子：加速因子AF）定義為正常使用環(huán)境壽命與加速實(shí)驗(yàn)壽命之比。加速因子是非常重要的一個(gè)參數(shù)。目前，這是一個(gè)非常熱門的研究領(lǐng)域。5.簡(jiǎn)述波峰焊的工藝流程答案：上助焊劑、預(yù)熱以及將PCB板在一個(gè)焊料波峰上通過，依靠表面張力和毛細(xì)管現(xiàn)象的共同作用將焊劑帶到PCB板和元器件引腳上，形成焊接點(diǎn)。6.簡(jiǎn)述電子封裝的等級(jí)?答案：從整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)講，電子封裝包括零級(jí)封裝、-級(jí)封裝、二級(jí)封裝、三級(jí)封裝和四級(jí)封裝。零級(jí)封裝:芯片上互連；

一級(jí)封裝:將芯片封裝成器件。

二級(jí)封裝，是指將電子元器件(包括已封裝的芯片)安裝到印刷電路板上。主要釬焊方法包括通孔插裝技術(shù)、表面貼裝技術(shù)、芯片直接安裝技術(shù)

三級(jí)封裝，子系統(tǒng)組裝，將二級(jí)封裝插到電路板上，

四級(jí)封裝，整機(jī)電子系統(tǒng)如電子計(jì)算機(jī)的組裝。7.矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？答案：基板：基板要具有良好的電絕G8P-1A4PDC12緣性、導(dǎo)熱性和機(jī)械強(qiáng)度高等特征。一般基板的材科多采用高純度的(96%)AL203陶瓷。其工藝要求表面平整、劃線準(zhǔn)確，以確保電阻、電極漿料印制到位。

電極：片式電阻器一般都采用三層電極結(jié)構(gòu)，最內(nèi)層的是內(nèi)層電極，它是連接電阻體位于中間層的是中間電極，它是鍍鎳(Ni)層，也被稱為阻擋層，其主要作用是提高電阻器在焊接時(shí)的耐熱性，避免造成內(nèi)層電極被溶蝕。位于最外層的是外層電極，它也被稱為可焊層，該層除了使電極具有良好的可焊性外，還可以起到延長(zhǎng)電極保存期的作用。通常，外層電極采用錫一鉛(S。-Pb)合金電鍍而成。

電阻膜：電阻膜是采用具有一定電阻率的電阻漿料印制在陶瓷基板上，然后再經(jīng)過燒結(jié)而成的厚膜電阻。

保護(hù)層：保護(hù)層位于電阻膜的外部，主要起保護(hù)作用。它通?？梢约?xì)分為封包玻璃保護(hù)膜、玻璃釉涂層和標(biāo)志玻璃層。8.BGA的封裝結(jié)構(gòu)和主要特點(diǎn)。答案：BGA球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。焊球材料為低熔點(diǎn)共晶焊料合金，直徑約1mm，間距范圍1.27-2.54mm，焊球采用低熔點(diǎn)焊料合金連接在基板底部，組裝時(shí)焊球熔融，與PCB表面焊盤接合在一起，呈現(xiàn)桶狀。

特點(diǎn)：BGA引腳很短，使信號(hào)路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能。BGA有利于散熱。BGA也適合MCM的封裝，有利于實(shí)現(xiàn)MCM的高密度、高性能。9.已知某混合物含三種成份，比例為2：7：1，求800克該混合物中三種成份各為多少克？答案：由題意可得：

2/（2+7+1）×800=160（克）

7/（2+7+1）×800=560（克）

1/（2+7+1）×800=80（克）

答三種成份的質(zhì)量分別為160克，580克，80克。10.下圖中兩金屬圓環(huán)之間的電容C；已知：D=1cm，d=0.5cm，ε=2，L=1cm，（C=（D2-d2）ε/16L）。答案：C=（D2-d2）·ε/16L=（12-0.52）×2/16×1=0.094(pF)

答兩金屬圓環(huán)間電容為0.094pF。11.焊錫的種類的成分有哪些？答案：1、鉛-錫合金2、鉛-錫-銀合金3、鉛-錫-銻合金4、其他錫鉛合金12.涂敷助焊劑的方法的成分有哪些？答案：可以用發(fā)泡式、波式或噴灑等方法涂布刀印制電路板上。13.把5克氫氧化鉀固體溶于20克水中，計(jì)算該溶液的質(zhì)量百分比濃度。答案：5克NaOH溶于20g水中，總質(zhì)量=20+5=25(g)

NaOH的質(zhì)量百分比濃度為：

5÷25×100％=20％

答所得溶液質(zhì)量百分比濃度為20％。14.柯肯達(dá)爾空洞是什么。答案：是指線材、鍵合點(diǎn)金屬與金屬間化合物之間的兩種擴(kuò)散速率不同的金屬在擴(kuò)散過程中會(huì)形成缺陷，產(chǎn)生空洞。15.某一電阻，已知25℃時(shí)的阻值為10.00kΩ，85℃時(shí)的阻值為10.01kΩ，-45℃時(shí)的阻值為9.98kΩ，求此電阻的高溫區(qū)(85℃)的溫度系數(shù)和低溫區(qū)(-45℃)的溫度系數(shù)。答案：根據(jù)公式：TCR=[(R2-R1)/R1(T2-T1)]可得：

高溫區(qū)的TCR=[(10.01-10.00)/10.00×(85-25)]×106

=16.67(ppm/℃)

低溫區(qū)的TCR=[(9.98-10.00)/10.00×(-45-25)]×106

=28.57(ppm/℃)

答此電阻的高溫區(qū)的溫度系數(shù)TCR=16.67ppm/℃，低溫區(qū)的溫度系數(shù)

TCR=28.57ppm/℃。16.芯片封裝的層次是哪五個(gè)。答案：五個(gè)層次：零級(jí)層次:在芯片上的集成電路元器件間的連線工藝

第一層次：芯片層次的封裝

第二層次：將第一個(gè)層次完成的封裝與其他電子元器件組成的一個(gè)電路卡的工藝

第三層次：將第一個(gè)層次完成的封裝組裝成的電路卡組合成在一個(gè)主電路板上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝

第四層次：將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成一個(gè)完整電子產(chǎn)品的工藝過程17.比較SOT、SOP、QFP、PLCC的引腳布局的差別。答案：SOT：主要封裝二極管、三極管，有2∽4個(gè)引腳。

SOP：引腳兩邊引出,封裝數(shù)十個(gè)I/O引腳的中、小規(guī)模IC及少數(shù)LSI芯片，節(jié)距多為1.27mm和0.65mm等。

QFP：四邊引腳，主要封裝I/O數(shù)為40∽304的LSI和VLSI，節(jié)距1.27、0.8、0.65、0.5、0.4、0.3mm。

PLCC：為四邊引腳，塑封，J引腳，封裝I/O數(shù)為16∽124的IC，節(jié)距：1.27mm。18.WB的分類及特點(diǎn)。答案：熱壓焊。特點(diǎn)：易氧化易壓傷鍵合力小

超聲焊。特點(diǎn)：與熱壓焊相比，可提高焊接質(zhì)量，接頭強(qiáng)度也較高；無加熱，所以對(duì)芯片無影響；可根據(jù)不同需求調(diào)節(jié)能量，焊不同粗細(xì)的Al絲；不產(chǎn)生化合物。

金絲球焊。特點(diǎn)：最具代表性的引線鍵合焊接技術(shù)。壓點(diǎn)面積大，又無方向性,可實(shí)現(xiàn)微機(jī)控制下的高速自動(dòng)化焊接,往往帶超聲功能,具有超聲焊優(yōu)點(diǎn)。19.一陶瓷基片經(jīng)干燥后的重量為3.2g，將該樣品浸入20℃的水中一天，測(cè)得該基片質(zhì)量為3.24g，求此種陶瓷的吸水率？答案：W＝（3.24-3.2）/3.2×100%＝1.25%

答此種陶瓷的吸水率1.25％。20.金-硅合金中，已知金原子的百分?jǐn)?shù)為69%，金原子和硅原子數(shù)的和為0.691N，金的原子量為197。求(1)求金的原子數(shù)？(2)求金和硅的質(zhì)量百分含量？答案：設(shè)金的原子數(shù)為x

∵x/0.691＝0.69

∴x＝0.691×0.69＝0.477（N）

金質(zhì)量百分含量為：197×0.477≈94（94％）

硅的質(zhì)量百分含量為：16％

答金的原子數(shù)為0.477N；金質(zhì)量百分含量為94％，硅的質(zhì)量百分含量為

16％。21.平行縫焊中，已知功率為1800W，脈沖寬度為3×10-3秒，求一個(gè)脈沖的總能量？答案：E=P*PW=5.4J

答一個(gè)脈沖的總能量為5.4J。22.什么是共晶焊接法？答案：共晶焊中用得最普遍的是金-硅共晶焊，其原理是利用金硅合金在高于共晶溫度溫度下，通過加壓和超聲振動(dòng)，破壞兩者表面的氧化層，使金硅兩者最緊密接觸，達(dá)到原子距離形成微觀上熔化并互相擴(kuò)散的焊接層。實(shí)際上也就是形成微合金層，這種焊接層特點(diǎn)是焊接面均勻、接觸牢固、歐姆接觸電阻小。共晶焊接效率高，操作方便，易于實(shí)現(xiàn)自動(dòng)化和大生產(chǎn)。23.埋層芯片互聯(lián)－后布線技術(shù)的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)及發(fā)展趨勢(shì)？答案：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：

先布線焊接互聯(lián)技術(shù)：在各類基板上的金屬化布線焊區(qū)上焊接各類IC芯片，即先布線而后焊接，稱為先布線焊接互聯(lián)技術(shù)。埋層芯片互聯(lián)技術(shù)（后布線技術(shù)）：先將IC芯片埋置到基板或PI介質(zhì)層中后，再統(tǒng)一進(jìn)行金屬布線，將IC芯片的焊區(qū)與布線金屬自然相連。這種芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)間的互聯(lián)屬金屬布線的一部分，互連已無任何“焊接”的痕跡。這種先埋置IC芯片再進(jìn)行金屬布線的技術(shù)稱為后布線技術(shù)。

發(fā)展趨勢(shì)：

埋置芯片互連還可進(jìn)一步提高電子組裝密度，是進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)立體封裝的一種有效的形式。它的最明顯好處是可以消除傳統(tǒng)的IC芯片與基板金屬焊區(qū)的各類焊接點(diǎn)，從而提高電子產(chǎn)品的可靠性。而Si基板除了以上兩種埋置芯片互連技術(shù)外，還可以利用半導(dǎo)體IC芯片制造工藝，先在Si基板內(nèi)制作所需的各類有源器件后再布線與各有源器件的焊區(qū)互連。在這種內(nèi)含有源器件的Si基板上再進(jìn)行多層布線，埋置IC芯片，將有更高的集成度。24.真空室的真空壓力為2.4E-5mbar，試將壓力單位轉(zhuǎn)化為Pa（1mbar=100Pa）。答案：由1mbar=100Pa可得：2.4E-5mbar=2.4E-3Pa

答壓力單位轉(zhuǎn)化后為2.4E-3Pa。25.在25℃時(shí)，將一可溶性鹽與一種不溶物組成的固體混合物40g投入50g水中，充分?jǐn)嚢枞芙狻⑦^濾，尚余固體15g，則該可溶性鹽在25℃時(shí)的溶解度為多少克？答案：S=（40-15）÷50×100=50g。

答該可溶性鹽在25℃時(shí)的溶解度為50g。26.簡(jiǎn)述電子封裝種強(qiáng)制使用無鉛釬料的原因？答案：1.無鉛釬料的熔點(diǎn)較高。2.無鉛釬料中Sn含量較高。3.小尺寸釬料在大電流密度的作用下會(huì)導(dǎo)致電遷移的問題。27.塑料封裝的工藝有哪些？答案：轉(zhuǎn)移鑄模、軸向噴灑涂膠、反應(yīng)射出成型28.表面組裝電阻器主要有哪幾類，各有什么特點(diǎn)。答案：可分為矩形片式電阻器,圓柱形片式電阻器。其中矩形片式電阻器的基板由高純氧化鋁做成，電阻材料用鍍膜濺射的方法涂與基板表面，用玻璃純化的方法形成保護(hù)膜，在矩形的兩邊為可焊端，即引線端。29.氣密性封裝材料主要有哪些?哪種最好？答案：沒有一種材料能永遠(yuǎn)阻絕水汽的滲透。以高分子樹脂密封的塑料封裝時(shí)，水分子通常在幾個(gè)小時(shí)內(nèi)就能侵入。能達(dá)到所謂氣密性封裝的材料通常指金屬、陶瓷及玻璃，因此金屬封裝、陶瓷封裝及玻璃封裝被歸類于高可靠度封裝，也稱為氣密性封裝或封裝的密封。塑料封裝則為非氣密性封裝。30.QC七大手法有哪些。答案：QC七大手法有調(diào)查表、數(shù)據(jù)分層法、散布圖、因果圖、控制圖、直方圖、排列圖等。31.產(chǎn)品標(biāo)志包括哪些內(nèi)容？封裝的外觀質(zhì)量有哪些要求？答案：1）產(chǎn)品標(biāo)志包括引出端識(shí)別標(biāo)志、型號(hào)質(zhì)量類別或等級(jí)標(biāo)志、制造單位名稱、代號(hào)和商標(biāo)標(biāo)志

2）封裝的外觀標(biāo)志清晰、耐久；引出端定位標(biāo)志明顯；無機(jī)械損傷、缺陷；外引線正直、完整；鍍層光亮、覆蓋完整；表面清潔32.3D多芯片封裝的概念是什么，難點(diǎn)在哪。答案：3D概念：是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一封裝體內(nèi)與垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)。難點(diǎn)在于芯片的減薄和芯片的堆疊。33.氣密性封裝的作用和必要性有哪些。答案：氣密性封裝是指完全能夠防止污染物的侵入和腐蝕的封裝。

為提供IC芯片的保護(hù)，避免不適當(dāng)?shù)碾?、熱、化學(xué)及機(jī)械等因素的破壞。34.影響再流焊質(zhì)量的原因。答案：如果PCB焊盤設(shè)計(jì)不正確或元器件斷頭與印制焊盤可焊性不好，即使貼裝位置十分精確，再流焊時(shí)由于表面張力不平衡，焊接后也會(huì)出現(xiàn)元器件位置偏離、吊橋、橋連、潤(rùn)濕不良等焊接缺陷。35.片式鉭電解電容和鋁電解電容有什么主要特點(diǎn)和主要差別？答案：片式鉭電解電容器：是用金屬鉭做正極，用稀硫酸等配液做負(fù)極，用鉭表面生成的氧化膜作為介質(zhì)制成。矩形鉭電解電容外殼為有色塑料封裝，一端印有深色標(biāo)志線，為正極，在封面上有電容量的數(shù)值及耐壓值，一般有醒目的標(biāo)志，以防用錯(cuò)。

鋁電解電容：以金屬鋁為正極，其表面氧化膜作為介質(zhì)，電解液作為負(fù)極的電容，液體電解質(zhì)片式鋁電解電容器的特點(diǎn)：它是由鋁圓筒做負(fù)極、里面裝有液體電解質(zhì)，插人一片彎曲的鋁帶做正極制成。還需經(jīng)直流電壓處理，做正極的片上形成一層氧化膜做介質(zhì)。其特點(diǎn)是容量大、但是漏電大、穩(wěn)定性差、有正負(fù)極性，適于電源濾波或低頻電路中，使用時(shí)，正、負(fù)極不能接反。36.簡(jiǎn)述模注成形技術(shù)的常見問題。答案：有塑封產(chǎn)品無論是采用先進(jìn)的傳遞模注封裝還是采用傳統(tǒng)的單注塑模封裝，塑封成形缺陷總是普遍存在的，而且無法完全消除。1.未填充；2.沖絲；3.氣泡或氣孔；4.麻點(diǎn)；5.開裂；6.溢料；7.其他缺陷，在塑封中還有粘污、偏芯等缺陷。37.簡(jiǎn)述電子元器件集成電路的定義？答案：按照制作工藝可分為半導(dǎo)體集成電路、薄膜集成電路、厚膜集成電路和混合集成電路4類。按照集成度高低，可分為小規(guī)模(SSI)、中規(guī)模(MSI)、大規(guī)模(LSI)及超大規(guī)模(VLSI)集成電路4大類。

表面安裝集成電路:是在原有雙列直插(DIP)器件的基礎(chǔ)上發(fā)展來的，是通裝技術(shù)(THT)向SMT發(fā)展的重要標(biāo)志，也是SMT發(fā)展和重要?jiǎng)恿Α?8.封裝質(zhì)量的外觀要求是什么？答案：封裝質(zhì)量的外觀要求是：標(biāo)志清晰、耐久，引出端定位標(biāo)志明顯，無機(jī)械損傷，外引線正直，鍍層覆蓋完整，表面清潔。39.為什么說無鉛化的強(qiáng)制要求使用釬焊技術(shù)界面反應(yīng)加速？請(qǐng)以Sn-3Ag-0.5Cu(熔點(diǎn)217℃）和Sn-37Pb（熔點(diǎn)183℃）為例對(duì)比說明？答案：1.無鉛釬料的熔點(diǎn)較高。比Sn37Pb提高34~44oC。高的釬焊溫度使固/液界面反應(yīng)加劇。2.無鉛釬料中Sn含量較高。（SnAg中96.5%Sn，SnPb中63%Sn），因?yàn)镻b不參與固/液和固/固界面反應(yīng)，高Sn含量使固/液、固/固界面反應(yīng)均加速。3.小尺寸釬料在大電流密度的作用下會(huì)導(dǎo)致電遷移的問題。40.BGA的分類是？答案：BGA的四種主要形式為：塑料球柵陣列、陶瓷球柵陣列、陶瓷圓柱柵格陣

列和載帶球柵陣列。41.與通孔安裝元器件相比，表面安裝元器件有何優(yōu)缺點(diǎn)。答案：優(yōu)點(diǎn)：SMD的體積小，重量輕，所占基板的面積小，因而組裝密度高SOP、PLCC與DIP相比，具有優(yōu)異的電性能，適合自動(dòng)化生產(chǎn)，降低生產(chǎn)成本，能提高可靠性，更有利于環(huán)境保護(hù)。

缺點(diǎn)：元器件安裝密度高，PWB上功率密度高，散熱問題顯得重要引起的裂紋和開裂問題，塑料件的吸潮問題。42.塑料封裝吸潮的危害及解決辦法。答案：危害：吸潮失效。

解決方法：從封裝結(jié)構(gòu)的改進(jìn)上增強(qiáng)抗開裂的能力，對(duì)塑封器件進(jìn)行適宜的烘烤是防止焊接開裂，合適的包裝和良好的貯存條件是控制塑封器件吸潮的必要手段。43.簡(jiǎn)述芯片切割的常用工藝技術(shù)。答案：切割的方式可以分為刀片切割和激光切割兩個(gè)大類。刀片切割是較為傳統(tǒng)的切割方式，通過采用金剛石磨輪刀片高速轉(zhuǎn)動(dòng)來實(shí)現(xiàn)切割。激光切割工藝就是利用激光聚焦產(chǎn)生的能量來完成切割，可以分為激光半切割方式和激光全切割方式。激光半切割方式既需要進(jìn)行激光切割又需要進(jìn)行刀片切割，而激光全切割方式則完全用激光來進(jìn)行切割。44.可靠性測(cè)試項(xiàng)目有哪些。答案：預(yù)處理、T/C、T/S、HTST、T&H、PCT。45.什么是陶瓷封裝？?jī)?yōu)點(diǎn)與缺點(diǎn)是什么。答案：陶瓷封裝是高可靠度需求的主要封裝技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)是能提供IC芯片的密封保護(hù)，缺點(diǎn)是成本高，具有較高的脆性、易致應(yīng)力受損、工藝自動(dòng)化與薄型化封裝的能力遜于塑料封裝。46.TAB技術(shù)的關(guān)鍵材料包括哪三部分材料。答案：基帶材料，TAB的金屬材料，芯片凸點(diǎn)的金屬材料。47.平行縫焊中，已知焊接功率為1500W，脈沖寬度為6ms，脈沖周期為60ms，求單位焊接時(shí)間的能量？答案：E=P*PW/RT=1500×6÷60=150J

答單位焊接時(shí)間的能量為150J。48.列舉3D封裝垂直互連技術(shù)的種類。答案：（1）疊加帶載體法。（2）焊接邊緣導(dǎo)帶法（3）立方體表面上的薄膜導(dǎo)帶法。（4）立方體表面的互連線基板法。（5）折疊式柔性電路法。（6）絲焊疊層芯片法。49.焊接材料是什么。答案：焊接材料是指焊接時(shí)所消耗材料，有軟焊接材料，Sn—Pb，低于450攝氏度，還有硬焊接材料。50.平行縫焊中，已知脈沖周期為50ms，滾輪速度為1mm·S-1，求相鄰焊點(diǎn)間的中心距離？答案：L=RT*S=0.05×1=0.05mm。

答相鄰焊點(diǎn)間的中心距離為0.05mm。51.Sn62-Pb36-Ag2焊料中銀的作用是什么？答案：當(dāng)對(duì)端帽含有鈀銀成分的片式電容進(jìn)行焊接時(shí)，常采用Sn62-Pb36-Ag2兩種焊料合金，由于該焊料中含有2%的銀能減少端帽中銀和焊料中的錫之間產(chǎn)生的溶蝕作用。52.請(qǐng)說明電子封裝結(jié)構(gòu)中熱管理的重要性?答案：電子元器件封裝集成度的迅速提高，芯片尺寸的不斷減小以及功率密度的持續(xù)增加，使得電子封裝過程中的散熱、冷卻問題越來越不容忽視。而且，芯片功率密度的分布不均會(huì)產(chǎn)生所謂的局部熱點(diǎn)，采用傳統(tǒng)的散熱技術(shù)已不能滿足現(xiàn)有先進(jìn)電子封裝的熱設(shè)計(jì)、管理與控制需求，它不僅限制了芯片功率的增加，還會(huì)因過度冷卻而帶來不必要的能源浪。電子封裝熱管理是指對(duì)電子設(shè)備的耗熱元件以及整機(jī)或系統(tǒng)采用合理的散熱技術(shù)和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化，對(duì)其溫度進(jìn)行控制，從而保證電子設(shè)備或系統(tǒng)正常、可靠地工作。53.說明金絲球焊的主要工藝過程及其工作原理。答案：工藝過程：打火燒球，一焊，拉弧，二焊，留尾絲回打火位、送絲等，開始下一個(gè)循環(huán)。

工作原理：將鍵合引線垂直插入毛細(xì)管劈刀的工具中，引線在電火花作用下受熱成液態(tài)，由于表面張力作用而形成球狀,在攝像和精密控制下,劈刀下降使球接觸晶片鍵合區(qū),對(duì)球加壓,使球和焊盤金屬形成冶金結(jié)合完成第一點(diǎn)焊接過程,然后劈刀提起,沿著預(yù)定的軌道移動(dòng)，稱作弧形走線,到達(dá)第二個(gè)鍵合點(diǎn)時(shí)，利用壓力和超聲能量形成月牙式第二個(gè)焊點(diǎn),劈刀垂直運(yùn)動(dòng)截?cái)嘟z尾部。這樣完成兩次焊接和一個(gè)弧線循環(huán)。54.簡(jiǎn)述封裝發(fā)展方向、要求。答案：集成電路的發(fā)展主要表現(xiàn)在：芯片的尺寸越來越大，工作頻率越來越高，發(fā)熱量日趨增大，引腳越來越多。

對(duì)封裝的要求：隨著微電子產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，芯片封裝技術(shù)朝著小型化，適應(yīng)高發(fā)熱方向發(fā)展，集成度高，同時(shí)適應(yīng)大芯片要求，高密度化、適應(yīng)多引腳，高溫

度環(huán)境，高可靠性，考慮環(huán)保要求。55.環(huán)氧包封是密封的嗎？答案：由于聚合物對(duì)濕氣、空氣和其他氣體的固有滲透性和塑料與封裝引線的界面間的濕氣滲透、環(huán)氧封裝或塑料包封被認(rèn)為是不密封的。56.在一個(gè)均勻的n型半導(dǎo)體的表面的一點(diǎn)注入少數(shù)載流子空穴，樣品在電場(chǎng)力的作用下少數(shù)載流子在100μs的時(shí)間內(nèi)移動(dòng)了1cm，求少數(shù)載流子的漂移速率？答案：在電場(chǎng)下少子的漂移速率為：v=1cm/100us=104cm/s

答單位焊接長(zhǎng)度的能量為720J。57.潔凈區(qū)工作人員應(yīng)注意些什么？答案：保持部件與工具潔凈,保持個(gè)人清潔衛(wèi)生.不能把潔凈服提來提去,人員不能觸摸或翻動(dòng)潔凈服.禁止吃喝，禁止用手表，首飾，指甲油，吸煙，化妝，工作只能在潔凈面上進(jìn)行。58.CSP特點(diǎn)有哪些？答案：滿足了LSI芯片引腳不斷增加的需要；解決了集成電路裸芯片不能進(jìn)行交流參數(shù)測(cè)試和老化篩選的問題；封裝面積縮小到BGA的1/4至1/10，延遲時(shí)間縮小到極短。59.BGA的安裝互聯(lián)技術(shù)。答案：安裝前需檢查BGA焊球的共面性以及有無脫落,BGA在PWB上的安裝與目前的SMT工藝設(shè)備和工藝基本兼容。先將低熔點(diǎn)焊膏用絲網(wǎng)印制到PWB上的焊區(qū)作列上，用安裝設(shè)備將BGA對(duì)準(zhǔn)放在印有焊膏的焊區(qū)上，然后進(jìn)行標(biāo)準(zhǔn)的SMT再流焊。60.清洗某物需用10%的稀鹽酸，現(xiàn)有濃度為30%的鹽酸100ml，需加水多少克才能使用？答案：100ml10%的稀鹽酸中含有水90ml

100ml30%的濃鹽酸中含有水70ml

設(shè)x為把30％的鹽酸稀釋到10％后的總體積

90:10＝x:30

X＝270ml

270-70＝200ml

答需加水200ml。61.將阻值為2kΩ和5kΩ的電阻并聯(lián)，計(jì)算并聯(lián)后的電阻值。答案：由并聯(lián)電阻的計(jì)算公式1/R并=1/R1+1/R2可得：

R并=(R1×R2)/(R1+R2)=(2×5)/(2+5)=1.43kΩ

答并聯(lián)后的電阻值為1.43kΩ。62.已知變壓器原邊上加220V的交流電壓，原邊匝數(shù)N1=1100匝，副邊(單組)得到5V的交流電壓，求(1)副邊匝數(shù)N2；(2)若原邊電流I1＝100mA，計(jì)算副邊電流I2？答案：(1)根據(jù)公式N1/N2＝U1/U2

則N2＝U2N1/U1＝5×1100/220＝25(匝)(2)根據(jù)公式N1/N2＝I2/I1

則I2＝I1N1/N2＝0.1×1100/25＝4.4（A）

答副邊匝數(shù)為25匝，副邊電流4.4A。63.簡(jiǎn)述封裝技術(shù)的工藝流程。答案：硅片減薄、硅片切割、芯片貼裝、芯片互聯(lián)、成型技術(shù)、去飛邊毛刺、切筋成形、上焊錫、打碼。64.費(fèi)米能級(jí)的定義？答案：電子在不同能量量子態(tài)上的統(tǒng)計(jì)分布概率遵循費(fèi)米分布函數(shù)：

費(fèi)米能級(jí)EF是確定費(fèi)米分布函數(shù)的一個(gè)重要物理參數(shù)，在絕對(duì)零度是，費(fèi)米能級(jí)EF反映了未占和被占量子態(tài)的能量分界線，在某有限溫度時(shí)的費(fèi)米能級(jí)EF反映了量子態(tài)占據(jù)概率為二分之一時(shí)的能量位置。65.MCM的概念、分類與特性答案：概念：將多塊半導(dǎo)體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。66.金屬外殼封裝的常用封帽工藝有哪兩種。答案：熔焊封接法，焊料封接法67.用溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液配制50g溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為3%的氯化鈉溶液，需溶質(zhì)質(zhì)量分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液多少g.答案：根據(jù)配制過程中溶質(zhì)的質(zhì)量不變，設(shè)需要6%的氯化鈉溶液質(zhì)量為x

列方程：50gx3%=x.6%,x=25g

可得出需溶質(zhì)質(zhì)最分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液為25g

答需溶質(zhì)質(zhì)最分?jǐn)?shù)為6%的氯化鈉溶液為25g。68.畫出陶瓷封裝的工藝流程框圖。答案：生胚片的制作、沖片、與導(dǎo)孔成型、疊壓、燒結(jié)、表層電鍍、引腳接合與測(cè)試69.減薄后的芯片有哪些優(yōu)點(diǎn)？答案：更有利于散熱；

減小芯片封裝體積；

提高機(jī)械性能；

降低元件導(dǎo)通電阻，降低信號(hào)延遲；

減小劃片加工量，降低芯片崩片的發(fā)生率。70.已知電阻R1=R2=R3=R4=100Ω/0.25W，如下圖連接，試求：⑴A、B點(diǎn)之間的電阻RAB？⑵A、B點(diǎn)之間最大承受功率是多少？答案：⑴由圖可得：

RAB=﹙R1×R2﹚/﹙R1＋R2﹚+﹙R3×R4﹚/﹙R3＋R4﹚

=100Ω

⑵由圖可得：

PAB=P1+P2+P3+P4

=0.25+0.25+0.25+0.25

=1W

答A、B點(diǎn)之間的電阻RAB為100Ω，A、B點(diǎn)之間最大承受功率是1W。71.載帶自動(dòng)焊的分類及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)？答案：TAB按其結(jié)構(gòu)和形狀可分為：

Cu箔單層帶：Cu的厚度為35-70um，

Cu-PI雙層帶

Cu-粘接劑-PI三層帶

Cu-PI-Cu雙金屬72.芯片互聯(lián)的方法主要分為哪幾類,各有什么特點(diǎn)。答案：芯片面朝下，連線短，適于高速、高頻的單子產(chǎn)品應(yīng)用。73.在下圖所示電路中R4和R5可起短路保護(hù)作用。試問當(dāng)輸出因故障而短路時(shí)晶體管的最大集電極電流和功耗各為多少？

答案：當(dāng)輸出短路時(shí)，功放管的最大集電極電流和功耗分別為

ICmax=(VCC-UCES)/R4=26A

PTmax=(VCC)2/（3.142×R4）=46W

答功放管的最大集電極電流為26A，功耗為46W。74.涂封的材料主要有哪幾種。答案：AR、SR、XY、氟化高分子樹脂75.為什么BGA與CSP封裝的微電子元器件與直插相比增加了一個(gè)返修工藝？答案：由于BGA或CSP通常是封裝LSI、VLSI芯片的，這些芯片往往價(jià)格較高，因此，對(duì)這類有些封裝缺陷的器件應(yīng)盡可能進(jìn)行返修，以節(jié)約成本。76.簡(jiǎn)述焊接過程中生成的界面金屬間化合物對(duì)焊點(diǎn)力學(xué)性能產(chǎn)生的影響?答案：在400-600um直徑SAC/Cu焊點(diǎn)中，Ag3Sn化合物形態(tài)基本呈樹枝網(wǎng)狀，而在300um以下直徑SAC/Cu焊點(diǎn)，Ag3Sn相則基本呈顆粒分布，可見隨著焊點(diǎn)體積的減小，Ag3Sn化合物有逐漸細(xì)化的趨勢(shì)。第二相質(zhì)點(diǎn)呈樹枝網(wǎng)狀分布將使材料的脆性增強(qiáng)，而彌散分布的顆粒狀第第二相質(zhì)點(diǎn)不僅具有第二相強(qiáng)化作用，而且能使材料保持良好的塑性，材料的力學(xué)性能較好。因此，Ag3Sn化合物形態(tài)在不同體積焊點(diǎn)中的差異必將引起不同體積焊點(diǎn)力學(xué)行為的顯著變化。別外，界面處的Cu6Sn5化合物層也有細(xì)微差別，小體積焊點(diǎn)的Cu6Sn5比大體積焊點(diǎn)更加細(xì)密，這將大大增加金屬間化合物層與釬料基體的接觸面積，也會(huì)提高焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度。因此，小體積焊點(diǎn)的剪切強(qiáng)度要高于大體積焊點(diǎn)。在焊點(diǎn)內(nèi)部發(fā)現(xiàn)的六棱柱狀的c化合物，也將對(duì)焊點(diǎn)裂紋擴(kuò)展產(chǎn)生一定的阻礙作用。77.在芯片的組裝過程中，常常運(yùn)用到各種不同的焊接技術(shù)，詳細(xì)敘述波峰焊技術(shù)和再波峰焊技術(shù)的工藝流程并比較其應(yīng)用范圍。答案：工藝流程：波峰焊技術(shù)：準(zhǔn)備，元件插裝，噴涂釬劑，預(yù)熱，波峰焊，冷卻，清洗再波峰焊技術(shù)：印刷焊錫膏與pcb通孔焊盤，放置插裝件，再流焊接。

應(yīng)用范圍：一般情況下，波峰焊用于混合組裝方式，再流焊用于全表面貼裝方式78.SMT的PCB定位方式有：。答案：SMT的PCB定位方式有：針定位邊針加邊。79.我們用的充銀導(dǎo)電膠中，已知樹脂、銀粉、固化劑的比為3:7.5:0.5，試求1500g充銀導(dǎo)電膠中三種成份各含多少克？答案：含樹脂為：1500×3/(3+7.5+0.5)＝409.1(g)

含銀粉為：1500×7.5/(3+7.5+0.5)＝1022.7(g)

含固化劑為:1500×0.5/(3+7.5+0.5)＝68.2(g)

答1500克充銀導(dǎo)電膠中，純樹脂含量為409.1g，銀粉含量為1022.7g，固

化劑含量為68.2g。80.測(cè)試過程4要素。答案：檢測(cè)，確定被測(cè)器件是否具有或者不具有某些故障。

診斷，識(shí)別表現(xiàn)于DUT的特定故障。

器件特性的描述，確定和校正設(shè)計(jì)或者測(cè)試中的錯(cuò)誤。

失效模式分析，確定引起DUT缺陷制造過程中的錯(cuò)誤。81.在60℃時(shí)，將450g某CuSO4溶液恒溫蒸發(fā)掉310g水后，溶液恰好飽和；此溫度下另取45g該CuSO4溶液，加入25g膽礬，完全溶解后溶液亦恰好飽和。60℃時(shí)CuSO4的溶解度為多少克？答案：設(shè)45g原溶液中有Wg溶質(zhì)；

（W+25g×160g/250g）/（45g+25g）=W/（45g-31g）

W=4；

S=4/(14-4)×100g=40g

答60℃時(shí)CuSO4的溶解度為40g。82.簡(jiǎn)述厚膜漿料的分類以及傳統(tǒng)金屬陶瓷厚膜漿料的4種主要成分與作用。答案：一般可將厚膜漿料分為：聚合物厚膜、難熔材料厚膜與金屬陶瓷厚膜三種類型。傳統(tǒng)的金屬陶瓷厚膜包括4種成分，分別為：有效物質(zhì)：確定膜的功能，即確定膜為導(dǎo)體、介質(zhì)層、電阻；粘貼成分：提供與基板的粘貼以及使有效物質(zhì)顆粒保持懸浮狀態(tài)的基體；有機(jī)粘貼劑：提供絲網(wǎng)印刷印制的合適流動(dòng)性能；溶劑或稀釋劑：它決定運(yùn)載劑的粘度。83.熱固性粘接劑有什么性質(zhì)？答案：熱固性粘接劑是由化學(xué)反應(yīng)固化形成交聯(lián)聚合物的材料，固化之后再加熱也不會(huì)軟化，不能重新建立粘結(jié)連接。在接近或高于熱固型粘接劑的玻璃轉(zhuǎn)變溫度，重新加熱會(huì)大大減少其粘結(jié)強(qiáng)度。84.簡(jiǎn)述波峰焊接過程？答案：裝板-助焊劑涂覆-預(yù)熱-焊接-熱風(fēng)刀-冷卻-卸板85.解釋塑料封裝中轉(zhuǎn)移鑄膜的工藝方法。答案：利用鑄膜機(jī)的擠制桿將預(yù)熱軟化的鑄膜材料經(jīng)閘口與流道壓入模具腔體的鑄孔中，經(jīng)熱處理產(chǎn)生硬化成型反應(yīng)。86.芯片互連的方法主要分為哪幾類，各有什么特點(diǎn)。答案：分類：WB引線鍵合；TAB載帶自動(dòng)焊；FCB倒裝焊

特點(diǎn)：WB：最傳統(tǒng)，最常用的，也是最成熟的芯片互連技術(shù)，焊接靈活方便，焊點(diǎn)強(qiáng)度高，通常能滿足70um以上芯片焊區(qū)尺寸和結(jié)局的要求。

TAB：封裝薄，節(jié)距小，引腳多，電性好，可測(cè)性，導(dǎo)熱好，機(jī)械強(qiáng)度高，成本

高，耗時(shí)多，修理要求苛刻。

FCB：連線短，安裝密度高，適用于大批量生產(chǎn)，但檢測(cè)困難，成本高，材料之間的應(yīng)力問題也需解決。87.CSP的封裝技術(shù)答案：所謂CSP(ChipSizePackage)，即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：(1)體積小：CSP是目前體積最小的LSI芯片封裝之一。(2)可容納的引腳最多：相同尺寸的LSI芯片的各類封裝中，CSP的引腳最多。(3)電性能好：CSP寄生電容很小，信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短。(4)散熱性能優(yōu)良：大多數(shù)CSP都將芯片面向下安裝，能從芯片背面散熱，且效果良好88.芯片貼裝、芯片互聯(lián)、和可焊接性是什么。答案：芯片貼裝：

是將IC芯片固定于封裝基板或引腳架芯片的承載座上的工藝過程。

芯片互聯(lián)：

將芯片與電子封裝外殼的I/O引線或基板上的金屬布線焊區(qū)相連接。

可焊接性:

指動(dòng)態(tài)加熱過程中，在基體表面得到一個(gè)潔凈金屬表面，從而使熔融焊料在基體表面形成良好潤(rùn)濕能力。89.SMT電路基板（SMB）的主要特點(diǎn)？答案：高密度：SMB引腳數(shù)增加，線寬和間距縮小。

小孔徑：表面過孔用于實(shí)現(xiàn)層間連接。

CTE低：CTE失配，元器件與電路板之間的熱失配對(duì)，SMB的CTE提出更高要求

耐高溫性能：雙面SMT，SMB需要經(jīng)受兩次再流焊。

平整度好：要求SMB焊盤與元器件引腳、端子緊密接觸。90.半導(dǎo)體制造的前工程和后工程是指什么?答案：前工程:從整塊硅圈片入手，經(jīng)過多次重復(fù)的制膜、氧化、擴(kuò)散，包括照相制版和光刻等工序，制成三極管、集成電路等半導(dǎo)體組件衛(wèi)電極等，開發(fā)材料的電子功能，以實(shí)現(xiàn)所要求的元器件特性。

后工程:從由硅置片切分好的個(gè)一個(gè)的芯片入手，進(jìn)行裝片，固定健合連物、塑料量封、引出接線端子、按印檢查等工序，完成作為器件部件的封裝體，以確保元器件的可靠性并便于與外電路連接.91.試畫出N型半導(dǎo)體的費(fèi)米能級(jí)隨溫度變化的曲線？答案：如下圖

92.平行縫焊中，已知脈沖電流峰值為40安培，脈沖時(shí)間為3×10-3秒，接觸電阻為60歐姆，求形成一個(gè)焊點(diǎn)的能量？答案：E=I2RT=40×60×3×10-3=7.2J

答一個(gè)焊點(diǎn)的能量為7.2J。93.塑料封裝缺點(diǎn)有哪些？答案：散熱性、耐熱性、密封性不好、可靠性不高94.簡(jiǎn)述封裝過程中常見的封裝缺陷，并分析產(chǎn)生金線偏移的原因。答案：常見缺陷：金線偏移、翹曲、錫珠、墓碑現(xiàn)象、空洞。

產(chǎn)生金線偏移的原因分析：樹脂流動(dòng)產(chǎn)生的拖曳力；導(dǎo)線架變形；氣泡移動(dòng)；過保壓/遲滯保壓；填充物的碰撞。95.芯片互聯(lián)技術(shù)有哪幾種，分別解釋說明。答案：打線鍵合技術(shù)：將細(xì)金屬線或金屬按順序打在芯片與引腳架或封裝基板的焊點(diǎn)上

形成電路互聯(lián)。

載帶自動(dòng)鍵合技術(shù)：將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/O或基板上的金屬布線焊區(qū)用具引線圖形成金屬箔絲連接的技術(shù)工藝。

倒裝芯片鍵和技術(shù)：芯片面朝下，芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接相連的一種方法。96.影響裝配質(zhì)量的重要因素有那些?答案：1）裝配前預(yù)處理。BGA多為國外進(jìn)口器件，如果采用鋁箔密封干燥包裝，包裝袋里除了干燥劑之外還有濕度指示卡，指示卡上的色環(huán)標(biāo)記會(huì)清晰地表示不同潮濕敏感等級(jí)的器件是否需要烘烤。

2）貼片精度的保證。貼片的主要目的是使BGA上的每個(gè)焊球與PCB上的每個(gè)對(duì)應(yīng)的焊盤對(duì)正[3]，BGA的貼片無法用肉眼直觀地看出其位置是否準(zhǔn)確，針對(duì)貼片機(jī)自動(dòng)貼片以及返修工作站貼片，只能憑借一定的工藝經(jīng)驗(yàn)來確定貼片的正確性。

3）再流焊溫度曲線的設(shè)定。再流焊是形成焊點(diǎn)，實(shí)現(xiàn)器件和印制板機(jī)械電氣互聯(lián)的最終工序，也是整個(gè)裝配過程最難控制的環(huán)節(jié)，獲得合適的溫度曲線對(duì)于BGA的良好焊接非常重要。97.松香的組成是什么？答案：松香是一種天然材料，它是從松樹的含油松脂中提取精煉而成，其主要成份是松香酸及其同素異形體、有機(jī)多脂酸和碳?xì)浠啤?8.在混合電路中導(dǎo)電膠的主要作用？答案：導(dǎo)電膠的主要作用是既需要保證達(dá)到相應(yīng)粘接劑所應(yīng)達(dá)到的性能，又必須達(dá)到電器連接規(guī)定達(dá)到的電器連接性能。99.管帽清洗用12％的稀鹽酸，現(xiàn)在36％的鹽酸100ml，需加水多少克才能使用？答案：100ml12％的稀鹽酸中含水88ml

100ml36％的鹽酸中含水64ml

令X為把36％的鹽酸稀釋到12％后水的總體積

則有88/12=X/36

得X=264(ml)

264-64=200(ml)

答需加水200ml。100.簡(jiǎn)述厚膜技術(shù)的概念。答案：使用網(wǎng)印與燒結(jié)方法，用以制作電阻、電容等電路中的無源元件。101.簡(jiǎn)述共晶型芯片固晶機(jī)主要組成部分及其功能。答案：機(jī)械系統(tǒng)：原料供給，取晶固晶。

電控系統(tǒng)：運(yùn)動(dòng)控制，溫度控制，開關(guān)動(dòng)作。

機(jī)器視覺系統(tǒng)：位置檢測(cè)，缺陷檢測(cè)。102.常用的芯片貼裝有哪三種請(qǐng)對(duì)這三種芯片貼裝方法做出簡(jiǎn)單說明。答案：共晶粘貼法：Au-Si共晶合金粘貼到基板上

焊接粘貼法：Pb-Sn合金焊接

導(dǎo)電膠粘貼法：在塑料封裝中最常見的方法是使用高分子聚合物貼裝到金屬框架上。103.說明目前芯片連接的3種主要方法?答案：WB/TAB/FCB三種基本方式

引線鍵合WB）：是將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/0引線或基板上的金屬布線旱區(qū)用金屬細(xì)絲相連接的技術(shù)工藝。

材料性能要求：低電阻，化學(xué)穩(wěn)定，結(jié)合力強(qiáng)，電導(dǎo)率高，可塑性好，易焊接。

載帶自動(dòng)焊TAB）：是將芯片焊區(qū)與電子封裝外殼的I/0引線或基板上的金屬布線旱區(qū)用具有引線圖形金屬箱絲相連接的技術(shù)工藝。

倒裝焊FCB）：是芯片面朝下，芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接互連的一種方法。104.什么是3D封裝？答案：是指在不改變封裝體尺寸的前提下，在同一個(gè)封裝體內(nèi)于垂直方向疊放兩個(gè)以上芯片的封裝技術(shù)，它起源于快閃存儲(chǔ)器及SDRAM的疊層封裝。105.如何選擇內(nèi)引線材料?答案：引線材料將直接關(guān)系到焊接質(zhì)量、可靠性和電性能。理想的引線材料應(yīng)具備：

1）能與管芯金屬化電極焊盤和管殼焊盤形成低電阻的歐姆接觸。

2）鍵合區(qū)上的結(jié)合力強(qiáng)。

3）引線本身有很好導(dǎo)電性。

4）化學(xué)性能穩(wěn)定,不會(huì)在鍵合面產(chǎn)生有害金屬間化合物。

5）有良好的可塑性和易焊性。

6）鍵合過程能控制一定幾何形狀。106.CSP封裝技術(shù)的特點(diǎn)有哪些。答案：所謂CSP(ChipSizePackage)，即芯片尺寸封裝。CSP是在BGA基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，是接近LSI芯片尺寸的封裝產(chǎn)品。這種產(chǎn)品具有以下幾個(gè)特點(diǎn)：(1)體積?。篊SP是目前體積最小的LSI芯片封裝之一。(2)可容納的引腳最多：相同尺寸的LSI芯片的各類封裝中，CSP的引腳最多。(3)電性能好：CSP寄生電容很小，信號(hào)傳輸延遲時(shí)間短。(4)散熱性能優(yōu)良：大多數(shù)CSP都將芯片面向下安裝，能從芯片背面散熱，且效果良好。107.焊接裂紋按形成機(jī)理可分成幾類？答案：熱裂紋、冷裂紋、再熱裂紋、層狀撕裂、應(yīng)力腐蝕裂紋。108.引線框架材料是什么。答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料（金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。引線框架材料的要求為：熱匹配，良好的機(jī)械性能，導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能好，使用過程無相變，材料中雜質(zhì)少，低價(jià)，加工特性和二次性能好109.什么是陶瓷封裝，簡(jiǎn)述其優(yōu)、缺點(diǎn)。答案：陶瓷封裝使高可靠度需求的主要封裝技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)是能提供IC芯片的密封保護(hù)，缺點(diǎn)是成本高，具有較高的脆性，易致應(yīng)力受損、工藝自動(dòng)化與薄型化封裝能力遜與塑料封裝。110.電路如圖2所示，設(shè)β=40，試確定該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)。

答案：IBQ=(20-0.7)/(200+(1+40)×103)=80uA

ICQ=40×0.08=3.2mA

UCEQ=20-3.2×(2+1)=10.39V

答該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)早10.39V111.可靠性測(cè)試項(xiàng)目有哪些。答案：預(yù)處理、T/C、T/S、HTST、T&H、PTC112.簡(jiǎn)述兩種常用的通孔插裝技術(shù)。答案：通孔插裝技術(shù)為元器件與電路板結(jié)合的最常見的方式。元器件引腳與電路板上的導(dǎo)孔接合又可以區(qū)分為彈簧固定和引腳的焊接兩種方式。113.簡(jiǎn)述集成電路封裝形式？答案：封裝:從材料分:有塑料、陶瓷、金屬3種。

在DIP之后出現(xiàn)的封裝有:小外形封裝(SOP),多端子的方形平封裝(GFT),柵陣列(BGA)等。114.有正弦信號(hào)為A=10sin2t,求其幅度、峰-峰值、有效值、頻率和周期。答案：幅度=A，峰－峰值=2A，有效值=0.707A，周期T=3.14，頻率f=1/3.14

答幅度為A，峰－峰值為2A，有效值為0.707A，周期T為3.14，頻率f為1/3.14。115.對(duì)包封材料的基本要求是什么？答案：包封材料必須具有很高的純度，同時(shí)為了減小芯片與包封材料間產(chǎn)生的應(yīng)力，包封材料還應(yīng)具有一定柔軟性。116.焊膏的基本性質(zhì)是什么？答案：焊膏在再流焊加熱前具有一定粘性，能使元器件暫時(shí)固定在焊盤位置上，不會(huì)因傳送和焊接操作而偏移，合金焊料粉是焊膏的主要成分，它對(duì)再流焊工藝、焊點(diǎn)高度和可靠性都起著重要作用，焊膏是一種流體，具有流變特性。117.集成電路測(cè)試的意義和基本任務(wù)？答案：意義：集成電路（IC）測(cè)試是伴隨著集成電路的發(fā)展而發(fā)展的，它對(duì)促進(jìn)集成電路的進(jìn)步和應(yīng)用作出了巨大地貢獻(xiàn)。

任務(wù)：測(cè)試的基本任務(wù)是生成測(cè)試輸入，測(cè)試系統(tǒng)的基本任務(wù)是將測(cè)試輸入應(yīng)用于被測(cè)器件，并分析其輸出的正確性。118.多層印制電路基板制造工藝。答案：裁板、內(nèi)層前處理、壓膜、曝光、DES連線、CCD沖孔、AOI檢驗(yàn)、VRS確認(rèn)、棕化、鉚釘、疊板、壓合、后處理、上PIN、下PIN119.對(duì)封裝外殼的金屬鍍層有什么要求？答案：封裝外殼的金屬鍍層應(yīng)具備：（1）優(yōu)良的防腐蝕性；（2）高溫下具有高抗氧化性能；（3）長(zhǎng)期貯存后仍保證易焊性；（4）良好的導(dǎo)電性能和低的接觸電阻；（5）高的機(jī)械性能和物理性能。120.BGA的封裝結(jié)構(gòu)和主要特點(diǎn)？答案：封裝結(jié)構(gòu)：BGA(ballgridarray)球形觸點(diǎn)陳列，表面貼裝型封裝之一。在印刷基板的背面按陣列方式制作出球形凸點(diǎn)用以代替引腳，在印刷基板的正面裝配LSI芯片，然后用模壓樹脂或灌封方法進(jìn)行密封。也稱為凸點(diǎn)陣列載體(PAC)。引腳可超過200，是多引腳LSI用的一種封裝。焊球材料為低熔點(diǎn)共晶焊料合金，直徑約1mm，間距范圍，焊球采用低熔點(diǎn)焊料合金連接在基板底部，組裝時(shí)焊球熔融，與PCB表面焊盤接合在一起，呈現(xiàn)桶狀。

特點(diǎn)：BGA引腳很短，使信號(hào)路徑短，減小了引腳電感和電容，改善了電性能。BGA有利于散熱。BGA也適合MCM的封裝，有利于實(shí)現(xiàn)MCM的高密度、高性能。121.彈性粘接劑有什么性質(zhì)？答案：彈性粘接劑是具有較大延伸率的材料，可由合成或天然聚合物用溶劑配制而成，呈乳狀。如尿烷、硅樹脂和天然橡膠等。122.把10克氫氧化鈉固體溶于40克水中，計(jì)算所得溶液的質(zhì)量百分比濃度？答案：10/(10+40)×100％=20％

答溶液的質(zhì)量百分比濃度為20％。123.混合集成電路封裝的目的是什么？答案：混合集成電路封裝目的：保護(hù)芯片不受或少受外界環(huán)境的影響，并為之提供一個(gè)良好的工作條件，以使電路具有穩(wěn)定的正常的功能。124.薄膜技術(shù)方法有哪些？答案：濺射、電鍍、光刻、蒸發(fā)。125.簡(jiǎn)述倒裝焊技術(shù)中的凸點(diǎn)的制作技術(shù)。答案：制作凸點(diǎn)的工藝技術(shù)主要有蒸發(fā)法、電鍍法、化學(xué)鍍法、機(jī)械打球法、激光法、植球和模板印刷法等。126.ILB或OLB的方法主要有哪兩種。答案：熱壓焊法和熱壓再流焊法127.軟包封可靠性下降的主要原因是什么？答案：軟包封可靠性下降的主要原因是：1)樹脂組成中分子結(jié)構(gòu)引起的熱應(yīng)力；2)包封體內(nèi)不可避免的水分滲透。128.焊接前為何要前處理？答案：電子元器件封裝的工藝通常需要經(jīng)過數(shù)個(gè)高溫過程，故焊墊金屬或待焊接的表面往往不可避免的長(zhǎng)有一層氧化層，必須除去以免影響鍵合。129.什么是錫焊封裝？答案：錫焊封裝是指在蓋板和封裝的密封區(qū)域之間插入焊錫預(yù)制片，加熱到焊錫的熔點(diǎn)溫度可以對(duì)封裝進(jìn)行錫焊封裝130.簡(jiǎn)述SMT技術(shù)的工藝類別。答案：SMT的組裝方式及其工藝流程主要取決于表面組裝組件的類型、使用的元器件種類和組裝設(shè)備條件。SMT的組裝方式主要有三種：?jiǎn)蚊婊旌辖M裝、雙面混合組裝、全表面組裝。131.在芯片的制造過程中首先需要對(duì)芯片進(jìn)行減薄與切割，詳細(xì)敘述芯片切割的幾種方式與以及他們的工藝流程。答案：芯片切割方式：機(jī)械式切割，激光式切割，隱形式切割

工藝流程：機(jī)械式切割:用機(jī)械的方式對(duì)晶圓進(jìn)行切割以DBG為例，DBG切割方法進(jìn)行芯片處理時(shí)，首先進(jìn)行切割再減薄激光式切割：以激光全切割為例，將DBG加工后的晶片轉(zhuǎn)放到框架上，剝離掉表面保護(hù)膠帶后，從晶片表面一側(cè)對(duì)DAF進(jìn)行全切割。晶片已經(jīng)分離成了芯片，所以就可以從芯片間照射激光，只將DAF切割隱形式切割：是將激光聚光與工件內(nèi)部，在工件內(nèi)部形成改質(zhì)層，通過擴(kuò)展膠膜等方法將工件分割成芯片的切割方法。132.簡(jiǎn)述N型半導(dǎo)體答案：常溫下半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能主要由雜質(zhì)來決定。當(dāng)半導(dǎo)體中摻有施主雜質(zhì)時(shí)，主要靠施主提供電子導(dǎo)電，這種依靠電子導(dǎo)電的半導(dǎo)體叫做N型半導(dǎo)體。

例如：硅中摻有Ⅴ族元素雜質(zhì)磷（P）、砷（As）、銻（Sb）、鉍（Bi）時(shí)，稱為N型半導(dǎo)體。133.什么是TH測(cè)試：答案：是測(cè)試封裝在高溫潮濕環(huán)境下的耐久性的實(shí)驗(yàn)。134.簡(jiǎn)述平行封焊的原理。答案：平行封焊是借助于裝在活動(dòng)杠桿上的一對(duì)鎢合金制成的圓錐形電級(jí)，錐形電極在杠桿作用下始終與金屬上框和蓋板保持良好的接觸，通過加在電極間的可控脈沖電流引起接觸區(qū)的局部發(fā)熱，使金屬上框與蓋板的邊緣產(chǎn)生熔化，從而使其焊接在一起。135.波峰焊系統(tǒng)由哪幾部分組成？答案：噴霧系統(tǒng)，預(yù)熱系統(tǒng)，運(yùn)輸系統(tǒng)，爐膽系統(tǒng)136.平行縫焊中，已知脈沖電流峰值為90安培，脈沖時(shí)間為4×10-3秒，接觸電阻為50歐姆，求形成一個(gè)焊點(diǎn)的能量？答案：E=I2RT=90×50×4×10-3=18J

答形成一個(gè)焊點(diǎn)的能量為18J。137.某有機(jī)聚合物中含有10％的固化劑，問此種聚合物1000克中含有多少克純聚合物樹脂。答案：1000×(1-10％)=900(克)

1000克聚合物中含純聚合樹脂900克。

答1000克聚合物中含純聚合樹脂900克。138.助焊劑的成分有哪些？答案：活化劑、載劑、溶劑與其他特殊功能的添加物。139.粘接劑的黏度有什么要求？答案：粘接劑要求有合適的粘度，能適合于手工和自動(dòng)涂敷，膠滴間不拉絲，涂敷后能保持足夠的高度，而不形成太大的膠底，涂敷后到固化前膠滴不漫流140.熱阻的概念？答案：由于熱導(dǎo)方程與歐姆定律形式上的相似性，可以用類似于電阻的表達(dá)式來定義熱阻。141.低熔玻璃封蓋時(shí)底座上面加一重量熱塊的目的是什么？答案：封蓋時(shí)底座上面加一重量熱塊，其目的是保持底座的位置不發(fā)生轉(zhuǎn)動(dòng)，借助壓力使封接更牢固，同時(shí)還起著吸收熱量，以保證整個(gè)封接面受熱均勻和熱量平衡的作用。142.簡(jiǎn)述回流焊的基本工藝流程。答案：使用蓋印、網(wǎng)印或點(diǎn)膠技術(shù)將錫膏先印在焊點(diǎn)上，并將封裝元器件放在焊點(diǎn)并封齊，再以氣焊或紅外線回流焊、傳導(dǎo)回流焊與激光回流焊等方式將焊點(diǎn)加熱使錫膏回熔而完成接合。143.集成電路封裝中，經(jīng)常會(huì)用到金屬凸點(diǎn)的制作工藝，如倒裝芯片封裝、微小模塑封封裝等，試描述金屬凸點(diǎn)的工藝流程及其所實(shí)現(xiàn)的功能（包括了多金屬層的制作以及凸點(diǎn)的制作）。答案：凸點(diǎn)形成辦法：蒸鍍焊料凸點(diǎn),電鍍焊料凸點(diǎn),印刷焊料凸點(diǎn),釘頭焊料凸點(diǎn)放球凸點(diǎn)焊料轉(zhuǎn)移凸,蒸鍍凸點(diǎn)。以蒸鍍凸點(diǎn)為例，

蒸鍍凸點(diǎn)工藝流程：1.現(xiàn)場(chǎng)對(duì)硅片濺射清洗（a）在沉積金屬前去除氧化物或者照相掩膜。同時(shí)使得硅片鈍化層以及焊盤表面粗糙以提高對(duì)UBM的結(jié)合力2.金屬掩膜：常常用帶圖樣的鉬金屬掩膜來覆蓋硅片以利于UBM以及凸點(diǎn)金屬的沉積。金屬掩膜組件一般由背板、彈簧、金屬模板以及夾子等構(gòu)成。硅片被夾在背板與金屬模板之間，然后通過手動(dòng)對(duì)位，對(duì)位公差可控制在25nm3.UBM蒸鍍（b）然后按順序蒸鍍Cr層、CrCu層、Cu層以及Au層4.焊料蒸鍍（c）在UBM表面蒸鍍一層97Pb/Sn或95Pb/Sn。厚度約為100-125nm。形成一個(gè)圓錐臺(tái)形狀。144.簡(jiǎn)述減薄后的芯片具備的優(yōu)點(diǎn)。答案：1、薄的芯片更有利于散熱；2、減小芯片封裝體積；3、提高機(jī)械性能、硅片減薄、其柔韌性越好，受外力沖擊引起的應(yīng)力也越小；4、晶片的厚度越薄，元件之間的連線也越短，元件導(dǎo)通電阻將越低，信號(hào)延遲時(shí)間越短，從而實(shí)現(xiàn)更高的性能；5、減輕劃片加工量減薄以后再切割，可以減小劃片加工量，降低芯片崩片的發(fā)生率。145.倒裝芯片有幾種連接方式？答案：控制塌陷芯片連接（C4）、直接芯片連接（DCA）和膠粘劑連接倒裝芯片。146.從SMD形狀來分，其主要有下列三種形狀？答案：1.翼形端子，焊接后具有吸收應(yīng)力的特點(diǎn),與PCB匹配性好，但端子共面性差2.J形端子，剛性好且間距大,共面性好，但由于端子在元件本體之下，故有陰影效應(yīng)，焊接溫度不調(diào)節(jié)。3.球柵陣列,芯片I/O端子呈陣列式分布在器件底面上,常見的有BGA、CSP、BC等，這類器件焊接時(shí)也存在陰影效應(yīng)。147.簡(jiǎn)述金線偏移的產(chǎn)生原因。答案：樹脂流動(dòng)而產(chǎn)生的拽曳力、導(dǎo)線架變形、氣泡的移動(dòng)、過保壓/遲滯保壓、填充物的碰撞。148.有機(jī)封裝基板主要性能的要求有哪些？答案：1）具有極高耐熱性

2）具有極高吸濕性

3）具有低熱膨脹性

4）具有低介電常數(shù)特性149.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別。答案：表面貼裝元器件體積小，便于小型化生產(chǎn)，減小成品尺寸。管腳引線短，境地了其特性中附加的電感和電容成分，在高頻電路中，成本更低，便于批量生產(chǎn)。150.一種陶瓷材料的表面積為0.32cm2，耐酸性試驗(yàn)前該材料的重量為3.7克，腐蝕后稱重為3.6克，求該材料的單位面積被腐蝕量？答案：Q=(G1-G2)/S=(3.7-3.6)×103/0.32=0.313g/cm2

答該陶瓷材料的單位面積被腐蝕量為0.313g/cm2。151.芯片粘結(jié)材料是什么。答案：通常采用粘接技術(shù)實(shí)現(xiàn)管芯（ICChip）與底座（ChipCarrier）的連接的材料。要求機(jī)械強(qiáng)度、化學(xué)性能穩(wěn)定、導(dǎo)電、導(dǎo)熱、熱匹配、低固化溫度、可操作性。

主要的粘結(jié)技術(shù)為：銀漿粘接技術(shù)、低熔點(diǎn)玻璃粘接技術(shù)、導(dǎo)電膠粘接技術(shù)、環(huán)氧樹脂粘接技術(shù)、共晶焊技術(shù)152.影響塑料封裝的因素有哪些？答案：封裝配置與IC芯片尺寸；

導(dǎo)體與鈍化保護(hù)層的材料選擇；

芯片黏結(jié)方法；

鑄模樹脂材料；

引腳架的設(shè)計(jì)；

鑄模成型工藝條件。153.涂封的材料主要有哪幾種？答案：AR、SR、XY、氟化高分子樹脂154.簡(jiǎn)述有效質(zhì)量和能帶結(jié)構(gòu)的關(guān)系？答案：能帶越窄，有效質(zhì)量越大，能帶越寬，有效質(zhì)量越小。155.簡(jiǎn)述器件級(jí)封裝的基本工藝流程。答案：常見的器件級(jí)封裝工藝的制作流程包括切片、貼片、鍵合、包覆、打標(biāo)、引線處理或焊球制作、成品切割等。156.遞模成型合模壓力的選擇原則是什么？答案：在合模壓力最小時(shí)，遞模成型過程中不產(chǎn)生溢料為原則。157.波峰焊工藝一般分為哪幾個(gè)步驟？答案：裝板一涂覆焊劑一預(yù)熱一焊接→熱風(fēng)刀一冷卻一卸板158.引線鍵合技術(shù)的分類及結(jié)構(gòu)特點(diǎn)？答案：熱壓焊：熱壓焊是利用加熱和加壓力，使焊區(qū)金屬發(fā)生塑性形變，同時(shí)破壞壓焊界面上的氧化層，使壓焊的金屬絲與焊區(qū)金屬接觸面的原子間達(dá)到原子的引力范圍，從而使原子間產(chǎn)生吸引力，達(dá)到“鍵合”的目的。

超聲焊：超聲焊又稱超聲鍵合，它是利用超聲波(60-120kHz)發(fā)生器產(chǎn)生的能量，通過磁致伸縮換能器，在超高頻磁場(chǎng)感應(yīng)下，迅速伸縮而產(chǎn)生彈性振動(dòng)經(jīng)變幅桿傳給劈刀，使劈刀相應(yīng)振動(dòng)；同時(shí)，在劈刀上施加一定的壓力。于是，劈刀就在這兩種力的共同作用下，帶動(dòng)Al絲在被焊區(qū)的金屬化層(如Al膜）表面迅速摩擦，使Al絲和Al膜表面產(chǎn)生塑性形變。這種形變也破壞了Al層界面的氧化層，使兩個(gè)純凈的金屬面緊密接觸，達(dá)到原子間的“鍵合”，從而形成牢固的焊接。

金絲球焊：球焊在引線鍵合中是最具有代表性的焊接技術(shù)。這是由于它操作方便、靈活，而且焊點(diǎn)牢固，壓點(diǎn)面積大，又無方向性?，F(xiàn)代的金絲球焊機(jī)往往還帶有超聲功能，從而又具有超聲焊的優(yōu)點(diǎn)，有的也叫做熱(壓)(超)聲焊?？蓪?shí)現(xiàn)微機(jī)控制下的高速自動(dòng)化焊接。因此，這種球焊廣泛地運(yùn)用于各類IC和中、小功率晶體管的焊接。159.錫膏印刷時(shí)，所需準(zhǔn)備的材料及工具：124、Chip元件常用的公制規(guī)格主要有哪些。答案：錫膏印刷時(shí)，所需準(zhǔn)備的材料及工具：焊膏、模板、刮刀、擦拭紙、無塵紙、清洗劑、攪拌刀。

Chip元件常用的公制規(guī)格主要有0402、0603、1005、1608、3216、3225。160.比較各種芯片互聯(lián)方法的優(yōu)缺點(diǎn)？答案：（1）引線鍵合（WB）特點(diǎn)：焊接靈活方便，焊點(diǎn)強(qiáng)度高，通?？梢詽M足70nm以上芯片的焊區(qū)尺寸和節(jié)距的需要。（2）載帶自動(dòng)焊（TAB）：綜合性能比WB高，TAB技術(shù)可以作為裸芯片的載體對(duì)IC芯片進(jìn)行老化、篩選、測(cè)試，使組裝的超大規(guī)模集成電路芯片被確認(rèn)是好的芯片。這就可以大大提高電子產(chǎn)品特別是MCM的組裝成品率從而大幅度降低電子產(chǎn)品的成本。（3）倒裝焊（FCB）：芯片面朝下，將芯片焊區(qū)與基板焊區(qū)直接相連。在裸芯片上的電極上形成焊料凸點(diǎn)，通過釬焊將芯片以電極面朝下的倒裝方式安裝在多層布線板上，由于不需要從芯片向四周引出I/O端子，可布置更多的端子，互聯(lián)線的長(zhǎng)度大大縮短，減小了RC延遲，可靠性提高上的電極上形成焊料凸點(diǎn)，通過釬焊將倒?fàn)罘绞綄?shí)裝在多層布線板上，由于不需要從芯片向四周引出I/O端子，可布置更多的端子，互聯(lián)線的長(zhǎng)度大大縮短，減小了RC延遲，可靠性提高161.什么是引線框架材料？答案：引線框架作為集成電路的芯片載體，是一種借助于鍵合材料金絲、鋁絲、銅絲）實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部電路引出端與外引線的電氣連接，形成電氣回路的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)件，它起到了和外部導(dǎo)線連接的橋梁作用。引線框架材料的要求為：熱匹配，良好的機(jī)械性能，導(dǎo)電、導(dǎo)熱性能好，使用過程無相變，材料中雜質(zhì)少，低價(jià)，加工特性和二次性能好162.使用臥式管狀氫氣封裝爐時(shí)，為什么H2在排出時(shí)要點(diǎn)燃？答案：以杜絕空氣進(jìn)入爐管，防止大量的H2排入室內(nèi)而產(chǎn)生不安全。163.什么是塑料封裝？簡(jiǎn)述優(yōu)缺點(diǎn)。答案：塑料封裝的散熱性、耐熱性、密封性雖遜于陶瓷封裝和金屬封裝，但塑料封裝具有低成本、薄型化、工藝較為簡(jiǎn)單、適合自動(dòng)化生產(chǎn)等優(yōu)點(diǎn)。164.玻璃氣密性封裝的應(yīng)用途徑和使用范圍有哪些？答案：用來固定金屬圓罐的鉆孔伸出的引腳，提供氧化鋁陶瓷、金屬引腳間的密封粘接。165.分析塑料封裝因吸潮而引起開裂的機(jī)理？答案：塑封開裂過程分為水汽吸收聚蓄期、水汽蒸發(fā)膨脹期和開裂萌生擴(kuò)張期三個(gè)階段

1）塑封器件從制作完成到使用前處于貯存期，要吸收一定量的水汽。封裝中水汽的飽和度取決于環(huán)境濕度、溫度、時(shí)間及塑料的水汽平衡“溶解度”等，處于應(yīng)力平衡期，不會(huì)開裂。

2）塑封器件使用時(shí)，當(dāng)焊接后器件處于預(yù)熱直至高溫215-240℃），水汽受熱蒸發(fā)，蒸汽逐步上升，使塑料受力而膨脹。當(dāng)其超過塑料與引線框架或塑料與芯片粘接劑的粘接強(qiáng)度時(shí)，就會(huì)發(fā)生塑封與二者間的分層和空隙，蒸汽繼續(xù)由空隙向外擴(kuò)張，從而在封裝的較薄一面形成一個(gè)特有壓力圓頂。

3）當(dāng)蒸汽壓力繼續(xù)增加時(shí)，在應(yīng)力集中的最薄弱處往往是分層的引線框架芯片粘接邊角處）就萌生裂紋，在蒸汽壓的作用下，會(huì)使裂紋擴(kuò)張直至邊界面。此時(shí)，水汽從裂紋中不斷逸出，壓力圓頂塌陷，完成了塑封器件的開裂過程。166.平行縫焊中，已知焊接功率為1600W，脈沖寬度為10ms，脈沖周期為40ms，求單位焊接時(shí)間的能量？答案：E=P*PW/RT=1600×10÷40=400J

答單位焊接時(shí)間的能量為400J。167.TAB的關(guān)鍵技術(shù)包括哪三部分技術(shù)。答案：芯片凸點(diǎn)的制作技術(shù)，TAB載帶的制作技術(shù)，載帶引線與芯片凸點(diǎn)的內(nèi)引線焊接技術(shù)和載帶外引線的焊接技術(shù)。168.已知某封裝爐上名牌標(biāo)出單相電壓220V,功率為13.2KW，求電源提供的電流？答案：由公式P＝UI

則I＝P/U＝13.2/220＝60（A）

答電源提供的電流為60A。169.波焊為引腳插入式器件的常見焊接技術(shù)，基本工藝步驟是什么？答案：助焊涂布、預(yù)熱、焊錫涂布、多余焊錫吹除、檢測(cè)/維護(hù)、清潔。170.芯片凸點(diǎn)的制作方法主要有哪些。答案：蒸發(fā)/濺射凸點(diǎn)制作法，電鍍凸點(diǎn)制作法，化學(xué)鍍凸點(diǎn)制作法，打球凸點(diǎn)制作法，置球和模板印刷法，放球法，激光凸點(diǎn)制作法，移置凸點(diǎn)制作法，柔性凸點(diǎn)制作法，疊層凸點(diǎn)制作法，噴射Pb-Sn焊料凸點(diǎn)制作法。171.對(duì)淀積前的薄膜基片的清洗的目的？答案：0.3—0.5微米的塵粒如果不清除，將容易造成薄膜電容器短路或擊穿。粘著在基片上的纖維毛將造成電阻的斷裂。人手接觸會(huì)給基片表面涂上一層蛋白油污，影響薄膜和基片之間的附著力?；圃鞆S對(duì)基片進(jìn)行切、磨、拋以及整個(gè)加工過程中，給基片遺留下來的污染主要是蛋白質(zhì)油類，松香、石蠟等有機(jī)殘?jiān)?，清洗前在大氣中的暴露都?huì)給基片帶來有機(jī)污染和無機(jī)微塵。通過清洗去處上述玷污。172.請(qǐng)解釋產(chǎn)品的可靠性的浴盆曲線（畫圖）答案：如下圖

173.封裝中涉及到的主要材料有哪些？答案：引線材料；引線框架材料；芯片粘結(jié)材料；模塑料；焊接材料；封裝基板材料174.如圖所示：已知R1=R2=R3=10Ω，E=18V，求電路的總電流I為多少？答案：已知E＝18V,R1＝R2＝R3＝10Ω

電路總電阻R＝R1+R2×R3/（R2+R3）＝15Ω

I＝E/R＝18/15＝1.2（A）

答電路的總電流I為1.2A。175.簡(jiǎn)述芯片封裝的基本工藝流程，并回答芯片切割工藝中的“先劃片后減薄”與“減薄劃片”的區(qū)別。答案：

先劃片后減?。杭丛诒趁婺ハ髦跋葘⒐杵恼媲懈畛鲆欢ㄉ疃鹊那锌?，然后再進(jìn)行背面磨削；減薄劃片：即在減薄之前先用機(jī)械的或化學(xué)的方法切割出切口，然后用磨削的方法減薄到一定厚度以后，采用常壓等離子體腐蝕去除剩余加工量，實(shí)現(xiàn)裸芯片的自動(dòng)分離。176.一條長(zhǎng)是L的導(dǎo)帶，電阻是R，把它等分成長(zhǎng)是L，橫截面積為原面積的1/4的四條相同導(dǎo)帶，再把其中三條導(dǎo)帶串聯(lián)起來使用，這時(shí)的電阻是多少？（已知：電阻的計(jì)算公式為：R=ρ·L/S）答案：由R=ρ·L/S有：

R′=ρ·L/(S/4)=4R

R串=3R′=12R

答這時(shí)的電阻12R。177.簡(jiǎn)述包封技術(shù)常用的材料。答案：從基質(zhì)材料的綜合特性來看，最常用的包封材料分為四種類型：環(huán)氧類、氰酸酯類、聚硅酮類和氨基甲酸乙酯類，目前IC封裝使用鄰甲酚甲醛型環(huán)氧樹脂體系的較多。具有耐濕、耐燃、易保存、流動(dòng)充填性好、電絕緣性高、應(yīng)力低、強(qiáng)度大和可靠性好等特點(diǎn)。178.25℃時(shí)測(cè)量一薄膜電阻的阻值為21.038kΩ，125℃時(shí)測(cè)量阻值為20.896kΩ，計(jì)算該電阻的TCR值。答案：由公式TCR=(R2-R1)/R1(T2-T1)可得：

TCR=[(R2-R1)/R1(T2-T1)]

=-67.5ppm/℃

答該電阻的TCR值為-67.5ppm/℃。179.室溫下（22℃）測(cè)量一薄膜電阻的阻值為245.78Ω，125℃時(shí)測(cè)量阻值為246.23Ω，求該電阻的TCR值。答案：由公式TCR=(R2-R1)/R1(T2-T1)可得：

TCR=[(R2-R1)/R1(T2-T1)]

=18ppm/℃

答該電阻的TCR值為18ppm/℃。180.無鉛焊料選擇的一般要求是什么。答案：對(duì)環(huán)境的影響最小，并且要考慮它的整個(gè)生命周期。181.封裝工程的技術(shù)的技術(shù)層次？答案：第一層次，又稱為芯片層次的封裝，是指把集成電路芯片與封裝基板或引腳架之間的粘貼固定電路連線與封裝保護(hù)的工藝，使之成為易于取放輸送，并可與下一層次的組裝進(jìn)行連接的模塊元件。第二層次，將數(shù)個(gè)第一層次完成的封裝與其他電子元器件組成一個(gè)電子卡的工藝。第三層次，將數(shù)個(gè)第二層次完成的封裝組成的電路卡組合成在一個(gè)主電路版上使之成為一個(gè)部件或子系統(tǒng)的工藝。第四層次，將數(shù)個(gè)子系統(tǒng)組裝成為一個(gè)完整電子廠品的工藝過程。182.常用的芯片貼裝有那三種，并簡(jiǎn)要說明。答案：共晶粘貼法：Au-Si共晶合金粘貼到基板上

焊接粘貼發(fā)：Pb-Sn

合金焊接導(dǎo)電膠粘貼法：在塑料封裝中最常見的方法是使用高分子聚合物貼裝到金屬框架上。183.每相阻值為20Ω的三相對(duì)稱負(fù)載，以Y形聯(lián)接方式接在線電壓為380V的三相電源上，求Ip、IL及總功率PY。若將負(fù)載改接成Δ形，再求IP、IL及總功率PΔ。

答案：負(fù)載為Y形聯(lián)接時(shí)，

IP=IL=Up/R=UL/(·R)=380/(×20)＝11(A)

PY=ULILcosφ=×380×11×1=7240(W)

負(fù)載為Δ聯(lián)接時(shí)，

IP=UP/R=UL/R=380/20＝19(A)

IL=IP=×19=32.9(A)

PΔ=ULILcosφ=×380×32.9×1=21654(W)

答負(fù)載為Y形聯(lián)接時(shí)，相電流IP＝線電流IL=11A，總功率PY=7240W，負(fù)載

為Δ聯(lián)接時(shí)，相電流IP=19A，線電流IL=32.9A，總功率PΔ=21654W。184.是不是所有采用塑料封裝的微電子元器件都存在因吸潮而引起的開裂問題？為什么？答案：塑料封裝盡管存在普遍吸潮問題，但并不會(huì)引起塑封外殼開裂，因?yàn)闈衿麎汉艿?，產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力不足以破壞外殼。185.表面組裝電阻器主要有哪幾類？各有什么特點(diǎn)？答案：可分為矩形片式電阻器,圓柱形片式電阻器。其中矩形片式電阻器的基板由高純氧化鋁做成，電阻材料用鍍膜濺射的方法涂與基板表面，用玻璃純化的方法形成保護(hù)膜，在矩形的兩邊為可焊端，即引線端。186.測(cè)量一矩形電阻的電阻值為10kΩ，電阻長(zhǎng)、寬分別為400μm、200μm，厚度d=800?，計(jì)算其電阻率ρ。答案：由R=ρ·L/S=ρ·L/dW可得：

Ρ=R×d·W/L

=4×10-2Ω·cm

答電阻率ρ為4×10-2Ω·cm。187.橋式整流電容濾波電路圖如圖所示。已知用交流電壓表量得E2=50V(有效值)，現(xiàn)在用直流電壓表測(cè)量RL兩端電壓（記作Uo）。（1）如果C斷開，求Uo；（2）如果RL斷開，求Uo；（3）如果VD1斷開，求Uo；（4）如果電路完好，求Uo。答案：（1）如果C斷開，是橋式整流電路，Uo=0.9E2=0.9×50V=45V（2）如果RL斷開，相當(dāng)于開路，Uo=1.4E2=1.4×50V=70V（3）如果VD1斷開，相當(dāng)于半波整流電容濾波電路，Uo=E2=50V（4）如果電路完好，是橋式整流電容濾波電路，Uo=1.2E2=1.2×50V=60V188.詳細(xì)描述狹義芯片封裝的工藝流程及其每一步所實(shí)現(xiàn)的作用。答案：工藝流程：為硅片減薄與切割、芯片貼裝、芯片互連、成型技術(shù)、去飛邊毛刺、切筋成形、上焊錫、打碼。

作用：為IC芯片提供機(jī)械支撐和環(huán)境保護(hù)、接通半導(dǎo)體芯片的電流通路、提供信號(hào)的輸入和輸出通路、提供熱通路，散逸半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生的熱。189.微電子封裝可以分那三個(gè)層次？答案：（1）一級(jí)微電子封裝技術(shù)，把IC芯片封裝起來，同時(shí)用芯片互連技術(shù)連接起來，成為電子元器件或組件。（2）二級(jí)微電子封裝技術(shù)，將上一級(jí)各種類型的電子元器件安裝到基板上。（3）三級(jí)微電子封裝技術(shù)，由二級(jí)組裝的各個(gè)插板安裝在一個(gè)更大的母板上構(gòu)成，是一種立體組裝技術(shù)。190.BGA和CSP的封裝比較答案：1.BGA和CSP引腳結(jié)構(gòu)不同；BGA引腳數(shù)多，外形尺寸?。?.相同的外形尺寸，以BGA的I/O數(shù)最多，安裝密度最高，易于SMT的規(guī)?；a(chǎn)；3.BGA封裝技術(shù)使SMT工藝得以擴(kuò)展，更易于表面安裝，從而更強(qiáng)化了SMT的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于窄節(jié)距引腳元器件或BGA封裝件，在PWB上的表面安裝工藝流程是類似的；但因BGA焊球引腳節(jié)距較大而便于使用SMT。4.可以看出，BGA的缺陷率很低，可生產(chǎn)性更好。5.終檢，和BGA的焊膏檢測(cè)相比，窄節(jié)距QFP在可靠性檢查時(shí)增加了附加成本,QFP普遍采用眼測(cè)短路/開路自動(dòng)系統(tǒng)，這就增加了這種封裝的生產(chǎn)成本，而BGA的生產(chǎn)效率高，缺陷率低，可靠性檢測(cè)只限于對(duì)準(zhǔn)和定位的檢測(cè)。6.返修工藝：返修BGA封裝件時(shí)，要充分預(yù)熱。BGA和其他引腳SMD的最終預(yù)熱溫度類似，但預(yù)熱升溫速度不同，BGA要整體升溫后才使焊球熔化，故要慢慢升溫，預(yù)熱曲線較平緩。必須同時(shí)加熱BGA封裝件的所有焊球。7.焊點(diǎn)可靠性比較：一般認(rèn)為，PWB和元器件的焊接性能對(duì)BGA和QFP表面安裝成本的影響更大。191.插裝元器件與表面貼裝元器件主要區(qū)別。答案：表面貼裝元器件體積小，便于小型化生產(chǎn)，便于減小成品尺寸。表面貼裝管腳引線短，降低了其特性中附加的電感和電容成分，尤其在高頻電路中，表面貼裝成本低，便于批量生產(chǎn)。192.各向異性材料、各向同性材料的區(qū)別是什么？答案：所有物理性質(zhì)在不同方向是一樣的是各向同性材料，大部分物理性質(zhì)在不同方向

是不一樣的是各向異性材料。193.有20℃時(shí)的飽和硫酸銅溶液200

G，在蒸發(fā)掉40g水后，再冷卻至20℃。試計(jì)算能析出多少克硫酸銅晶體？(20℃時(shí)無水硫酸銅的溶解度為20g)答案：設(shè)析出xg的硫酸銅晶體

（x×160/250）/（40+x×90/250）=20/100；

X=14.1g；

答析出14.1g的硫酸銅晶體。194.何謂MIS結(jié)構(gòu)？答案：MIS結(jié)構(gòu)是指金屬-絕緣層-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。假若絕緣體層的厚度足夠大，則基本上不導(dǎo)電，這時(shí)即為MIS電容器；假若絕緣體層的厚度足夠薄，則絕緣體基本上不起阻擋導(dǎo)電的作用（阻抗極?。?，這時(shí)即為肖基特二極管；假若絕緣體層的厚度不是很薄、也不是很厚，則這時(shí)載流子有較大的幾率通過隧道效應(yīng)而穿過絕緣體層，這種結(jié)構(gòu)的器件即稱為MIS隧道二極管。195.什么叫復(fù)合中心？答案：半導(dǎo)體內(nèi)的雜質(zhì)和缺陷能夠促進(jìn)復(fù)合，稱這些促進(jìn)復(fù)合的雜質(zhì)和缺陷為復(fù)合中心。196.評(píng)估SMB基材板質(zhì)量的主要參數(shù)。答案：玻璃化轉(zhuǎn)變溫度Tg）、熱膨脹系數(shù)、CTE、耐熱性、電氣性能、平整度。197.簡(jiǎn)述陶瓷封裝優(yōu)點(diǎn)。答案：能提供IC芯片氣密性的密封保護(hù)，使其具有優(yōu)良的可靠度；陶瓷被用做集成電路芯片封裝的材料，是因?yàn)樵跓帷㈦?、機(jī)械特性等方面極穩(wěn)定，而且陶瓷材料的特性可通過改變其化學(xué)成分和工藝的控制調(diào)整來實(shí)現(xiàn)，不僅可作為封裝的封蓋材料，它也是各種微電子產(chǎn)品重要的承載基板。198.戴維南定理的內(nèi)容是什么？如何用戴維南定理分析電路？答案：戴維南定理的內(nèi)容是任何一個(gè)含源二端電路，總是可以用一個(gè)電壓源和電阻串聯(lián)來表示。電壓源就是二端電路兩個(gè)端點(diǎn)之間的開路電壓，而電阻是二端電路除源之后兩個(gè)端點(diǎn)之間的等效電阻。（除源即如果是電壓源應(yīng)短路，如果是電流源應(yīng)開路）。當(dāng)電路中只要求計(jì)算一個(gè)支路的電流時(shí)，往往采用戴維南定理。199.簡(jiǎn)述塑料封裝的常見類型。答案：從工程應(yīng)用的角度，可以將塑料封裝分為引腳插入型、表面貼裝型和TAB型等幾類。PDIP：塑料雙列直插封裝PlasticDoubleIn-linePackage）；PLCC：塑料無引線芯片載體PlasticLeadlessChipCarrier）；PSOP：塑料小尺寸封裝PlasticSmall-outlinedPackage）；PQFP：四邊引腳扁平塑料封裝PlasticQuadFlatPackaging）；PPGA：塑料針柵陣列PlasticPinGridArray）；PBGA：塑料球柵陣列PlasticBallGridArray）；TBGA：載帶球柵陣列TapeBallGridArray）。200.請(qǐng)簡(jiǎn)述電子元器件的封裝形式？答案：1.TO220(三極管狀，直插式)2.TO263(三極管狀，貼片式)3.SIP(塑封單列單排直插式)4.ZIP(塑封單列，雙排直插)5.DIP(雙排引腳，塑封直插式?！短沾呻p列直插為DIL》)6.QFP(塑封貼片狀，四面腳，腳向外翻)7.PLCC(塑封貼片狀，四面腳，腳向里卷)8.SOJ(塑封貼片狀，兩面有腳，腳向里卷)9.SOP(塑封貼片裝，兩面有腳，腳向外翻)10.TSSOP(塑封貼片狀，比SOP更薄，腳更密)11.BGA(無引腳，腳為錫點(diǎn)式)12.PGA(腳為陣列式針狀，腳位全部向下)201.硅片背面減薄技術(shù)有哪些？答案：磨削、研磨、化學(xué)機(jī)械拋光、干式拋光、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕、節(jié)壓等離子腐蝕。202.DIP和SMT分別是什么？答案：DIP技術(shù)也稱雙列直插式封裝技術(shù)，SMT是表面貼裝封裝技術(shù)203.簡(jiǎn)述芯片減薄的常用工藝技術(shù)。答案：硅片的背面減薄技術(shù)主要有磨削、研磨、干式拋光、化學(xué)機(jī)械平坦工藝、電化學(xué)腐蝕、濕法腐蝕、等離子增強(qiáng)化學(xué)腐蝕、常壓等離子腐蝕等。204.簡(jiǎn)述電子封裝的等級(jí)？答案：從整個(gè)封裝結(jié)構(gòu)講，電