半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化 第6-19部分：高溫下封裝翹曲度的測量方法和最大允許翹曲度 征求意見稿

1半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-19部分：升溫下封裝翹曲度的測量方法和最大允許翹曲度在升溫下封裝翹曲度的測量方法和最大允許IEC60191-6半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝外形preparationofoutlinedrawingsofsurfacemoIEC60191-6-2半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-2部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝1.00mmpitchballandcolumnIEC60191-6-5半導(dǎo)體器件的機(jī)械標(biāo)準(zhǔn)化第6-5部分：表面安裝半導(dǎo)體器件封裝般規(guī)則密節(jié)距焊球陣列（FBGA）封裝的設(shè)計(jì)指南（MechanicalstandardizationofsemiconductorIEC60749-20半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件Resistanceofplastic-encapsulatedS注：GB/T4937.20-2018半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第20部分：塑封表面安裝器件耐潮濕和焊接熱綜合影3.12——對(duì)于支撐高度大于0.1mm的封裝形式，為最外側(cè)相鄰焊球中心注：測量區(qū)域的示例見圖1和圖2。如果封裝體的中注：測量區(qū)域的示例見圖3。邊緣余量L的取值取決于測量設(shè)3注：邊緣余量L取值取決于測量設(shè)備的檢測能力，表示測量設(shè)備為避免測量噪聲的免測量區(qū)域。邊緣余量參考值3.2安裝在印刷電路板（PWB）上的封裝體（非互連側(cè)）拱形頂面，其翹曲3.3安裝在印刷電路板（PWB）上的封裝體（非互連側(cè)）內(nèi)彎曲頂面，其翹3.4封裝翹曲度符號(hào)packagewarpa測量區(qū)域內(nèi)兩條對(duì)角線上每條輪廓曲線的最大正位移與最大負(fù)位移之和的正負(fù)符號(hào)，測量區(qū)域最外側(cè)對(duì)角的連線為兩條對(duì)角線上輪廓曲線的（ABMAX+ABMIN+CDMAX+CDMIN）ABMAX——對(duì)角線AB上輪廓曲線的最大正ABMIN——對(duì)角線AB上輪廓曲線的最大負(fù)位移；CDMAX——對(duì)角線CD上輪廓曲線的最大正位移；CDMIN——對(duì)角線CD上輪廓曲線的最大負(fù)位移。43.54樣品制備54.2去除焊球4.3預(yù)處理?xiàng)l件烘焙和水汽浸漬條件應(yīng)符合IEC60749-20中規(guī)定的濕氣敏感性等級(jí)要求。封裝翹曲度測量的峰值4,4預(yù)處理后至測量的最長時(shí)間間隔4.5樣品重復(fù)回流焊循環(huán)同一樣品不應(yīng)重復(fù)的回流焊循環(huán)。在測量前只有評(píng)估了測量數(shù)封裝翹曲度可通過“陰影莫爾法”或“激光反射法”測溫度基本符合IEC60749-20中規(guī)定的封裝類別的6推薦使用規(guī)格為30(Φ0.25mm）或平頭類熱電偶放置示意圖見圖6，在安裝測量裝置時(shí)，還需測量與加熱器接觸的封裝上表面的溫度。通過5.3測量方法測量基板表面之前，應(yīng)先去除焊球。通過將光柵（具有透明和不透明條紋的的平面度變化。該測量裝置可以設(shè)置測量區(qū)域并測量5.3.2激光反射法位移傳感器測量平面度的變化。翹曲度通常利用激光束掃描引出端焊盤或焊球之間的測量區(qū)域進(jìn)行測），撐高度A1數(shù)值引用IEC60191-6-2和IEC7焊球節(jié)距（e）FLGA的最大允許封裝翹曲度（絕對(duì)值）見表焊盤節(jié)距（e）7.2數(shù)據(jù)手冊），——每個(gè)溫度下的3D形貌圖（可選如果翹曲度的符號(hào)相反，需要說明；見圖8——每個(gè)溫度下的對(duì)角輪廓曲線圖（可選如果翹曲度的符號(hào)相反，需要說明；見圖87.3數(shù)據(jù)手冊示例8翹曲度翹曲度室溫（150℃)（預(yù)熱溫度）（僅