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本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和空穴

本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)和空穴空穴f=mn*a=-qE考慮導(dǎo)帶底的電子然而價(jià)帶頂電子的有效質(zhì)量m

n*是負(fù)值,所以有a=-qE/-|

mn*

|=qE/|

mn*

=qE/

mp*

再考慮價(jià)帶頂?shù)碾娮觙=mn*a=-qEf=-|

mn*|

a=-qEa=-qE/

mn*

空穴的有效質(zhì)量空穴不僅帶有正電荷,而且還具有正的有效質(zhì)量本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)思考題1、有兩種晶體其能量與波矢的關(guān)系如圖所示,試問,哪一種晶體電子的有效質(zhì)量大一些?為什么?2、有效質(zhì)量對(duì)能帶的寬度有什么影響?有人說:“有效質(zhì)量越大,態(tài)密度也越大,因而能帶越窄?!笔欠袢绱??為什么?3、從能帶底到能帶頂,晶體中電子的有效質(zhì)量將如何變化?外場(chǎng)對(duì)電子的作用效果有什么不同?4、以硅的本征激發(fā)為例,說明半導(dǎo)體能帶圖的物理意義及其與硅晶體結(jié)構(gòu)的聯(lián)系?為什么電子從其價(jià)鍵上掙脫出來所需的最小能量就是半導(dǎo)體的禁帶寬度?EK半導(dǎo)體中電子狀態(tài)1.1晶體結(jié)構(gòu)和結(jié)合性質(zhì)1.2半導(dǎo)體中的電子狀態(tài)和能帶1.3半導(dǎo)體中電子的運(yùn)動(dòng)有效質(zhì)量1.4本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)空穴1.5回旋共振1.6硅和鍺的能帶結(jié)構(gòu)情況下的等能面方程

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