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MOS結(jié)構(gòu)中對(duì)應(yīng)載流子積累.繪出在偏壓條件下MOS結(jié)構(gòu)中對(duì)應(yīng)載流子積累、耗盡以及強(qiáng)反型的能帶和電荷分布的示意圖,采用N型襯底并忽略表面態(tài)和功函數(shù)的影響。解:N型襯底MOS結(jié)構(gòu)中對(duì)應(yīng)載流子積累(2)載流子耗盡層S(1)載流子積累M能帶(3)載流子強(qiáng)反型6-2.推導(dǎo)出體電荷、表面電勢(shì)以及表面電場(chǎng)的表達(dá)式,說(shuō)明在強(qiáng)反型時(shí)他們?nèi)绾我蕾囉谝r底的摻雜濃度。在至范圍內(nèi)畫(huà)出體電荷、表面電勢(shì)及電場(chǎng)與的關(guān)系。解:1)強(qiáng)反型時(shí):

可得

2)

3)由泊松方程:,可得表面電場(chǎng):

6-4.采用疊加法證明當(dāng)氧化層中電荷分布為時(shí),相應(yīng)的平帶電壓變化可用下式表示:解:如右圖所示,為消除半導(dǎo)體內(nèi)因氧化層電荷所引起的能帶彎曲,則應(yīng)加<0,使電力線全部被吸收到金屬側(cè)而不進(jìn)入半導(dǎo)體內(nèi)。分析:處電荷的影響

0由

積分:

6-6.利用習(xí)題6-4中的結(jié)果對(duì)下列情形進(jìn)行比較。(a)在MOS結(jié)構(gòu)的氧化層中均勻分布著的正電荷,若氧化層的厚度為150nm,計(jì)算出這種電荷引起的平帶電壓。(b)若全部電荷都位于硅-氧化硅的界面上,重復(fù)(a)。(c)若電荷成三角分布,它的峰值在,在處為零,重復(fù)(a)。解:a)電荷分布因?yàn)殡姾删鶆蚍植?,所?/p>

b)

則c)電荷分布成三角形,峰值在,在處為零,由此可設(shè)6-12.(a)若N溝道MOS增強(qiáng)型FET的源和襯底接地,柵和漏極短路,推導(dǎo)出描述源-漏兩極特性的公式。假設(shè)

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