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1導體、半導體、絕緣體的區(qū)別
2導體、半導體、絕緣體的區(qū)別滿帶所有能級全部被電子填充的能帶不滿帶部分能級被電子填充的能帶由于能量是波矢的偶函數(shù)，速度是波矢的奇函數(shù),即：因此，能帶中一對處于k和-k狀態(tài)的電子的速度大小相等，方向相反，對宏觀電流無貢獻。未滿價帶情形8空穴把滿帶中的空狀態(tài)假想為的一個帶正電的“粒子”。
在電場的作用下，空穴也和滿帶中的其它電子一同運動，其加速度應和空狀態(tài)上有一個電子時的加速度一樣，即：令空穴的有效質量為：則空穴在電場下的加速度為思考：從有效質量、電量、速度、能量、動量來比較電子和其相應位置的空穴。9未滿導帶對于不滿帶，只有部分電子狀態(tài)電子占據(jù)，電子可以在電場的作用躍遷到能量較高的空狀態(tài)，導致電子在布里淵區(qū)狀態(tài)中的分布不再對稱，形成宏觀電流。有電場時導帶電子能量和速度分布10導體半導體絕緣體有未被填滿的價帶。價帶全部被電子填滿，禁帶上面的導帶是空帶，且禁帶寬度較大。價帶全部被電子填滿，禁帶上面的導帶是空帶，但禁帶寬度相對較小。11半導體導電機理電子由價帶激發(fā)到導帶時，導帶中的電子和價帶中的空穴參與導電。12N型硅的回旋共振實驗結果解釋若只考慮其中一個等能面(如[001]上的一個)時，并選取Ec=0，以及k0S
為坐標原點，坐標軸的選取如右圖所示。顯然，k
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