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文檔簡介

間接復合2024/5/172

間接復合間接復合的4個基本過程間接復合指的是非平衡載流子通過復合中心的復合。2024/5/173

間接復合復合率(動態(tài)的,統(tǒng)計的)2024/5/174

間接復合n1和p1的大小直接關系到電子和空穴的激發(fā)幾率。而Et的位置對于n1,p1的大小有決定性的影響。Et越靠近導帶,則激發(fā)電子所需能量愈小,n1值愈大,相應的p1值則愈小。還應該注意到nl和pl是強烈依賴于溫度的.溫度愈高n1、p1愈大。2024/5/175

間接復合

nt取決于rnn,rpp,rnn1,rpp1中較大者。2024/5/176

間接復合

2024/5/177

間接復合2024/5/178

間接復合

2024/5/179

間接復合:深能級——有效的復合中心10

間接復合

2024/5/172024/5/1711

間接復合俘獲截面單位時間內(nèi),某個復合中心俘獲的電子(或空穴)數(shù)目基本上和原子的大小差不多2024/5/1712

間接復合

單位:10-16cm22024/5/1713

間接復合討論金在硅中的復合作用

金是硅中的深能級雜質(zhì),在硅中形成雙重能級;位于導帶底以下0.54eV的受主能級EtA,和位于價帶頂以上0.35eV的施主能級EtD。硅中的金原子可以接受一個電子,形成負電中心Au

,起受主作用,相應的能級就是EtA。金原子也可以施放

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