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理想p-n結(jié)的電流電壓關(guān)系2024/5/172理想p-n結(jié)的電流電壓關(guān)系討論：2.強烈依賴于溫度p-n結(jié)有電阻，電流越大，焦耳熱越多，溫度越高，電流更大，——形成正反饋，器件燒壞。2024/5/173影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素勢壘區(qū)的產(chǎn)生-復(fù)合電流表面效應(yīng)大注入的情況串聯(lián)電阻效應(yīng)（自學(xué)）2024/5/174影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素復(fù)合電流（正向偏壓）2024/5/175影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素2024/5/176影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素m=1，擴散電流為主；m=2，復(fù)合電流為主。擴散電流與復(fù)合電流之比和ni及外加電壓V有關(guān)。低正向電壓下，復(fù)合電流占主要地位；較高正向偏壓下，復(fù)合電流可以忽略。2024/5/177影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素產(chǎn)生電流（反向偏壓）2024/5/178影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素討論：Js與反向偏壓無關(guān)，而JG隨反向偏壓增加而增加。禁帶寬度小的半導(dǎo)體，反向漏電流增加顯著。溫度升高，反向漏電流增加。少子壽命越小，反向漏電流越大。2024/5/179影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素大注入（正向偏壓大）VJVP2024/5/1710影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素2024/5/1711影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素2024/5/1712影響理想p-n結(jié)J-V關(guān)系的因素總結(jié)復(fù)合電流擴散電流大注入串聯(lián)電阻效應(yīng)產(chǎn)生電流2024/5/1713例題

例1.Sip-n結(jié)參數(shù)如下：ND=1016cm-3，NA=5×1018cm-3，p-n結(jié)截面積A=0.01cm2，

n=

p=1us，設(shè)結(jié)兩邊的寬度遠大于各自少子的擴散長度，求室溫時正向電流I為1mA時的外加電壓。設(shè)p區(qū)

n=5

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