2022-2023學(xué)年高二物理競賽課件：雜質(zhì)半導(dǎo)體

雜質(zhì)半導(dǎo)體雜質(zhì)半導(dǎo)體在本征半導(dǎo)體中摻入某些微量雜質(zhì)元素后的半導(dǎo)體稱為雜質(zhì)半導(dǎo)體。因摻入雜質(zhì)性質(zhì)不同，可分為：空穴（P）型半導(dǎo)體電子（N）型半導(dǎo)體【Positive】【Negative】+4+4+3+4P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)圖在硅（或鍺）的晶體中摻入少量3價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。1.P型半導(dǎo)體

空穴

多數(shù)載流子（多子）—空穴；少數(shù)載流子（少子）－自由電子?？昭ǖ膩碓矗海?）本征激發(fā)產(chǎn)生（少量的）（2）摻入雜質(zhì)元素后多余出來的（大量的）+4+4+3+4P型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)圖在硅（或鍺）的晶體中摻入少量3價雜質(zhì)元素，如硼、鎵等。1.P型半導(dǎo)體

空穴受主原子

多數(shù)載流子（多子）—空穴；少數(shù)載流子（少子）－自由電子。自由電子的來源：只有本征激發(fā)產(chǎn)生（少量的）

多數(shù)載流子（多子）—自由電子；少數(shù)載流子（少子）—空穴。N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)圖+4+4+5+4在硅（或鍺）的晶體中摻入少量5價雜質(zhì)元素，如磷，砷等。2.N型半導(dǎo)體

多余的電子自由電子的來源：（1）本征激發(fā)產(chǎn)生（少量的）（2）摻入雜質(zhì)元素后多余出來的（大量的）

多數(shù)載流子（多子）—自由電子；少數(shù)載流子（少子）—空穴。N型半導(dǎo)體的結(jié)構(gòu)圖+4+4+5+4在硅（或鍺）的晶體中摻入少量5價雜質(zhì)元素，如磷，砷等。2.N型半導(dǎo)體

多余的電子施主原子空穴的來源：只有本征激發(fā)產(chǎn)生（少量的）雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示方法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體少子濃度——只與溫度有關(guān)多子濃度——主要受摻入雜質(zhì)濃度的影響負離子空穴正離子自由電子雜質(zhì)半導(dǎo)體的示意表示方法－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－++++++++++++++++++++++++P型半導(dǎo)體N型半導(dǎo)體負離子空穴正離子自由電子注意：半導(dǎo)體中的正負電荷數(shù)是相等的，其作用相互抵消，因此對外保持電中性?！景雽?dǎo)體知識】小結(jié)半導(dǎo)體與導(dǎo)體在導(dǎo)電機理上的區(qū)別： 導(dǎo)體的載流子只有一種：自由電子； 半導(dǎo)體的載流子有兩種：自由電子和空穴。何謂本征半導(dǎo)體和雜質(zhì)半導(dǎo)體？雜質(zhì)半導(dǎo)體分類？

【同前面所講！】1.2PN結(jié)的形成及特性一.PN結(jié)的形成返回耗盡層動畫演示PN結(jié)勢壘區(qū)阻擋層V0（電位勢壘）+-耗盡層動畫演示＋－內(nèi)電場PN結(jié)勢壘區(qū)阻擋層V0（電位勢壘）+-由上可知，PN結(jié)中進行著兩種載流子的運動：

多數(shù)載流子的擴散運動

少數(shù)載流子的漂移運動產(chǎn)生