• 即將實(shí)施
  • 暫未開(kāi)始實(shí)施
  • 2024-04-25 頒布
  • 2024-11-01 實(shí)施
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GB/T 43885-2024碳化硅外延片_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

ICS29045

CCSH.83

中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

Siliconcarbideepitaxialwafers

2024-04-25發(fā)布2024-11-01實(shí)施

國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局發(fā)布

國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)

GB/T43885—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請(qǐng)注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機(jī)構(gòu)不承擔(dān)識(shí)別專利的責(zé)任

。。

本文件由全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)與全國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)

(SAC/TC203)

化技術(shù)委員會(huì)材料分會(huì)共同提出并歸口

(SAC/TC203/SC2)。

本文件起草單位南京國(guó)盛電子有限公司廣東天域半導(dǎo)體股份有限公司上海天岳半導(dǎo)體材料有

:、、

限公司北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司瀚天天成電子科技廈門(mén)股份有限公司環(huán)鑫半導(dǎo)體

、、()、TCL

天津有限公司有色金屬技術(shù)經(jīng)濟(jì)研究院有限責(zé)任公司南京盛鑫半導(dǎo)體材料有限公司山西爍科晶

()、、、

體有限公司河北普興電子科技股份有限公司安徽長(zhǎng)飛先進(jìn)半導(dǎo)體有限公司中電化合物半導(dǎo)體有限

、、、

公司上海合晶硅材料股份有限公司江蘇華興激光科技有限公司杭州乾晶半導(dǎo)體有限公司湖南三安

、、、、

半導(dǎo)體有限責(zé)任公司浙江晶睿電子科技有限公司寧波合盛新材料有限公司沈陽(yáng)星光技術(shù)陶瓷有限

、、、

公司深圳基本半導(dǎo)體有限公司海迪科南通光電科技有限公司哈爾濱科友半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)裝備與技術(shù)

、、()、

研究院有限公司連科半導(dǎo)體有限公司

、。

本文件主要起草人李國(guó)鵬仇光寅劉勇駱紅李素青丁雄杰舒天宇佘宗靜馮淦楊玉聰

:、、、、、、、、、、

王銀海侯曉蕊薛宏偉劉紅超金向軍尚海波劉薇王巖徐所成李畢慶陳浩袁肇耿周勛劉長(zhǎng)春

、、、、、、、、、、、、、、

汪之涵黃勤金趙麗麗胡動(dòng)力和巍巍

、、、、。

GB/T43885—2024

碳化硅外延片

1范圍

本文件規(guī)定了碳化硅外延片的產(chǎn)品分類(lèi)技術(shù)要求試驗(yàn)方法檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志包裝運(yùn)輸與貯存

、、、、、、

隨行文件和訂貨單內(nèi)容

。

本文件適用于在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長(zhǎng)碳化硅同質(zhì)外延層的外延片產(chǎn)品用于制作碳化硅電力

,,

電子器件

。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過(guò)文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對(duì)應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

計(jì)數(shù)抽樣檢驗(yàn)程序第部分按接收質(zhì)量限檢索的逐批檢驗(yàn)抽樣

GB/T2828.1—20121:(AQL)

計(jì)劃

硅拋光片表面質(zhì)量目測(cè)檢驗(yàn)方法

GB/T6624

硅外延層載流子濃度測(cè)定電容電壓法

GB/T14146-

半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T14264

硅拋光片表面顆粒測(cè)試方法

GB/T19921

硅片平坦表面的表面粗糙度測(cè)量方法

GB/T29505

碳化硅單晶拋光片

GB/T30656

碳化硅單晶片平整度測(cè)試方法

GB/T32278

硅片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T39145

碳化硅外延片表面缺陷的測(cè)試激光散射法

GB/T42902

碳化硅外延層厚度的測(cè)試紅外反射法

GB/T42905

硅片包裝

YS/T28

3術(shù)語(yǔ)和定義

界定的術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件

GB/T14264。

4產(chǎn)品分類(lèi)

41碳化硅外延片按外延層導(dǎo)電類(lèi)型分為型和型型外延層載流子元素為氮型外延層載流

.np。n,p

子元素為鋁

。

42碳化硅外延片按直徑分為

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