中子周圍劑量當量(率)儀檢定規(guī)程

JJG852—20191中子周圍劑量當量(率)儀檢定規(guī)程1范圍本規(guī)程適用于測量能量范圍為熱能點~20MeV的中子周圍劑量當量(率)儀的首次檢定、后續(xù)檢定和使用中檢查。本規(guī)程不適用于監(jiān)測脈沖中子場用的中子周圍劑量當量(率)儀的檢定。2引用文件本規(guī)程引用下列文件:JJF1001—2011通用計量術語及定義GB/T4960.1—2010核科學技術術語第1部分:核物理與核化學GB/T4960.6—2008核科學技術術語第6部分:核儀器儀表GB/T12162.1—2000用于校準劑量儀和劑量率儀及確定其能量響應的X和γ參考輻射第1部分:輻射特性和產(chǎn)生方法GB/T14055.1—2008/ISO8529-1:2001中子參考輻射第1部分:輻射特性和產(chǎn)生方法GB/T14055.2—2012/ISO8529-2:2000中子參考輻射第2部分:與表征輻射場基本量相關的輻射防護儀表校準基礎ISO8529-3:1998中子參考輻射第3部分:場所計量儀和個人計量計的校準及其能量和角響應的確定(Referenceneutronradiations—Part3:Calibrationofareaandpersonaldosimetersanddeterminationoftheirresponseasafunctionofneutronenergyandangleofincidence)ISO12789-1:2008參考輻射場模擬工作場所中子場第1部分:輻射特性及產(chǎn)生方法(Referenceradiationfields—Simulatedworkplaceneutronfields—Part1:Characteristicsandmethodsofproduction)ISO12789-2:2008參考輻射場模擬工作場所中子場第2部分:與基本量相關的校準基礎(Referenceradiationfields—Simulatedworkplaceneutronfields—Part2:Calibrationfundamentalsrelatedtothebasicquantities)凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本規(guī)程;凡是不注日期的引用文件,其最新版本(包括所有的修改單)適用于本規(guī)程。3術語和計量單位3.1術語JJF1001—2011、GB/T4960.1—2010、GB/T4960.6—2008界定的及以下術語和定義適用于本規(guī)程。3.1.1儀器參考點referencepointofanassemblyJJG852—20192儀器上用于將其定位于試驗點的實際或假設的標志。注:該標志通常是探測器的幾何中心或有效中心。3.1.2校準距離calibrationdistance儀器參考點到校準源中心的距離。3.1.3約定量值conventionalquantityvalue對于給定目的,由協(xié)議賦予某量的量值。3.1.4中子周圍劑量當量(率)儀neutronambientdoseequivalent(rate)meter用于測量中子輻射產(chǎn)生的周圍劑量當量(率)的儀器。3.1.5中子注量響應neutronfluenceresponseRΦ在特定條件下,儀器的讀數(shù)除以中子注量(率)約定量值得到的商:RΦ(1)式中:M—在某個中子注量(率)下,經(jīng)散射、線性、幾何等效應修正后的中子周圍劑量當量(率)儀讀數(shù);Φ—試驗點處中子注量(率)約定量值,cm-2(cm-2·s-1)。3.1.6中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)neutronfluence-to-ambientdoseequivalenthΦ輻射場中未受到被照射物體擾動的某一點處,中子周圍劑量當量除以中子注量得到的商:hΦ(2)式中:錄A),pSv·cm2;H*(10)—該點的中子周圍劑量當量(率),Sv(Sv/h)。3.1.7中子劑量當量響應neutrondoseequivalentresponseRH在特定條件下,儀器的中子注量響應除以中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)得到的商:RH(3)3.1.8相對固有誤差relativeintrinsicerrorI在標準試驗條件下,受到規(guī)定的參考輻射照射時,儀器示值的相對誤差。相對固有誤差由式(4)給出:JJG852—20193I×100%(4)式中:H(10)—在試驗點處,中子周圍劑量當量(率)約定量值,Sv(Sv/h)。3.2計量單位3.2.1中子周圍劑量當量:希沃特;符號:Sv。3.2.2中子周圍劑量當量率:希沃特每秒;符號:Sv/s。3.2.3中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù):皮希沃特平方厘米;符號:pSv·cm2。4概述中子周圍劑量當量(率)儀(以下簡稱被檢儀器)一般由探測器、慢化或吸收介質(zhì)、信號處理與顯示部件組成,一般分為攜帶式和固定式。探測器通常為BF3正比計3He正比計數(shù)管、6LiI閃爍探測器或反沖質(zhì)子探測器等。入射中子與被檢儀器的探測器發(fā)生核反應后,生成帶電粒子,進而產(chǎn)生可測量的電信號并被記錄,然后通過內(nèi)置的校準因子或曲線將計數(shù)轉(zhuǎn)化為測量結果并顯示。被檢儀器主要用于放射性工作場所中子周圍劑量當量(率)測量,顯示單位應為Sv(Sv/h)及其分數(shù)單位。5計量性能要求被檢儀器的計量性能要求見表1。表1被檢儀器的技術要求計量性能技術要求相對固有誤差不超過±20%重復性小于20%,測量次數(shù)不少于10次能量響應熱能點~50keV:宜為0.2~8.0;50keV~10MeV:應為0.5~2.0;10MeV~20MeV:宜為0.2~2.0角響應在參考平面0°~90°和-90°~0°范圍內(nèi),不超過±25%;在參考平面90°~180°、-90°~-180°和與參考方向垂直的平面方向入射0°~180°和-180°~0°范圍內(nèi),不超過制造商給出的值光子輻射響應小于中子響應的1%6通用技術要求6.1外觀被檢儀器的外觀不應有銹蝕、裂紋和破損等影響正常工作的損傷,控制面板或系統(tǒng)界面上所設置的功能鍵應能完成該鍵指令下的功能。6.2標識被檢儀器應具有生產(chǎn)廠家、規(guī)格型號和出廠編號等標識,其外部宜有用于校準和檢4驗目的的參考點標志。7計量器具控制7.1檢定條件7.1.1計量標準(1)參考輻射檢定用中子源的要求見表2。試驗點處周圍劑量當量(率)約定量值的相對擴展不確定度Urel≤10%(k=2)。周圍劑量當量率約定量值應覆蓋3個量級,其中至少包括3μSv/h~100μSv/h。表2檢定用中子源的相關參數(shù)①中子源半衰期a注量平均能量MeV劑量當量平均能量MeV比源強光子與中子劑量當量率之比252Cf+D2O慢化②2.650.552.12.1×1015s-1·kg-10.18252Cf2.652.132.32.4×1015s-1·kg-10.05241Am-B(α,n)4322.722.81.6×10-5s-1·Bq-10.20③241Am-Be(α,n)4324.164.46.6×10-5s-1·Bq-10.05③①本表全部數(shù)據(jù)引自GB/T14055.1—2008/ISO8529-1:2001。②直徑30cm的重水球外部包裹1mm厚的鎘。③中子源外部包裹1mm厚的鉛。開展能量響應檢定的單能點取自GB/T14055.2—2012/ISO8529-2:2000,中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)取自ISO8529-3:1998,見附錄A。當被檢儀器使用場所的中子能量分布與表2中的參考輻射源中子能量分布差異較大時,建議采用ISO12789-1:2008和ISO12789-2:2008中規(guī)定的模擬工作場所中子參考輻射場進行校準或測試。(2)其他檢定用設備定位裝置:中子源和被檢儀器的支架應盡量減少中子散射。影錐:檢定時置于被檢儀器探測器和中子源之間用來屏蔽中子源發(fā)射的中子直接進入被檢儀器探測器的一種錐型物,用于確定散射中子對被檢儀器讀數(shù)的貢獻。影錐的結構由中子的能量和檢定條件決定,其結構及使用方法見附錄B。7.1.2環(huán)境條件(1)環(huán)境溫度:15℃~25℃(測量過程中變化小于2℃);(2)相對濕度:不大于85%;(3)檢定實驗室空間應滿足在試驗點處,房間散射中子引起的被檢儀器讀數(shù)的貢獻應小于40%,輻射場空間的要求見附錄C。JJG852—201957.2檢定項目被檢儀器的首次檢定、后續(xù)檢定和使用中檢查項目見表3。表3檢定項目一覽表檢定項目首次檢定后續(xù)檢定使用中檢查外觀及標識+++相對固有誤差+++校準因子+++重復性++ 能量響應+- 角響應+- 光子輻射響應+- 注:“+”為需檢定的項目,“-”為不需檢定的項目。7.3檢定方法7.3.1外觀及標識通電開機,通過觀察方式檢查被檢儀器是否滿足第6章的要求。7.3.2相對固有誤差選擇7.1.1中的中子參考輻射檢定相對固有誤差。檢定時應至少覆蓋3個量級,并且應包括10μSv/h量級或0.1mSv量級。首次檢定應在每個量級滿量程的20%、40%和80%處測量,后續(xù)檢定應在每個量級至少選擇一個測量點。將被檢儀器按制造商規(guī)定的參考平面及入射方向置于試驗點上,在自由空氣中照射。待被檢儀器的示值穩(wěn)定后讀數(shù),每個測量點的讀數(shù)不少于6次,每次讀出的時間間隔至少應是被檢儀器響應時間的3倍,計算其算術平均值。本規(guī)程所有檢定項目中,被檢儀器讀數(shù)時均應滿足本要求。按照附錄D中的方法測量散射中子引起的讀數(shù),本規(guī)程推薦了3種散射中子的測量方法,應至少選擇其中一種。按照式(5)計算相對固有誤差I:I×100%=×100%(5)式中:—Md,i—在第i個量級時,直接中子引起的被檢儀器讀數(shù)的平均值,Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位;Ht,i(10)———在第i個量級時,試驗點的中子周圍劑量當量(率)約定量值,Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位;Φ—試驗點處中子注量(率),cm-2(cm-2·s-1),可按照式(6)計算。Φ(6)JJG852—20196式中:Q—中子源發(fā)射率,s-1;Fθ—中子源發(fā)射各向異性修正因子(測量方法見附錄E;對于加速器單能中子源來說,Fθ=1)。l中子源幾何中心與被檢儀器有效中心之間的距離,cm。根據(jù)不同的檢定方法可得到一個或多個I,取其中絕對值最大作為被檢儀器的相對固有誤差檢定結果。若-20%≤I≤20%,則認為被檢儀器的相對固有誤差滿足表1的要求。7.3.3校準因子選擇7.1.1中的中子參考輻射確定校準因子。按7.3.2放置被檢儀器并讀數(shù),計算其算術平均值。按照附錄D中的方法測量散射中子引起的讀數(shù)。按照式(7)計算校準因子N:N(7)7.3.4重復性選擇7.1.1中的中子參考輻射檢定重復性,試驗點處的中子周圍劑量當量率約定量值應小于100μSv/h。按7.3.2放置被檢儀器,連續(xù)重復測量至少10次。被檢儀器的重復性以相對實驗標準差表示,按照式(8)計算。V=式中:V—被檢儀器的重復性,%;n—重復測量次數(shù)(n≥10); (Mi-)2(8)Mi—第i次重復測量時的讀數(shù),Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位;—M—i次重復測量的讀數(shù)平均值,Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位。若V≤20%,則認為被檢儀器的重復性滿足表1的要求。7.3.5能量響應被檢儀器能量響應檢定的能量點(見附錄A)至少應包括:1)50keV以下至少2個單能點,并且應包括熱能點;2)在50keV~10MeV范圍內(nèi)至少包括3個單能點;3)至少1種放射性核素中子源(比如:241Am-Be或252Cf);4)10MeV以上至少包括1個單能點;5)當監(jiān)測工作場所的中子能譜與表1中檢定中子源能譜差異較大時,還應在對應的模擬工作場所中子參考輻射中校準被檢儀表的響應,并在結果中注明。按7.3.2放置被檢儀器并讀數(shù)。檢定距離應不小于中子源幾何尺寸和被檢儀器幾何尺寸之和的3倍。按照附錄D中的方法測量散射中子引起的讀數(shù)。進行本項目檢定時,散射中子對被檢儀器讀數(shù)的貢獻應不超過未散射中子對被檢儀器讀數(shù)貢獻的20%。當JJG852—20197采用加速器中子源或反應堆中子源進行檢定時,應采用適當?shù)氖鞅O(jiān)視器來監(jiān)測中子注量率隨時間的變化,并在數(shù)據(jù)處理時進行歸一。按照式(9)計算被檢儀器對單能點的周圍劑量當量(率)響應:RH(Ei)=式中:(9)RH(Ei)———中子能量為Ei時,被檢儀器的周圍劑量當量(率)響應,無量綱;i中子能量點;—Md(Ei)———中子能量為Ei時,直接中子引起的被檢儀器讀數(shù)的平均值,Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位;Ht(10,Ei)———中子能量為Ei時,試驗點的中子周圍劑量當量(率)約定量值,Sv/h(Sv)或其分數(shù)單位。被檢儀器的能量響應應同時滿足以下要求:1)在熱能點~50keV能量范圍內(nèi),周圍劑量當量(率)響應RH(Ei)宜不超過0.2~8.0;2)在50keV~10MeV能量范圍內(nèi),周圍劑量當量(率)響應RH(Ei)應不超過0.5~2.0;3)在10MeV~20MeV能量范圍內(nèi)的周圍劑量當量(率)響應RH(Ei)宜不超過0.2~2.0;4)若通過蒙特卡洛法計算的以上能量點的響應與實驗測量值在±20%以內(nèi)符合,則認為蒙特卡洛法計算的全能區(qū)能量響應滿足要求。7.3.6角響應選擇7.1.1中的中子參考輻射檢定角響應。按7.3.2放置被檢儀器(對應入射角小于中子源幾何尺寸和被檢儀器幾何尺寸之和的3倍。散射中在自由空氣中進行照射,按7.3.2進行讀數(shù)M0。在0°~180°和-180°~0°范圍內(nèi),改變?nèi)肷浣铅羒,角度變化步長30°,記錄每個入射角αi下的讀數(shù)Mi。在與參考方向垂直的平面上,重復以上步驟,記錄每個入射角下的被檢儀器讀數(shù)。按照式(10)計算被檢儀器的角響應Rαi:Rαi×100%(10)被檢儀器的角響應應同時滿足以下要求:1)對于參考平面及參考方向入射,在0°~90°和-90°~0°范圍內(nèi),角響應Rαi應不超過±25%;2)對于參考平面及參考方向入射,在90°~180°和-90°~-180°范圍內(nèi),角響應Rαi應不超過被檢儀器制造商給出的值;3)對于與參考方向垂直的平面方向入射,在0°~180°和-180°~0°范圍內(nèi),角響應Rαi應不超過被檢儀器制造商給出的值。JJG852—201987.3.7光子輻射響應在GB/T12162.1—2000中規(guī)定的137Cs或60Csγ射線參考輻射場中,試驗點處的光子周圍劑量當量率為10mSv/h,按7.3.2放置被檢儀器,記錄其讀數(shù)Mγ。選擇7.1.1中的中子參考輻射,試驗點處的中子周圍劑量當量率為0.1mSv/h,按7.3.2放置被檢儀器,記錄其讀數(shù)Mn,應滿足Mn>Mγ。選擇7.1.1中的中子參考輻射,按7.3.2放置被檢儀器,使其示值為1mSv/h。在該中子參考輻射場中增加GB/T12162.1—2000中規(guī)定的137Cs或60Csγ射線源,使得試驗點處的光子周圍劑量當量率為10mSv/h,由增加的光子輻射引起的被檢儀器的讀數(shù)的變化應不超過10%。7.4檢定結果的處理按本規(guī)程檢定合格的被檢儀器發(fā)給檢定證書(推薦內(nèi)頁格式見附錄G);檢定結果中有一項不符合本規(guī)程的技術要求即為檢定不合格,檢定不合格的被檢儀器發(fā)給檢定結果通知書(推薦格式見附錄G),并注明不合格項目。7.5檢定周期被檢儀器的檢定周期一般不超過1年。JJG852—20199附錄A能量響應的測量點及中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)用于檢定中子劑量儀表能量響應的中子參考輻射以及各單能點的中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)見表A.1。表A.1能量響應的測量點及中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)中子能量/MeV產(chǎn)生方法中子注量到周圍劑量當量轉(zhuǎn)換系數(shù)/pSvcm22.5×10-8(熱中子)反應堆或加速器慢化中子束產(chǎn)生的中子10.60.002反應堆鈧過濾中子束或加速器45Sc(p,n)45Ti核反應產(chǎn)生的中子7.70.024反應堆鐵-鋁過濾中子束或加速器45Sc(p,n)45Ti核反應產(chǎn)生的中子19.30.144反應堆硅過濾中子束或加速器T(p,n)3He和7Li(p,n)7Be核反應產(chǎn)生的中子1270.25加速器T(p,n)3He和7Li(p,n)7Be核反應產(chǎn)生的中子2030.565加速器T(p,n)3He和7Li(p,n)7Be核反應產(chǎn)生的中子3431.2加速器T(p,n)3He核反應產(chǎn)生的中子4252.5加速器T(p,n)3He核反應產(chǎn)生的中子4162.8加速器D(d,n)3He核反應產(chǎn)生的中子4135.0加速器D(d,n)3He核反應產(chǎn)生的中子40514.8加速器T(d,n)4He核反應產(chǎn)生的中子53619.0加速器T(d,n)4He核反應產(chǎn)生的中子584JJG852—201910附錄B影錐的結構及使用方法應根據(jù)實驗幾何條件,選擇合適的影錐。B.1影錐的結構圖B.1給出了用于241Am-Be中子源的影錐尺寸設計的例子。該影錐由20cm長的鐵和30cm長的含硼聚乙烯或含硼石蠟制成,其中硼的質(zhì)量百分比不小于5%。影錐前端的直徑取決于檢定用中子源或中子靶的尺寸,應略大于中子源或中子靶的幾何尺寸。當中子源尺寸大于被檢儀器的探測器尺寸時,影錐前端的直徑大于后端,比如,用重水慢化的252Cf源檢定直徑較小的球形探測器。影錐的長度應可將源中子減弱至可忽略的強度,圖例給出的影錐尺寸適用于GB/T14055.1—2008推薦的所有中子能量。對不同能量的中子可設計能滿足特殊要求的影錐。圖B.1中子源、影錐和被檢儀器幾何位置示意圖1—中子源;2—影錐;3—被檢儀器B.2影錐的使用當影錐與中子源之間的距離很小時,由于影錐有效的阻止了在探測器中心軸前半球產(chǎn)生的大部分中子進入探測器,因此由內(nèi)散射中子引起的讀數(shù)很小。隨著距離增加,內(nèi)散射中子引起的讀數(shù)增加,然后在一定的距離范圍內(nèi)保持不變,該范圍和影錐與探測器的距離有關,進一步增加距離,影錐不再完全阻止中子源發(fā)射的中子,因此被檢儀器的讀數(shù)迅速增加。當影錐與探測器的距離很近時,影錐后端阻止了進入探測器的散射中子,因此減少了內(nèi)散射中子引起的讀數(shù)。雖然能得到一致讀數(shù)的最近距離很難用實驗的方法得到,但建議限制測量距離,使影錐后端與探測器的距離至少等于影錐的長度。如果滿足這些規(guī)則,總內(nèi)散射就可得到一致結果,并且其不確定度小于3%。應選擇合適的錐角,使其大于被檢儀器的立體角,但又不大于被檢儀器立體角的兩倍,這樣進行一組完整測量需要多個影錐。JJG852—201911附錄C輻射場空間要求檢定實驗室空間應滿足在試驗點處,由散射中子引起的被檢儀器的讀數(shù)貢獻不大于40%。中子源—探測器有效中心的距離lc為75cm時,對檢定用的中子參考輻射源,輻射場空間最小尺寸見表C.1。表C.1房間散射對被檢儀器讀數(shù)貢獻為40%的輻射場空間最小尺寸(lc=75cm)輻射場空間被檢儀器類型中子源類型252Cf+D2O252CfAm-Be或Am-B立方體空間(L=W=H)小球型或反照率劑量計4.27.58.2大球型或巡測儀3.03.03.0半立方體空間(L=W=2H)小球型或反照率劑量計6.110.912.1大球型或巡測儀4.44.44.3無天花板空間(L=W=2H)小球型或反照率劑量計4.27.18.0大球型或巡測儀3.02.92.9注1:lc表示中子源—探測器有效中心的距離。注2:L、W、H分別為長度、寬度和高度,單位為m;注3:小球型指慢化球直徑為5.1cm或7.6cm的被檢儀器,大球型指慢化球直徑為20.3cm或25.4cm的被檢儀器。JJG852—201912附錄D散射中子測量方法本規(guī)程參照GB/T14055.2—2012/ISO8529-2:2000推薦了3種房間散射中子本底的測量方法,根據(jù)各檢定實驗室的實際條件選擇其中一種或多種。D.1影錐法采用本方法時,中子源與被檢儀器前表面之間的最小距離應至少大于影錐長度的兩倍,最大距離由房間散射中子引起的讀數(shù)應使被檢儀器讀數(shù)的增加小于40%的限制條件決定。選擇7.1.1中的中子參考輻射,按7.3.2放置被檢儀器并讀數(shù),計算其算術平均值—MT(l)。在中子源與被檢儀器之間放置影錐(結構及使用要求見附錄B),然后進行照—射,待被檢儀器的示值穩(wěn)定后讀數(shù)MS(l),計算其算術平均值MS(l)。按照式(D.1)計算被檢儀器的校準因子:N=式中:Ht)=T·FsΦΦ()·Fl(l)(D.1)Fs—散射修正因子,按照式(D.2)計算?！狥s=1-MFs=1—MT(l)(D.2)FA(l)—空氣減弱修正因子,計算方法見附錄F;Fl(l)———幾何修正因子,當采用點源照射球形探測器時,可以按照式(D.3)計算。對其他形狀的被檢儀器(如:圓柱形),當沒有經(jīng)檢驗的幾何修正方法時,距離的選擇應使得幾何修正因子接近于1。(D.3)Fl(l)=1+δ(D.3)式中:rD—被檢儀器探測器的半徑;δ—中子有效參數(shù),推薦值為δ=0.5±0.1。D.2半經(jīng)驗法本方法基于距離反平方定律。采用本方法時,最小檢定距離近似等于中子源與被檢儀器探測器的直徑之和,最大檢定距離由房間散射中子引起的讀數(shù)應使被檢儀器讀數(shù)的增加小于40%的限制條件決定。本方法只適用于主要的散射中子來源為墻壁、地板和天花板。本方法不適用于被檢儀器是多個探測器的情況,也不適用于在平行于圓柱形儀器軸線照射的情況。選擇7.1.1中的中子參考輻射,按7.3.2放置被檢儀器并讀數(shù),計算其算術平均值。改變檢定距離,依次讀出每個檢定距離下的讀數(shù)Mi(l),并計算其算術平均值JJG852—201913 MT(l)。以l2為自變量,式(D.4)的左式為因變量作圖,對這些數(shù)據(jù)進行加權線性最小二乘法擬合,得到一條擬合直線:RΦ·(1+S·l2)(D.4)式中:(1+A·l)———總的空氣散射修正(內(nèi)散射減外散射),其中A是凈空氣散射成分,計算方法見附錄F;S—單位距離的室散射貢獻。按照式(D.4)得到的擬合直線的截距為注量響應RΦ,通過斜率可計算給出單位距離的室散射貢獻S。對同型號儀器,只要確定了單位距離的室散射貢獻S,則后續(xù)的類似檢定可以在一個或多個檢定距離下進行讀數(shù)MT(l),然后通過式(D.4)計算注量響應RΦ,再根據(jù)式(3)計算給出被檢儀器的周圍劑量當量(率)響應RH。而校準因子N為RH的倒數(shù)。D.3簡化擬合法本方法也基于距離反平方定律。如果檢定距離不小于被檢儀器探測器最大尺寸的1.5倍時,可采用本辦法。在采用本方法的測量結果之前,宜將得到的結果與其他方法的結果進行核對。選擇7.1.1中的中子參考輻射,按7.3.2放置被檢儀器并讀數(shù),計算其算術平均—值。改變檢定距離,依次讀出每個檢定距離下的讀數(shù)Mi(l)并計算其算術平均值Mi(l)。檢定距離不少于10個,并且每個檢定距離大約在對數(shù)刻度上等間隔。每次讀數(shù)的計數(shù)統(tǒng)計應優(yōu)于10%。按照式(D.5)進行加權線性最小二乘法擬合,可得到擬合參數(shù)k,a和S。MT(l)+S(D.5)式中:a—通過對式(D.5)擬合而確定的參數(shù)。對球形探測器,a接近于球的半徑。選擇權重使所有的數(shù)據(jù)點對擬合有近似相同的影響。如不考慮實際數(shù)據(jù)的計數(shù)統(tǒng)計,通常權重wi正比于被檢儀器讀數(shù)的反平方,相當于使擬合得到的相對殘差的平方和最小,即式(D.6)計算出的G值最小。wi的選擇要使其正比于yi的反平方,然后對i個數(shù)據(jù)點求和。G=∑i[wi(yi-i)2]=∑i[(yi-i)]2=∑i(1-)2(D.6)式中:yi—數(shù)據(jù)點;i—得到的擬合值。根據(jù)式(3)計算給出被檢儀器的周圍劑量當量(率)響應RH,校準因子N為RH的倒數(shù)。JJG852—201914附錄E中子源各向異性修正因子測量方法目前在用的中子源大多為圓柱形,以中子源的幾何中心為坐標原點,中子發(fā)射率一般呈各向異性。如圖E.1所示,在Ω方向的角源強BΩ一般只與中子源的軸線與源—探測器連線之間的夾角θ有關,而與α角無關。圖E.1發(fā)射率為各向異性的中子源坐標示意圖當中子源發(fā)射率Q為各向同性發(fā)射時,