GB/T 17626.3-2023 電磁兼容 試驗(yàn)和測量技術(shù) 第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)（正式版）

電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)ElectromagneticcompatibiliPart3:Radiated,radio-frequency,electromagneticfieldimmunitytest[IEC61000-4-3:2020,ElectromagneticcompatibiRadiated,radio-frequency,elect國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會I V 1范圍 2規(guī)范性引用文件 1 13.1術(shù)語和定義 13.2縮略語 44概述 55試驗(yàn)等級和頻率范圍 55.1試驗(yàn)等級選擇 55.2試驗(yàn)頻率范圍 66試驗(yàn)設(shè)備 76.1試驗(yàn)儀器 76.2試驗(yàn)設(shè)施的描述 76.3均勻場域(UFA) 86.3.1UFA的特征 86.3.2恒定場強(qiáng)電平設(shè)置方法 6.3.3恒定功率電平設(shè)置方法 7試驗(yàn)布置 7.1通則 7.2臺式設(shè)備的布置 7.3落地式設(shè)備的布置 7.4線纜的布置 7.5人體攜帶設(shè)備的布置 8試驗(yàn)程序 8.1概述 8.2實(shí)驗(yàn)室參考條件 8.2.2氣候條件 8.2.3電磁環(huán)境 8.3試驗(yàn)的實(shí)施 8.4步進(jìn) 9試驗(yàn)結(jié)果的評定 20ⅡGB/T17626.3—2023/IEC61000-4-3:10試驗(yàn)報(bào)告 附錄A(資料性)保護(hù)(設(shè)備)抵抗數(shù)字無線電話射頻輻射的試驗(yàn)調(diào)制方式的選擇原理 22A.1可選調(diào)制方式綜述 22A.2試驗(yàn)結(jié)果 A.3二次調(diào)制效應(yīng) A.4結(jié)論 24附錄B(資料性)場發(fā)射天線 26B.1雙錐天線 B.2對數(shù)周期天線 B.3組合天線 B.4喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線 附錄C(資料性)電波暗室的應(yīng)用 27C.1電波暗室綜述 C.2鐵氧體暗室用于1GHz以上時(shí)的調(diào)整建議 27C.2.1鐵氧體暗室用于1GHz以上輻射抗擾度試驗(yàn)時(shí)引起的問題 27C.2.2減少反射的解決方案 28附錄D(資料性)放大器的壓縮與非線性 29D.1限制放大器失真的目的 D.2諧波及飽和可能引起的問題 29D.3限制場的諧波含量 D.4線性特性對抗擾度試驗(yàn)的影響 29 D.4.2線性特性的評估方法 附錄E(資料性)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化專業(yè)委員會試驗(yàn)等級選擇指南 33E.1概述 E.2一般用途的試驗(yàn)等級 E.3無線電話射頻輻射防護(hù)相關(guān)的試驗(yàn)等級 E.4對固定發(fā)射設(shè)備的特殊措施 附錄F(資料性)試驗(yàn)方法的選擇 附錄G(資料性)線纜布置細(xì)節(jié) G.1輻射抗擾度試驗(yàn)中EUT布置 G.2場中的線纜 G.3線纜離開測試區(qū)域的線纜 G.4EUT機(jī)柜的轉(zhuǎn)動 37附錄H(資料性)大型及重型EUT的試驗(yàn)布置示例 H.1帶有底部饋線的EUT H.2帶有架空線纜的EUT ⅢH.3帶有多根線纜和AE的EUT 40H.4帶有側(cè)饋線纜并需要多個(gè)UFA窗口的大型設(shè)備 40附錄I(資料性)多信號試驗(yàn) I.1概述 I.3功率要求 42I.4試驗(yàn)電平設(shè)置要求 431.5線性度和諧波檢查 I.6多信號試驗(yàn)時(shí)EUT的性能判據(jù) 43附錄J(規(guī)范性)由試驗(yàn)儀器引起的測量不確定度 J.1概述 44J.2對于試驗(yàn)電平設(shè)置的不確定度預(yù)評估 44J.2.1被測量的定義 44J.2.2被測量的不確定度貢獻(xiàn) 44J.2.3擴(kuò)展不確定度的計(jì)算舉例 44J.2.4術(shù)語解釋 J.3應(yīng)用 46J.4參考文獻(xiàn) 46附錄K(資料性)電場探頭的校準(zhǔn)方法 47K.1概述 47K.2探頭校準(zhǔn)要求 K.2.1通用要求 K.2.2電平設(shè)置頻率范圍 K.2.3頻率步進(jìn) K.2.4場強(qiáng) 47K.3校準(zhǔn)儀器的要求 K.3.1概述 48K.3.2諧波和雜散信號 48K.3.3探頭的線性測量 K.3.4標(biāo)準(zhǔn)喇叭天線增益的確定 K.4暗室內(nèi)的場強(qiáng)探頭校準(zhǔn) K.4.1校準(zhǔn)環(huán)境 K.4.2場強(qiáng)探頭校準(zhǔn)電波暗室的確認(rèn) K.4.3探頭校準(zhǔn)程序 K.5替代的探頭校準(zhǔn)環(huán)境和方法 K.5.1概述 K.5.2使用TEM室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 GB/T17626.3—2023/IEC61000-4-3:K.5.3用波導(dǎo)室校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.5.4使用開口波導(dǎo)校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.5.5用增益?zhèn)鬟f法校準(zhǔn)場強(qiáng)探頭 K.6參考文獻(xiàn) 參考文獻(xiàn) V本文件按照GB/T1.1—2020《標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第1部分：標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則》的規(guī)定本文件是GB/T(Z)17626《電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)》的第3部分。GB/T(Z)17626已經(jīng)發(fā)布——GB/T17626.1—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)抗擾度試驗(yàn)總論；——GB/T17626.2—2018電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)靜電放電抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.3—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度——GB/T17626.4—2018電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電快速瞬變脈沖群抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.5—2019電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)浪涌(沖擊)抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.6—2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)射頻場感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度；——GB/T17626.7—2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)供電系統(tǒng)及所連設(shè)備諧波、間諧波的測量和測量儀器導(dǎo)則；——GB/T17626.8—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻磁場抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.9—2011電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)脈沖磁場抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.10—2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)阻尼振蕩磁場抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.11—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第11部分：對每相輸入電流小于或等于16A設(shè)備的電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.12—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第12部分：振鈴波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.13—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號的低頻抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.14—2005電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)電壓波動抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.15—2011電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)閃爍儀功能和設(shè)計(jì)規(guī)范；——GB/T17626.16—2007電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)0Hz～150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度——GB/T17626.17—2005電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.18—2016電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)阻尼振蕩波抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.19—2022電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第19部分：交流電源端口2kHz~150kHz差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.20—2014電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)橫電磁波(TEM)波導(dǎo)中的發(fā)射和抗擾——GB/T17626.21—2014電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)混波室試驗(yàn)方法；—-GB/T17626.22—2017電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)全電波暗室中的輻射發(fā)射和抗擾度——GB/T17626.24—2012電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)——GB/T17626.27—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)三相電壓不平衡抗擾度試驗(yàn)； —GB/T17626.28—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)工頻頻率變化抗擾度試驗(yàn)；——GB/T17626.29—2006電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)——GB/Z17626.33—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)主電源每相電流大于16A的設(shè)備的——GB/T17626.39—2023電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第39部分：近距離輻射場抗擾度——增加了鄰近EUT的射頻源抗擾度試驗(yàn)的內(nèi)容(見第1章);——增加了縮略語(見3.2);——刪除了對數(shù)字無線電話及其他射頻發(fā)射裝置的試驗(yàn)等級(見2016年版的5.2);——刪除了設(shè)施布置圖中絕緣桌與UFA的0.8m的要求(見2016年版的圖2);——刪除了UFA特征中圖片中的下邊緣0.8m的要求(見2016年版的圖3);——刪除了產(chǎn)品不大不重且安全的基礎(chǔ)上可放置在0.8m高絕緣桌上進(jìn)行測試的描述(見2016年——增加了使用共模吸收裝置去耦電纜的要——刪除了一般試驗(yàn)等級頻率范圍的上限要求(見2016年版的5.1);試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場本文件及其所代替文件的歷次版本發(fā)布情況為：——1992年首次發(fā)布為GB/T13926.3—1992;——1998年第一次修訂為GB/T17626.3—1998,2006年第二次修訂，2016年第三次修訂，本次為第四次修訂?！?部分：抗擾度試驗(yàn)總論。目的在于提供電磁兼容標(biāo)準(zhǔn)中有關(guān)試驗(yàn)和測量技術(shù)的使用性指——第13部分：交流電源端口諧波、諧間波及電網(wǎng)信號的低頻抗擾度試驗(yàn)。目——第16部分：0Hz～150kHz共模傳導(dǎo)騷擾抗擾度試驗(yàn)。目的—第17部分：直流電源輸入端口紋波抗擾度試驗(yàn)。目的在于建立通用的和可在實(shí)驗(yàn)室條件下對電氣和電子設(shè)備進(jìn)行來自如整流系統(tǒng)和/或蓄電池充電時(shí)疊加在直流電源—第19部分：交流電源端口2kHz～150kHz差模傳導(dǎo)騷擾和通信信號抗擾度試驗(yàn)。目的在于——第20部分：橫電磁波(TEM)波導(dǎo) —第24部分：HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法。目的在于規(guī)定HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置 ——第32部分：高空核電磁脈沖(HEMP)模擬器概述。目的在于提供國際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級X——第35部分：高功率電磁(HPEM)模擬器概述。目的在于提供國際上現(xiàn)有的系統(tǒng)級HPEM窄——第39部分：近距離輻射場抗擾度試驗(yàn)。目的在于建立通用的基準(zhǔn)，以評估1電磁兼容試驗(yàn)和測量技術(shù)第3部分：射頻電磁場輻射抗擾度試驗(yàn)本文件適用于電氣電子設(shè)備的電磁場輻射抗擾度要求，規(guī)定了試驗(yàn)等級和必要的試驗(yàn)程序。本文件的目的是建立電氣電子設(shè)備受到射頻電磁場輻射時(shí)的抗擾度評定依據(jù)。在本文件中給出的試驗(yàn)方法描述了評估設(shè)備或系統(tǒng)對來自非鄰近受試設(shè)備(EUT)的射頻源的射頻電磁場的抗擾度符合性方法。試驗(yàn)環(huán)境在第6章有明確規(guī)定。特別關(guān)注以防護(hù)來自數(shù)字無線電話和其他射頻發(fā)射裝置的射頻輻射。本文件是一個(gè)獨(dú)立的試驗(yàn)方法。不能使用其他試驗(yàn)方法替代來聲稱符合本文件。2規(guī)范性引用文件下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款。其中，注日期的引用文件，僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本(包括所有的修改單)適用于IEC60050-161國際電工詞匯(IEV)第161章：電磁兼容[InternationalElectrotechicalVocabu-lary(IEV)—Chapter161:Electromagneticcompatibil3.1術(shù)語和定義IEC60050-161界定的以及下列術(shù)語和定義適用于本文件。ISO和IEC的術(shù)語數(shù)據(jù)庫可以通過以下網(wǎng)址訪問：設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的2安裝吸波材料用以降低內(nèi)表面電波反射的屏蔽室。內(nèi)表面全部安裝吸波材料的屏蔽室。除地面安裝反射接地平板外，其余內(nèi)表面均安裝能吸收試驗(yàn)頻率范圍內(nèi)的電磁波材料(例如射頻吸波材料)的屏蔽室。可調(diào)式半電波暗室modifiedsemi-anechoicchamber在地面反射接地平板上附加吸波材料的半電波暗室。能夠有效地向空間輻射或從空間接收無線電波的裝置。它為發(fā)射機(jī)或接收機(jī)與傳播無線電波的媒質(zhì)之間提供所需要的耦合。用來將不平衡電壓與平衡電壓相互轉(zhuǎn)換的裝置。共模吸收裝置commonmodeabsorptiondevice;CMAD在輻射抗擾度試驗(yàn)中，應(yīng)用于離開試驗(yàn)區(qū)域的線纜上的裝置，以抑制線纜上的諧振。在穩(wěn)態(tài)條件下，完全相同的連續(xù)振蕩的正弦電磁波，通過中斷或調(diào)制來傳遞信息。由時(shí)變電磁場的傳播表征的波。天線的磁場區(qū)域，其中體現(xiàn)能量傳播的電磁場分量占支配地位，并且電磁場的角分布基本上與離天線的距離無關(guān)。3有意射頻發(fā)射裝置intentionalRFemittingdevice進(jìn)行有意電磁場發(fā)射(傳播)的裝置。在一個(gè)調(diào)制周期內(nèi)，射頻調(diào)制信號的短期有效值(RMS)的最大值。UmximumRMs=Up-p/(2×√在線性幅度調(diào)制中，已調(diào)信號的最大和最小幅度之差與這些幅度總和的比值，通常用百分?jǐn)?shù)表4射頻調(diào)制方案，選擇在時(shí)間上，載波的幅值相對于其周期變化緩慢的射頻調(diào)制方案。當(dāng)受試設(shè)備面不能使用單個(gè)均勻場域一次覆蓋時(shí)使用的試驗(yàn)方法。輻射場電場向量的方向。參考接地平面referencegroundplane;RGP平坦的導(dǎo)電表面，與參考接地具有相同的電勢，作為共同的參考，并有助于與受試設(shè)備周圍的可重復(fù)寄生電容。[來源：IEC60050-161:2014,161-04-36有修改——注釋已刪除]專門設(shè)計(jì)用來隔離內(nèi)外電磁環(huán)境的網(wǎng)狀或薄板金屬殼體。時(shí)間增倍調(diào)制電路分時(shí)復(fù)合調(diào)制方案，在某一分配頻率同一載波內(nèi)設(shè)置幾個(gè)通信信道。每一信道被賦予某一時(shí)間段，在該時(shí)間周期內(nèi)，如果該信道是激活的，則信號作為射頻脈沖被不是處于激活的，則脈沖未被傳輸，這樣載波包絡(luò)就不為常數(shù)。而脈沖的幅值為定值，射頻載波被頻率調(diào)制或相位調(diào)制。收發(fā)兩用機(jī)transmitter-receiver共用一個(gè)外殼的無線電發(fā)射和接收的組合設(shè)備。采用公共電路部件，通常發(fā)射和接收天線相同。[來源：IEC60050-713:1998,場電平設(shè)置的假想垂直平面，在該平面內(nèi)場強(qiáng)的變化足夠小。下列縮略語適用于本文件。AE:輔助設(shè)備(AuxiliaryEquipment)AM:調(diào)幅(AmplitudeModulation)CMAD:共模吸收裝置(Common-ModeAbsorptionDevice)CW:連續(xù)波(ContinuousWave)DECT:增強(qiáng)數(shù)字無繩通信(DigitalEnhancedCordlessTelecommunications)ERP:有效輻射功率(EffectiveRadiatedPower)5EUT:受試設(shè)備(EquipmentUnderTest)LTE:長期演進(jìn)技術(shù)(LongTermEvolution,根據(jù)無線電廣播通信領(lǐng)域術(shù)語命名)MU:測量不確定度(MeasurementOFDM:正交頻分復(fù)用(OrthogonaPA:功率放大器(PowerAmplifiter)RMS:有效值(RootMeanSquare)SDH:同步數(shù)字系列(SynchronousDigitalHierarchy)TDMA:時(shí)分多址(TimeDivisionMultipleAccess)UFA:均勻場域(UniformFie試驗(yàn)等級在表1中列出。112334XX是一開放的等級，其場強(qiáng)可為任意值。該等級應(yīng)在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定。6表中試驗(yàn)場強(qiáng)列出的是未調(diào)制載波信號的場強(qiáng)。對設(shè)備試驗(yàn)時(shí)，要用1kHz的正弦波對未調(diào)制載波信號進(jìn)行80%的幅度調(diào)制來模擬實(shí)際威脅(見圖1和表2),詳細(xì)試驗(yàn)步驟見第8章。表2信號發(fā)生器輸出端口的幅度調(diào)制特性內(nèi)部或外部調(diào)制因子m:圖1規(guī)定80%AM試驗(yàn)信號和發(fā)生的波形有關(guān)其他基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)中定義的頻率范圍和試驗(yàn)方法的選7產(chǎn)品委員會可以要求特定的試驗(yàn)等級和調(diào)制類型(作為80%AM的替代品)。6試驗(yàn)設(shè)備6.1試驗(yàn)儀器推薦下列類型的試驗(yàn)設(shè)備?！姴ò凳遥壕哂泻线m的尺寸，能維持相對于EUT來說具有足夠空間的UFA。另外可額外安裝一些吸收材料可以減弱室內(nèi)的反射。——電磁干擾(EMI)濾波器：應(yīng)注意確保濾波器在連接線路上不致引起諧振效應(yīng)。——射頻信號發(fā)生器：產(chǎn)生的信號能夠覆蓋所有試驗(yàn)的頻帶，并且至少能夠進(jìn)行表2中規(guī)定的幅度調(diào)制。為了避免諧波導(dǎo)致的問題，必要時(shí)采用低通或帶通濾波器?！β史糯笃鳎河糜诜糯笮盘?未調(diào)制的和調(diào)制的)并提供驅(qū)動天線達(dá)到所需場強(qiáng)等級的功率?！獔鰪?qiáng)發(fā)射天線：能夠滿足頻率特性要求的雙錐、對數(shù)周期、喇叭或其他線性極化天線系統(tǒng)(見附——各向同性場強(qiáng)探頭：具有足夠的頻率范圍和靈敏度來測量產(chǎn)生的場強(qiáng)(關(guān)于電場探頭的電平設(shè)——正向功率測量裝置：可使用定向耦合器和功率計(jì)，或在放大器和天線之間插入正向功率檢測器或監(jiān)視器。——AE:用于記錄試驗(yàn)規(guī)定場強(qiáng)所需的功率電平和控制產(chǎn)生試驗(yàn)場強(qiáng)的電平。應(yīng)注意確保試驗(yàn)設(shè)備具有充分的抗擾度。試驗(yàn)儀器引起的MU由附錄J規(guī)定。由于試驗(yàn)所產(chǎn)生的場強(qiáng)高，應(yīng)在屏蔽室中進(jìn)行試驗(yàn)，以便符合有關(guān)禁止對無線通信干擾的規(guī)定。大多數(shù)采集數(shù)據(jù)的設(shè)備對抗干擾試驗(yàn)過程中所產(chǎn)生的電磁場很敏感，因此需要用屏蔽室在EUT與試驗(yàn)儀器之間提供一層“屏障”。應(yīng)注意確保穿過屏蔽室的連線的傳導(dǎo)和輻射有充分的衰減，以保證EUT的信號和功率響應(yīng)的真實(shí)性。試驗(yàn)設(shè)施為安裝有吸波材料的屏蔽室，且屏蔽室具有足夠的空間以安放EUT,并對試驗(yàn)場強(qiáng)有充分的控制能力。包括電波暗室或調(diào)整后的半電波暗室，圖2給出了一個(gè)示例。相關(guān)屏蔽室宜適合于安放發(fā)生場強(qiáng)的設(shè)備、監(jiān)視設(shè)備和激勵EUT的設(shè)備。詳細(xì)導(dǎo)則見附錄C。8圖2典型的試驗(yàn)設(shè)施舉例本文件使用了UFA(見圖3和圖4)的概念，即場的垂直面，其變化在下文規(guī)定的范圍內(nèi)。6.3.2和6.3.3中給出的方法用于證明試驗(yàn)設(shè)施和試驗(yàn)設(shè)備產(chǎn)生均勻試驗(yàn)場的能力。獲得用于設(shè)置抗擾度試驗(yàn)9圖3電平設(shè)置布置在沒有EUT的情況下執(zhí)行均勻場電平設(shè)置(見圖3)。在此過程中，確定UFA內(nèi)的場強(qiáng)與施加到天線的正向功率之間的關(guān)系。在試驗(yàn)過程中，根據(jù)該關(guān)系和目標(biāo)場強(qiáng)計(jì)算所需的正向功率。如果可證明系統(tǒng)的線性，則實(shí)際試驗(yàn)場強(qiáng)E可不同于電平設(shè)置布置E?(見6.3.2或6.3.3和附錄D)。只要用于試驗(yàn)的試驗(yàn)儀器的設(shè)置保持不變，該電平設(shè)置就是一直有效的。由于即使是很小的位移也會顯著影響圖416點(diǎn)均勻場域的尺寸如果可滿足6.3.1中的判據(jù)，UFA的下邊緣可在任何高度。目的是使EUT被場完全照射。然而，很難在金屬地板附近建立UFA,因此不可能對所有EUT進(jìn)行完全覆蓋。詳見第7章。用于試驗(yàn)的整個(gè)區(qū)域的電平設(shè)置宜每年進(jìn)行一次，當(dāng)室內(nèi)布置發(fā)生變化時(shí)(更換吸波材料、試驗(yàn)區(qū)域位置移動、設(shè)備改變等)也宜重新進(jìn)行電平設(shè)置。發(fā)射天線與UFA之間的距離應(yīng)能滿足UFA的要求。UFA與發(fā)射天線的距離首選為3m(見圖3),探頭至少距離場發(fā)射天線1m以上。該距離是指從雙錐天線的中心，或?qū)?shù)周期天線的頂端，或喇叭天線的前沿，或雙脊波導(dǎo)天線的前沿到UFA的距離。所使用的距離應(yīng)記錄在案，并應(yīng)與試驗(yàn)采用的距離相同。UFA的首選尺寸是1.5m×1.5m,但是，如果EUT及其線纜(見7.4)可用較小的UFA完全照射，則允許較小的UFA降到最低0.5m×0.5m。對于0.5m×0.5m最小UFA,第5個(gè)網(wǎng)格點(diǎn)被放置在UFA的中心。見圖5。圖5最小UFA,第五個(gè)點(diǎn)在網(wǎng)格中心將UFA分割成間距為0.5m的一系列小格(見圖4,1.5m×1.5mUFA的舉例)。在每個(gè)頻點(diǎn)，所有柵格點(diǎn)中有75%的點(diǎn)測得的場強(qiáng)幅值在標(biāo)稱值0dB～+6dB范圍內(nèi)(例如，如果1.5m×1.5mUFA測量的至少16個(gè)點(diǎn)中的12個(gè)點(diǎn)在容差范圍內(nèi)),即認(rèn)為該場是均勻的。對于最小UFA為UFA不需要是正方形，只要它可由0.5m×0.5m正方形元素構(gòu)成。選定的UFA至少使用到當(dāng)頻率范圍達(dá)到1GHz時(shí)，容差能達(dá)到+10dB,但是不能小于0dB,允許調(diào)整容差的頻率點(diǎn)數(shù)量不得超過整個(gè)試驗(yàn)頻率點(diǎn)的3%,在試驗(yàn)報(bào)告中記錄真實(shí)的容差。有爭議時(shí)，優(yōu)先考慮0dB～+6dB。每個(gè)天線位置都需要一個(gè)完整的場平設(shè)置。它不是為了照射延伸到UFA下邊緣以下的EUT的尺寸(見7.4)和電平設(shè)置要求(優(yōu)選此方法)部分照射法：EUT及線纜的尺寸不符合UFA的尺寸(見7.4)UFA最小尺寸0.5m×0.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如0.5m×對于0.5m×0.5m的UFA,100電平設(shè)置點(diǎn)應(yīng)滿足要求最小的UFA尺寸為1.5m×1.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如1.5m×置的柵格步進(jìn)為0.5m×0.5m。最小的UFA尺寸為0.5m×0.5m。UFA的柵格尺寸以0.5m步進(jìn)(例如0.5m×電平設(shè)置的柵格步進(jìn)為0.5m×0.5m。對于0.5m×0.5m的UFA,100電平設(shè)置點(diǎn)應(yīng)滿足要求驗(yàn)期間能夠在線性要求范圍內(nèi)再現(xiàn)調(diào)制(見6.3.2或6.3.3和附錄D)。對于80%AM,在場強(qiáng)至少為施加到EUT的場強(qiáng)的1.8倍的情況下執(zhí)行電平設(shè)置過程。用E.表示該電平設(shè)置場強(qiáng)，E.為僅電平設(shè)注3:能使用其他確保不飽和的電平設(shè)置方法(詳見附錄D)。和測試電平設(shè)置是相同的。O·定向耦合器和測量儀器可由放大器和天線之間的前置功率檢測器或監(jiān)視器代替?！ㄟ^相應(yīng)地調(diào)整正向功率來建立?！ㄟ^電平設(shè)置的場強(qiáng)探頭測量。應(yīng)按圖6確定測量場強(qiáng)所選擇的正向功率，16個(gè)測量點(diǎn)以dBm為單位進(jìn)行記錄。水平和垂直極化方向的電平設(shè)置程序如下。a)將場強(qiáng)探頭置于16個(gè)柵格點(diǎn)的任意一點(diǎn)上(見圖4),將信號發(fā)生器輸出的頻率調(diào)至試驗(yàn)頻率范圍的下限頻率(例如80MHz)。b)調(diào)節(jié)場發(fā)射天線的正向功率，使所得場強(qiáng)等于電平設(shè)置場強(qiáng)E?,記錄正向功率讀數(shù)。c)使用第8章給出的頻率步進(jìn)。d)重復(fù)步驟b)和步驟c),直至下一頻率超過試驗(yàn)頻率范圍的上限頻率。最后在此上限頻率(例如1GHz)處重復(fù)步驟b)。e)對每一柵格點(diǎn)重復(fù)步驟a)～步驟d)。在每一頻率點(diǎn)：1)將16個(gè)點(diǎn)的正向功率讀數(shù)按升序排列。2)從最大讀數(shù)開始檢查，向下至少有11個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在最大讀數(shù)的一6dB～+0dB容差范圍內(nèi)。3)若沒有11個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在-6dB～+0dB容差范圍內(nèi)，從緊鄰的下一個(gè)數(shù)據(jù)開始以此類推重復(fù)上述程序(注意，在本例的16個(gè)點(diǎn)UFA中，在每個(gè)頻點(diǎn)只有5次機(jī)會調(diào)整)。4)如果至少有12個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在6dB范圍內(nèi)則停止檢查程序，將這些值中對應(yīng)最大值的位置作為參考點(diǎn)。正向功率用P?表示。5)確認(rèn)試驗(yàn)系統(tǒng)(例如功率放大器)未處于飽和狀態(tài)。假定E?等于1.8倍E?,在每個(gè)電平設(shè)置頻點(diǎn)按以下程序操作：i)將信號發(fā)生器的輸出從上述步驟中確定的建立正向功率P?所需的電平降低5.1dBii)記錄輸出到天線的新的正向功率；iii)用P?減去步驟ii)中測到的正向功率。如果差值在3.1dB～7.1dB,則功率放大器未飽和且系統(tǒng)適用于試驗(yàn)。如果差值小于3.1dB,則功率放大器飽和且不適合試驗(yàn)。均勻場場強(qiáng)的建立和試驗(yàn)是按8.4規(guī)定的步長，通過一個(gè)電平設(shè)置過的場強(qiáng)探頭，在每個(gè)特定頻率調(diào)節(jié)正向功率，依次對16個(gè)柵格點(diǎn)的每個(gè)點(diǎn)(見圖4)進(jìn)行電平設(shè)置。應(yīng)按圖6確定測量初始位置場強(qiáng)所必需的正向功率并記錄，對所有16個(gè)測量點(diǎn)施加相同的正向功水平和垂直極化方向的電平設(shè)置程序如下。a)將場強(qiáng)探頭置于柵格中16個(gè)點(diǎn)中的任意一點(diǎn)上(見圖4),將信號發(fā)生器輸出的頻率調(diào)至試驗(yàn)頻率范圍的下限頻率(例如80MHz)。b)調(diào)節(jié)發(fā)射天線的正向功率，使所得場強(qiáng)(加上對頻率的場探頭校正因子)等于電平設(shè)置場強(qiáng)E?,記錄正向功率及場強(qiáng)讀數(shù)。c)使用第8章的頻率步進(jìn)。d)重復(fù)步驟b)和步驟c),直至下一頻率超過試驗(yàn)頻率范圍的上限頻率。最后在此上限頻率(例如1GHz)處重復(fù)步驟b)。e)將場強(qiáng)探頭移至柵格的另一點(diǎn)，在每一頻率點(diǎn)采用上述步驟a)～步驟d),并記錄步驟b)的場強(qiáng)和所施加的正向功率值。f)對每一柵格點(diǎn)重復(fù)步驟e)。在每一頻率點(diǎn)：1)將16個(gè)場強(qiáng)讀數(shù)按升序排列。2)選擇某點(diǎn)的場強(qiáng)值作為參考值，計(jì)算所有其他點(diǎn)相對于該點(diǎn)的偏差值(分貝)。3)從場強(qiáng)的最小讀數(shù)開始檢查，向上至少有11個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在最小讀數(shù)的0dB～+6dB容差范圍內(nèi)。4)若沒有11個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在0dB～+6dB容差范圍內(nèi)，從緊鄰的下一個(gè)數(shù)據(jù)開始以此類推重復(fù)上述程序(注意，在本例的16個(gè)點(diǎn)UFA中，在每個(gè)頻點(diǎn)只有5次機(jī)會調(diào)整)。5)如果至少有12個(gè)點(diǎn)的讀數(shù)在6dB范圍內(nèi)則停止檢查程序，從這些讀數(shù)中找出最小場強(qiáng)的點(diǎn)作為參考點(diǎn)。6)計(jì)算在參考點(diǎn)建立規(guī)定場強(qiáng)所需的正向功率。正向功率用P?表示。7)確認(rèn)試驗(yàn)系統(tǒng)(例如功率放大器)未處于飽和狀態(tài)。假定E.等于1.8倍Er,在每個(gè)電平設(shè)置頻點(diǎn)按以下程序操作：i)建立正向功率PL(正如1)所述]所需的電平后，信號發(fā)生器輸出電平降低5.1dB(-5.1dB即ii)記錄輸出到天線的新的正向功率；iii)用P?減去步驟ii)中測到的正向功率。如果差值在3.1dB～7.1dB,則功率放大器有足夠的線性，且試驗(yàn)系統(tǒng)適用于試驗(yàn)，否則試驗(yàn)系統(tǒng)不適合試驗(yàn)。7試驗(yàn)布置7.1通則所有EUT的試驗(yàn)都應(yīng)在盡可能接近實(shí)際安裝配置條件下進(jìn)行。除非另有規(guī)定，布線應(yīng)按制造商推薦的程序進(jìn)行，設(shè)備應(yīng)放置在其殼體內(nèi)，并安裝上所有蓋板和接口面板。不需要安裝金屬接地面。當(dāng)需要某種方法來支撐試驗(yàn)樣品時(shí)，該方法應(yīng)由非金屬、非導(dǎo)電材料構(gòu)成。然而，設(shè)備外殼或外殼的接地應(yīng)與使用說明中所述的建議一致。當(dāng)EUT由落地部件和臺式部件組成時(shí)，應(yīng)保持正確的相對位置。在抗擾度試驗(yàn)期間，EUT的受試面應(yīng)與UFA重合。典型EUT設(shè)置如圖7、圖8a)和圖8b)所示。非導(dǎo)電支撐用于防止EUT的偶然接地和電磁場的扭曲。為了保證后者，支撐體宜是非導(dǎo)電的，而不是在金屬結(jié)構(gòu)上涂一層絕緣涂層。在更高頻率(例如1GHz以上),由木頭或玻璃纖維增強(qiáng)塑料制成的桌子或支撐物可導(dǎo)致反射。宜使用低介電常數(shù)材料，例如硬聚苯乙烯，以避免場畸變而降低場均勻度的等級。為了使每個(gè)EUT面與UFA一致，可對EUT位置進(jìn)行調(diào)整。7.2臺式設(shè)備的布置待測設(shè)備放置在UFA內(nèi)的一個(gè)非導(dǎo)電的試驗(yàn)臺上。非導(dǎo)電支架的高度宜為(0.8±0.05)m。即使UFA的下邊緣并非起始于0.8m高度，也要指定這個(gè)高度。按照相關(guān)安裝說明，連接好設(shè)備的電源線和信號線。圖7具有離開試驗(yàn)區(qū)域線纜的臺式EUT布置和線纜布局示例圖8EUT布置示例(俯視圖)非導(dǎo)電桌高(0.8±0.05)m圖8EUT布置示例(俯視圖)(續(xù))7.3落地式設(shè)備的布置落地式設(shè)備應(yīng)安裝在離地面0.05m或以上的非導(dǎo)電支撐物上，以防止EUT偶然接地和場的畸變。支撐物最好是非導(dǎo)體，而不是金屬結(jié)構(gòu)上的絕緣涂層。落地式設(shè)備的位置宜最大限度地?cái)U(kuò)大EUT在UFA內(nèi)的面積。如果由于EUT其重量較重或物理尺寸較大或安全原因，設(shè)備不能提高到UFA的高度或從其運(yùn)輸支撐(例如，運(yùn)輸托盤)移走，這種變化應(yīng)記錄在試驗(yàn)報(bào)告中。如果EUT延伸超過UFA下邊緣0.5m,在UFA下邊緣50%高度(所有0.5m水平分離的電平設(shè)定點(diǎn))的電磁場大小都應(yīng)被記錄在電平設(shè)定點(diǎn)記錄中。這個(gè)高度的數(shù)據(jù)不考慮試驗(yàn)設(shè)施和試驗(yàn)等級的適用性。關(guān)于大型和重型EUT放置的指導(dǎo)見附錄H。根據(jù)設(shè)備相關(guān)的安裝說明連接設(shè)備的電源和信號線。線纜應(yīng)連接到EUT,并按照制造商的安裝說明書在試驗(yàn)場上進(jìn)行布置，要求重現(xiàn)典型的和使用最如果產(chǎn)品規(guī)范要求的接線長度小于或等于1m,則應(yīng)按照指定的長度進(jìn)行試驗(yàn)。如果規(guī)定的長度水平方向上暴露在電磁場中的長度應(yīng)至少為1m線纜。線纜差異導(dǎo)致無法按照標(biāo)準(zhǔn)布線(例如，不能操縱的重型或剛性線纜)應(yīng)在試驗(yàn)報(bào)告中說明。與UFA正交布線的線纜不利于接收場強(qiáng)信號，因連接EUT元件之間過長的線纜應(yīng)以低感性方式在線的中心位置捆扎成一束線纜。線纜差異導(dǎo)致度上置于UFA區(qū)域從而暴露于場內(nèi)。不是有意暴露在場內(nèi)的線纜(現(xiàn)有布置)應(yīng)以一種減少其與電磁場耦合的方式進(jìn)行布線?？芍匦露ㄎ痪€纜在每個(gè)受輻射面的布線情況。對于帶有大量連接線纜的EUT,或者典型安裝方法限制了線纜這一部分線纜置于UFA區(qū)域內(nèi)，宜嘗試將連接線纜置于輻射低試驗(yàn)區(qū)域外線纜對輻射抗擾度試驗(yàn)結(jié)果的影響。如果使用CMAD,離開試驗(yàn)區(qū)域的線纜應(yīng)在到達(dá)地面的位置進(jìn)入CMAD,如圖7所示。CMAD應(yīng)始終平放在地板上。每根要去耦的線纜都宜用一個(gè)單獨(dú)——對于超過三根線纜離開試驗(yàn)區(qū)域的試驗(yàn)布置，電源線纜應(yīng)優(yōu)先使用CMAD(除非產(chǎn)品委員會另有規(guī)定)。在此之后，剩余線纜的CMAD宜放置在更敏感信號的線纜上?？偂囼?yàn)結(jié)果的評定(見第9章)。除非通用標(biāo)準(zhǔn)或產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)委員會另有規(guī)定，實(shí)驗(yàn)室的氣候條件應(yīng)在EUT和試驗(yàn)設(shè)備運(yùn)行規(guī)定的本章節(jié)中描述的試驗(yàn)步驟是為了第6章中規(guī)定的場強(qiáng)發(fā)生天線的使用。由試驗(yàn)功率P?導(dǎo)出的正向功率Pr宜作為確定試驗(yàn)場強(qiáng)的參考參數(shù)。請見6.3.2或6.3.3的注2。調(diào)制載波在每個(gè)頻率上的駐留時(shí)間不應(yīng)少于EUT動作和響應(yīng)所需的時(shí)間，但在任何情況下均不為了減少試驗(yàn)時(shí)間，在一個(gè)駐留時(shí)間內(nèi)可同時(shí)施加多個(gè)頻率(多個(gè)信號試驗(yàn)),前提是在聚合信號上滿足6.3.2步驟5)或6.3.3步驟7)的線性要求。在每一個(gè)信號頻率上，試驗(yàn)電平應(yīng)為每次試驗(yàn)的電平設(shè)置程序產(chǎn)生的電平。同樣的調(diào)制同時(shí)應(yīng)用于每個(gè)信號?；フ{(diào)信號應(yīng)像諧波一樣處理，并進(jìn)行檢查，以確保它們不會造成顯著影響(見關(guān)于調(diào)制效應(yīng)的附錄I和關(guān)于試驗(yàn)結(jié)果評估的第9條)。發(fā)射天線應(yīng)對EUT的四個(gè)側(cè)面逐一進(jìn)行試驗(yàn)。當(dāng)EUT能以不同方向(如垂直或水平)放置使用時(shí)，各個(gè)側(cè)面均應(yīng)試驗(yàn)。經(jīng)過技術(shù)論證，試驗(yàn)時(shí)一些EUT可采用較少面面向發(fā)射天線。在其他情況下，例如依據(jù)EUT類型和尺寸或試驗(yàn)頻率，可能需要照射至少4個(gè)方位。需在發(fā)射天線的兩種極化狀態(tài)下對EUT的每一側(cè)面進(jìn)行試驗(yàn)，一次在天線垂直極化位置，另一次在天線水平極化位置。在試驗(yàn)過程中應(yīng)嘗試使EUT充分運(yùn)行，并在所有選定的敏感運(yùn)行模式下進(jìn)行抗擾度試驗(yàn)。推薦使用特定的運(yùn)行程序。當(dāng)頻率范圍是增量掃頻時(shí)，掃頻過程中的信號應(yīng)使用5.1中定義的調(diào)制信號，當(dāng)需要時(shí)，可暫停掃描以調(diào)整射頻信號電平或振蕩器波段開關(guān)和天線。掃頻過程中頻率逐步增加，步進(jìn)不超過前一頻率的1%。這個(gè)最大步進(jìn)既適用于6.3.2、6.3.3的電平設(shè)置程序，也適用于8.3中的試驗(yàn)。9試驗(yàn)結(jié)果的評定試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)按EUT的功能喪失或性能降級進(jìn)行分類。這些分類與制造商、試驗(yàn)申請者規(guī)定的，或者制造商與用戶之間商定的性能等級有關(guān)。推薦的分類如下：a)在制造廠或委托方或用戶規(guī)定的技術(shù)規(guī)范限值內(nèi)性能正常；b)功能暫時(shí)喪失或性能暫時(shí)降低，但在干擾停止后EUT能自行恢復(fù)，無須操作者干預(yù)；c)功能暫時(shí)喪失或性能暫時(shí)降低，但需操作者干預(yù)才能恢復(fù)正常；d)因硬件或軟件損壞，或數(shù)據(jù)丟失而造成不能自行恢復(fù)至正常狀態(tài)的功能喪失或性能降低。試驗(yàn)結(jié)果的評估判定應(yīng)基于EUT在駐留時(shí)間內(nèi)的性能。EUT性能評價(jià)宜以單個(gè)信號的影響系為基礎(chǔ)。如果在試驗(yàn)過程中使用了多信號試驗(yàn)，宜確保任何記錄的性能下降是由單個(gè)試驗(yàn)信號造成的，而不是由多個(gè)試驗(yàn)信號的組合造成的。該分類方法可作為產(chǎn)品委員會制定通用、產(chǎn)品或產(chǎn)品類標(biāo)準(zhǔn)性能判據(jù)的指南，或作為制造商與用戶之間協(xié)商的性能判據(jù)的10試驗(yàn)報(bào)告試驗(yàn)報(bào)告應(yīng)包含能重現(xiàn)試驗(yàn)的全部信息，尤其是下列內(nèi)容：——本文件第8章要求的試驗(yàn)計(jì)劃中規(guī)定的內(nèi)容；——任何進(jìn)行試驗(yàn)所需的特殊環(huán)境條件；——進(jìn)行試驗(yàn)所必需的任何特定條件；——制造商、委托方或用戶規(guī)定的性能等級；——方波幅度調(diào)制，200Hz,占空比1:2,100%AM?！颇M各種系統(tǒng)特性的脈沖射頻信號，如對于GSM的，在200Hz占空比為1:8的脈沖射頻信號；對于DECT便攜設(shè)備的，在100Hz占空比1:24的脈沖射頻信號等(GSM和DECT的定義見附錄I)?！_模擬各種系統(tǒng)的脈沖射頻信號，例如對于GSM,在200Hz占空比1:8的疊加次生效應(yīng)優(yōu)點(diǎn)缺點(diǎn)1.實(shí)驗(yàn)表明，若最大RMS電平相同，在不同類型的非恒定包絡(luò)調(diào)制模式的干擾效應(yīng)方面可建立良好的相關(guān)性。2.不必規(guī)定(或測量)TDMA脈沖的上升時(shí)3.在本文件及IEC61000-4-6中采用。景噪聲。的調(diào)制模式(如FM,相位調(diào)制，脈沖調(diào)制)1.不能模擬TDMA。2.對于二次方律接收機(jī)，則試驗(yàn)略為嚴(yán)酷。1.類似于TDMA。2.能普遍使用。大速率變化較敏感)1.不能精確模擬TDMA。被寬帶電平表測量，因而增加了背景噪聲。3.需規(guī)定上升時(shí)間大速率變化較敏感)1.為匹配不同系統(tǒng)(如GSM、DECT等),需改變調(diào)制細(xì)節(jié)。被寬帶電平表測量，因而增加了背景噪聲。3.需規(guī)定上升時(shí)間速率變化率敏感)1.為匹配不同的無線電服務(wù)(如LTE、DAB、A.2試驗(yàn)結(jié)果為評定騷擾信號所用調(diào)制方法與所產(chǎn)生干擾的相關(guān)性，進(jìn)行了一系列的試驗(yàn)。調(diào)制方式方面的研究結(jié)果如下：b)類似GSM的RF脈沖，200Hz,占空比1:8;c)類似DECT的RF脈沖，100Hz,占空比1:2(基站);d)類似DECT的RF脈沖，100Hz,占空比(1:24便攜設(shè)備)。試驗(yàn)結(jié)果匯總于表A.2與表A.3。類似GSM的射頻脈沖，類似DECT的射頻脈沖，100Hz,占空比1:24未加權(quán)的00未加權(quán)的未加權(quán)的對騷擾的音頻響應(yīng)為干擾電平。干擾電平低則表示抗擾度等級高?！敝攸c(diǎn)：調(diào)整載波幅度，使所有調(diào)制的干擾信號(暴露)的最大有效值(見3.1.19)相同。暴露是通過入射900MHz電磁場產(chǎn)生的。類似DECT的調(diào)制的占空比為1:2而不是1:24,音頻響應(yīng)是測量連接0.5m長聚氯乙烯管的人工耳的聲學(xué)輸出。d這種情況被選作音頻響應(yīng)的參考點(diǎn)，即0d暴露方式是在電話線施加900MHz的射頻電流，音頻響應(yīng)為電話線上測得的音頻電暴露方式是在電源線纜施加900MHz的射頻電流，音頻響應(yīng)為用麥克風(fēng)測得的喇叭音頻輸表A.3相對抗擾度電平°調(diào)制方式'類似GSM的射頻脈沖200Hz,1:8的占空比100Hz,1:24的占空比響應(yīng)電視機(jī)明顯干擾強(qiáng)干擾顯示器關(guān)閉~+19RS232接口的0 表A.3相對抗擾度電平(續(xù))調(diào)制方式”類似GSM的射頻脈沖，200Hz,1:8的占空比類似DECT的射頻脈沖，100Hz,1:24的占空比響應(yīng)器注入干擾時(shí))00數(shù)據(jù)錯(cuò)誤(從RS232注入干擾時(shí))可調(diào)式實(shí)驗(yàn)室電源誤差SDH交叉連接”出現(xiàn)誤碼0表中數(shù)據(jù)為使用各種調(diào)制方式產(chǎn)生相同干擾電平信號(暴露)所需要的最大RMS電平值(見3.1調(diào)節(jié)騷擾信號以便在各種調(diào)制方式下具有相同的響暴露方式是在線纜電源線纜施加900MHz的RF電流。響應(yīng)為屏幕上產(chǎn)生的干擾電平。暴露方式為在RS232線纜端施加900MHz的RF暴露方式為在電話或RS232線纜施加900MHz的RF暴露方式為在直流輸出線纜施加900MHz的RF電流。SDH為同步數(shù)據(jù)層，暴露方式是入射935MHz電磁使用正弦波AM和脈沖調(diào)制(占空比1:2)以高達(dá)30V/m場強(qiáng)對下列數(shù)字設(shè)備進(jìn)行試驗(yàn)：——帶有微處理器的手持式烘干器；——帶75Ω同軸線纜的2Mb調(diào)制解調(diào)器；——帶120Ω雙絞線的2Mb調(diào)制解調(diào)器；——帶微處理器、視頻顯示和RS485接口的工業(yè)用控制器；——帶微處理器的火車顯示系統(tǒng)；——帶調(diào)制解調(diào)器輸出的信用卡終端設(shè)備；——2/34Mb數(shù)字多路(復(fù)用)器；——以太網(wǎng)轉(zhuǎn)發(fā)器(10Mb/s)。所有故障均與設(shè)備的模擬功能有關(guān)。A.3二次調(diào)制效應(yīng)在試圖精確模擬數(shù)字無線電話系統(tǒng)的調(diào)制時(shí)，重要的是不僅要模擬主要的調(diào)制，還要考慮可能出現(xiàn)的任何次要調(diào)制影響。例如，對GSM和DCS1800系統(tǒng)，為了抑制每隔120ms的突發(fā)脈沖(因而產(chǎn)生了接近8Hz的頻率分量),會產(chǎn)生復(fù)幀效應(yīng)?？蛇x的非連續(xù)發(fā)射模式(DTX)也可引起2Hz的附加調(diào)制。上述研究示例表明，騷擾響應(yīng)與所用的調(diào)制方式無關(guān)。當(dāng)比較不同調(diào)制方式的影響時(shí)，確保所施加騷擾信號具有相同的最大RMS值是很重要的。當(dāng)不同類型的調(diào)制方式間存在明顯的差別時(shí)，正弦波AM調(diào)制總是最嚴(yán)酷的。當(dāng)正弦波調(diào)制和TDMA模式間存在不同的響應(yīng)結(jié)果時(shí)，對產(chǎn)品的特定差別可通過在產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)中適當(dāng)調(diào)整合格判據(jù)來解決?！M系統(tǒng)的窄帶檢測響應(yīng)減少了背景噪聲問題；——至少與脈沖調(diào)制的嚴(yán)酷度相當(dāng)?；谏鲜鲆蛩兀疚募?guī)定的調(diào)制方式為80%正弦波AM調(diào)制。建議有關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)化委員會僅在特殊原因要求不同調(diào)制方式時(shí)才改變?yōu)槠渌{(diào)制方式。(資料性)場發(fā)射天線B.1雙錐天線該天線由一個(gè)巴倫與兩個(gè)對稱的錐形振子組成，它能提供較寬的頻段響應(yīng)，用于收發(fā)。這種緊湊的天線結(jié)構(gòu)在電波暗室內(nèi)使用起來較為理想，其鄰近效應(yīng)能降到最小。B.2對數(shù)周期天線對數(shù)周期天線是由連接到一根傳輸線上、不同長度的偶極子組成的天線陣。這些寬頻帶天線具有相對高的增益和低的電壓駐波比。對數(shù)周期天線和雙錐天線可進(jìn)行組合。這類組合可增加頻率范圍，并且僅使用單副天線就可覆蓋從80MHz以下到GHz的頻率范圍。這種天線可以被稱為復(fù)合天線或類似的稱法。由于雙錐單元通常遠(yuǎn)離對數(shù)周期天線的尖端，所以雙錐偶極子單元和EUT之間的距離可能比復(fù)合天線的尖端跟EUT之間的距離大得多。此類天線可能需要更高的功率產(chǎn)生RF場。為了獲得更高的增益，還可將兩副對數(shù)周期天線組合在一起。這種天線可命名為“堆疊”天線或類似的稱法。B.4喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線產(chǎn)生線性極化電磁場，通常用在1000MHz以上頻率。(資料性)電波暗室的應(yīng)用C.1電波暗室綜述半電波暗室是在墻壁和天花板上裝有吸波材料的屏蔽室。全電波暗室在地板上也安裝吸波材料。安裝吸波材料的目的，是為了吸收RF能量，阻止電磁波在室內(nèi)的反射。這種反射，以復(fù)雜的方式干擾直接輻射場，會使生成的場形成波峰和波谷。吸波材料的反射損耗，一般依賴于入射波的頻率和入射波與法線的夾角，損耗(吸收作用)一般在垂為了阻止反射和增加吸收能力，吸收材料一般做成楔型或圓錐型。對于半電波暗室，通過在地板上增加額外的RF吸波材料，有助于在全頻段內(nèi)得到需要的均勻場，對于帶有鐵氧體吸波材料的暗室，見C.2,實(shí)驗(yàn)會揭示這些增加的吸波材料的最佳材料組成及擺放增加的吸波材料不宜放在天線到EUT之間的直射路徑上，但試驗(yàn)時(shí)宜放在與電平設(shè)置時(shí)的同一方向和位置上。另外，通過傾斜和升高場發(fā)射天線以防止放置直接照射在鋪設(shè)在地板上吸波材料。對于落地式設(shè)備的布置尤其重要，有關(guān)大型和重型EUT的布置指南，另見本文件7.3和附錄H的要求。也可通過將發(fā)射天線放在偏離電波暗室軸線上的方法來改進(jìn)場的均勻性，因?yàn)檫@樣可使任何反射都不對稱。C.2鐵氧體暗室用于1GHz以上時(shí)的調(diào)整建議C.2.1鐵氧體暗室用于1GHz以上輻射抗擾度試驗(yàn)時(shí)引起的問題鐵氧體暗室用于1GHz以上時(shí)。下面描述的問題可能發(fā)生，例如，在一個(gè)小型鐵氧體暗室中。在頻率高于1GHz時(shí)，鐵氧體磁片可能呈反射而不是吸收功能。由于暗室內(nèi)表面的多重反射(見圖C.1),很難在這樣的頻率下建立一個(gè)1.5m×1.5m區(qū)域的均勻場。在無線電話頻帶的頻率范圍內(nèi)，波長短于0.2m。這意味著試驗(yàn)結(jié)果可對發(fā)射天線，場強(qiáng)探頭或試驗(yàn)設(shè)備的位置很敏感。C.2.2減少反射的解決方案可通過以下方式減少反射的影響：——使用喇叭天線和雙脊波導(dǎo)天線來減少場的反向輻射。由于天線的波束較窄，同時(shí)也減少了暗室墻壁的反射?！s短發(fā)射天線與EUT之間的距離，使墻壁的反射最小(天線與EUT之間的距離可減到——在EUT后面(從場發(fā)生天線看)的墻上貼附碳基吸波材料以消除直接反射，可減少EUT與天線之間對于相對位置的敏感程度，在頻率低于1GHz時(shí)也可能改善場的均勻性。遵循上述程序?qū)⑾蟛糠址瓷洳?見圖C.2)。圖C.2大部分反射波被消除(適用于頂視圖和側(cè)視圖)(資料性)放大器的壓縮與非線性D.1限制放大器失真的目的放大器的非線性會嚴(yán)重影響施加到EUT的騷擾信號。目標(biāo)是使得放大器的非線性足夠低，從而最小化對騷擾信號的影響。附錄D幫助實(shí)驗(yàn)室理解和限制放大器的失真。D.2諧波及飽和可能引起的問題放大器運(yùn)行在飽和狀態(tài)可能會導(dǎo)致以下情況：a)諧波可能會顯著地影響UFA測量期間獲得的測量值。由于寬帶場探頭將測量基波及其諧波，因此無法正確測量預(yù)期頻率下的場強(qiáng)。b)諧波可能會導(dǎo)致EUT發(fā)生故障，其中EUT在預(yù)期的基波頻率下穩(wěn)定，而在諧波頻率下不穩(wěn)定。這個(gè)缺陷會導(dǎo)致錯(cuò)誤的記錄，并可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的重新設(shè)計(jì)。c)即使它在特殊情況下能很好地抑制諧波，諧波依然會影響試驗(yàn)結(jié)果。例如，在試驗(yàn)一臺900MHz的接收機(jī)時(shí)，即使很微弱的300MHz諧波信號也可能使接收機(jī)輸入端過載。如果信號發(fā)生器輸出非諧波相關(guān)信號，也會發(fā)生類似情況?？墒褂锰厥獾牡屯ɑ蛳莶V波器來保護(hù)敏感的EUT。d)在未檢測出諧波的情況下也可能存在飽和。如果放大器具有一個(gè)抑制諧波和/或內(nèi)部電路的低通輸出濾波器，并且組合技術(shù)可以抑制頻帶邊緣的諧波，則會發(fā)生這種情況。這種情況也可能導(dǎo)致錯(cuò)誤的結(jié)果。1)如果在UFA場地驗(yàn)證期間發(fā)生這種情況，則將推導(dǎo)出錯(cuò)誤的電平設(shè)置數(shù)據(jù)，因?yàn)樵?.3.2或6.3.3中描述的算法中使用了線性假設(shè)。2)在試驗(yàn)過程中，這種類型的飽和會導(dǎo)致錯(cuò)誤的調(diào)制因子和調(diào)制頻率(通常為1kHz)的D.3限制場的諧波含量在放大器的輸出端使用可調(diào)節(jié)/可跟蹤/可調(diào)諧的低通濾波器，可限制電場的諧波含量。對于在放大器輸出端產(chǎn)生諧波的所有頻率，將場的諧波含量抑制在低于基波分量6dB以上是可接受的(注意D.2列項(xiàng)c)中的例外現(xiàn)象]。根據(jù)基波信號和諧波信號之間的相位關(guān)系，場強(qiáng)誤差可能是基波場強(qiáng)的10%或更高。例如，一個(gè)寬帶范圍測得的10V/m信號是由9V/m的基波和4.5V/m的諧波共同產(chǎn)生的。但是，實(shí)際的試驗(yàn)系統(tǒng)由標(biāo)準(zhǔn)信號發(fā)生器、功率放大器、天線和連接這些設(shè)備的同軸線纜組成。宜注意，根據(jù)所使用的天線系數(shù)值，在某些情況下功率放大器的6dB諧波要求可能是不夠的。對于輸出端具有頻率固定的低通濾波器的放大器，其基頻上限大約為放大器規(guī)定的最大頻率的1/3。當(dāng)采用低通濾波器抑制飽和狀態(tài)下放大器的諧波時(shí)，建議在任何情況下(如最苛刻的頻率點(diǎn)，調(diào)制的最大場強(qiáng)點(diǎn))不得超過放大器的2dB壓縮點(diǎn)。在2dB壓縮點(diǎn)，峰值振幅會下降20%。D.4線性特性對抗擾度試驗(yàn)的影響D.4.1概述影響抗擾度試驗(yàn)結(jié)果的問題是放大器的線性特性，放大器的諧波和飽和度。宜驗(yàn)證放大器的線性度，從而確保所使用的放大器在UFA場強(qiáng)值或較低的計(jì)算電平下產(chǎn)生正確的場強(qiáng)。D.4.2線性特性的評估方法D.4.2.1評估等級范圍放大器的線性特性宜在放大器用于試驗(yàn)的幅度范圍內(nèi)進(jìn)行評估。這個(gè)范圍包含因調(diào)制降低到的最低電平，和因調(diào)制升高到的最高電平。最大電平指測量到的CW信號最大電平再增加5.1dB,以滿足調(diào)制?；谄渲幸粋€(gè)UFA點(diǎn)的電平設(shè)置結(jié)果計(jì)算不同的試驗(yàn)場強(qiáng)等級時(shí)，線性度的評估范圍為用于試驗(yàn)的最小到最大放大器輸出。例如，如果使用從10V/mUFA電平設(shè)置獲得的數(shù)據(jù)執(zhí)行3V/m試驗(yàn)，則線性評估范圍定義為達(dá)到1.67V/m～18V/m場強(qiáng)所需的功率放大器輸出。D.4.2.2評估過程使用實(shí)際用于EUT試驗(yàn)的試驗(yàn)布置和儀器，例如天線、電波暗室和試驗(yàn)系統(tǒng)來評估放大器線性度非常重要。試驗(yàn)布置如圖D.1所示。至少宜在放大器頻率范圍內(nèi)的低、中、高頻率下評估放大器的線性度。但是，根據(jù)放大器的頻率響應(yīng)和壓縮特性，可能需要對壓縮特性進(jìn)行更詳細(xì)的分析。作為最低要求，頻率范圍為80MHz～1GHz的放大器宜在80MHz、500MHz和1GHz下進(jìn)行評估。如果放大器的頻率范圍分為幾個(gè)頻帶，則宜對每個(gè)頻帶進(jìn)行評估。功率計(jì)圖D.1放大器線性度試驗(yàn)布置對于上面定義的每個(gè)頻率，按照以下程序進(jìn)行線性試驗(yàn)。1)確定信號發(fā)生器的設(shè)置，在適當(dāng)?shù)脑囼?yàn)布置下能夠產(chǎn)生最小和最大電平(見D.4.2.1)。2)將信號發(fā)生器設(shè)置為在步驟a)中確定的最小值，并記錄信號發(fā)生器的輸出和放大器的正向功率。3)將信號發(fā)生器的設(shè)置增加1dB,并記錄信號發(fā)生器的輸出和放大器的正向功率。4)重復(fù)步驟2)到步驟3),直到達(dá)到在步驟1)中確定的信號發(fā)生器的最大設(shè)置值。對于D.4.2.2中獲得的結(jié)果，測量放大器輸出電平范圍內(nèi)的增益誤差不得超過±1dB。見圖D.2和如果按照D.4.2.2中定義的過程獲得的測量數(shù)據(jù)符合±1dB規(guī)范，則試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室使用的放大器滿足線性判據(jù)。如果數(shù)據(jù)不符合線性判據(jù)，則采用D.4.2.4。放大器檢出電平/dem放大器檢出電平/dem圖D.2線性曲線示例圖D.3增益偏差示例D.4.2.4放大器線性度特性不符合判據(jù)時(shí)的抗擾度試驗(yàn)如果在D.4.2.3中執(zhí)行的評估不滿足線性度判據(jù)±1dB,則有必要根據(jù)以下方法在實(shí)際EUT試驗(yàn)期間調(diào)整正向功率。一種方法是使用帶反饋的系統(tǒng)，其中功率計(jì)用于監(jiān)控功率放大器的輸出功率。另一種方法適用于沒有反饋的系統(tǒng)，其中正向功率電平設(shè)置需要在每個(gè)期望試驗(yàn)電平下進(jìn)行。E.1概述P—-功率值(ERP),單位為瓦(W);試驗(yàn)等級和頻段是根據(jù)EUT最終安裝所處的電磁輻射環(huán)境來選擇的，在選擇所采用的試驗(yàn)等級——等級1:低電平電磁輻射環(huán)境。位于1km以外的地方廣播臺/電視臺和低功率的發(fā)射機(jī)/接收——等級2:中等的電磁輻射環(huán)境。使用低功率的便攜收發(fā)機(jī)(通常功率小于1W),但限定在設(shè)備——等級3:嚴(yán)重電磁輻射環(huán)境。便攜收發(fā)機(jī)(額定功率2W或更大),可接近設(shè) 備1m以內(nèi)。如果使用的發(fā)射器離EUT的距離小于0.2m,則宜考慮根據(jù)IEC61000-4-39(參見附錄F)進(jìn)行的范圍。宜按預(yù)期的電磁場選擇試驗(yàn)等級，要考慮無線電設(shè)備的功率以及發(fā)射天線和EUT表E.1給出了試驗(yàn)等級、性能指標(biāo)及相關(guān)保護(hù)試驗(yàn)時(shí)，到數(shù)字無線電話可接受的最小距離。該距離按公式(E.1)進(jìn)行計(jì)算，其中k=7,并且假設(shè)用80%正弦波AM試驗(yàn)。等級性能判據(jù)"mmm(通用移動通信系統(tǒng))m(微波接入的全球操作網(wǎng)絡(luò))m(無限局域網(wǎng))m例1'11 23A3~0.2d~0.2?BA4~0.2d~0.1d~0.1?~0.1?~0.1dBd在此距離或更近距離時(shí)遠(yuǎn)場公式E.1不準(zhǔn)確。如果使用的發(fā)射器離EUT的距離小IEC61000-4-39(參見附錄F)進(jìn)行的試——對GSM/LTE手持設(shè)備，目前市場上大部分終端設(shè)備為4級(最大ERP為2W),而實(shí)際使用中有相當(dāng)多的移動終端是3級和2級(最大ERP分別為5W和8W)。除了在接收差的地區(qū)常會調(diào)整其ERP(可能增加到最大發(fā)射功率),以優(yōu)化通信鏈路。從EMC的觀點(diǎn)考慮這是最本文件已針對80MHz以上的頻率進(jìn)行了優(yōu)化。使用距離EUT至少1m的輻射天線進(jìn)行試驗(yàn)。法，最高試驗(yàn)頻率為230MHz?？墒褂帽疚募卸x的最低26MHz的試驗(yàn)方法。對于較低的頻低于1m。與之相反的是IEC61000-4-39,它經(jīng)過優(yōu)化可模擬騷擾源(磁場或電磁場),其輻射騷擾是由IEC61000-4-21適用于要在非常高的場強(qiáng)下進(jìn)行試驗(yàn)的復(fù)雜大型EUT。試驗(yàn)是在混響試驗(yàn)室中G.1輻射抗擾度試驗(yàn)中EUT布置進(jìn)入連接的線纜和EUT本身。試驗(yàn)的目的是模擬干擾信號通過線纜和直接進(jìn)入EUT電子電路的感80MHz波長的4(么波長=93.75cm)。電磁場的感應(yīng)信號非常容易通過具有么波長或更長長度的線在7.4中，建議在3根離開區(qū)域的線纜使用共模吸收裝置(CMAD),但這不是強(qiáng)制性的，然而仍鼓勵實(shí)驗(yàn)室在每根線纜與地面接觸的地方都安裝一個(gè)CMAD。CMAD的阻抗和吸收特性由CISPR16-(資料性)大型及重型EUT的試驗(yàn)布置示例H.1帶有底部饋線的EUT圖H.1為底部帶有信號和電源饋電線纜EUT的試驗(yàn)布置示例圖。EUT宜放置在厚度為0.05m或以上的絕緣托盤或其他絕緣支架上，也可使用大型和重型EUT上常見的非導(dǎo)電滾輪替代。大型EUT線纜通常非常粗且堅(jiān)硬，難以彎曲，由于這類線纜不是為地面布線而設(shè)計(jì)的，因此實(shí)際布線時(shí)會遇到很大的困難。在實(shí)際安裝中，這些線纜被屏蔽在EUT外殼下，直接進(jìn)入地下。由于其實(shí)際安裝的性質(zhì)，這些地下線纜不需要暴露在電磁場中。圖H.1帶有底部線纜的EUT試驗(yàn)布置示例圖(未標(biāo)出CMAD)H.2帶有架空線纜的EUT圖H.2為帶有架空信號和電源線纜EUT的試驗(yàn)布置示例圖。這類產(chǎn)品例如網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器，由于實(shí)際安裝方法，其信號線纜需要架空布線。如果導(dǎo)電或屏蔽的線纜槽被指定為EUT安裝的一部分，那么也宜將其用于試驗(yàn)設(shè)置。如果可能的話，連接EUT裝置的多余長度的線纜宜在線的中部捆扎成低感如果EUT太大，無法完全裝入U(xiǎn)FA窗口，那么每次沿EUT進(jìn)行試驗(yàn)后，宜移動單個(gè)UFA窗圖H.2帶有架空線纜的EUT試驗(yàn)布置示例圖H.3帶有多根線纜和AE的EUT圖H.3為帶有多根信號和電源線纜及AEEUT的試驗(yàn)布置示例圖，這類產(chǎn)品，例如落地式的多功能打印機(jī)，通常包含多個(gè)AE之間的幾種不同長度和類型的線纜。只有足夠長的線纜才能以不低于1m的長度暴露在水平或垂直極化的電磁場中，但如果EUT和AE之間的線纜較短且長度固定，則可能無法按照本文件要求將線纜暴露在場中。這種情況下，宜當(dāng)按照用戶手冊進(jìn)行擺放。如果沒有特別規(guī)定，長線纜宜如圖3所示排列，使用非導(dǎo)電支撐，以實(shí)現(xiàn)垂直和/或水平暴露。如果可能的話，連接EUT裝置的多余長度的線纜宜在線的中心捆扎成低感性線束。場發(fā)射天線圖H.3帶有多根線纜及AEEUT的試驗(yàn)布置示例圖H.4帶有側(cè)饋線纜并需要多個(gè)UFA窗口的大型設(shè)備圖H.4為帶有側(cè)饋線纜的大型EUT的試驗(yàn)布置示例圖，需要用多個(gè)UFA窗口進(jìn)行覆蓋。每次沿EUT進(jìn)行試驗(yàn)后，宜移動單個(gè)UFA窗口，使EUT(包括外部饋電線纜)能夠完整的被UFA覆蓋。天線和吸波材料(可選)宜如圖H.4所示移動，直到整個(gè)EUT被UFA窗口覆蓋。如果可能的話，連接EUT裝置的多余長度的線纜宜在線的中心捆扎成低感性線束。圖H.4帶有側(cè)饋線纜并需要多個(gè)UFA窗口的大型設(shè)備試驗(yàn)布置示例圖GB/T17626.3—2023/(資料性)這種互調(diào)的結(jié)果是以邊帶(大概以基頻和諧波為中心)的形式產(chǎn)生的無用圖I.1試驗(yàn)頻率f,和f?及其二階和三階互調(diào)頻率Vout=a1v;+a?V2+a?v?3+…v?(t)=cos(2πf?t)+cos(2πf?t)……PmsAvc;=Pssavg·NPmspk=PssPk·N16.3.2和6.3.3中的試驗(yàn)電平程序設(shè)置流程要求使用各向同性的場探頭，6.3.3的要求(根據(jù)要求的頻段確定AM調(diào)制的試驗(yàn)電平)來確定在不使放大器飽和引入太多失真的情6.3.2步驟5)和6.3.3步驟7)中定義的線性度檢查流程宜作為一個(gè)整體用于每個(gè)信號測試集。測在駐留時(shí)間內(nèi)用一個(gè)以上的信號進(jìn)行試驗(yàn)會使EUT暴露在超出標(biāo)準(zhǔn)要求強(qiáng)度的度暴露可能導(dǎo)致EUT喪失功能或性能下降，而這非是由單一頻(規(guī)范性)由試驗(yàn)儀器引起的測量不確定度J.1概述依據(jù)本文件正文中試驗(yàn)方法的特殊需求，本附錄給出了與試驗(yàn)電平設(shè)置的MU相關(guān)的信息。更多的信息可在[1,2])中找到。本附錄給出了一個(gè)在設(shè)定電平的基礎(chǔ)上計(jì)算不確定度的示例。諸如調(diào)制頻率和調(diào)制深度、由放大器產(chǎn)生的諧波這類騷擾量的參數(shù)，實(shí)驗(yàn)室也需要以一種合適的方法進(jìn)行考慮進(jìn)去。本附錄給出的方法適用于騷擾量的所有參數(shù)。對于試驗(yàn)場地的場均勻性所引起的不確定度正在考慮之中。J.2對于試驗(yàn)電平設(shè)置的不確定度預(yù)評估J.2.1被測量的定義被測量是指依據(jù)本文件6.3.2a)和6.3.3a)的程序選定的UFA的點(diǎn)上理想的試驗(yàn)電場強(qiáng)度(沒有EUT情況下)。J.2.2被測量的不確定度貢獻(xiàn)下面的影響量圖(見圖J.1)給出試驗(yàn)電平設(shè)置影響量的舉例。本圖表同時(shí)適用于電平設(shè)置和試驗(yàn)過程，但并沒有窮盡所有可能的影響因子。影響量圖中最重要的貢獻(xiàn)被不確定度預(yù)評估表J.1和J.2所選用。為了不同的試驗(yàn)場地和實(shí)驗(yàn)室得到可比較的預(yù)評估值，不確定度預(yù)評估的計(jì)算至少包括表J.1和表J.2中列出的不確定度貢獻(xiàn)。要注意的是，實(shí)驗(yàn)室可基于其特殊情況，在計(jì)算MU時(shí)包含更多的不確定度貢獻(xiàn)。場探頭校準(zhǔn)頻率增值錯(cuò)誤失配不確定度和漂移圖J.1試驗(yàn)電平設(shè)置的影響量的舉例J.2.3擴(kuò)展不確定度的計(jì)算舉例應(yīng)認(rèn)識到，適用于電平設(shè)置和試驗(yàn)的不確定度貢獻(xiàn)可能是不相同的。這導(dǎo)致了每一個(gè)過程有不同的不確定度預(yù)評估值。在本基礎(chǔ)標(biāo)準(zhǔn)中，在對EUT試驗(yàn)之前需要對暗室中的場進(jìn)行電平設(shè)置。一些不確定度貢獻(xiàn)可能在計(jì)算MU時(shí)不是影響因子，這取決于試驗(yàn)布置。示例包括放大器輸出功率電平控制的補(bǔ)償因子或那表J.1和表J.2給出了一些試驗(yàn)電平設(shè)置的不確定度預(yù)評估的示例。不確定度預(yù)評估包括電平設(shè)因子21111擴(kuò)展不確定度U(y)(CAL),k=2因子電平設(shè)置111111如果用功率計(jì)對信號發(fā)生器的輸出電平進(jìn)行控制，則在表格中包含PM。否則，應(yīng)大器的穩(wěn)定度和漂移。在這個(gè)例子中，因?yàn)楣β史糯笃髯鳛楣β史糯笃鬏敵隹刂频念A(yù)評估產(chǎn)生影響，所以考慮功率計(jì)的不確定度貢獻(xiàn)就足夠SWc是由電平設(shè)置過程中，信號發(fā)生器和軟件的試驗(yàn)電平設(shè)置窗口的步進(jìn)偏離引起的不確定度。AL是由天線和吸波材料的移除和重新布置引起的不確定度。參考ISO/IECGuide98-3,天線位置和吸波材料的擺放的變化是A類不確定度，此類不確定度可通過一系列觀察數(shù)據(jù)的統(tǒng)計(jì)分析來評如果在試驗(yàn)過程中不使用功率計(jì)控制功率放大器，則PM,無須考慮。(與本文件中的圖6相比)。theassessmentofmeasurementuncertainty[3]ISO/IECGuide98-3Uncertaintyofmeasurement—Part3:certaintyin探頭在不同的校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行校準(zhǔn)，校準(zhǔn)結(jié)果會有不同。因此規(guī)定場強(qiáng)探頭校準(zhǔn)的環(huán)境和方法。為了能更好地比較不同校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室之間的試驗(yàn)結(jié)果，建議使用下列固——80MHz到1GHz使用下列頻率電平設(shè)置電場探頭(通常用50MHz的步進(jìn)):80MHz,——1GHz到6GHz使用下列頻率電平設(shè)置電場探頭(通常用200MHz的步進(jìn)):1000MHz,探頭校準(zhǔn)的場強(qiáng)宜基于抗擾度試驗(yàn)要求的場強(qiáng)。首選的均勻場電平設(shè)置的方法是用至少1.8倍的施加到EUT的場強(qiáng)來進(jìn)行，推薦使用2倍的預(yù)期試驗(yàn)場強(qiáng)(見表K.1)。如果探頭用于不同的場的等1234X注：X,Y是開放的校準(zhǔn)等級，可比等級1～4高或者低。產(chǎn)品規(guī)范或試驗(yàn)實(shí)驗(yàn)室可給出這個(gè)等級。K.3校準(zhǔn)儀器的要求K.3.1概述K.3.2～K.3.4規(guī)定了執(zhí)行現(xiàn)場探頭校準(zhǔn)所需的儀器的要求。K.3.2諧波和雜散信號任何從功率放大器輸出的諧波和雜散信號要比載波頻率的電平低20dB。該要求適用于校準(zhǔn)和線性試驗(yàn)的所有場強(qiáng)等級。因?yàn)楣β史糯笃鞯闹C波含量在高功率電平通常是更糟的，所以諧波試驗(yàn)只在最高等級的場強(qiáng)校準(zhǔn)中進(jìn)行。諧波試驗(yàn)可使用校準(zhǔn)過的頻譜分析儀，通過衰減器或者定向耦合器連接到功率放大器的輸出端。校準(zhǔn)實(shí)驗(yàn)室通過測量，以確認(rèn)放大器的諧波和/或雜散信號滿足所有測量配置要求。該測量可通過頻譜分析儀連接到定向耦合器的端口3來實(shí)現(xiàn)(用頻譜分析儀的輸入替代功率計(jì)探頭—見圖k.2)。掃頻寬度至少包括預(yù)期頻率的3次諧波。在產(chǎn)生最高預(yù)期場強(qiáng)的功率電平進(jìn)行確認(rèn)測量?？墒褂弥C波抑制濾波器來提高功率放大器的頻譜純度(見附錄D)。K.3.3探頭的線性測量根據(jù),在要求的動態(tài)范圍內(nèi)，用于驗(yàn)證暗室的探頭的線性要在理想的線性響應(yīng)的±0.5dB之內(nèi)(見圖I.1)。如果探頭有多個(gè)范圍或增益設(shè)置，要對所有的預(yù)期范圍設(shè)置確認(rèn)線性響應(yīng)。通常探頭的線性響應(yīng)不會隨頻率有明顯的改變?？刹捎媒咏A(yù)期頻率范圍的中間區(qū)域的特定的頻率進(jìn)行線性檢查，在該頻率區(qū)域，探頭的頻率響應(yīng)相對平坦。選擇的頻率點(diǎn)要在校準(zhǔn)證書中標(biāo)明。用足夠小步進(jìn)(例如1dB)來測量探頭的線性響應(yīng)，且測量場強(qiáng)宜控制在驗(yàn)證暗室中使用的場強(qiáng)的一6dB～+6dB。表K.2顯示了20V/m時(shí)，試驗(yàn)場強(qiáng)等級的示例。表K.2探頭線性測量的示例表K.2探頭線性測量的示例(續(xù))0圖K.1探頭線性度的示例K.3.4標(biāo)準(zhǔn)喇叭天線增益的確定標(biāo)準(zhǔn)角錐形喇叭天線的遠(yuǎn)場增益可準(zhǔn)確地確定(在[1]2)中報(bào)告不確定度小于0.1dB)。遠(yuǎn)場增益的確定通常適用于距離大于8D2/λ的情況(D是喇叭口徑的最大尺寸，λ是波長)。場強(qiáng)探頭在這個(gè)距離的校準(zhǔn)需要用大型電波暗室和大功率的功率放大器，因此很難實(shí)現(xiàn)。場強(qiáng)探頭通常在發(fā)射天線的近場區(qū)域進(jìn)行校準(zhǔn)?？捎肹2]中的公式確定標(biāo)準(zhǔn)增益喇叭天線的近場增益。在假設(shè)喇叭的口徑是二次相位分布的情況下，增益的計(jì)算基于標(biāo)準(zhǔn)角錐形喇叭的物理尺寸。這種方式確定的增益不適用于暗室的VSWR試驗(yàn)和接下來的探頭校準(zhǔn)。公式([2]中給出的)來自于口徑的積分，假設(shè)沒有反射發(fā)生在喇叭的口徑，在口徑的入射場是TE。模式，但是以二次相角穿過口徑。在積分時(shí)可應(yīng)用一些近似值來獲得封閉區(qū)間的結(jié)果。沒有計(jì)算其他影響，例如喇叭邊際的多次反射，還有口徑的更高階的模式等。根據(jù)頻率和喇叭設(shè)計(jì)，誤差通常在±0.5dB,但是可能更大。方括號中提到的參考文件在條款K.6。為了更好的準(zhǔn)確度，可使用全波積分的數(shù)值法。例如，用數(shù)值法計(jì)算增益的不確定度可降低到小于5%。喇叭天線的增益可用實(shí)驗(yàn)方法確定。例如，增益可使用三天線法在減少的距離用推導(dǎo)技術(shù)確喇叭天線的增益可用實(shí)驗(yàn)確定，例如，增益可通過三天線法，在減少距離的情況下確定，例如[4]中描述的外推法，或其他的一些不同的方法。在校準(zhǔn)中推薦的天線和試驗(yàn)探頭的距離至少為0.5D2/λ。近的距離會導(dǎo)致增益不確定度變大。對于近的距離，天線和探頭之間的駐波也會變大，從而導(dǎo)致校準(zhǔn)中出現(xiàn)大的MU。K.4暗室內(nèi)的場強(qiáng)探頭校準(zhǔn)K.4.1校準(zhǔn)環(huán)境探頭校準(zhǔn)宜在一個(gè)全電波暗室或者在地面鋪設(shè)了滿足K.4.2.1要求的吸波材料的半電波暗室中進(jìn)行。如果使用全電波暗室，推薦的用于探頭校準(zhǔn)的最小內(nèi)部工作尺寸是5m(長)×3m(寬)×3m(高)?；蛘撸墒褂脗鬟f探頭建立電場(見K.5.5)。用于探頭校準(zhǔn)的系統(tǒng)和環(huán)境應(yīng)滿足以下要求。K.4.2場強(qiáng)探頭校準(zhǔn)電波暗室的確認(rèn)探頭的校準(zhǔn)需要一個(gè)自由空間環(huán)境。應(yīng)使用場強(qiáng)探頭進(jìn)行暗室的VSWR試驗(yàn)，以決定該暗室是否可用于其后探頭和探頭的校準(zhǔn)。該確認(rèn)方法顯示了暗室和吸波材料的性能。每個(gè)探頭有特定的體積和物理尺寸，例如電池盒和/或電路板。在其他的校準(zhǔn)程序中，要保證在校準(zhǔn)空間內(nèi)有一個(gè)球形的靜區(qū)。本附錄的特定要求專用于位于天線波瓣軸上的試驗(yàn)點(diǎn)的VSWR試驗(yàn)。試驗(yàn)固定裝置及其影響不能被完全評估(例如探頭的固定裝置可能暴