（魯科專用）高考化學(xué)一輪復(fù)習(xí) 第五章 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì) 第5課時(shí) 晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)集訓(xùn)（含解析）-人教高三化學(xué)試題

第5課時(shí)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)課時(shí)集訓(xùn)測控導(dǎo)航表知識(shí)點(diǎn)題號(hào)晶體類型判斷2,4,5,7,8晶體熔沸點(diǎn)高低比較3,6綜合應(yīng)用1,9,10,11,12一、選擇題1.下列物質(zhì)中前者為晶體,后者為非晶體的是(C)A.白磷、藍(lán)礬 B.陶瓷、塑料C.碘、橡膠 D.食鹽、蔗糖解析:A中白磷和藍(lán)礬都是晶體;B中兩者均為非晶體;C中碘為晶體,橡膠為非晶體;D中兩者均為晶體。2.按下列四種有關(guān)性質(zhì)的敘述,可能屬于金屬晶體的是(B)A.由分子間作用力結(jié)合而成,熔點(diǎn)很低B.固體易導(dǎo)電,熔點(diǎn)在1000℃C.由共價(jià)鍵結(jié)合成網(wǎng)狀晶體,熔點(diǎn)很高D.固體不導(dǎo)電,但溶于水或熔融后能導(dǎo)電解析:A為分子晶體;B中固體能導(dǎo)電,熔點(diǎn)在1000℃3.下列物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)高低順序中,正確的是(B)A.金剛石>晶體硅>二氧化硅>碳化硅B.>C.MgO>H2O>O2>Br2D.金剛石>生鐵>純鐵>鈉解析:A項(xiàng),同屬于原子晶體,熔、沸點(diǎn)高低主要看共價(jià)鍵的強(qiáng)弱,顯然對鍵能而言,晶體硅<碳化硅<二氧化硅,錯(cuò)誤;B項(xiàng),形成分子間氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)要大于形成分子內(nèi)氫鍵的物質(zhì)的熔、沸點(diǎn),正確;C項(xiàng),分子晶體熔、沸點(diǎn)與相對分子質(zhì)量和是否有氫鍵有關(guān),H2O中有氫鍵,故熔、沸點(diǎn):MgO>H2O>Br2>O2,錯(cuò)誤;D項(xiàng),生鐵為鐵合金,熔點(diǎn)要低于純鐵,錯(cuò)誤。4.下列數(shù)據(jù)是對應(yīng)物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃):BCl3Al2O3Na2ONaClAlF3AlCl3干冰SiO2-10720739208011291190-571723據(jù)此做出的下列判斷中錯(cuò)誤的是(B)A.鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體B.表中只有BCl3和干冰是分子晶體C.同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體D.不同族元素的氧化物可形成相同類型的晶體解析:A項(xiàng),氧化鋁的熔點(diǎn)高,屬于離子晶體,則鋁的化合物的晶體中有的是離子晶體,正確;B項(xiàng),BCl3、AlCl3和干冰均是分子晶體,錯(cuò)誤;C項(xiàng),同族元素的氧化物可形成不同類型的晶體,例如CO2是分子晶體,二氧化硅是原子晶體,正確。5.下列性質(zhì)適合于離子晶體的是(A)①熔點(diǎn)1070℃②熔點(diǎn)10.31℃③能溶于CS2,熔點(diǎn)112.8℃,沸點(diǎn)④熔點(diǎn)97.81℃,質(zhì)軟,導(dǎo)電,密度0.97g/cm⑤熔點(diǎn)-218℃⑥熔點(diǎn)3900℃⑦難溶于水,固體時(shí)導(dǎo)電,升溫時(shí)導(dǎo)電能力減弱⑧難溶于水,熔點(diǎn)高,固體不導(dǎo)電,熔化時(shí)導(dǎo)電A.①⑧ B.②③⑥ C.①④⑦ D.②⑤解析:離子晶體液態(tài)時(shí)能導(dǎo)電,難溶于非極性溶劑,熔點(diǎn)較高、質(zhì)硬而脆,固體不導(dǎo)電,故②③④⑤⑦均不符合離子晶體的特點(diǎn);⑥中熔點(diǎn)達(dá)3900℃,硬度很大,應(yīng)是原子晶體。故只有①⑧6.關(guān)于下列晶體的熔、沸點(diǎn)高低排列判斷不正確的是(C)A.CF4<CCl4<CBr4<CI4B.金剛石>碳化硅>晶體硅C.H2O>H2S>H2Se>H2TeD.NaF>NaCl>NaBr>NaI解析:分子晶體的相對分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,則晶體熔、沸點(diǎn)由低到高順序?yàn)镃F4<CCl4<CBr4<CI4,故A正確;原子晶體的鍵長越短,共價(jià)鍵越強(qiáng),熔、沸點(diǎn)越高,鍵長C—C<C—Si<Si—Si,則熔、沸點(diǎn)由高到低為金剛石>碳化硅>晶體硅,故B正確;水分子間能夠形成氫鍵,其余不能,分子晶體的相對分子質(zhì)量越大,熔、沸點(diǎn)越高,則晶體熔、沸點(diǎn)由高到低順序?yàn)镠2O>H2Te>H2Se>H2S,故C錯(cuò)誤;離子半徑越小、離子鍵越強(qiáng),則離子晶體熔、沸點(diǎn)越高,F、Cl、Br、I的離子半徑逐漸增大,則熔、沸點(diǎn)由大到小為NaF>NaCl>NaBr>NaI,故D正確。7.下表給出幾種氯化物的熔點(diǎn)和沸點(diǎn):NaClMgCl2AlCl3SiCl4熔點(diǎn)/℃801714190-70沸點(diǎn)/℃1413141218057.57有關(guān)表中所列四種氯化物的性質(zhì),有以下敘述:①氯化鋁在加熱時(shí)能升華,②四氯化硅在晶態(tài)時(shí)屬于分子晶體,③氯化鈉晶體中微粒之間以范德華力結(jié)合,④氯化鋁晶體是典型的離子晶體。其中與表中數(shù)據(jù)一致的是(A)A.①② B.②③ C.①②④ D.②④解析:氯化鋁的熔、沸點(diǎn)都很低,其晶體應(yīng)該是分子晶體,并且沸點(diǎn)比熔點(diǎn)還低,加熱時(shí)容易升華;四氯化硅是共價(jià)化合物,并且熔、沸點(diǎn)很低,應(yīng)該屬于分子晶體;氯化鈉是離子晶體。8.下列晶體分類中正確的一組是(C)離子晶體原子晶體分子晶體ANaOHArSO2BH2SO4石墨SCCH3COONa水晶DBa(OH)2金剛石玻璃解析:A中Ar為分子晶體;B中H2SO4為分子晶體,石墨為混合晶體;D中玻璃不屬于晶體。9.下面關(guān)于SiO2晶體網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)的敘述正確的是(C)A.最小的環(huán)上,有3個(gè)Si原子和3個(gè)O原子B.最小的環(huán)上,Si和O原子數(shù)之比為1∶2C.最小的環(huán)上,有6個(gè)Si原子和6個(gè)O原子D.存在四面體結(jié)構(gòu)單元,O處于中心,Si處于4個(gè)頂角解析:SiO2的晶體空間結(jié)構(gòu)模型中,每個(gè)硅原子與4個(gè)氧原子結(jié)合形成4個(gè)共價(jià)鍵,每個(gè)氧原子與2個(gè)硅原子結(jié)合形成2個(gè)共價(jià)鍵,其空間網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中存在四面體結(jié)構(gòu)單元,硅原子位于四面體的中心,氧原子位于四面體的4個(gè)頂角,故D項(xiàng)錯(cuò)誤;金剛石的最小環(huán)上有6個(gè)碳原子,SiO2的晶體結(jié)構(gòu)可將金剛石晶體結(jié)構(gòu)中的碳原子用硅原子代替,每個(gè)Si—Si鍵中“插入”一個(gè)氧原子,所以其最小環(huán)上有6個(gè)硅原子和6個(gè)氧原子,Si、O原子個(gè)數(shù)比為1∶1,故A、B兩項(xiàng)錯(cuò)誤,C項(xiàng)正確。10.“類推”是一種常用的學(xué)習(xí)方法,但有時(shí)會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤的結(jié)論,下列類推結(jié)論中正確的是(B)A.ⅣA族元素氫化物沸點(diǎn)順序是GeH4>SiH4>CH4,則ⅥA族元素氫化物沸點(diǎn)順序也是H2Se>H2S>H2OB.第2周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序是HF>H2O>NH3,則第3周期元素氫化物的穩(wěn)定性順序也是HCl>H2S>PH3C.晶體中有陰離子,必有陽離子;則晶體中有陽離子,必有陰離子D.干冰(CO2)是分子晶體,則SiO2也是分子晶體解析:ⅣA族元素氫化物不含氫鍵,分子的相對分子質(zhì)量越大,沸點(diǎn)越高,則沸點(diǎn)順序是GeH4>SiH4>CH4,ⅥA族元素氫化物中,H2O含有氫鍵,沸點(diǎn)最高,應(yīng)為H2O>H2Se>H2S,A錯(cuò)誤;元素的非金屬性越強(qiáng),穩(wěn)定性越強(qiáng),同周期元素從左到右元素的非金屬性逐漸增強(qiáng),則對應(yīng)的氫化物的穩(wěn)定性逐漸增強(qiáng),B正確;金屬晶體組成微粒為金屬陽離子和自由電子,不含陰離子,C錯(cuò)誤;干冰(CO2)是分子晶體,而SiO2為原子晶體,D錯(cuò)誤。二、非選擇題11.C和Si元素在化學(xué)中占有極其重要的地位。(1)SiC的晶體結(jié)構(gòu)與晶體硅的相似,其中C原子的雜化方式為,微粒間存在的作用力是。SiC和晶體Si的熔、沸點(diǎn)高低順序是。

(2)C、Si為同一主族的元素,CO2和SiO2的化學(xué)式相似,但結(jié)構(gòu)和性質(zhì)有很大的不同。CO2中C與O原子間形成σ鍵和π鍵,SiO2中Si與O原子間不形成上述π鍵。從原子半徑大小的角度分析,為何C、O原子間能形成上述π鍵,而Si、O原子間不能形成上述π鍵:,SiO2屬于晶體,CO2屬于晶體,所以熔點(diǎn)CO2(填“<”“=”或“>”)SiO2。

(3)金剛石、晶體硅、二氧化硅、CO2四種晶體的構(gòu)成微粒分別是,熔化時(shí)克服的微粒間的作用力分別是。

解析:(1)晶體硅中一個(gè)硅原子周圍與4個(gè)硅原子相連,呈正四面體結(jié)構(gòu),所以雜化方式是sp3,因?yàn)镾i—C的鍵長小于Si—Si的鍵長,所以熔、沸點(diǎn):碳化硅>晶體硅。(2)SiO2為原子晶體,CO2為分子晶體,所以熔點(diǎn):SiO2>CO2。(3)金剛石、晶體硅、二氧化硅均為原子晶體,構(gòu)成微粒為原子,熔化時(shí)破壞共價(jià)鍵;CO2為分子晶體,由分子構(gòu)成,CO2分子間以分子間作用力結(jié)合。答案:(1)sp3共價(jià)鍵SiC>Si(2)Si的原子半徑較大,Si、O原子間距離較大,pp軌道肩并肩重疊程度較小,不能形成上述穩(wěn)定的π鍵原子分子<(3)原子、原子、原子、分子共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、共價(jià)鍵、分子間作用力12.現(xiàn)有幾組物質(zhì)的熔點(diǎn)(℃)數(shù)據(jù):A組B組C組D組金剛石:3550Li:181HF:-83NaCl:801硅晶體:1410Na:98HCl:-115KCl:776硼晶體:2300K:64HBr:-89RbCl:718二氧化硅:1723Rb:39HI:-51CsCl:645據(jù)此回答下列問題:(1)A組屬于晶體,其熔化時(shí)克服的微粒間的作用力是。

(2)B組晶體共同的物理性質(zhì)是(填序號(hào))。

①有金屬光澤②導(dǎo)電性③導(dǎo)熱性④延展性(3)C組中HF熔點(diǎn)反常是由于。

(4)D組晶體可能具有的性質(zhì)是(填序號(hào))。

①硬度?、谒芤耗軐?dǎo)電③固體能導(dǎo)電④熔融狀態(tài)能導(dǎo)電(5)D組晶體的熔點(diǎn)由高到低的順序?yàn)镹aCl>KCl>RbCl>CsCl,其原因?yàn)?/p>

。

解析:(1)A組熔點(diǎn)很高,為原子晶體,是由原子通過共價(jià)鍵形成的。(2)B組為金屬晶體,具有①②③④四條共性。(3)