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第一章單元測試第二章單元測試第三章單元測試第四章單元測試第五章單元測試第六章單元測試第一章單元測試1.【多選題】(5分)正確答案:ABC近幾年,我國新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展較快的幾個(gè)領(lǐng)域,包括()。A.關(guān)鍵戰(zhàn)略材料B.前沿新材料三大領(lǐng)域。C.先進(jìn)基礎(chǔ)材料2【判斷題】(5分一種新能源材料的誕生、性能改進(jìn)又與材料的合成與制備技術(shù)密不可分。()A.錯(cuò)B.對(duì)第二章單元測試1.【多選題】正確答案:ABC下列屬于新型的干燥方法的是()。A.微波干燥B.紅外干燥C.冷凍干燥D.電熱鼓風(fēng)干燥2.【多選題】正確答案:ACD根據(jù)材料的結(jié)構(gòu),下列更容易發(fā)生低溫固相反應(yīng)的材料是()。A.一維延伸固體B.三維延伸固體C.分子固體D.二維延伸固體3【判斷題】外力作用可以降低固體物質(zhì)的熔化溫度,也就是在外力作用下可以使物質(zhì)在低于其熔點(diǎn)的溫度下熔化。()A.對(duì)B.錯(cuò)4【判斷題】固體的層狀結(jié)構(gòu)只有在固體存在時(shí)才擁有,一旦固體溶解在溶劑中,層狀結(jié)構(gòu)不復(fù)存在,因而溶液化學(xué)中不存在嵌入反應(yīng)。()A.錯(cuò)B.對(duì)5【判斷題】材料燒結(jié)過程中,不管坯體中存在不存在多晶轉(zhuǎn)變都需要持續(xù)供熱。()A.錯(cuò)B.對(duì)第三章單元測試1.【多選題】正確答案:ABCD金屬離子的電子構(gòu)型會(huì)影響到水解反應(yīng)的過程,非8e構(gòu)型的金屬離子容易發(fā)生水解反應(yīng),比較容易采用水解反應(yīng),制備相應(yīng)的氧化物粉體材料。下列元素周期表中的元素離子易于發(fā)生水解的是()。A.f區(qū)B.ds區(qū)C.d區(qū)D.p區(qū)2【判斷題】采用鎂離子和鋁離子的共沉淀反應(yīng)制備鎂鋁尖晶石的過程中,可以采用NaOH作為沉淀劑,最終都能合成鎂鋁尖晶石。()A.對(duì)B.錯(cuò)3【判斷題】在溶膠凝膠反應(yīng)過程中,水的多少不會(huì)改變反應(yīng)過程,因此,添加量多少對(duì)反應(yīng)產(chǎn)物沒有任何影響。()A.錯(cuò)B.對(duì)4.【多選題】正確答案:ABC氣凝膠材料由于具有大的比表面積、疏松多孔性能,使實(shí)現(xiàn)下列那幾個(gè)方面應(yīng)用()。A.吸附B.催化C.保溫隔熱D.結(jié)構(gòu)材料5【判斷題】水熱反應(yīng)制備材料過程中前驅(qū)體與最終產(chǎn)物在水熱溶液中不需要有一定的溶解度差,就可以實(shí)現(xiàn)材料的合成。()A.錯(cuò)B.對(duì)第四章單元測試1【單選題】(2分)以下哪個(gè)化學(xué)氣相沉積合成方法要求雙溫區(qū)()。A.氧化還原反應(yīng)B.化學(xué)合成反應(yīng)C.熱分解反應(yīng)D.化學(xué)輸運(yùn)反應(yīng)2【判斷題】相比于常壓化學(xué)氣相沉積,低壓化學(xué)氣相沉積成膜速率更快。()A.錯(cuò)B.對(duì)3.【多選題】正確答案:ABCD化學(xué)氣相沉積裝置主要組成部分包括()。A.氣體控制系統(tǒng)B.加熱系統(tǒng)C.排氣系統(tǒng)D.氣相反應(yīng)室4【判斷題】相比于立式開口體系,應(yīng)用臥式開口體系制備的薄膜均勻性更好。()A.對(duì)B.錯(cuò)5.【多選題】正確答案:ABCD影響化學(xué)氣相沉積的工藝參數(shù)包括()。A.反應(yīng)混合物的選擇B.原材料的純度C.系統(tǒng)內(nèi)總壓和氣體總流速D.沉積溫度的確定第五章單元測試1.【多選題】正確答案:ABC自蔓延高溫合成法中著火的三種形式包括()。A.化學(xué)自燃B.點(diǎn)燃C.熱自燃2【判斷題】自蔓延高溫合成法中,燃燒波前沿光滑的表面以恒定的速率傳播的燃燒過程稱為穩(wěn)態(tài)燃燒。()A.錯(cuò)B.對(duì)3【判斷題】等離子體是氣體。()A.對(duì)B.錯(cuò)4【單選題】(2分)氣氛控制對(duì)放電等離子提燒結(jié)過程具有重要的影響。當(dāng)燒結(jié)由正離子擴(kuò)散控制時(shí),氧化氣氛或氧分壓較高<u</u正離子空位形成,<u</u燒結(jié)。()A.不利于,抑制B.有利于,抑制C.有利于,促進(jìn)D.不利于,促進(jìn)5【判斷題】利用傳統(tǒng)的燒結(jié)方法不可以一次燒成梯度功能材料。()A.錯(cuò)B.對(duì)第六章單元測試1.【多選題】正確答案:BC下列屬于第三代半導(dǎo)體的晶體材料是()。A.InPB.GaNC.SiCD.GaAs2【單選題】(2分)壓電效應(yīng)是物質(zhì)彈性性質(zhì)與電性能之間的相互耦合作用,具有壓電效應(yīng)的晶體我們稱為壓電晶體;由于壓電效應(yīng)的存在與晶體的結(jié)構(gòu)和對(duì)稱性密切相關(guān),在晶體的32個(gè)點(diǎn)群中,只有<u</u<u</u個(gè)非中心對(duì)稱的晶體點(diǎn)群才具有壓電性,因此,我們稱這些晶體點(diǎn)群為壓電晶體點(diǎn)群。()A.20B.22C.21D.153【單選題】(2分)降溫法的生長原理是利用晶體物質(zhì)較大的<u</u,通過降溫使其形成過飽和溶液,實(shí)現(xiàn)晶體的生長。()A.正溶解度溫度系數(shù)B.負(fù)溶解度溫度系數(shù)4【判斷題】溫差水熱法生
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