1+X集成電路理論練習(xí)題庫（含答案）

1+X集成電路理論練習(xí)題庫（含答案）一、單選題（共40題，每題1分，共40分）1、當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌()時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴吸取芯片。A、首端B、中端C、末端D、任意位置正確答案：C答案解析：當(dāng)芯片移動(dòng)到氣軌末端時(shí)，旋轉(zhuǎn)臺(tái)吸嘴的升降電機(jī)到達(dá)芯片正上方，吸嘴產(chǎn)生一定負(fù)壓將該芯片吸起，升降電機(jī)上移并后退進(jìn)入旋轉(zhuǎn)臺(tái)，上料完成。2、{在扎針測試時(shí)，需要記錄測試結(jié)果，根據(jù)以下入庫晶圓測試隨件單的信息，如果剛測完片號(hào)為5的晶圓，那么下列說法正確的是：()。}A、TOTAL=5968，PASS=5788B、TOTAL=6000，PASS=5820C、T0TAL=5820，F(xiàn)AIL=180D、TOTAL=5788，F(xiàn)AIL=212正確答案：B答案解析：入庫晶圓測試隨件單中的合格數(shù)指的是除去測試不合格及外觀不合格的合格數(shù)量，因此，總數(shù)TOTAL=“合格數(shù)”+“測試不良數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測試合格數(shù)PASS=“合格數(shù)”+“外觀剔除數(shù)”，測試不合格數(shù)FAIL=“測試不良數(shù)”。所以對于片號(hào)為5的晶圓，TOTAL=6000，PASS=5820，F(xiàn)AIL=180。3、在光刻過程中，完成涂膠后需要進(jìn)行質(zhì)量評估，以下不屬于涂膠質(zhì)量評估時(shí)，光刻膠覆蓋硅片的質(zhì)量缺陷的是（）。A、光刻膠的回濺B、光刻膠中有針孔C、光刻膠起皮D、光刻膠脫落正確答案：D4、低壓化學(xué)氣相淀積的英文縮寫是（）。A、APCVDB、PECVDC、LPCVDD、HDPCVD正確答案：C答案解析：APCVD是常壓化學(xué)氣相淀積；PECVD是等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積；LPCVD是低壓化學(xué)氣相淀積；HDPCVD是高密度等離子體化學(xué)氣相淀積。5、清潔車間內(nèi)的墻面時(shí)要求使用（）進(jìn)行清潔。A、麻布B、不掉屑餐巾紙C、無塵布D、棉正確答案：C答案解析：一周擦一次墻面，清潔車間內(nèi)的墻時(shí)應(yīng)使用無塵布。無塵布由100%聚酯纖維雙面編織而成，表面柔軟，易于擦拭敏感表面，摩擦不脫纖維，具有良好的吸水性及清潔效率。6、濕法刻蝕中，（）的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。A、硅B、鋁C、二氧化硅D、砷化鎵正確答案：C答案解析：二氧化硅腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。7、當(dāng)測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“()”鍵繼續(xù)吸取一次。A、SKIPB、RESTARTC、RETRYD、STOP正確答案：C答案解析：當(dāng)測壓手臂未吸起芯片，經(jīng)檢查有芯片在入料梭上后，需按“RETRY”鍵繼續(xù)吸取一次。8、用比色法進(jìn)行氧化層厚度的檢測時(shí)，看到的色彩是（）色彩。A、衍射B、干涉C、反射D、二氧化硅本身的正確答案：B9、“對刀”操作時(shí)，點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的（）按鈕，使承載盤真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。A、θ角度調(diào)整B、開始C、WorkSetD、ManualAlign正確答案：C答案解析：點(diǎn)擊顯示屏上主菜單的“WorkSet”（設(shè)置）按鈕，使承載盤真空從關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)為開啟狀態(tài)。點(diǎn)擊顯示屏上的“ManualAlign”（手動(dòng)對位）按鈕，界面跳轉(zhuǎn)到“切割道調(diào)整界面”。點(diǎn)擊“10、芯片檢測工藝通常在（）無塵車間內(nèi)進(jìn)行。A、百級B、千級C、十萬級D、三十萬級正確答案：B答案解析：芯片檢測工藝是對完成封裝的芯片進(jìn)行電性測試，其芯片為非裸露狀態(tài)，通常在常規(guī)千級無塵車間內(nèi)進(jìn)行，其溫度為22±3℃，濕度為55±10％。11、晶圓檢測工藝中，在進(jìn)行打點(diǎn)之前，需要進(jìn)行的操作是()。A、外檢B、扎針調(diào)試C、打點(diǎn)D、扎針測試正確答案：D答案解析：晶圓檢測工藝流程：導(dǎo)片→上片→加溫、扎針調(diào)試→扎針測試→打點(diǎn)→烘烤→外檢→真空入庫。12、料盤外觀檢查的步驟正確的是()。A、查詢零頭（若有）→零頭檢查→檢查外觀→電路拼零→零頭儲(chǔ)存B、檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存C、查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存→檢查外觀D、檢查外觀→零頭儲(chǔ)存→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零正確答案：B答案解析：料盤外觀檢查的步驟：檢查外觀→查詢零頭（若有）→零頭檢查→電路拼零→零頭儲(chǔ)存。13、在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿的目的是()。A、防止晶圓包裝盒和晶圓直接接觸B、防止晶圓之間的接觸C、防止晶圓在搬運(yùn)過程中發(fā)生移動(dòng)D、美觀正確答案：A答案解析：在晶圓盒內(nèi)壁放一圈海綿是為了防止晶圓盒和晶圓接觸。14、化學(xué)機(jī)械拋光中,拋光液的作用是()。A、與硅片表面材料反應(yīng),變成可溶物質(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化B、向拋光墊施加壓力C、將反應(yīng)生成物從硅片表面卻除D、清洗硅片正確答案：A答案解析：硅片固定在拋光盤上后，拋光盤和裝有拋光墊的旋轉(zhuǎn)盤開始旋轉(zhuǎn)，同時(shí)噴淋拋光液；然后拋光盤向拋光墊施加壓力，此時(shí)拋光液在硅片和拋光墊之間流動(dòng)，拋光液中的物質(zhì)與硅片表面材料反應(yīng)，變?yōu)榭扇芪镔|(zhì)或?qū)⒁恍┯捕冗^高的物質(zhì)軟化；通過研磨作用將反應(yīng)生成物從硅片表面去除，進(jìn)入流動(dòng)的液體排出。15、封裝工藝中，在完成芯片粘接后需要進(jìn)行銀漿固化，該環(huán)節(jié)在烘干箱中進(jìn)行，一般在（）℃的環(huán)境下烘烤1小時(shí)。A、175B、150C、225D、200正確答案：A16、CMP是實(shí)現(xiàn)()的一種技術(shù)。A、平滑處理B、部分平坦化C、局部平坦化D、全局平坦化正確答案：D答案解析：化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)是通過比去除低處圖形快的速度去除高處圖形來獲得均勻表面,利用化學(xué)腐蝕和機(jī)械研磨加工硅片和其他襯底材料的凸出部分,實(shí)現(xiàn)全局平坦化的一種技術(shù)。17、用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過()可以得到高純度的四氯化硅。A、高溫還原爐B、精餾塔C、多晶沉積設(shè)備D、單晶爐正確答案：B答案解析：用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通常使用精餾法，精餾法是在精餾塔中實(shí)現(xiàn)的。18、()即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一。現(xiàn)在多稱為LCC。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)。A、QFNB、QFPC、LGAD、DIP正確答案：A答案解析：QFN即方形扁平無引腳封裝，表面貼裝型封裝之一?，F(xiàn)在多稱為LCC。封裝四側(cè)配置有電極觸點(diǎn)，由于無引腳，貼裝占有面積比QFP小，高度比QFP低。19、扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過()傳輸給探針臺(tái)。A、USBB、GPIBC、HDMID、VGA正確答案：B答案解析：扎針測試時(shí)，測試機(jī)將測試結(jié)果通過GPIB傳輸給探針臺(tái)。20、在實(shí)現(xiàn)LED流水燈程序中主要用到了（）語句。A、順序B、條件C、掃描D、循環(huán)正確答案：D21、芯片檢測工藝中，整批芯片完成外觀檢查后，需要進(jìn)入（）環(huán)節(jié)。A、上料B、編帶C、真空包裝D、測試正確答案：C22、通過監(jiān)控某一特定譜峰或波長，在預(yù)期的刻蝕終點(diǎn)可探測到對應(yīng)的數(shù)據(jù)的方法是（）。A、發(fā)射光譜法B、干涉測量法C、質(zhì)譜分析法D、橢圓偏振法正確答案：A答案解析：發(fā)射光譜法是通過監(jiān)控來自等離子體反應(yīng)中一種反應(yīng)物的某一特定發(fā)射光譜峰或波長，在預(yù)期的刻蝕終點(diǎn)可探測到發(fā)射光譜的改變，從而來推斷刻蝕過程及終點(diǎn)。23、在使用J-link驅(qū)動(dòng)連接單片機(jī)是需在魔法棒按鈕的（）中設(shè)置（）。A、Debug；地址范圍B、Debug；工作頻率C、Output；地址范圍D、Output；工作頻率正確答案：A24、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片分選時(shí)，分選環(huán)節(jié)的流程是（）。A、分選→收料→吸嘴吸取芯片B、吸嘴吸取芯片→收料→分選C、分選→吸嘴吸取芯片→收料D、吸嘴吸取芯片→分選→收料正確答案：D25、晶圓檢測工藝對環(huán)境的其中一項(xiàng)——溫度的要求范圍是()℃。A、22±3B、20±5C、25±3D、20±3正確答案：A答案解析：晶圓檢測工藝對環(huán)境的要求：測試車間符合10萬級潔凈區(qū)標(biāo)準(zhǔn)，溫度常年保持在22±3℃，濕度保持在45±15%。26、避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點(diǎn)位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用()遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)行測試。A、氣泡膜B、不透明袋C、黑布D、白布正確答案：C答案解析：避光測試是通過顯微鏡觀察到待測點(diǎn)位置、完成扎針位置的調(diào)試后，用一塊黑布遮擋住晶圓四周，完全避光后再進(jìn)行測試。27、一般來說，()封裝形式會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試。A、LGA/TOB、LGA/SOPC、DIP/SOPD、QFP/QFN正確答案：A答案解析：一般來說，LGA/TO會(huì)采用轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)進(jìn)行測試，DIP/SOP會(huì)采用重力式分選機(jī)進(jìn)行測試，QFP/QFN會(huì)采用平移式分選機(jī)進(jìn)行測試。28、對準(zhǔn)和曝光過程中，套準(zhǔn)精度是指形成的圖形層與前層的最大相對位移大約是關(guān)鍵尺寸的（）。A、二分之一B、三分之一C、四分之一D、五分之一正確答案：B答案解析：版圖套準(zhǔn)過程有了對準(zhǔn)規(guī)范，也就是常說的套準(zhǔn)容差或套準(zhǔn)精度。具體是指要形成的圖形層與前層的最大相對位移。一般而言大約是關(guān)鍵尺寸的三分之一。29、下列描述錯(cuò)誤的是（）。A、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)旋轉(zhuǎn)臺(tái)每轉(zhuǎn)動(dòng)一格，都會(huì)將產(chǎn)品送到各個(gè)工位B、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)分選工序依靠主轉(zhuǎn)盤執(zhí)行C、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)包括上料位、光檢位、旋轉(zhuǎn)糾姿位、功能測試位等D、一般轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)都需要配合編帶機(jī)使用正確答案：D30、下列說法錯(cuò)誤的是（）。A、在cadence軟件界面上，單擊Tools菜單，選擇LibraryManager命令，出現(xiàn)“庫文件管理器”B、用戶可以在庫文件里新建單元，但不能在新建的單元下新建視圖C、選擇Tool選項(xiàng)中的Composer-Schematic選項(xiàng)，表示在單元下建立電路圖視圖D、在電路編輯窗口中，利用圖標(biāo)欄可以快速建立、編輯電路圖正確答案：B31、SOP封裝的芯片一般采用()形式進(jìn)行包裝。A、卷盤B、編帶C、料管D、料盤正確答案：B答案解析：SOP封裝因其體積小等特點(diǎn)，一般采用編帶包裝形式。32、通常一個(gè)花籃中最多裝（）片晶圓。A、20B、25C、15D、30正確答案：B33、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：()。A、測前光檢→測后光檢→測試→芯片分選B、芯片分選→測前光檢→測后光檢→測試C、測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選D、測前光檢→測后光檢→芯片分選→測試正確答案：C答案解析：轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)設(shè)備測試環(huán)節(jié)的流程是：測前光檢→測試→測后光檢→芯片分選。34、當(dāng)()時(shí)，可以確定花籃位置放置正確，花籃的卡槽與承重臺(tái)密貼。A、探針臺(tái)前的紅色指示燈亮B、探針臺(tái)前的綠色指示燈亮C、探針臺(tái)上的位置指示燈亮D、探針臺(tái)前的紅色指示燈滅正確答案：C答案解析：當(dāng)花籃的卡槽與承重臺(tái)密貼時(shí)，探針臺(tái)上的位置指示燈亮。探針臺(tái)前的紅色指示燈表示下降，綠色指示燈表示上升。35、LK32T102單片機(jī)內(nèi)部有一個(gè)（）ADC。A、8位B、12位C、18位D、24位正確答案：B36、以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，關(guān)于上片的步驟，下列所述正確的是：()。A、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃到位→花籃固定→合上蓋子B、打開蓋子→花籃放置→花籃到位→花籃下降→花籃固定→合上蓋子C、打開蓋子→花籃放置→花籃下降→花籃固定→花籃到位→合上蓋子D、打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子正確答案：D答案解析：以全自動(dòng)探針臺(tái)為例，上片的步驟為：打開蓋子→花籃放置→花籃固定→花籃下降→花籃到位→合上蓋子。37、封裝工藝的電鍍工序中，完成前期的清洗后，下一步操作是（）。A、電鍍B、后期清洗C、裝料D、高溫退火正確答案：A38、()可以實(shí)現(xiàn)探針測試卡的探針和晶圓的每個(gè)晶粒上的測試模塊之間一一對應(yīng)。A、測試機(jī)B、探針臺(tái)C、塑封機(jī)D、真空包裝機(jī)正確答案：B答案解析：探針臺(tái)可以實(shí)現(xiàn)探針測試卡的探針和晶圓的每個(gè)晶粒上的測試模塊之間一一對應(yīng)。39、二氧化硅和碳在()℃的環(huán)境下反應(yīng)可生成粗硅。A、100~200B、500~700C、700~900D、1600~1800正確答案：D答案解析：因?yàn)楣琛踔g的鍵結(jié)很強(qiáng)，所以二氧化硅非常穩(wěn)定，因此要用碳進(jìn)行還原反應(yīng)則需要很高的溫度。一般工業(yè)上將二氧化硅和碳在1600~1800℃的溫度下反應(yīng)，破壞硅—氧之間的鍵結(jié)，進(jìn)而生成粗硅和一氧化碳。40、濕度卡的作用是()。A、去潮濕物質(zhì)中的水分B、可以防止靜電C、起到防水的作用D、顯示密封空間的濕度狀況正確答案：D答案解析：濕度卡是用來顯示密封空間濕度狀況的卡片。二、多選題（共20題，每題1分，共20分）1、封裝工藝中，晶圓劃片機(jī)顯示區(qū)可以進(jìn)行（）、（）等操作。A、給其他操作人員發(fā)送消息B、設(shè)置參數(shù)C、切割道對位D、操作過程中做筆記正確答案：BC2、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，在分選環(huán)節(jié)可以根據(jù)測試結(jié)果將合格芯片分為（）。A、A檔B、B檔C、C檔D、不合格檔正確答案：AB3、相較于高溫銅質(zhì)花籃，高溫實(shí)心花籃有()等特點(diǎn)。A、質(zhì)輕B、制造成本高C、花籃本身重D、制造成本低正確答案：AD答案解析：高溫銅質(zhì)花籃本身較重，制造成本高，一般用于尺寸較小的晶圓，如5英寸、6英寸。高溫實(shí)心花籃具有質(zhì)輕、制造成本低等特點(diǎn)，目前工業(yè)上一般多用高溫實(shí)心花籃。4、編帶外觀檢查的內(nèi)容有：()。A、壓痕B、蓋帶皺紋C、載帶破損D、脫膠正確答案：ABCD答案解析：編帶外觀檢查的內(nèi)容有：壓痕、變形、脫膠，載帶破損、蓋帶皺紋。5、花籃可以分為()。A、高溫實(shí)心花籃B、高溫銅質(zhì)花籃C、高溫塑料花籃D、常溫花籃正確答案：ABD答案解析：花籃分為高溫花籃和常溫花籃，高溫花籃有高溫銅質(zhì)花籃和高溫實(shí)心花籃兩種。6、以下屬于產(chǎn)生靜電而造成的危害有()。A、因靜電火花點(diǎn)燃某些易燃物體而發(fā)生爆炸B、造成集成電路和半導(dǎo)體元件的污染C、電火花會(huì)引起爆炸D、干擾飛機(jī)無線電設(shè)備的正常工作正確答案：ABCD7、塑封體上激光打字時(shí)，打印的內(nèi)容可以有（）等。A、產(chǎn)品名稱B、生產(chǎn)日期C、生產(chǎn)批次D、商標(biāo)E、注意事項(xiàng)F、適用范圍正確答案：ABCD答案解析：D選項(xiàng)“商標(biāo)”屬于制造商信息，所以有時(shí)會(huì)打印在產(chǎn)品上。8、表征光刻膠的性能指標(biāo)包括（）。A、靈敏度B、分辨率C、黏附性D、留膜率正確答案：ABCD答案解析：表征光刻膠性能指標(biāo)包括靈敏度、分辨率、黏附性、抗蝕性、留膜率等。9、整批料盤全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行的操作是()。A、清點(diǎn)數(shù)量B、打印標(biāo)簽C、臨時(shí)捆扎D、抽檢正確答案：ABCD答案解析：整批料盤全部外觀檢查完后（包括電路拼零等），后續(xù)需要進(jìn)行臨時(shí)捆扎、數(shù)量清點(diǎn)、打印標(biāo)簽、放到“已檢查品貨架”上等待外驗(yàn)人員進(jìn)行抽檢等操作。10、晶圓檢測過程中，若其車間內(nèi)潔凈度不達(dá)標(biāo)，則可能會(huì)導(dǎo)致（）。A、測試良率降低B、探針測試卡上出現(xiàn)異物C、探針測試卡報(bào)廢D、晶圓報(bào)廢正確答案：ABCD答案解析：當(dāng)車間潔凈度不達(dá)標(biāo)時(shí)生產(chǎn)中電路質(zhì)量和設(shè)備將受到影響。比如在晶圓檢測過程中，可能會(huì)使探針測試卡上出現(xiàn)異物，嚴(yán)重時(shí)會(huì)導(dǎo)致探針測試卡損毀、晶圓報(bào)廢，因此導(dǎo)致測試良率降低、測試不穩(wěn)定，帶來巨大損失，故A、B、C、D均正確。11、晶圓切割機(jī)主要由（）、（）和（）三部分組成。A、清洗區(qū)B、氣槍C、顯示區(qū)D、切割區(qū)正確答案：BCD12、5mil的墨管常用于（）的晶圓。A、6英寸B、12英寸C、8英寸D、5英寸正確答案：AD13、IC制造中用的光刻膠一般由（）組成。A、感光劑B、增感劑C、溶劑D、去離子水正確答案：ABC14、下列對數(shù)字芯片測試描述正確的是（）。A、能測試后一般為直流參數(shù)測試B、在直流參數(shù)測試后一般為功能測試測試C、在開短路測試后一般為直流參數(shù)測試D、開短路測試一般為芯片測試的第一步驟，目的是驗(yàn)證被測芯片與測試機(jī)的電氣連接正確答案：AD15、運(yùn)放組件的整體布局的一般按照以下順序（）。A、按照具體電路的對稱性要求以及電路結(jié)構(gòu)，將電路中的具體晶體管按照電路中的相對位置對稱排布B、按照具體電路設(shè)計(jì)的文件，確定每個(gè)支路通過的最大工作電流C、按照每個(gè)支路的最大工作電流對應(yīng)的導(dǎo)線寬度增加一定的裕量，確保電路的性能D、根據(jù)具體電路的要求，確定電路中的輸入輸出引線，確定其與電源和地在整體布局中的位置正確答案：ABCD16、使用編帶機(jī)進(jìn)行編帶時(shí)，在編帶前進(jìn)行光檢的內(nèi)容是檢查（）。A、芯片的印章是否清晰B、芯片的數(shù)量是否正確C、芯片的電氣參數(shù)D、芯片的管腳是否出現(xiàn)扭曲、斷裂正確答案：AD17、進(jìn)入芯片封裝工藝過程中塑封之后的工序車間必須穿戴的是（）和（）。A、防靜電帽或發(fā)罩B、眼罩C、口罩D、無塵衣E、防靜電服F、一次性橡膠手套正確答案：AE答案解析：塑封工序之后芯片已經(jīng)被包裹起來，處于非裸露狀態(tài)，故進(jìn)入車間前必須要穿戴的是防靜電帽子或發(fā)罩以及防靜電服。18、CMP工藝的三大關(guān)鍵因素是()。A、拋光機(jī)B、拋光液C、拋光盤D、拋光墊正確答案：ABD答案解析：拋光機(jī)、拋光液和拋光墊是CMP工藝的三大關(guān)鍵因素,平坦化前根據(jù)研磨的材料以及拋光機(jī)性能，選擇合適的拋光墊固定在旋轉(zhuǎn)盤上，以及合適的拋光液、清洗液。19、單片機(jī)最小系統(tǒng)電路包括（）等部分。A、復(fù)位電路B、程序下載電路C、電源電路D、時(shí)鐘信號(hào)電路正確答案：ABCD20、下列描述正確的是（）。A、共模抑制比越小越好B、表征差分電路抑制共模信號(hào)及對差模信號(hào)的放大能力C、共模抑制比定義為放大器對差模電壓的放大倍數(shù)與對共模電壓放大倍數(shù)之比D、共模抑制比越大越好正確答案：BCD三、判斷題（共40題，每題1分，共40分）1、根據(jù)切割工具的形式，晶圓切割的方式只有機(jī)械切割，一般采用砂輪劃片的方法。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：晶圓切割通常使用機(jī)械切割和激光切割兩種方式，其中機(jī)械切割一般采用砂輪劃片的方法。2、探針測試卡的電路板部分與測試機(jī)連接，上部是以金屬合金制成的探針，探針通過與晶圓上的焊點(diǎn)接觸，從而直接收集晶圓的輸入信號(hào)或測試輸出值。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：探針測試卡的電路板部分與測試機(jī)連接，下部是以金屬合金制成的探針，探針通過與晶圓上的焊點(diǎn)接觸，從而直接收集晶圓的輸入信號(hào)或測試輸出值。3、在LK32T102單片機(jī)，實(shí)現(xiàn)方波發(fā)生器功能中PWM控制模塊流程為A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A4、轉(zhuǎn)塔式分選機(jī)的測試分選工序主要依靠旋轉(zhuǎn)臺(tái)來執(zhí)行，旋轉(zhuǎn)臺(tái)上搭載機(jī)械手，機(jī)械手上的吸嘴只能實(shí)現(xiàn)待測芯片的取環(huán)節(jié)。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B5、在晶圓檢測工藝中，如果遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A6、光刻過程中，如果涂膠不好，特別是HMDS涂得不好，膠與硅片粘附性差，會(huì)造成局部區(qū)域的膠脫落，導(dǎo)致圖形不完整。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A7、切筋的目的是要將整條引線框架上已經(jīng)封裝好的元件獨(dú)立分開，切筋后每個(gè)獨(dú)立封裝元件是一塊樹脂硬殼且其側(cè)面伸出許多外引腳。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A8、鍍錫之后的框架條表面會(huì)更有光澤，且具有良好的抗氧化性、抗蝕性和可焊性。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A9、晶圓研磨和晶圓切割前都需要在晶圓背面進(jìn)行覆膜。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：晶圓藍(lán)膜專為晶圓研磨、切割而設(shè)計(jì)，它具有高黏著力，使晶圓在研磨、切割過程中不脫落、不飛散，從而能被確實(shí)地研磨或切割。其中晶圓研磨是對晶圓背面進(jìn)行研磨，故需要在晶圓的正面覆上藍(lán)膜；而晶圓切割是在其正面進(jìn)行切割，所以需要在晶圓的背面覆上藍(lán)膜。10、軟烘又叫前烘，該工序僅可在烘箱中進(jìn)行。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：軟烘又叫前烘，軟烘可在烘箱、紅外線加熱器、真空熱板下進(jìn)行。11、為保證云端放大器的對稱性，運(yùn)放中所有的晶體管的源極都要朝一個(gè)方向。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B12、載片臺(tái)上吸取芯片的位置是固定不變的，且與對應(yīng)的攝像機(jī)的十字光標(biāo)所在的位置一致。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A13、晶圓扎針測試完成后需要進(jìn)行打點(diǎn)，打點(diǎn)前，需要根據(jù)晶圓大小的不同，選用不同規(guī)格的墨管。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B14、平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測時(shí)，是通過出料梭將待測芯片從待測區(qū)轉(zhuǎn)移到測試區(qū)的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：平移式分選機(jī)進(jìn)行檢測時(shí)，是通過入料梭將待測芯片從待測區(qū)轉(zhuǎn)移到測試區(qū)的。15、熱擴(kuò)散摻雜工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：擴(kuò)散不能一步實(shí)現(xiàn)，步驟為進(jìn)行質(zhì)量檢測→下載工藝清單→開啟擴(kuò)散爐→清洗硅片→預(yù)淀積→升高爐溫，推進(jìn)并激活雜質(zhì)→撤出硅片，測量擴(kuò)散層的電阻和結(jié)深。16、芯片損壞可能導(dǎo)致測試良率偏低。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A17、墨管需要冷藏存放。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A18、在LK32T102單片機(jī)上，“PB->OUTEN=0x0000;”將PB0~PB7引腳配置設(shè)置為輸出。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B19、防靜電鋁箔袋中，干燥劑、濕度卡要隨料管一起放入。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A20、將烘烤完成的晶圓從烘箱中取出后，不需要核對晶圓印章批號(hào)和晶圓測試隨件單信息。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：將烘烤完的晶圓從烘箱中取出，用晶圓鑷子從高溫花籃中夾取晶圓，核對晶圓印章批號(hào)和晶圓測試隨件單是否一致，核對無誤后，根據(jù)晶圓片號(hào)，依次放入常溫花籃對應(yīng)的花槽內(nèi)，準(zhǔn)備進(jìn)行外檢。21、芯片包裝完后，需要在真空包裝結(jié)束后，在不透明的防靜電鋁箔袋上貼上標(biāo)簽，是為了識(shí)別真空包裝的芯片型號(hào)、批次等信息。（）A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A22、粘塵墊的作用是粘除進(jìn)入車間員工鞋底的灰塵，防止將灰塵帶入車間。風(fēng)淋室的出口和入口都需要布置粘塵墊。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A答案解析：粘塵墊又名粘塵地板膠，主要適用于貼放在潔凈空間的出入口處及緩沖區(qū)間，它能有效地粘除鞋底和車輪上的灰塵，最大限度的減少塵埃對潔凈環(huán)境質(zhì)量的影響，從而達(dá)到簡易除塵的效果。23、內(nèi)盒打包完成后就可以進(jìn)行發(fā)貨。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：B答案解析：內(nèi)盒打包完成后還需進(jìn)行裝箱。24、若遇到需要高溫加熱的晶圓，需要根據(jù)晶圓測試隨件單上的加溫條件進(jìn)行加溫后再調(diào)整打點(diǎn)器墨點(diǎn)的位置。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A25、利用平移式分選設(shè)備進(jìn)行芯片測試時(shí)，該設(shè)備是采用壓測的方式進(jìn)行的。A、正確B、錯(cuò)誤正確答案：A26、由于NMOS管和PMOS管的注入類型、襯底接觸都是相反的，所以對于復(fù)制的圖形需要將其Nimp和Pimp層互換。A、正確B、