2023-2024學年福建省泉州科技中學高二下學期第一次月考化學試題

2023-2024學年度泉州科技中學高二化學階段性練習可能會用到的相對原子質(zhì)量：H-1C-12N-14O-16F-19Na-23P-31S-32Cl-35.5Ca-40Ti-48Mn-55Fe-56Zn-65Ga-70Se-79Y-89Hg-200Ce-140考試分數(shù)：100分考試時間：75分鐘第I卷（選擇題）共50分一、選擇題（第1-10題，每題3分；第11-14題，每題5分）1．下列化學用語表述正確的是A．H2O2的電子式： B．的VSEPR模型：C．基態(tài)的價電子排布圖： D．空間填充模型：2．下列說法中正確的是A．互為手性異構(gòu)體的分子互為鏡像，且分子組成相同，性質(zhì)也相同B．由酸性FCH2COOH>CH3COOH，可知酸性ClCH2COOH>CH3COOHC．由AgCl和AgBr都能溶于氨水中，而AgI不能溶解在氨水中，可知AgI在水中的溶解度最大D．除HF外，其他鹵化氫沸點隨著相對分子質(zhì)量的增大而升高，是因為氫鍵的鍵能逐漸增大所致3．下列方案設(shè)計、現(xiàn)象和結(jié)論都正確的是目的方案設(shè)計現(xiàn)象和結(jié)論A判斷Fe(NO3)2固體是否變質(zhì)取少量固體溶于蒸餾水，然后滴加少量稀硫酸，再滴入KSCN溶液若溶液變紅，則Fe(NO3)2固體已變質(zhì)B探究Mg與Al元素的金屬性強弱用pH計測同溫同濃度的MgCl2和AlCl3溶液的pHpH(MgCl2)＞pH(AlCl)3則金屬性：Mg＞AlC探究氫氧化鋁的性質(zhì)將2~3mL2mol·L-1氯化鋁溶液注入潔凈的試管中，逐滴加入6mol·L-1氨水生成白色沉淀，繼續(xù)滴加，沉淀不溶解，則氫氧化鋁不溶于堿D證明H2O2有氧化性將足量的H2O2溶液滴入酸性高錳酸鉀溶液中若溶液中的紫紅色褪去、則證明H2O2有氧化性4．下列說法中，正確的是A．金屬晶體的熔、沸點一定比分子晶體的高B．同類型原子晶體中，共價鍵的鍵長越短，鍵能越大，熔點就越高C．分子內(nèi)共價鍵越強，分子熱穩(wěn)定性越強，其晶體熔沸點越高D．離子晶體晶格能越大，熔沸點越高，導電能力越強5．影響物質(zhì)在水中的溶解程度的因素有很多，下列關(guān)于溶解的說法錯誤的是A．分子晶體溶于水，會破壞分子間作用力，分子間作用力越大，溶解度可能越小B．能形成分子間氫鍵的物質(zhì)常溫下在水中的溶解度一定很大C．極性分子在水中的溶解度一般比較大D．物質(zhì)溶于水有可能破壞化學鍵，甚至形成新的化學鍵6．短周期元素甲、乙、丙、丁、戊在元素周期表中的相對位置如圖所示，已知戊的非金屬性最強且其基態(tài)原子軌道只有一個未成對電子。下列說法錯誤的是A．簡單離子半徑：丙>丁>戊 B．簡單氫化物的沸點：乙<丙C．簡單氫化物的鍵角：甲>乙 D．第一電離能：甲<乙<丙<丁<戊7．一種可吸附甲醇的材料，其化學式為[C(NH2)3]4[B(OCH3)4]3Cl，部分晶體結(jié)構(gòu)如下圖所示，其中[C(NH2)3]+為平面結(jié)構(gòu)。下列說法正確的是A．該晶體中存在N-H…O氫鍵B．基態(tài)原子的第一電離能：C<N<OC．基態(tài)原子未成對電子數(shù)：B<C<OD．晶體中B、N和O原子軌道的雜化類型相同8．科學家可視化了某復雜鈣鈦礦晶體結(jié)構(gòu)的三維原子和電子密度結(jié)構(gòu)如圖，以1號原子為坐標原點，晶胞參數(shù)為單位長度建立坐標系，下列有關(guān)說法錯誤的是A．該晶體的化學式為CaTiO3B．Ti原子位于氧原子形成的正八面體中心C．a(chǎn)為晶胞參數(shù)，則2、3號原子間的距離為D．3號原子的原子坐標參數(shù)為9．設(shè)NA為阿伏加德羅常數(shù)的值，下列說法正確的是A.在標準狀況下，NA個HF分子所占的體積為22.4LB.0.2molSO2分子中，S原子的價層電子對數(shù)目為0.6NAC.400mL10mol·L-1濃鹽酸與足量MnO2加熱充分反應(yīng)生成的Cl2分子數(shù)為NAD.6g石墨中共價鍵數(shù)目為NA10．我國漢代器物上用的顏料被稱為“中國紫”“中國藍”，其合成原料有、和，下列說法正確的是A．金屬性：Cu＞BaB．的空間結(jié)構(gòu)：平面三角形C．基態(tài)銅原子的電子排布式：D．基態(tài)硅原子中，其占據(jù)的最高能層的符號：11．化學助力人們對美好生活的追求。燙發(fā)原理如圖。下列說法錯誤的是頭發(fā)的主要成分蛋白質(zhì)屬于高分子化合物B．“軟化”時應(yīng)加入氧化劑，“定型”時應(yīng)加入還原劑C．應(yīng)避免頻繁地燙、染發(fā)，以減少對頭發(fā)和頭皮的傷害D．燙發(fā)過程中既有極性鍵、非極性鍵的斷裂又有極性鍵、非極性鍵的形成12．硒化鋅()是一種重要的半導體材料，其晶胞結(jié)構(gòu)如圖甲所示，乙圖為該晶胞沿z軸方向在xy平面的投影，已知晶胞邊長為，阿伏加德羅常數(shù)的值為，下列說法錯誤的是A．Zn位于元素周期表的ds區(qū)B．基態(tài)Se原子核外有18種不同空間運動狀態(tài)的電子C．A點原子坐標為，則B點原子坐標為D．該體密度為13．氧化鈰（CeO2）常用作玻璃工業(yè)添加劑，在其立方晶胞中摻雜Y2O3，Y3＋占據(jù)原來Ce4＋的位置，可以得到更穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)，這種穩(wěn)定的結(jié)構(gòu)使得氧化鈰具有許多獨特的性質(zhì)和應(yīng)用，CeO2晶胞中Ce4＋與最近O2－的核間距為apm。下列說法正確的是已知：。A．已知M點原子的分數(shù)坐標為（0，0，0），則N點原子的分數(shù)坐標為（1，0，1）B．CeO2晶胞中與Ce4＋最近的Ce4＋的個數(shù)為6C．CeO2晶體的密度為D．若摻雜Y2O3后得到n（CeO2）：n（Y2O3）＝0.6：0.2的晶體，則此晶體中O2－的空缺率為10%14．大多數(shù)離子液體含有體積很大的陰、陽離子(如圖所示)。其中X、Y、Z為原子序數(shù)依次增大的短周期非金屬元素，X、Z同主族。下列說法正確的是A．原子半徑：Z＞X＞Y B．氣態(tài)氫化物的穩(wěn)定性：Z＞X＞YC．Z的氯化物的分子式一定為ZCl3 D．此陰離子中Y、Z均滿足8電子穩(wěn)定結(jié)構(gòu)第II卷（非選擇題）共50分二、解答題15．鈷鎳渣是濕法煉鋅凈化渣之一，其中含有較多的Zn（Ⅱ）、Cd（Ⅱ）和少量Co（Ⅱ）、Fe（Ⅱ）、Ni（Ⅱ）的硫酸鹽及氫氧化物（“Ⅱ”指相應(yīng)元素的化合價為＋2價）。利用以下工藝流程回收金屬并制備堿式碳酸鋅：已知：過二硫酸根（）的結(jié)構(gòu)式為，的還原產(chǎn)物為。回答下列問題：(1)“溶浸”中，可以加快化學反應(yīng)速率的措施有（任寫一種）。(2)向“浸取液”中加入Zn粉，發(fā)生反應(yīng)的離子方程式為。(3)過二硫酸根具有極強的氧化性，原因是。(4)“氧化、沉鈷”時，加入溶液并調(diào)節(jié)溶液pH至5.0～5.2，反應(yīng)生成沉淀的離子方程式為。(5)研究加入溶液時溫度和時間對金屬脫除率的影響，所得曲線如下圖所示：由圖可知，“氧化、沉鈷”的適宜溫度和時間是。金屬脫除是指溶液中的二價金屬離子被氧化后形成氫氧化物沉淀除去，濾渣中還含有（填化學式）。(6)向溶液中加入適量的溶液，反應(yīng)生成沉淀的化學方程式為。(7)鋅的某些硫化物具有獨特的光電效應(yīng)，被研究應(yīng)用于熒光材料、電磁學等領(lǐng)域。如圖為鋅的某種硫化物晶體的晶胞結(jié)構(gòu)。①基態(tài)的價層電子軌道表示式為。②該硫化物晶體的密度ρ＝（用含a、b、的代數(shù)式表示）。16．N、P、As為第VA族元素，該族元素及其化合物在生產(chǎn)、生活中有廣泛應(yīng)用?；卮鹣铝袉栴}：(1)基態(tài)As原子核外有個未成對電子，N、P、As電負性由大到小的順序為。(2)已知：4AsH3As4+6H2↑，AsH3的空間結(jié)構(gòu)為，已知As4為正四面體結(jié)構(gòu)，則1molAs4中含molσ鍵。(3)氨、肼(N2H4)和疊氮酸(HN3)都是氮元素的重要氫化物，肼的相對分子質(zhì)量與乙烷(C2H6)接近，但沸點遠高于乙烷的原因是。疊氮酸的結(jié)構(gòu)如圖1所示，分子中②號N原子的雜化方式為。(4)某含氮化合物晶胞結(jié)構(gòu)如圖2所示，Br-作簡單立方堆積，兩個立方體共用的面中心存在一個Hg2+，相鄰Br-的距離均為apm，阿伏加德羅常數(shù)的值為NA。該物質(zhì)的化學式為，該晶體的密度為gcm3。17．《自然》報道了我國科學家利用催化劑通過化學鏈合成氨。回答下列問題：(1)可用于制備、（亞硝基胍）等含氮化合物，基態(tài)的核外電子排布為；中的中心原子雜化方式為；亞硝基胍分子中鍵與鍵的數(shù)目比為。(2)N、P位于同一主族，，分子結(jié)構(gòu)如圖所示：①中鍵的鍵角比中鍵的鍵角更大，其主要原因是，②比易液化，其主要原因是。(3)氮化鎵（GaN）作為第三代半導體材料，具有耐高溫、耐高電壓等特性，隨著技術(shù)的發(fā)展，GaN商用進入“快車道”。下列相關(guān)說法錯誤的是（填字母）。a．位于元素周期表ds區(qū)b．的離子半徑大于的離子半徑c．GaN屬于分子晶體(4)某一種氮化硼晶體的晶胞結(jié)構(gòu)如上圖：①氮化硼的化學式；②已知該晶胞的邊長為，阿伏加德羅常數(shù)為，則晶胞的密度為（列計算式）。18．低碳經(jīng)濟已成為人們一種新的生活理念，二氧化碳的捕捉和利用是能源領(lǐng)域的一個重要研究方向?；卮鹣铝袉栴}：(1)工業(yè)上用和反應(yīng)合成二甲醚。已知：則kJ?mol-1。(2)二氧化碳的捕集、利用是我國能源領(lǐng)域的一個重要戰(zhàn)略方向?？茖W家提出由制取的太陽能工藝如圖：已知“重整系統(tǒng)”發(fā)生的反應(yīng)中，則的化學式為，“熱分解系統(tǒng)”中每轉(zhuǎn)移電子，需消耗。(3)催化時還可以使用一種無機固體電解質(zhì)作催化劑，其由正離子和負離子組成，該物質(zhì)以上形成無序結(jié)構(gòu)(高溫相)，以下變?yōu)橛行蚪Y(jié)構(gòu)(低溫相)，二者晶體晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示：說明：圖中，○球為負離子；高溫相中的●深色球為正離子或空位；低溫相中的球為離子，●球為離子。i．這種無機固體電解質(zhì)的化學式為。ii．“高溫相”具有良好的離子導電性，其主要原因是。(4)銅基催化劑(為等)是加氫制甲醇常用的催化劑，部分合成路線如圖所示。請寫出中堿位上發(fā)生反應(yīng)的總化學方程式。(5)利用電解法在堿性或酸性條件下將還原為和的原理如下圖所示：已知：選擇性和法拉第效率()的定義(X代表或)如下：

①實驗測得，堿性條件生成總的選擇性小于酸性條件，原因是。②實驗測得，酸性條件生成總的法拉第效率小于堿性條件，原因是參考答案：1．C2．B3．B4．B5．B6．D7．A8．C9．B10．B11．B12．C13．D14．A15．(1)粉碎鈷鎳渣、攪拌、適當升溫、適當增大溶液濃度等（任寫一種）(2)(3)過二硫酸根中含有過氧鍵（或過二硫酸根中含有-O-O-）(4)(5)80℃、2h(6)(7)16．(1)3N>P>As(2)三角錐形6(3)肼分子間可形成氫鍵使沸點高于不能形成分子間氫鍵的乙烷sp(4)或或HgBr22NH317．(1)9：2(2)N原子的原子半徑小于P原子，N—H鍵的鍵長小于P—H鍵，分子中N—H鍵之間的斥力大于P—H鍵，所以氨分子鍵角更大分子中存在氫鍵，沸點比高，更易液化(3)ac(4)BN