模擬電路試題面試筆試

模擬電路試題一．二極管1.如下圖電路中，電源電壓E=4V時,I=1mA。那么當(dāng)電源電壓E=8V時,電流I的大小將是______2.2mA2.穩(wěn)壓管通常工作于____C__，來穩(wěn)定直流輸出電壓截止區(qū)正向?qū)▍^(qū)反向擊穿區(qū)3.由二極管的伏安特性可知，二極管的管壓降越高，二極管的電阻越___B___大小不變4.對于穩(wěn)定電壓為10V的穩(wěn)壓管，當(dāng)環(huán)境溫度升高時，其穩(wěn)定電壓將___A___升高降低不變二．三極管1.1.晶體管能夠放大的外部條件是____C_____發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏2.在共射、共集和共基三種根本放大電路中，輸出電阻最小的是_____B__放大電路。共射極共集電極共基極3.右圖所示放大電路中的RB=100kΩ，RC=1.5kΩ，Vcc=12V,晶體管的β=80，UBE=0.6V。那么可以判定，該晶體管處于_B____放大狀態(tài)飽和狀態(tài)`截止?fàn)顟B(tài)4.射極輸出器無放大____A_____的能力。電壓電流功率三．場效應(yīng)管1.當(dāng)場效應(yīng)管工作于放大區(qū)時，耗盡型場效應(yīng)管ID的數(shù)學(xué)表達(dá)式為：_____C___2.場效應(yīng)管是一種____C____控制型的電子器件。電流光電壓四．集成運算放大器1.在下列圖示電路中,設(shè)A為理想運放,運算放的最大輸出電壓UOm=±12V，當(dāng)UI=8V時，UO=A-12V12V-16V2.差分放大電路能夠_____C____。提高輸入電阻降低輸出電阻克服溫漂3.差分放大電路的共模抑制比KCMR的定義是___C__之比。差模輸入信號與共模輸入信號差模輸出信號與共模輸出信號差模放大倍數(shù)與共模放大倍數(shù)〔絕對值〕4.假設(shè)輸入電壓保持不變，但不等于零，那么____B_____電路的輸出電壓等于零。減法積分微分5.圖示電路中，設(shè)A為理想運放，那么UO與UI的關(guān)系為(A)UO=UI五．信號發(fā)生器1.在正弦振蕩電路中，能產(chǎn)生等幅振蕩的幅度條件是__A____2.電路如右圖所示，設(shè)運放是理想器件，C=0.01μF,R1=R=10kΩ，為使該電路能產(chǎn)生正弦波，那么要求__C____可調(diào)〕可調(diào)〕可調(diào)〕3.在右圖示電路中，諧振回路由___A___元件組成圖L1,C1L2,C2L1,C1,C34.在上題圖示電路中，電路的諧振頻率fo=__C____第4/8頁六．功率放大電路1.在右圖示功率放大電路中。二極管D1和D2的作用是___B______。增大輸出功率消除交越失真減小三極管的穿透電流2..為了消除交越失真，應(yīng)當(dāng)使功率放大電路工作在_____B____狀態(tài)。甲類甲乙類乙類3.設(shè)計一個輸出功率為20W的功放電路，假設(shè)用乙類互補對稱功率放大，那么每只功放管的最大允許功耗Pcm至小應(yīng)有____A_____。8W4W2W4.甲類功率放大電路的輸出功率越大，那么功放管的管耗。B不變越大越小七．直流穩(wěn)壓電源1．在右圖所示橋式整流電容濾波電路中，假設(shè)二極管具有理想的特性，那么，當(dāng)U2=14.14sinwtV,RL=10kΩ,C=50微法(1〕電路輸出電壓為______C___。91012(2〕電路輸出電流為_____C____mA。0.911.2(3〕流過每個二極管的平均電流為____C_____mA。0.450.5A0.6(5〕二極管的最高反向電壓____A_____。13.13V10V9V2.由硅穩(wěn)壓二極管構(gòu)成的穩(wěn)壓電路，其接法是___C______穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻串聯(lián)穩(wěn)壓二極管與負(fù)載電阻并聯(lián)限流電阻與穩(wěn)壓二極管串聯(lián)后，負(fù)載電阻再與穩(wěn)壓二極管并聯(lián)數(shù)字電路試題1、USB線有幾芯？分別起什么作用？傳輸速度是多少？能傳輸多遠(yuǎn)距離？答：4芯，兩邊長的是電源線,中間短的是數(shù)據(jù)線，分別起電源+、-和數(shù)據(jù)+、-作用，也就是VCC、D-、D+、GND，USB1.1=12MbpsUSB2.0=480Mbps，不大于5米。2、NANDFLASH是什么？與NORFLASH相比它有什么特點？答：NAND結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以到達(dá)高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快?！馧OR的讀速度比NAND稍快一些?！馧AND的寫入速度比NOR快很多?！馧AND的4ms擦除速度遠(yuǎn)比NOR的5s快?！馧AND的擦除單元更小，相應(yīng)的擦除電路更少。●NAND以大容量為主流〔8～128MB〕，NOR以小容量為主流〔1～16MB〕。3、畫出或門電路的真值表。如圖：第6/8頁4.請問什么是SetupTIME〔建立時間〕和HOLDTIME(保持時間)？答：建立時間〔setuptime〕是指在觸發(fā)器的時鐘信號上升沿到來以前，數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時間，如果建立時間不夠，數(shù)據(jù)將不能在這個時鐘上升沿被打入觸發(fā)器；保持時間〔holdtime〕是指在觸發(fā)器的時鐘信號上升沿到來以后，數(shù)據(jù)穩(wěn)定不變的時間，如果保持時間不夠，數(shù)據(jù)同樣不能被打入觸發(fā)器。如圖1。數(shù)據(jù)穩(wěn)定傳輸必須滿足建立和保持時間的要求，當(dāng)然在一些情況下，建立時間和保持時間的值可以為零。5.答案如圖：第7/8頁說明：〔一非門，兩或門〕當(dāng)輸入CE=“H”時，不管A19=0或1