半導(dǎo)體材料與器件教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺建設(shè)需求

半導(dǎo)體材料與器件教學(xué)實(shí)驗(yàn)平臺建設(shè)需求一、內(nèi)容及清單序號設(shè)備名稱數(shù)量單位1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀4套2變溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)4套3微納電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)箱4套4導(dǎo)電類型鑒別儀4臺5激光定向儀4臺6四探針測試儀4臺7單波長激光橢偏儀4臺8ALD-PECVD管式爐1套9實(shí)驗(yàn)室超純水機(jī)1套10光刻機(jī)1臺11電子束測試儀10臺12環(huán)盤電極4套13鼓風(fēng)干燥箱2套14真空烘箱1套15液體表面張力系數(shù)測定儀24臺16變溫粘滯系數(shù)測量實(shí)驗(yàn)儀12臺17溫度傳感器溫度特性測量實(shí)驗(yàn)儀12臺18快速熱處理爐1臺19勻膠機(jī)1臺20手套箱1臺21溫度傳感器測試及半導(dǎo)體致冷控溫實(shí)驗(yàn)儀12臺22激光拉曼光譜儀1臺23光刻機(jī)配套系統(tǒng)1套24CVD尾氣處理裝置1臺二、技術(shù)需求序號名稱參數(shù)要求1高頻光電導(dǎo)少子壽命測試儀1.儀器配有檢波電壓表計(jì)算注入比，可檢測壽命與注入比的函數(shù)關(guān)系。2.技術(shù)參數(shù)2.1儀器參考GB/T1553-2023中硅和鍺少子壽命光電導(dǎo)衰減法標(biāo)準(zhǔn)；2.2測試硅單晶電阻率范圍：ρ﹥2Ω?㎝。測電子級摻雜硅單晶片（厚度小于1mm）電阻率范圍：ρ﹥0.1Ω.cm（表面可能需拋光處理）；2.3可測材料：硅棒、硅芯、檢磷棒、檢硼棒、硅塊、硅片等；2.4可測單晶少子壽命τ范圍：5μs~10000μs；2.5紅外光源參數(shù)：波長1.06～1.09μm；閃光頻率約為：40次／秒；光脈沖關(guān)斷時(shí)間：0.2-1μｓ，余輝＜1μｓ；脈沖電流：5A～20A；2.6高頻振蕩源：用石英諧振器，振蕩頻率：≥30MHz；2.7前置放大器，放大倍數(shù)約30，頻寬2Hz-2MHz；2.8檢波電壓顯示：0.01-10V；2.9高頻電極采用銦與樣品接觸；2.10儀器測量重復(fù)誤差：﹤±25%；2.11顯示方式：本儀器配臵數(shù)字存儲示波器，模擬帶寬≥50MHz，最大實(shí)時(shí)采樣率≥1GSa/S，垂直靈敏度2mv-5v/div，掃描范圍：2.5ns—50s/div；2.12儀器消耗功率：﹤100W；2.13儀器工作條件：溫度：10-35℃，濕度﹤65%；使用電源：AC220V，50Hz；2.14可測單晶尺寸：斷面豎測：直徑25mm-150mm；厚度2mm-500mm；縱向臥測：直徑5mm-150mm；長度50mm-800mm。2變溫霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)1.系統(tǒng)主要配置：可換向永磁磁鐵、霍爾效應(yīng)測試儀、連接電纜（可單獨(dú)做恒流源、微伏表用（四位半））、液氮恒溫器、控溫儀、裝在恒溫器樣品臺上的標(biāo)準(zhǔn)霍爾傳感器、配置5*5mm碲化銦標(biāo)準(zhǔn)樣品、額外配有機(jī)械泵（用于液氮恒溫器抽真空）、液氮罐。2.磁場裝置：2.1磁場：>4500高斯；2.2定制可換向裝置。3.低溫裝置：3.1變溫范圍：80K-325K（連續(xù)變控溫）；3.2溫度穩(wěn)定性：±0.01K；3.3電學(xué)接頭：定制8芯快速插拔；3.4液氮保持時(shí)間：5h@80K,4.5h@100K,2.5h@200K；3.5內(nèi)部集成標(biāo)定的PT100溫度計(jì)和加熱器(50W)；3.6測溫誤差：＜0.1K；3.7測溫最小分辨率：0.01K；3.8恒溫器液氮容量：200毫升；3.9靜態(tài)液氮保持時(shí)間：4-6小時(shí)；3.10樣品的真空環(huán)境≤1Pa。4.控溫裝置:4.1PID型溫度控制，最大輸出功率50W；4.2測量分辨率為0.01K，測量速率達(dá)20次/秒；4.3可用于0.01K量級的溫度測控；4.4RS-232通訊接口；4.5可對顯示值進(jìn)行定點(diǎn)偏差和線性修正。5.測試系統(tǒng)主機(jī)：5.1樣品電流：10納安～199.99毫安；5.2測量電壓：1微伏～19.999伏。6.測試指標(biāo)參數(shù)：6.1樣品電阻范圍：1.00E-01~1.00E+07歐姆；6.2電阻率：4.53E-02~4.53+06歐姆厘米；6.3霍爾系數(shù)絕對值：2.22E+0.2~2.22E+10cm3.c-1；6.4載流子濃度：2.81E+8~2.8E+18cm3；6.5遷移率：1.00E+00~4.9E+03cm2.v-1.s-1。7.真空泵：7.1抽速4L/s，抽口KF25；7.2用于給液氮恒溫器抽真空；7.3配有用于抽真空的波紋管及卡箍等。3微納電子教學(xué)實(shí)驗(yàn)箱1.基于工業(yè)質(zhì)量數(shù)據(jù)及行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)定義，可快速將器件物理與真實(shí)的先進(jìn)半導(dǎo)體器件特性關(guān)聯(lián)。支持顯示器件的多種曲線類型。支持器件曲線的縮放和轉(zhuǎn)換坐標(biāo)。支持器件關(guān)鍵物理參數(shù)調(diào)節(jié)對曲線變化趨勢的影響；2.內(nèi)嵌器件仿真器，模擬真實(shí)器件測量，學(xué)習(xí)器件物理和環(huán)境因素的影響；3.支持選擇測量曲線類型:I-V和C-V；4.支持編寫測量腳本、改變器件參數(shù)、測量數(shù)據(jù)保存；5.支持的器件類型：FinFET；III-V；MOSFET；LDMOS；SOI；BJT；Diode；Resistor；Capacitor；Varactor；JFET；TFT；6.模擬的測試儀器：半導(dǎo)體參數(shù)分析儀，包含源測量單元（SMU）和電容電壓單元（CVU)；7.支持器件測量儀器端口相關(guān)線纜的實(shí)操連接；8.模擬的測試環(huán)境：測量溫度，測量時(shí)間（用于可靠性測試如HCI，NBTI等）及輻照劑量（用于模擬器件在空間應(yīng)用的相關(guān)特性）。4導(dǎo)電類型鑒別儀1.采用整流法(也稱三探針法)和溫差法(也稱冷熱探筆法來判斷單晶(或多晶)硅的導(dǎo)電類型(N型或P型)，用N型和P型顯示屏直接顯示單晶(或多晶)導(dǎo)電類型。2.可判斷硅材料的電阻率范圍：溫差法：10-4Ω·Cm～104Ω·Cm；整流法：10-2Ω·Cm～104Ω·Cm；3.硅單晶直徑及長度：不受限制；4.顯示方式：用N型和P型顯示屏直接顯示；5.探頭：整流法：采用三根探針，用高速鋼針；溫差法：采用冷熱兩根探筆，探筆材料為鎢棒，熱筆采用PTC發(fā)熱體加熱(冷筆保持室溫?zé)峁P被加熱到40-60℃)；6.電源及功耗：AC220V±10%，50Hz<30W；7.外型尺寸≥125mm(寬)*145mm(高)*245mm(深)。5激光單晶定向儀1.一體式氦氖激光器，功率≥2mW，光束直徑≥1mm，帶激光束水平調(diào)節(jié)功能；2.光學(xué)導(dǎo)軌≥750mm，分辨率≤1mm；3.光學(xué)滑塊3只，其中一只帶中心軸平移調(diào)節(jié)功能；4.衍射光屏1只；5.精密光學(xué)旋轉(zhuǎn)座，精度≤0.03mm，最小刻度≤10；6.待測樣品：100硅片，111硅片；7.偏角小于100時(shí)，定向精度≤0.50；8.硅單晶電阻應(yīng)變傳感器：受力量程不小于0～30g；9.光電倍增最大工作電壓≤950V，最大輸出電流≤50μA，光譜靈敏度范圍300nm～650nm，陰極受照光通量最小值2×10-10lm；10.單晶體：LiNbO3晶體，鍍銀電極晶體軸向：Z軸通光，X軸加電場；透光波段：370～5000nm；透射率：>95%(波長632.8nm時(shí))；晶體架三維可調(diào)。6四探針測試儀1.測量范圍：電阻率：10-5～105Ω.cm(可擴(kuò)展)；方塊電阻：10-4～106Ω/(可擴(kuò)展)；電導(dǎo)率：10-5～105s/cm；電阻：10-5～105Ω；2.可測晶片直徑≥140mmX150mm；3.恒流源：電流量程分為1μA、10μA、100μA、1mA、10mA、100mA六檔，各檔電流連續(xù)可調(diào)；4.數(shù)字電壓表：量程及表示形式000.00～199.99mV；分辨力：≤10μV；輸入阻抗＞1000MΩ；精度：±0.1%；顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示；極性、超量程自動顯示；5.四探針探頭基本指標(biāo)：間距：1±0.01mm；針間絕緣電阻：≥1000MΩ；機(jī)械游移率：≤0.3％；探針：碳化鎢或高速鋼≥Ф0.5mm；探針壓力：5～16牛頓(總力)；6.模擬電阻測量相對誤差：0.01Ω、0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω、1000Ω、10000Ω≤0.3％±1字；7.整機(jī)測量最大相對誤差：(用硅標(biāo)樣片:0.01-180Ω.cm測試)≤±5％；8.整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度：≤5％。7單波長激光橢偏儀1.膜層厚度精度：≤1nm；2.膜厚范圍：1nm～4000nm；3.折射率范圍：1.300～10.000；4.波長：632.8nm（He-Ne激光器）；5.入射角：40°～90°，誤差≤0.05°；6.偏振器步進(jìn)角：0°～360°，0.014°/步；7.樣品臺：光學(xué)中心高度80mm，可進(jìn)行三維調(diào)節(jié)；8.采集系統(tǒng)：光電倍增管，陰極靈敏度：74mA/W，陽極脈沖上升時(shí)間：≤2.2ns,電子渡越時(shí)間：22ns，240×160點(diǎn)陣液晶顯示器，AD采用輸入范圍0～2.5V，12位高速AD采樣，32位ARM內(nèi)核處理器，最高工作頻率72MHz；9.附帶樣品：單拋單面拋光雙面氧化硅片，尺寸4英寸，膜層SiO2；10.儀器通信接口：USB；11.含實(shí)驗(yàn)設(shè)備控制分析軟件，具有一鍵操作可完成樣品測量功能。8ALD-PECVD管式爐（核心產(chǎn)品）1.供氣系統(tǒng)：1.1通過6英寸PLC觸摸屏對ALD蒸汽脈沖時(shí)間、氣體流量等參數(shù)進(jìn)行設(shè)定控制；1.2可控制2個(gè)ALD閥門的脈沖時(shí)間以及循環(huán)次數(shù)（毫秒級）；

1.3可控制4路氣體流量（4路質(zhì)量流量計(jì)，準(zhǔn)確度:±1.5%FS線性:±1%F.S.重復(fù)精度:±0.2%F.S.）；1.4四通道質(zhì)子流量計(jì)控制系統(tǒng)可用于4路氣體的通入和混合；1.5流量范圍：1路:100SCCM、2路:200SCCM、1路:500SCCM；共4路質(zhì)量流量計(jì)；1.6控制系統(tǒng)抽真空，具有一鍵抽空和手動抽真空功能；1.7可顯示真空曲線和溫度曲線；2個(gè)ALD脈沖電磁閥（最小可在10ms完成閥門的開啟或關(guān)閉），工作壓力范圍：真空至145PSI；流量系數(shù)：CV0.27；閥門狀態(tài)：常閉；螺紋接口：內(nèi)螺紋VCR接頭。3.液體氣相發(fā)生器3.1連接到ALD進(jìn)氣閥；3.2通過蠕動泵實(shí)現(xiàn)液體的精密推送；3.3精密液體氣相發(fā)生器：流量范圍:0.007～7ml/minute（可調(diào)）；轉(zhuǎn)速：0.1～100rpm（可調(diào)）；3.4精密液體氣相發(fā)生器精度：流量范圍：0.7～7ml/min精度：±1%；流量范圍：0.14～0.35ml/min精度：±5%；流量范圍：0.007～0.07ml/min精度：±10%；3.5不銹鋼罐：安裝于殼體中和殼體外，工作溫度:50℃～450℃，二次加熱管工作溫度50℃～200℃，材質(zhì)316不銹鋼；3.630段程序化控溫，控溫精度±1℃；3.7精密液體氣相發(fā)生器罐體尺寸：大罐φ40×125mm，小罐φ18×100mm。4.雙溫區(qū)管式爐：4.1連續(xù)工作溫度：≤1100℃；4.2兩個(gè)溫區(qū)由兩個(gè)獨(dú)立的溫控系統(tǒng)來控制，采用智能溫度控制器30段程序控溫，控溫精度±1℃，移相觸發(fā)、可控硅控制；4.3每個(gè)加熱區(qū)長度：200mm，加熱區(qū)總長度：400mm；4.4如兩區(qū)域加熱至同一溫度時(shí)，恒溫區(qū)長度：200mm；4.5爐管尺寸：外徑Φ80mm；4.6輸入電壓：單相208-240VAC；4.7最大功率≥4KW。5.單溫區(qū)預(yù)熱爐：5.1最高工作溫度≥1200℃（短時(shí)間）；5.2連續(xù)工作溫度≤1100℃；5.3采用智能溫度控制器30段程序控溫，控溫精度±1℃，移相觸發(fā)、可控硅控制；5.4加熱區(qū)長度：400mm，恒溫區(qū)長度：140mm；5.5石英管尺寸：外徑80mm；5.6帶有一對已安裝截止閥的真空密封法蘭；5.7輸入電源:單相208-240VAC；5.8最大功率≥4KW。6.防腐型數(shù)顯真空計(jì)：測量范圍：3.8×10-5

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Torr；7.射頻等離子體源7.1耦合方式：外置多圈電感耦合，電感線圈水冷；7.2射頻電源：1）輸出功率區(qū)間0～600W，輸出頻率13.56MHz±0.005%；2）輸入頻率50～60Hz；最大輸出功率600W；最小輸出功率10W；諧波-45dBc；3）功率穩(wěn)定性：設(shè)定值的1%或額定功率的0.2%（兩者取較大值）；4）匹配器最大支持功率：1500W；匹配精度：最大功率值1%；匹配時(shí)間：＜2sec（預(yù)設(shè)時(shí)）。8工作壓強(qiáng)：10Pa～200Pa。9.真空系統(tǒng)：機(jī)械泵+擴(kuò)散泵（或渦旋泵）抽氣系統(tǒng)9.1基礎(chǔ)真空度：10-3Torr-10-6Torr；9.2反應(yīng)真空度：10-2Torr以下。9實(shí)驗(yàn)室超純水機(jī)1.系統(tǒng)采用一體式組合設(shè)計(jì)，即預(yù)處理、主機(jī)分離，RO反滲透、純化柱、拋光超純化柱等均內(nèi)置在機(jī)殼內(nèi)；2.產(chǎn)水量：80L/Hr；3.產(chǎn)水水質(zhì)：一機(jī)兩用設(shè)計(jì)，可同時(shí)制備取用超純水和純化水；4.智能真彩色大屏幕LCD液晶顯示器和多行顯示系統(tǒng)，能自動檢測修復(fù)主機(jī)微電腦控制系統(tǒng)的各項(xiàng)錯(cuò)誤程序，具備耗材失效自動告警并顯示提醒更換功能，可同時(shí)檢測和顯示水質(zhì)詳情；5.出水水質(zhì)符合實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格GB6682-2008純水標(biāo)準(zhǔn)；6.電導(dǎo)率≤10μS/cm@25℃；7.取水流速（L/min）：≥1；8.出水水質(zhì)優(yōu)于實(shí)驗(yàn)室用水規(guī)格GB6682-2008一級水標(biāo)準(zhǔn)；9.電阻率≥18.25MΩ.cm@25℃（電導(dǎo)率≤0.055μS/cm@25）；10.重金屬離子：<0.1PPb，其中金屬陽離子含量（單位PPb）：Fe(鐵)＜0.005Cu(銅)＜0.005Al(鋁)＜0.005Ni(鎳)＜0.005Zn(鋅)＜0.02Cr(鉻)＜0.005Na(鈉)＜0.01K(鉀)＜0.02，陰離子含量(單位PPb)：Cl(氯)＜0.01NO2(亞硝酸根)＜0.02NO3(硝酸根)＜0.02SO42(硫酸根)＜0.01；11.顆粒物（＞0.22μm）：＜1/ml；12.總有機(jī)碳TOC<10ppb；13.微生物＜1CFU/ml；14.吸光度(254nm,1cm光程)≤0.001；15.可溶性硅[以（SiO2）計(jì)]＜0.01mg/L；16.運(yùn)行方式：全自動運(yùn)行工作，流量，水質(zhì)自動顯示；17.運(yùn)行電壓：220V/50HZ；18.運(yùn)行功率≥200瓦；19.進(jìn)水壓力：0.1MPa-0.3MPa；20.出水壓力：0.3MPa-0.6MPa；21.內(nèi)置超純水循環(huán)程序和RO膜自動沖洗功能，延長RO使用壽命及開機(jī)快速達(dá)到18.25MΩ/cm@25℃；22.具備開機(jī)自檢、缺水保護(hù)告警、停電自動復(fù)位、純水桶滿水后自動停機(jī)、超低壓保護(hù)、RO自動沖洗功能；23.外觀尺寸≥530*550*1150mm。10光刻機(jī)1.設(shè)備主要由均勻照明曝光系統(tǒng)、對準(zhǔn)工件臺系統(tǒng)、電控系統(tǒng)、氣動控制系統(tǒng)及輔助配套設(shè)備構(gòu)成；2.曝光面積：≥165mm×165mm；3.曝光波長：365nm；4.分辨率：≤0.8mm；5.對準(zhǔn)精度：±1mm；6.對準(zhǔn)系統(tǒng)掃描臺運(yùn)動范圍至少滿足：Y：10mm；7.雙目雙視場對準(zhǔn)顯微鏡：既可通過目鏡目視對準(zhǔn)，也可通過CCD+顯示器對準(zhǔn)，光學(xué)合像，光學(xué)最大倍數(shù)400倍，光學(xué)+電子放大800倍，物鏡三對：4倍、10倍、20倍，目鏡三對：10倍、16倍、20倍；8.掩模尺寸2.5英寸，3英寸，4英寸，5英寸,7英寸；9.樣片尺寸：碎片，2英寸，3英寸，4英寸，6英寸；10.適應(yīng)樣品厚度：0.5-6mm，最大可支持20mm的樣片；11.曝光方式：定時(shí)（倒計(jì)時(shí)方式）；12.照明不均勻性：＜2.5%；13.掩模相對于樣片運(yùn)動行程至少滿足：X:±5mm；Y:±5mm；q:±6o；14.曝光能量密度：>30mW/cm；15.對準(zhǔn)位和曝光位雙工位工作，雙工位伺服電機(jī)自動切換；16.調(diào)平接觸壓力通過傳感器保證重復(fù)性；17.可數(shù)字設(shè)定對準(zhǔn)間隙和曝光間隙，0-500數(shù)值化可調(diào)；18.具備納米壓印接口，也具備接近式接口；19.觸摸屏操作；20.外形尺寸≥約1400mm（長）700mm(寬)1500mm（高）。11電子束測試儀1.用五只表頭分別顯示陽極電壓、聚焦電壓、電偏轉(zhuǎn)電壓、磁偏轉(zhuǎn)電流、螺線管勵磁電流；2.螺線管：線圈535匝，長度235mm，直徑92mm；3.陽極電壓：500～1080V，連續(xù)可調(diào)；4.電偏轉(zhuǎn)電壓：-45～+45V，連續(xù)可調(diào)；5.磁偏轉(zhuǎn)電流：0～250mA，連續(xù)可調(diào)，帶保護(hù)電路；6.螺線管勵磁電流：0～3.5A連續(xù)可調(diào)，帶短路保護(hù)；7.電子荷質(zhì)比測量誤差優(yōu)于5%。12環(huán)盤電極1.收集率≥37%；2.工作溫度：10-25℃；3.盤面積≥0.2475cm2；4.環(huán)面積≥0.1866cm2；5.盤電極外徑≥5.61mm；6.環(huán)外徑≥7.92mm；7.環(huán)內(nèi)徑≥6.25mm；8.盤材料：玻碳、鉑、金等；9.環(huán)材料：玻碳、鉑、金等。13鼓風(fēng)干燥箱1.方式：底風(fēng)道回旋送風(fēng)；2.使用溫度范圍：RT+10-300℃；3.溫度分辨率：0.1℃；4.溫度波動度≤±1℃；5.溫度分布精度≤±2.0%；6.內(nèi)裝：鏡面不銹鋼板；7.外裝：冷軋鋼板，表面耐藥品涂裝；8.斷熱材：硅酸鋁纖維；9.加熱器：鎳鉻合金加熱絲；10.額定功率≥3kw；11.排氣口：內(nèi)徑≥28mm*1，頂部；12.溫度控制方式：液晶雙列PID；13.溫度設(shè)定方式：輕觸四按鍵設(shè)定；14.溫度表示方式：測定溫度顯示：液晶上位顯示；設(shè)定溫度顯示；液晶下位顯示；15.定時(shí)器：0-9999分鐘（帶定時(shí)等待功能）；16.運(yùn)行功能：定值運(yùn)行、定時(shí)運(yùn)行、自動停止；17.程序模式：選配；18.附加功能：偏差修正、菜單按鍵鎖定、停電補(bǔ)償、停電記憶、過升防止器、定速風(fēng)機(jī)；19.傳感器：Pt100；20.安全裝置：過升防止器；21.附屬品：隔板：2件。14真空烘箱1.方式：獨(dú)立限溫器、2個(gè)隔板；2.使用溫度范圍：RT+10-250℃；3.使用真空度范圍：＜133PA；4.溫度分辨率≤0.1℃；5.溫度波動度≤±1℃；6.升溫時(shí)間：由室溫升至最高使用溫度≤40分鐘；7.隔板控溫均勻度≤±0.5℃；8.內(nèi)裝：不銹鋼；9.外裝：冷板噴涂；10.斷熱材：硅酸鋁纖維；11.加熱器：獨(dú)立式隔板加熱；12.觀察窗：防彈鋼化玻璃；13.真空表：指針式；14.額定功率≤1.4kw；15.溫度控制方式：5.0寸LCD觸摸屏多段PID全溫度段程序控溫；16.溫度設(shè)定方式：觸摸式；17.溫度表示方式：液晶顯示；18.定時(shí)器：定值運(yùn)行10000小時(shí)；程序運(yùn)行時(shí)99小時(shí)/步；19.運(yùn)行功能：定值運(yùn)行、定時(shí)運(yùn)行、自動停止，程序運(yùn)行；20.程序模式：30段，40步；21.附加功能：偏差修正、停電補(bǔ)償、實(shí)時(shí)曲線記錄；22.傳感器：Pt100；23.安全裝置：自診斷回路，溫度傳感器異常，獨(dú)立限溫器。15液體表面張力系數(shù)測定儀2.吊環(huán)：外徑≤φ3.5cm、內(nèi)徑≤φ3.3、高≤0.8cm的鋁合金吊環(huán)；3.玻璃器皿：直徑≤12.00cm；4.砝碼盤及0.5克砝碼7只；5.含力敏傳感器固定支架、升降臺、底板及水平調(diào)節(jié)裝置；6.儀器測量誤差：≤5%。16變溫粘滯系數(shù)測量實(shí)驗(yàn)儀≤≤≤17溫度傳感器溫度特性測量實(shí)驗(yàn)儀A，紋波Vp-p<1mV。18快速熱處理爐19勻膠機(jī)1.6寸以上工業(yè)全彩觸屏人機(jī)界面與高精度無刷電機(jī)；2.PP內(nèi)腔，PC透明蓋；3.數(shù)字化顯示真空吸附壓力； 4.可處理基片范圍：小于10mm碎片至6寸圓形底物（5寸方形底物）；5.標(biāo)配漏膠過濾裝置、漏膠檢修接口和防堵膠功能； 6.蓋子開關(guān)安全個(gè)防護(hù)功能； 7.標(biāo)配2/4/6寸手持對中器； 8.可升級帶光譜原位分析功能；9.可選配升級自動滴膠裝置； 10.配備拋棄式獨(dú)立內(nèi)襯實(shí)時(shí)更換，易清洗；11.轉(zhuǎn)速范圍100-12000rpm；12.轉(zhuǎn)速分辨率≤1rpm；13.加速度可調(diào)范圍：100-30000rpm/s；14.最大單步時(shí)長≥3000s；15.時(shí)間分辨率≤0.1s；16.配方功能：最大100組配方存貯；17.點(diǎn)膠端口：單路自動點(diǎn)膠端口；18.單步和多步旋涂功能：多步支持100步程序；19.標(biāo)配三種真空載物盤10mm、20mm、50mm；20.真空系統(tǒng)：實(shí)時(shí)顯示真空壓力值；21.電源輸入：寬電壓輸入220-240VAC；22.外形尺寸≥290mm(W)*370mm(D)*273mm(H)；23.氣泵參數(shù)≥220VAC/負(fù)壓范圍0~-80kPa；24.氣泵尺寸≥270mm(L)*110mm(W)*155mm(H)。20手套箱1.雙工位手套箱，箱體內(nèi)部尺寸：長度≥2440mm，深度≥750mm，高度≥900mm；箱體材料：304不銹鋼，厚度≥3mm；2.一臺大過渡艙位于箱體右側(cè)，可拆卸式，尺寸：內(nèi)徑≥360mm，長≥600mm；3.一臺小過渡艙位于箱體右側(cè)，可拆卸式，尺寸：內(nèi)徑≥150mm，長≥300mm；艙門鉸鏈以及門鎖須采用彈性結(jié)構(gòu)；4.玻璃視窗采用實(shí)芯O型密封圈法蘭視窗結(jié)構(gòu)，整體環(huán)狀O型密封圈嵌入整體環(huán)狀槽的真空密封方式，達(dá)到無泄漏；5.四只手套：丁基橡膠手套；6.過濾器：規(guī)格≤0.3微米，1個(gè)氣體入口和1個(gè)氣體出口；7.一套凈化系統(tǒng)：閥門控制，凈化材料可再生，且再生過程自動控制，自動除水除氧功能；8.氣體純度：水<1ppm，氧<1ppm；9.泄漏率：小于0.001vol%/h；10.一套PLC觸摸屏及程序控制系統(tǒng)；11.手套孔圈為鋁合金材質(zhì)；12.循環(huán)能力：集成風(fēng)機(jī)流量≥90m3/h，加裝變頻控制；13.氣體控制閥：不銹鋼電磁集成閥座；14.一套水分析儀,量程：0-500ppm，采用五氧化二磷原理傳感器，水探頭可以通過清洗再生程序恢復(fù)初始狀態(tài)；15.一套氧分析儀,量程：0-1000ppm，采用氧化鋯原理傳感器，可以暴露在高氧中；16.一套快換有機(jī)溶劑吸附裝置，填充≥10kg高效活性吸附材料，與主循環(huán)管道相聯(lián)，循環(huán)氣體可首先通過吸附器，主要吸附揮發(fā)出來的有機(jī)氣體；17.一臺控溫裝置，可對手套箱內(nèi)溫度調(diào)節(jié)設(shè)定（工作溫度17-36℃）；18.一臺真空泵：可手動或通過PLC啟動，流量≥12m3/h，可對過渡艙抽真空，并保持箱體壓力平衡，真空泵極限真空度≤2×10-1pa；19.箱體底部配有支架，旋轉(zhuǎn)腳輪，可微調(diào)水平，配有用于壓力調(diào)節(jié)的腳踏板。21溫度傳感器測試及半導(dǎo)體致冷控溫實(shí)驗(yàn)儀1.控溫范圍為0℃~室溫，一般在低于30℃室溫環(huán)境下才可以控溫到0℃，穩(wěn)定度±0.2℃；控溫穩(wěn)定時(shí)間與環(huán)境溫度有關(guān)，環(huán)境溫度越低，控溫速度越快；2.制冷電流：可調(diào)范圍0~3.8A，顯示分辨率0.01A；3.制冷開關(guān)：可開/關(guān)切換；4.控溫傳感器采用PT100；5.控溫爐采用半導(dǎo)體制冷片和風(fēng)管散熱器設(shè)計(jì)，可以同時(shí)放置6只直徑5mm待測溫度傳感器。22激光拉曼光譜儀1.含陷波濾波器，中心波長532nm，光譜范圍450nm~1200nm，平均透過率≥80%，半強(qiáng)寬度≤350cm^-1，有效通光口徑≥16mm；2.半導(dǎo)體激光器：輸出波長：532nm；輸出功率≥40mW；3.外光路系統(tǒng)：包括激光聚焦光學(xué)系統(tǒng)，拉曼信號收集光學(xué)系統(tǒng)，光路中可放置起偏器，檢偏器，波片，拉曼濾光片等光學(xué)元件；4.樣品架五維可調(diào)，垂直樣品架、水平液體樣品架、透明固體樣品架、斜入射固體樣品架、背散射樣品架；5.單光子計(jì)數(shù)系統(tǒng)：光子計(jì)數(shù)型光電倍增管，單光子信號甄