中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析

-1-中國存儲芯片行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析內(nèi)容概要：存儲芯片又稱為半導(dǎo)體存儲器，主要是指以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器，通常用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備。2022年全球存儲芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，我國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模較上年同期下降5.9%，達到5170億元，主要是受消費電子市場需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發(fā)以及國內(nèi)消費電子市場的快速發(fā)展，未來我國存儲芯片的市場規(guī)模將會逐漸增長，預(yù)計2023年我國存儲芯片市場規(guī)模將增長至5400億元。關(guān)鍵詞：存儲芯片、行業(yè)概述、產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局一、行業(yè)概述：國家積極出臺相關(guān)政策，推動存儲芯片行業(yè)發(fā)展存儲芯片又稱為半導(dǎo)體存儲器，主要是指以半導(dǎo)體電路作為存儲媒介的存儲器，通常用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設(shè)備，是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分。存儲芯片具有存儲速度快、體積小等特點，廣泛運用于U盤、內(nèi)存、消費電子、固態(tài)存儲硬盤、智能終端等領(lǐng)域。存儲芯片技術(shù)主要應(yīng)用于企業(yè)級存儲系統(tǒng)的應(yīng)用，為存儲協(xié)議、訪問性能、存儲介質(zhì)、管理平臺等多種應(yīng)用提供高質(zhì)量的支持。隨著數(shù)據(jù)的快速增長以及數(shù)據(jù)對業(yè)務(wù)的重要性日益提升，數(shù)據(jù)存儲市場正經(jīng)歷快速演變。存儲芯片分類較為廣泛，按照用途可將其分為主存儲芯片和輔助存儲芯片；按照斷電后數(shù)據(jù)是否丟失，可分為易失性存儲芯片和非易失性存儲芯片。比較存儲芯片三大產(chǎn)品可以看出，NANDFlash具有寫入速度快和價格較低等優(yōu)勢，目前的USB硬盤、手機儲存空間以及固態(tài)硬盤（SolidStateDrive，SSD）就是以NANDFlash為主流技術(shù)。盡管NORFlash具有讀取速度快，但寫入的速度慢、價格也比NANDFlash貴。DRAM具有存儲時間短、讀寫速度快等優(yōu)勢，但單位成本較高，主要用于手機內(nèi)存、服務(wù)器以及PC內(nèi)存等設(shè)備等。在1958年和1959年，美國的兩位科學(xué)家分別發(fā)明了第一塊鍺集成電路和硅集成電路，這一突破性技術(shù)有力地推動了電子器件的微型化，為芯片行業(yè)的全面到來奠定了堅實的基礎(chǔ)。自1960年以來，存儲行業(yè)開始逐漸嶄露頭角，按照產(chǎn)品周期，存儲行業(yè)可以被劃分為三個主要的階段。在第一個階段，也就是在1990年以前，DRAM成為存儲芯片市場上的主要產(chǎn)品，主導(dǎo)著整個市場的發(fā)展。第二個階段是從1990年至2000年。在這個階段中，NORFlash開始逐步占據(jù)一定比例的市場份額，成為存儲市場中的重要角色。第三個階段是2000年以后。在這個階段中，NANDFlash開始爆發(fā)式增長，成為存儲市場中的主導(dǎo)力量。到了2005年，NANDFlash總發(fā)售容量已經(jīng)超過了DRAM?？偟膩碚f，自20世紀50年代以來，隨著技術(shù)的不斷進步和市場需求的不斷變化，存儲行業(yè)經(jīng)歷了不同階段的發(fā)展，如今已成為信息技術(shù)領(lǐng)域中的重要支柱。近年來，國家大力支持存儲芯片行業(yè)的發(fā)展，并出臺相關(guān)政策。例如，2020年8月，國務(wù)院印發(fā)《新時期促進集成電路產(chǎn)業(yè)和軟件產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展若干政策的通知》，提出聚焦高端芯片、集成電路裝備和工藝技術(shù)、集成電路關(guān)鍵材料集成電路設(shè)計工具、基礎(chǔ)軟件、工業(yè)軟件、應(yīng)用軟件的關(guān)鍵核心技術(shù)研發(fā)，不斷探索構(gòu)建社會主義市場經(jīng)濟條件下關(guān)鍵核心技術(shù)攻關(guān)新型舉國體制。2023年6月，工信部等五部門印發(fā)《制造業(yè)可靠性提升實施意見》，提出要重點提升電子整機裝備用SoC/MCU/GPU等高端通用芯片、氮化鎵/碳化硅等寬禁帶半導(dǎo)體功率器件、精密光學(xué)元器件、光通信器件、新型敏感元件及傳感器、高適應(yīng)性傳感器模組、北斗芯片與器件、片式阻容感元件、高速連接器、高端射頻器件、高端機電元器件、LED芯片等電子元器件的可靠性水平。二、產(chǎn)業(yè)鏈：上游原材料供應(yīng)充足，為存儲芯片發(fā)展提供穩(wěn)定保障存儲芯片產(chǎn)業(yè)鏈上游主要是原材料和半導(dǎo)體設(shè)備，其中，原材料主要包括硅片、光刻膠、拋光材料、電子特種氣體等；半導(dǎo)體設(shè)備主要包括光刻機、刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、PVD、CVD等。產(chǎn)業(yè)鏈中游主要為存儲芯片制造及封裝，常見的存儲芯片包括NOR閃存芯片、NAND閃存芯片和DRAM等。產(chǎn)業(yè)鏈下游主要為存儲芯片應(yīng)用領(lǐng)域，主要包括消費電子、信息通信、汽車電子等。半導(dǎo)體硅片在存儲芯片中作為主體材料，主要是實現(xiàn)信號的處理、存儲和傳輸。近年來，隨著我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的迅速崛起，國內(nèi)半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模呈現(xiàn)快速增長的趨勢，據(jù)統(tǒng)計，2022年我國半導(dǎo)體硅片市場規(guī)模較上年同期增長16.07%，達到138.28億元。未來，隨著下游需求的增長以及技術(shù)的不斷突破，我國半導(dǎo)體硅片的市場規(guī)模將保持高速增長，預(yù)計2023年市場規(guī)模將增長至164.85億元。光刻膠又稱為“光致抗蝕劑”，其作用原理是在芯片加工過程中充當(dāng)抗腐蝕涂層，在存儲芯片中主要起到抗腐蝕保護作用。當(dāng)前，我國光刻膠產(chǎn)業(yè)鏈初見雛形，上游原材料、中游成品制造再到下游應(yīng)用均在逐步完善，加上下游需求增加的推動下，我國光刻膠市場規(guī)模持續(xù)增長。據(jù)統(tǒng)計，2022年我國光刻膠市場規(guī)模較上年同期增長5.68%，達到98.6億元，預(yù)計2023年我國光刻膠市場規(guī)模增長至109.2億元。濺射靶材在存儲芯片中主要用作金屬導(dǎo)線，將數(shù)以億計的微型晶體管相互連接，從而傳遞信號。濺射靶材下游應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，其中，信息存儲占比29%；半導(dǎo)體芯片占比10%。近年來，在技術(shù)創(chuàng)新的推動下，芯片等產(chǎn)業(yè)需求不斷釋放，推動我國濺射靶材行業(yè)市場規(guī)模不斷擴大，據(jù)統(tǒng)計，2022年我國濺射靶材市場規(guī)模較上年同期增長6.76%至395億元，預(yù)計2023年將增長至431億元。三、發(fā)展現(xiàn)狀：下游市場發(fā)展態(tài)勢良好，推動存儲芯片市場需求加快釋放存儲芯片作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)第二細分市場，其市場規(guī)模僅次于邏輯芯片，行業(yè)景氣度受供需關(guān)系影響較大，并呈現(xiàn)出較強的周期性。根據(jù)世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計組織（WSTS）的數(shù)據(jù)，2022年全球半導(dǎo)體市場規(guī)模較上年同期增長3.27%，達到5740.84億美元，創(chuàng)歷史新高。集成電路市場規(guī)模為4744.23億美元，占比為82.64%，其中，存儲芯片市場規(guī)模為1297.67億美元，占整個半導(dǎo)體行業(yè)的22.6%，從這一數(shù)據(jù)可以看出，存儲芯片在整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中貢獻的價值量較大。盡管整體上存儲芯片市場和半導(dǎo)體市場歷史周期走勢保持一致，但存儲芯片對于市場的周期變化反應(yīng)先于整體半導(dǎo)體市場，其波動性也大于整體半導(dǎo)體市場。2023年上半年，全球半導(dǎo)體下行周期持續(xù)，整體市場需求呈現(xiàn)疲軟態(tài)勢。然而，隨著物聯(lián)網(wǎng)、5G通信、汽車電子等下游領(lǐng)域的快速發(fā)展，存儲芯片市場需求仍在持續(xù)增長，從中長期來看，市場對存儲芯片的需求仍將保持增長態(tài)勢。WSTS數(shù)據(jù)統(tǒng)計，2022年全球存儲芯片市場規(guī)模較上年同期下降15.63%至1297.67億美元，其中，NANDFlash市場規(guī)模為601億美元；DRAM市場規(guī)模為791億美元，主要原因在于消費類終端出貨量有所下滑，22022年P(guān)C出貨量和智能手機出貨量分別下滑13%和9%。盡管消費類終端設(shè)備出貨量下降，導(dǎo)致全球存儲芯片市場規(guī)模有所下滑，但各類終端設(shè)備搭載存儲平均容量略有增長，2022年全球NANDFlash容量增長了6%，達到了6100億GB；全球DRAM容量增長2%，達1900億GB。消費電子市場對于存儲行業(yè)來說依舊是重要的增長市場之一，未來，隨著線上業(yè)務(wù)的不斷發(fā)展以及海量數(shù)據(jù)的持續(xù)增長，全球存儲芯片市場也將迎來新一輪的需求變化。WSTS預(yù)測，2023年全球存儲芯片市場將加速筑底，隨后將迎來上升周期，并預(yù)測2023年和2024年全球存儲芯片市場規(guī)模將分別為840.41億美元和1203.26億美元。DRAM、NANDFlash和NORFlash在不同的容量區(qū)間內(nèi)具有各自獨特的性能和成本優(yōu)勢，從而滿足了不同應(yīng)用領(lǐng)域的存儲需求。在全球范圍內(nèi)，DRAM和NANDFlash是存儲芯片市場的主要產(chǎn)品，其中DRAM占據(jù)了最大的市場份額，占比高達57%。與此同時，NANDFlash的市場份額也達到了40%。相比之下，NORFlash的市場份額相對較小，僅占1%。存儲芯片行業(yè)屬于技術(shù)密集型產(chǎn)業(yè)，對技術(shù)和研發(fā)要求較高。全球存儲芯片市場主要集中在韓國、日本和美國等國家，這些國家擁有先進的生產(chǎn)技術(shù)和研發(fā)能力，能夠生產(chǎn)出高性能、高可靠性的存儲芯片產(chǎn)品。由于我國存儲芯片行業(yè)起步較晚，缺乏技術(shù)積累和核心知識產(chǎn)權(quán)，國內(nèi)廠商在存儲芯片領(lǐng)域的發(fā)展相對較為滯后。然而，近年來，我國政府加大了對半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的支持力度，推動國內(nèi)存儲芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展。盡管目前存儲芯片產(chǎn)業(yè)整體發(fā)展與國外市場相比仍存在差距，但隨著國內(nèi)廠商技術(shù)的不斷突破，存儲芯片市場有望迎來發(fā)展黃金期。據(jù)統(tǒng)計，2018-2022年，我國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模整體呈現(xiàn)上漲趨勢，2019年受到全球存儲器行業(yè)的影響，市場規(guī)模有所下降。據(jù)統(tǒng)計，2022年我國存儲芯片行業(yè)市場規(guī)模較上年同期下降5.9%，達到5170億元，主要是受消費電子市場需求疲軟等因素的影響。隨著新一輪人工智能浪潮的爆發(fā)以及國內(nèi)消費電子市場的快速發(fā)展，未來我國存儲芯片的市場規(guī)模將會逐漸增長，預(yù)計2023年我國存儲芯片市場規(guī)模將增長至5400億元。存儲芯片是電子系統(tǒng)的基礎(chǔ)核心元件，其下游應(yīng)用非常廣泛，主要包括手機等消費電子以及汽車電子等。近年來，我國手機產(chǎn)量較為穩(wěn)定，總體保持在15億臺左右。據(jù)統(tǒng)計，2023年1-10月，我國手機產(chǎn)量較上年同期增長1.6%，達到12.48億臺，2023年1-9月，我國手機出貨量較上年同期增長2.2%，達到2億部，主要原因在于我國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)持續(xù)回升，投資穩(wěn)定增長。受到新能源汽車的影響，汽車電子化程度持續(xù)提升，汽車的智能化、電動化將推動汽車電子市場規(guī)模增長。據(jù)統(tǒng)計，2022年我國汽車電子市場規(guī)模較上年同期增長10%，達到9783億元，主要原因在于政策經(jīng)濟雙重推動，為行業(yè)持續(xù)發(fā)展提供了重要支撐，預(yù)計2023年我國汽車電子市場規(guī)模將增長至10973億元。總體來看，隨著存儲芯片下游領(lǐng)域的持續(xù)穩(wěn)健發(fā)展，將直接促進存儲芯片需求的增加，從而推動存儲芯片行業(yè)的發(fā)展。四、競爭格局：我國主要參與低端產(chǎn)品市場競爭，高端產(chǎn)品市場由國外廠商主導(dǎo)當(dāng)前，全球存儲芯片市場呈現(xiàn)高度集中的態(tài)勢，主要包括韓國的三星和SK海力士、美國的美光和西部數(shù)據(jù)等，而在中國，長江存儲和長鑫存儲也在不斷努力，分別在NANDFlash和DRAM市場中展現(xiàn)出強勁的競爭實力，并在某些領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)了重大突破，逐漸縮小了與國外原廠的差距。在全球NORFlash市場中，中國企業(yè)兆易創(chuàng)新以其卓越的技術(shù)實力和市場策略，成功占據(jù)前三的位置。值得注意的是，兆易創(chuàng)新集團旗下還包含長鑫存儲（CXMT），這意味著兆易創(chuàng)新集團同時握有中國NORFlash和DRAM的自主研發(fā)能力，推動了中國半導(dǎo)體存儲產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。從中國存儲芯片行業(yè)上市公司的業(yè)務(wù)來看，兆易創(chuàng)新以其卓越的領(lǐng)導(dǎo)地位和強大的技術(shù)實力，成為國內(nèi)行業(yè)的領(lǐng)頭羊。2023年上半年，兆易創(chuàng)新存儲芯片業(yè)務(wù)營收為2013億元，在存儲芯片領(lǐng)域?qū)嵙妱拧４送?，北京君正存儲芯片業(yè)務(wù)營收為15億元，毛利率為36.06%，其余企業(yè)營收規(guī)模較小，均在10億元以下。盡管這些企業(yè)在存儲芯片領(lǐng)域取得了顯著的業(yè)績，但與全球領(lǐng)先的存儲芯片制造商相比，中國存儲芯片企業(yè)競爭力仍顯不足。這主要是由于中國存儲芯片企業(yè)仍處于投產(chǎn)初期，產(chǎn)品線尚未完全成熟，技術(shù)積累和品牌影響力仍有待提升。在競爭情況方面，中國存