(高清版)GBT 39392-2020 家用電器專(zhuān)用智能功率模塊技術(shù)規(guī)范

ICS97.030Y60中華人民共和國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)家用電器專(zhuān)用智能功率模塊技術(shù)規(guī)范T國(guó)家市場(chǎng)監(jiān)督管理總局國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會(huì)ⅠGB／T39392—2020前言 2規(guī)范性引用文件 3術(shù)語(yǔ)和定義 4縮略語(yǔ) 6試驗(yàn)方法 7檢驗(yàn)規(guī)則 附錄A（資料性附錄）IPM測(cè)試工裝參考電路 附錄B（資料性附錄）IPM在家用和類(lèi)似用途電器中的典型應(yīng)用 參考文獻(xiàn) ⅢGB／T39392—2020本標(biāo)準(zhǔn)按照GB/T1.1—2009給出的規(guī)則起草。本標(biāo)準(zhǔn)由中國(guó)輕工業(yè)聯(lián)合會(huì)提出。本標(biāo)準(zhǔn)由全國(guó)家用電器標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC46)歸口。本標(biāo)準(zhǔn)起草單位：中國(guó)家用電器研究院、安徽中認(rèn)倍佳科技有限公司、安徽眾家云物聯(lián)網(wǎng)科技有限公司、廣東美的制冷設(shè)備有限公司、中家院（北京）檢測(cè)認(rèn)證有限公司、嘉興斯達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司、珠海格力電器股份有限公司、無(wú)錫芯朋微電子股份有限公司、廈門(mén)芯光潤(rùn)澤科技有限公司、無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司、青島海爾智能電子有限公司、工業(yè)和信息化部電子第五研究所、浙江盾安禾田金屬有限公司、國(guó)家電子元器件質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心（安徽）、國(guó)家智能家居質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)中心、清華大學(xué)、西安慶安制冷設(shè)備股份有限公司、青島海爾智能技術(shù)研發(fā)有限公司、杭州星帥爾電器股份有限公司、四川長(zhǎng)虹空調(diào)有限公司。劉志弘、李越峰。1GB／T39392—2020家用電器專(zhuān)用智能功率模塊技術(shù)規(guī)范本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了家用和類(lèi)似用途電器專(zhuān)用智能功率模塊的物理接口、功能、性能以及電磁兼容性、安全、可靠性等的技術(shù)要求與測(cè)試方法，并對(duì)智能功率模塊的檢驗(yàn)規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸和貯存等做出相關(guān)規(guī)定。本標(biāo)準(zhǔn)適用于家用和類(lèi)似用途電器的智能功率模塊。2規(guī)范性引用文件下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改單）適用于本文件。GB/TGB/TGB/T2421—2020環(huán)境試驗(yàn)概述和指南2423.1—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)2423.2—2008電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)GB/T環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Fc：振動(dòng)（正弦）GB/T電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Ka：鹽霧GB/T環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)N：溫度變化GB/T2423.50環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)Cy：恒定濕熱主要用于元件的加速試驗(yàn)GB/T2423.60電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗(yàn)第2部分：試驗(yàn)方法試驗(yàn)U：引出端及整體安裝件強(qiáng)度GB4343.1—2018家用電器、電動(dòng)工具和類(lèi)似器具的電磁兼容要求第1部分：發(fā)射GB/T4343.2—2009家用電器、電動(dòng)工具和類(lèi)似器具的電磁兼容要求第2部分：抗擾度GB4706.1—2005家用和類(lèi)似用途電器的安全第1部分：通用要求GB/T16935.1低壓系統(tǒng)內(nèi)設(shè)備的絕緣配合第1部分：原理、要求和試驗(yàn)GB/T29309—2012電工電子產(chǎn)品加速應(yīng)力試驗(yàn)規(guī)程高加速壽命試驗(yàn)導(dǎo)則GB/T29332—2012半導(dǎo)體器件分立器件第9部分：絕緣柵雙極晶體管(IGBT)IEC60749-5半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第5部分：穩(wěn)態(tài)溫濕度偏置壽命試驗(yàn)(Semi-biaslifetest)半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第23高溫工作壽命(IEC60749-26半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候測(cè)試方法第26部分：靜電放電(ESD)敏感性測(cè)試人IEC60749-27半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候測(cè)試方法第27部分：靜電放電(ESD)敏感性測(cè)試機(jī)器模型(2GBT39392—2020IEC60749-28半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候測(cè)試方法第28部分：靜電放電(ESD)敏感性測(cè)試帶器件級(jí)IEC60749-33:2004半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第33部分：加速耐濕無(wú)偏置高壓蒸sistance—Unbiasedautoclave)半導(dǎo)體器件機(jī)械和氣候試驗(yàn)方法第部分所有部分）電工產(chǎn)品中相關(guān)物質(zhì)的測(cè)定(3術(shù)語(yǔ)和定義GB4706.1—2005和GB/T29332—2012界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。絕緣柵雙極型晶體管雙極型三極管和MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。智能功率模塊由高壓功率開(kāi)關(guān)器件（以IGBT為主）、高壓柵極驅(qū)動(dòng)電路(HVIC)、無(wú)源器件，以及過(guò)流、過(guò)壓、過(guò)溫等多種保護(hù)電路構(gòu)成單一封裝的混合集成功率開(kāi)關(guān)模塊。開(kāi)通延遲時(shí)間高壓IGBT開(kāi)通時(shí)，從柵極電壓正偏壓的10%開(kāi)始到集電極電流上升至最終值的10%為止的時(shí)間。關(guān)斷延遲時(shí)間高壓IGBT關(guān)斷時(shí)，從柵極電壓下降至其開(kāi)通值的90%開(kāi)始到集電極電流下降到開(kāi)通值的90%為止的時(shí)間。電氣間隙二個(gè)導(dǎo)電部件之間或一個(gè)導(dǎo)電部件與一個(gè)絕緣材料表面的金屬箔之間，穿過(guò)空氣的最短距離。爬電距離在二個(gè)導(dǎo)電部件之間或一個(gè)導(dǎo)電部件與易觸及的絕緣材料表面的金屬箔之間，沿著絕緣材料表面的最短距離?？斩绰士斩凑糏PM正投影面積的百分比。3GB／T39392—20204縮略語(yǔ)下列縮略語(yǔ)適用于本文件。帶電器件模型(人體模型(絕緣柵雙極型晶體管(智能功率模塊(機(jī)器模型(印刷電路板(標(biāo)志應(yīng)完整、準(zhǔn)確、清晰、耐久；表面無(wú)機(jī)械損傷；引腳無(wú)氧化、無(wú)銹跡、無(wú)污物、無(wú)變形、無(wú)封表面的器件型號(hào)、生產(chǎn)批次、廠商（產(chǎn)地）等標(biāo)識(shí)的印刷應(yīng)自然且塑封表面不得有磨痕。5.2外形尺寸按6.3進(jìn)行試驗(yàn)，產(chǎn)品規(guī)格書(shū)需注明IPM安裝孔、引腳、幾何尺寸和封裝尺寸、散熱面平整度，IPM實(shí)物應(yīng)符合規(guī)格書(shū)的規(guī)定值。IPM安裝孔孔徑、散熱面平整度與電流等級(jí)的對(duì)應(yīng)關(guān)系見(jiàn)表1。表1IPM安裝孔孔徑、散熱面平整度要求電流等級(jí)A安裝孔孔徑散熱面平整度2~2.532≤0.110~1532≤0.120~2532≤0.130~3532≤0.150~6045≤0.1按6.4.2進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.3進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。4GB／T39392—2020按6.4.4進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.5進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。5.3.5電源欠壓保護(hù)動(dòng)作電壓按6.4.6進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。5.3.6過(guò)電流保護(hù)動(dòng)作電壓按6.4.7進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。5.3.7溫度輸出及過(guò)溫保護(hù)按6.4.8進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.9進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。5.3.9錯(cuò)誤訊號(hào)輸出脈寬寬度按6.4.10進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.11進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.12進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.13進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.14進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。按6.4.15進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。功耗按6.4.16進(jìn)行試驗(yàn)，應(yīng)符合IPM規(guī)格書(shū)最大值、最小值、標(biāo)準(zhǔn)值及其測(cè)試條件的要求。5.4絕緣強(qiáng)度按6.5.1進(jìn)行試驗(yàn)，IPM應(yīng)無(wú)擊穿、閃絡(luò)現(xiàn)象，引腳功能、電性能無(wú)異常。5GB／T39392—2020按6.5.2進(jìn)行試驗(yàn)，IPM的結(jié)構(gòu)應(yīng)使電氣間隙足夠承受器具可能經(jīng)受的電氣應(yīng)力，考慮到表2中過(guò)電壓類(lèi)別的額定脈沖電壓，電氣間隙不應(yīng)小于表3中的規(guī)定值。其他條件見(jiàn)GB4706.1—2005中第29章的相關(guān)規(guī)定。表2額定脈沖電壓額定電壓V額定脈沖電壓V過(guò)電壓類(lèi)別Ⅰ過(guò)電壓類(lèi)別Ⅱ過(guò)電壓類(lèi)別Ⅲ≤50且且注1：對(duì)于多相器具，以相線對(duì)中性線或相線對(duì)地線的電壓作為額定電壓。注2：這些值是基于器具不會(huì)產(chǎn)生高于所規(guī)定的過(guò)電壓的假設(shè)。如果產(chǎn)生更高的過(guò)電壓，電氣間隙宜相應(yīng)增加。表3最小電氣間隙額定脈沖電壓V最小電氣間隙a53055800a規(guī)定值僅適用于空氣中電氣間隙。b出于實(shí)際操作的情況，不采用GB/T16935.1中規(guī)定的更小電氣間隙，例如批量產(chǎn)品的公差。按6.5.3進(jìn)行試驗(yàn)，基本絕緣的爬電距離不應(yīng)小于表4中的規(guī)定值。GB／T39392—2020表4基本絕緣的最小爬電距離工作電壓V爬電距離污染等級(jí)1污染等級(jí)2污染等級(jí)3材料組材料組ⅠⅡIⅡ≤50且且且且且且且且且且且且且且且且且000112345700122346801123457925254050638005000000000593250638005000000000072136567190000000000000244063800500000000000注1：繞組漆包線認(rèn)為是裸露導(dǎo)線，但考慮到GB4706.1—2005中29.1.1的要求，爬電距離不必大于表3規(guī)定的相應(yīng)的電氣間隙。注2：對(duì)于不會(huì)發(fā)生漏電起痕的玻璃、陶瓷和其他無(wú)機(jī)絕緣材料，爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙。注3：除了隔離變壓器的次級(jí)電路，工作電壓不認(rèn)為小于器具的額定電壓。a如果工作電壓不超過(guò)50V,允許使用材料組Ⅲb。附加絕緣的爬電距離至少為基本絕緣規(guī)定值。加強(qiáng)絕緣的爬電距離至少為基本絕緣規(guī)定值的兩倍。功能性絕緣的爬電距離不應(yīng)小于表5規(guī)定值。67GB／T39392—2020表5功能性絕緣的最小爬電距離工作電壓V爬電距離污染等級(jí)1污染等級(jí)2污染等級(jí)3材料組材料組ⅠⅡIⅡ≤50且且且b且且且且且且且且且且且且且且000012345700123468022457914203240638005000000000482540508005000000000062028455690000000000000223250630500000000000注1：對(duì)于工作電壓小于250V且污染等級(jí)1和污染等級(jí)2的PTC電熱元件，PTC材料表面上爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙，但其端子間的爬電距離按本表規(guī)定。注2：對(duì)于不會(huì)發(fā)生漏電起痕的玻璃，陶瓷和其他無(wú)機(jī)絕緣材料，爬電距離不必大于相應(yīng)的電氣間隙。a如果工作電壓不超過(guò)50V,允許使用材料組Ⅲb。b額定電壓為380V~415V的器具，其相線間工作電壓為＞250V且≤400V。以上限值適用于海拔高度2000m及以下區(qū)域。此范圍不滿足時(shí)，見(jiàn)GB4706.1—2005中第29章的相關(guān)規(guī)定。5.5靜電放電5.5.1HBM靜電放電模式按進(jìn)行試驗(yàn)8GB／T39392—20205.5.2MM靜電放電模式按6.6.2進(jìn)行試驗(yàn)，MM靜電放電模式≥200V。5.5.3CDM靜電放電模式按6.6.3進(jìn)行試驗(yàn)，CDM靜電放電模式≥300V。5.6應(yīng)用IPM的電子線路板電磁兼容5.6.2斷續(xù)騷擾電壓5.6.3連續(xù)騷擾功率5.6.5靜電放電抗擾度性能判據(jù)B。5.6.6電快速瞬變脈沖群抗擾度性能判據(jù)B。5.6.7射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度按6.7.7進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)電平應(yīng)符合GB/T4343.2—2009中5.3和5.4的要求，試驗(yàn)結(jié)果應(yīng)滿足性能判據(jù)B。5.6.9電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度性能判據(jù)C。5.6.10電磁兼容抗擾度性能判據(jù)9GB／T39392—2020性能判據(jù)A：在試驗(yàn)過(guò)程中IPM應(yīng)按預(yù)期連續(xù)運(yùn)行。當(dāng)IPM按預(yù)期使用時(shí)，其性能降低或動(dòng)能喪失不準(zhǔn)許低于制造商規(guī)定的性能水平或可容許的性能喪失。如果制造商未規(guī)定最低的性能水平或可容許的性能喪失，則可從產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、文件及用戶(hù)按預(yù)期使用時(shí)對(duì)IPM的合理期望中推斷。性能判據(jù)B：試驗(yàn)后IPM應(yīng)按預(yù)期繼續(xù)運(yùn)行。當(dāng)IPM按預(yù)期使用時(shí)，其性能降低或功能喪失不準(zhǔn)許低于制造商規(guī)定的性能水平或可容許的性能喪失。在試驗(yàn)過(guò)程中，性能下降是允許的，但不準(zhǔn)許實(shí)際運(yùn)行狀態(tài)或存貯數(shù)據(jù)有所改變。如果制造商未規(guī)定最低的性能水平或可容許的性能喪失，則可從產(chǎn)品規(guī)格書(shū)、文件及用戶(hù)按預(yù)期使用時(shí)對(duì)IPM的合理期望中推斷。性能判據(jù)C：允許出現(xiàn)暫時(shí)的功能喪失，只要這種功能可自行恢復(fù)，或者是通過(guò)操作控制器或按使用規(guī)格書(shū)規(guī)定進(jìn)行操作來(lái)恢復(fù)。5.7焊接分層檢測(cè)按6.8.1進(jìn)行試驗(yàn)，試驗(yàn)樣品引腳浸入部分應(yīng)上錫明亮光滑，只允許有少量分散的如針孔不浸潤(rùn)或弱浸潤(rùn)之類(lèi)的缺陷，且這些缺陷不出現(xiàn)在同一位置。按6.8.2進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后恢復(fù)1h,外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試應(yīng)符合5.3的要求。5.8封裝缺陷檢測(cè)按6.9.1進(jìn)行試驗(yàn)，觀察不同位置焊接狀況，試驗(yàn)樣品的散熱片、貼片元器件、驅(qū)動(dòng)IC、引腳、IGBT、FRD（快恢復(fù)二極管）的焊接空洞率要求見(jiàn)表6,必要時(shí)用軟件計(jì)算。表6焊接空洞率要求表空洞率單個(gè)芯片所有空洞面積≤20%空洞率單個(gè)芯片所有空洞面積≤20%≤10%≤10%≤15%總和占芯片面積/%≤10%單個(gè)芯片最大空洞面積占芯片面積/%≤10%≤10%≤10%≤5%≤10%散熱片HVIC引腳IGBT芯片F(xiàn)RD芯片注：緊密相鄰的多個(gè)空洞面積按單個(gè)空洞面積計(jì)算。a)聚焦在IGBT/FRD芯片表面，芯片表面不能有分層現(xiàn)象，芯片位置不能有空洞；b)聚焦在散熱片表面，散熱片表面不能有分層現(xiàn)象；c)聚焦在驅(qū)動(dòng)IC表面，驅(qū)動(dòng)IC表面不能有分層現(xiàn)象，芯片位置不能有空洞；d)聚焦在內(nèi)引腳表面，內(nèi)引腳表面不能有分層現(xiàn)象；e)聚焦在鋁基板功能面，鋁基板功能面不能有分層現(xiàn)象，鍵合線位置不能有空洞；f)聚焦在鋁基板背面表面，分層面積不大于2.5%/孔；g)其他位置的空洞面積不大于2.5%。GB／T39392—20205.9環(huán)境耐久性試驗(yàn)按6.10.1進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。按6.10.2進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。5.9.3高溫高濕存儲(chǔ)按6.10.3進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。按6.10.4進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。按6.10.5進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。a)試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后目視檢查，其引腳腐蝕面積不超過(guò)3%;b)試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。5.9.7振動(dòng)和溫度綜合試驗(yàn)a)試驗(yàn)樣品在低溫步進(jìn)中，低溫工作極限能達(dá)到產(chǎn)品規(guī)格書(shū)要求；b)試驗(yàn)樣品在高溫步進(jìn)中，高溫工作極限能達(dá)到產(chǎn)品規(guī)格書(shū)要求；c)試驗(yàn)樣品在快速溫度變化中，不應(yīng)出現(xiàn)故障；d)試驗(yàn)樣品在振動(dòng)步進(jìn)中，不應(yīng)出現(xiàn)故障，振動(dòng)的方均根加速度（見(jiàn)GB/T29309—2012中3.5)e)試驗(yàn)樣品在綜合應(yīng)力試驗(yàn)中，不應(yīng)出現(xiàn)故障。按6.10.8進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。5.9.9高溫高濕偏壓按6.10.9進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。GB／T39392—2020按6.10.10進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。按6.10.11進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。5.9.12典型應(yīng)用場(chǎng)景耐久性按6.10.12進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)過(guò)程中，試驗(yàn)樣品不應(yīng)損壞，試驗(yàn)樣品所在測(cè)試樣機(jī)不應(yīng)發(fā)生故障。若出現(xiàn)故障的原因與試驗(yàn)樣品無(wú)關(guān)，可再更換相關(guān)零件后繼續(xù)進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后，外觀應(yīng)無(wú)損傷，電性能測(cè)試結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在20%內(nèi)。5.10機(jī)械強(qiáng)度試驗(yàn)按6.11.1進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀完好無(wú)損傷，氣密性良好（對(duì)空腔器件電性能測(cè)試結(jié)果符合5.3規(guī)定的額定值。按6.11.2進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，放大3倍~10倍進(jìn)行檢查，試驗(yàn)樣品引腳無(wú)斷裂（密封彎月面處除外）、松動(dòng)，引腳和本體不發(fā)生移位，結(jié)構(gòu)尺寸、電性能無(wú)異常。由于引腳已變形，不能用專(zhuān)用夾具測(cè)試全面電參數(shù)，可采用手動(dòng)測(cè)試局部電參數(shù)功能，試驗(yàn)結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。注：該試驗(yàn)針對(duì)通孔插裝元器件進(jìn)行。按6.11.3進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品引腳無(wú)斷裂、引腳和本體無(wú)松動(dòng)或脫落，結(jié)構(gòu)尺寸、電性能無(wú)異常。由于引腳已變形，不能用專(zhuān)用夾具測(cè)試全面電參數(shù)，可采用手動(dòng)測(cè)試局部電參數(shù)功能，試驗(yàn)結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。注：該試驗(yàn)針對(duì)通孔插裝元器件進(jìn)行。按6.11.4進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀無(wú)損傷，試驗(yàn)結(jié)果與試驗(yàn)前初始值偏差在10%內(nèi)。注：該試驗(yàn)針對(duì)表面貼裝元器件。按6.11.5進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品外觀無(wú)損傷，引出端焊盤(pán)應(yīng)固定于試驗(yàn)樣品上。注：該試驗(yàn)針對(duì)表面貼裝元器件。GB／T39392—2020按6.11.7進(jìn)行試驗(yàn)。試驗(yàn)后，試驗(yàn)樣品塑封料無(wú)破損，引腳無(wú)斷裂，引腳和本體無(wú)松動(dòng)或脫落，結(jié)構(gòu)尺寸、電性能無(wú)異常。構(gòu)成IPM的各均質(zhì)材料中，鉛、汞、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯、多溴二苯醚、鄰苯二甲酸(2-乙基己基）酯、鄰苯二甲酸甲苯基丁酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二異丁酯的含量不得超過(guò)0.1%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)鎘的含量不得超過(guò)0.01%（質(zhì)量分?jǐn)?shù)）。6試驗(yàn)方法除非另有規(guī)定，所有試驗(yàn)都應(yīng)在GB/T2421—2020中表2規(guī)定的測(cè)量和試驗(yàn)用標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下進(jìn)行。6.2外觀質(zhì)量目檢試驗(yàn)樣品外觀，用不大于20倍放大倍數(shù)的顯微鏡觀察，觀察部位包括IPM的正面、反面、引腳。用脫脂棉浸漬清潔溶液(55℃±5℃的蒸餾水或去離子水）拭擦標(biāo)志，拭擦10s。6.3外形尺寸用游標(biāo)卡尺等工具測(cè)試。以下電性能參數(shù)測(cè)試條件參見(jiàn)附錄A提供的參考電路。根據(jù)規(guī)格書(shū)設(shè)定試驗(yàn)樣品的母線電壓／控制電壓，上管與下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)設(shè)為特定的PWM的切換頻率，對(duì)試驗(yàn)樣品的輸出準(zhǔn)位進(jìn)行量測(cè)，確認(rèn)其工作狀態(tài)與輸入的邏輯是否對(duì)應(yīng)。6.4.5PWM載波頻率對(duì)試驗(yàn)樣品輸入規(guī)格書(shū)中給定的載波頻率，檢測(cè)試驗(yàn)樣品能否正常工作。6.4.6電源欠壓保護(hù)動(dòng)作電壓給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,同時(shí)設(shè)定特定管驅(qū)動(dòng)信號(hào)為給定的PWM的切換頻率，然后按步GB／T39392—2020長(zhǎng)0.1V逐漸降低操作電壓，觀察對(duì)應(yīng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的輸出，當(dāng)輸出不出現(xiàn)脈沖波形時(shí)，記錄此時(shí)的電壓，即欠壓保護(hù)動(dòng)作電壓。6.4.7過(guò)電流保護(hù)動(dòng)作電壓給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,依據(jù)規(guī)格書(shū)的要求，對(duì)試驗(yàn)樣品過(guò)電流保護(hù)的功能腳給一個(gè)由0V上升的鋸齒波，步長(zhǎng)為0.05V。后對(duì)功能測(cè)量，當(dāng)故障信號(hào)端的信號(hào)由高跳低時(shí)的電壓即為過(guò)流保護(hù)動(dòng)作電壓。6.4.8溫度輸出及過(guò)溫保護(hù)給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,穩(wěn)定后，根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景選取常用的溫度點(diǎn)驗(yàn)證規(guī)格書(shū)中的溫度輸出功能。將試驗(yàn)樣品放置到規(guī)定的過(guò)溫保護(hù)上限值環(huán)境中，穩(wěn)定一段時(shí)間后，對(duì)功能測(cè)量。當(dāng)產(chǎn)生故障信號(hào)后，降溫到過(guò)溫保護(hù)下限值，測(cè)量輸出是否恢復(fù)正常。給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,依據(jù)規(guī)格書(shū)的要求，對(duì)試驗(yàn)樣品的過(guò)電流保護(hù)的功能腳給一個(gè)規(guī)定的錯(cuò)誤信號(hào)供電電壓。后對(duì)功能測(cè)量輸出是否符合要求。6.4.10錯(cuò)誤訊號(hào)輸出脈寬寬度給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,依據(jù)規(guī)格書(shū)的要求，對(duì)試驗(yàn)樣品的過(guò)電流保護(hù)的功能腳給一個(gè)超過(guò)保護(hù)動(dòng)作的電壓準(zhǔn)位。后對(duì)功能測(cè)量，當(dāng)故障信號(hào)端的信號(hào)由高跳低時(shí)的維持時(shí)間即為錯(cuò)誤訊號(hào)輸出脈寬寬度。給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,同時(shí)設(shè)定上管與下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平0V,對(duì)試驗(yàn)樣品內(nèi)的每個(gè)功率開(kāi)關(guān)進(jìn)行測(cè)試，測(cè)試方法同GB/T29332—2012中6.3.4的要求。給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,同時(shí)設(shè)定上管與下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)為低電平0V與高電平5V,對(duì)試驗(yàn)樣品內(nèi)的每個(gè)驅(qū)動(dòng)管腳在高低電平時(shí)的輸入電流進(jìn)行量測(cè)。給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,同時(shí)設(shè)定上管與下管驅(qū)動(dòng)信號(hào)低電平0V,對(duì)試驗(yàn)樣品的輸出電流進(jìn)行量測(cè)。試驗(yàn)樣品的動(dòng)態(tài)設(shè)置測(cè)試方法同GB/T29332—2012中6.3.11。但因?yàn)闊o(wú)法對(duì)內(nèi)部的IGBT的驅(qū)動(dòng)電壓進(jìn)行量測(cè)，所以與功率器件定義不同。定義如圖1所示。GB／T39392—2020說(shuō)明：Ton—開(kāi)通時(shí)間；Toff—關(guān)斷時(shí)間；Tr—上升時(shí)間；Tf—下降時(shí)間；?開(kāi)通延遲時(shí)間；?關(guān)斷延遲時(shí)間；Trr—恢復(fù)時(shí)間。圖1延遲時(shí)間電流、電壓波形圖給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,將試驗(yàn)樣品的輸入端視為閘級(jí)端，設(shè)置同GB/T29332—2012中6.3.11,定義參照?qǐng)D1的說(shuō)明。給定試驗(yàn)樣品的操作電壓15V,將試驗(yàn)樣品的輸入端視為閘級(jí)端，設(shè)置同GB/T29332—2012中6.3.12,定義參照?qǐng)D1的說(shuō)明。ttf)時(shí)間段的IC和VCE進(jìn)行積分運(yùn)算，PVCEdt，便可得出單次開(kāi)通或關(guān)斷的能量損耗，即EON測(cè)試條件I感性負(fù)載。注：當(dāng)VIN從0V升到5V過(guò)程中，IPM開(kāi)通；當(dāng)VIN從5V降至0V過(guò)程中，IPM關(guān)斷。波形圖定義如圖2所示。說(shuō)明：—開(kāi)通延遲時(shí)間；—關(guān)斷延遲時(shí)間。圖2IPM開(kāi)關(guān)波形圖GB／T39392—20206.5絕緣強(qiáng)度在試驗(yàn)樣品帶電部件與散熱基片間加載1800VAC,50Hz或60Hz的耐壓試驗(yàn)1min,漏電流不超過(guò)1mA。電氣間隙的測(cè)量方法按GB/T16935.1規(guī)定進(jìn)行。爬電距離的測(cè)量方法按GB/T16935.1規(guī)定進(jìn)行。6.6靜電放電敏感度測(cè)試6.6.1HBM靜電放電模式按IEC60749-26開(kāi)展HBM靜電放電模式測(cè)試。靜電放電電阻：1.5kΩ,靜電放電電容：100pF,放電次數(shù)3次，時(shí)間間隔：1s。典型測(cè)試原理圖如圖3HBM靜電放電模式典型測(cè)試原理圖6.6.2MM靜電放電模式按IEC60749-27開(kāi)展MM靜電放電模式測(cè)試。靜電放電電阻：0Ω,靜電放電電容：200pF,放電次數(shù)3次，時(shí)間間隔：1s。典型測(cè)試原理圖如圖4所示。圖4MM靜電放電模式典型測(cè)試原理圖GB／T39392—20206.6.3CDM靜電放電模式按IEC60749-28開(kāi)展CDM靜電放電模式測(cè)試。試驗(yàn)前，使用離子風(fēng)扇或其他方法處理以確保試驗(yàn)樣品不帶電。試驗(yàn)時(shí)，試驗(yàn)樣品引腳向上放置于鋪有絕緣層（如，塑料層）的金屬帶電電極上，對(duì)金屬帶電電極通以500V高電壓電源進(jìn)行充電1s,充電完成使用探針對(duì)試驗(yàn)樣品引腳接地放電。典型測(cè)試原理圖如圖5所示。圖5CDM靜電放電模式測(cè)試原理圖6.7應(yīng)用IPM的電子線路板電磁兼容試驗(yàn)方法按GB4343.1—2018中第5章和第7章的方法進(jìn)行試驗(yàn)。6.7.3連續(xù)騷擾功率按GB4343.1—2018中第6章和第7章內(nèi)容的方法進(jìn)行試驗(yàn)。按GB4343.1—2018中第7章和第9章的方法進(jìn)行試驗(yàn)。6.7.5靜電放電抗擾度按GB/T4343.2—2009中5.16.7.6電快速瞬變脈沖群抗擾度按GB/T4343.2—2009中5.2的方法進(jìn)行試驗(yàn)。6.7.7射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度按GB/T4343.2—2009中5.6的方法進(jìn)行試驗(yàn)。GB／T39392—20206.7.9電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度按GB/T4343.2—2009中5.7的方法進(jìn)行試6.8焊接分層檢測(cè)將試驗(yàn)樣品引腳浸過(guò)助焊劑后，沿軸線方向浸入240℃~245℃、Sn96.5-Ag3-Cu0.5的熔融焊錫槽中2s~3s,樣品本體距熔融焊料1.6mm,取出后用3倍~10倍放大鏡觀察。將試驗(yàn)樣品引腳浸過(guò)助焊劑后，沿軸線方向浸入(260±5)℃的Sn96.5-Ag3-Cu0.5熔融焊錫槽中本體距熔融焊料6.9封裝缺陷檢測(cè)用X-Ray檢測(cè)試驗(yàn)樣品的貼片元器件、IC、引腳、IGBT、FRD等的焊接空洞率。在進(jìn)行空洞率準(zhǔn)確測(cè)量時(shí)，盡量調(diào)整到較高放大倍數(shù)測(cè)量。測(cè)量時(shí)要求所選取邊框與試驗(yàn)樣品外形盡量一致。用超聲波掃描檢測(cè)試驗(yàn)樣品的分層情況，分別在每一個(gè)模具位置抽1個(gè)模塊進(jìn)行聲掃。6.10環(huán)境耐久性試驗(yàn)按將試驗(yàn)樣品放在(的高溫環(huán)境下放置試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后在常態(tài)下恢復(fù)2h,進(jìn)行電性能檢測(cè)。測(cè)試應(yīng)在測(cè)試條件除去后的96h內(nèi)完成。按將試驗(yàn)樣品放在(的低溫環(huán)境下放置試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后在常態(tài)下恢復(fù)2h,進(jìn)行電性能檢測(cè)。測(cè)試應(yīng)在測(cè)試條件除去后的96h內(nèi)完成。按GB/T2423.50開(kāi)展測(cè)試。將試驗(yàn)樣品放在溫度為85℃,相對(duì)濕度為85%的環(huán)境下，累計(jì)放置168h后，取出充分除去表面水滴，試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h,進(jìn)行電性能檢測(cè)。按中第章溫度范圍以沖擊箱的極限能力為準(zhǔn)高、低溫各保持30min,做200個(gè)周期，試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h,進(jìn)行電性能檢測(cè)。按IEC60749-33:2004進(jìn)行測(cè)試。GB／T39392—2020溫度(121±2)℃,氣壓202kPa(2ATM),相對(duì)濕度100%的環(huán)境下，當(dāng)溫濕度升到設(shè)定值開(kāi)始計(jì)時(shí)，當(dāng)結(jié)束測(cè)試溫濕度開(kāi)始下降時(shí)停止計(jì)時(shí)，累計(jì)放置48+h,試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h~48h以?xún)?nèi)，進(jìn)行電性能檢測(cè)。試驗(yàn)采用電阻率大于1MΩ·cm的蒸餾水或去離子水，試驗(yàn)完畢后，蒸煮儀內(nèi)腔應(yīng)無(wú)銹跡、水垢、污漬。按開(kāi)展測(cè)試溶液·h),Ta=(35±2)℃,試驗(yàn)48h后，用純凈水沖洗干凈，自然晾干2h~3h,進(jìn)行電性能檢測(cè)。6.10.7振動(dòng)和溫度綜合試驗(yàn)按GB/T29309—2012開(kāi)展測(cè)試。試驗(yàn)中，試驗(yàn)樣品按照產(chǎn)品規(guī)格書(shū)中的典型工作值進(jìn)行加載，工作模式可由供需雙方進(jìn)行協(xié)商。按進(jìn)行測(cè)試。控制電路加額定電源，IPM內(nèi)部的IGBT的C-E極上加電壓VCE=最大額定電壓×0.8,使VGE=0V（即驅(qū)動(dòng)電源引腳上加額定電壓，信號(hào)輸入腳無(wú)效）。在半數(shù)試驗(yàn)樣品的上橋臂IGBT的C-E極上加電壓，在另外半數(shù)試驗(yàn)樣品的下橋臂IGBT的C-E極上加電壓。帶電168+h后，切斷電源，試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h,按6.4測(cè)試試驗(yàn)樣品的電參數(shù)。按IEC60749-5的測(cè)試方法。試驗(yàn)環(huán)境溫度相對(duì)濕度按進(jìn)行測(cè)試?？刂齐娐芳宇~定電源，IGBT的C-E極上加電壓VCE=100V,VGE=0V（即驅(qū)動(dòng)電源引腳上加額定電壓，信號(hào)輸入腳無(wú)效）。在半數(shù)試驗(yàn)樣品的上橋臂IGBT的C-E極上加電壓，在另外半數(shù)試驗(yàn)樣品的下橋臂IGBT的C-E極上加電壓。帶電168+h后，切斷電源，試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h,按6.4測(cè)試試驗(yàn)樣品的電參數(shù)。試驗(yàn)環(huán)境溫度按進(jìn)行測(cè)試?？刂齐娐芳宇~定電源，IGBT的C-E極上加電壓VCE=最大額定電壓×0.8,VGE=0V（即驅(qū)動(dòng)電源引腳上加額定電壓，信號(hào)輸入腳無(wú)效）。在半數(shù)試驗(yàn)樣品的上橋臂IGBT的C-E極上加電壓，在另外半數(shù)試驗(yàn)樣品的下橋臂IGBT的C-E極上加電壓。帶電24h后，切斷電源，試驗(yàn)樣品試驗(yàn)后常態(tài)下恢復(fù)2h,按6.4測(cè)試試驗(yàn)樣品的電參數(shù)。按IEC60749-34的方法測(cè)試。用功率循環(huán)測(cè)試系統(tǒng)控制試驗(yàn)樣品的IGBT間歇式開(kāi)通、關(guān)閉，關(guān)閉期間強(qiáng)制冷卻降溫，使IGBT的結(jié)溫變化幅度達(dá)ΔTvj=(95±5)℃,測(cè)試5000個(gè)周期后，按6.4測(cè)試試驗(yàn)樣品的電參數(shù)。6.10.12典型應(yīng)用場(chǎng)景耐久性按照家用和類(lèi)似用途電器中的典型應(yīng)用場(chǎng)景，將應(yīng)用試驗(yàn)樣品的家電整機(jī)置于測(cè)試場(chǎng)景中進(jìn)行GB／T39392—2020測(cè)試。測(cè)試條件參見(jiàn)附錄B,并由供需雙方協(xié)商確定。按GB/T2423.10—2019中第8章、附錄A和附錄B的測(cè)試方法測(cè)試，將試驗(yàn)樣品牢固地固定在振動(dòng)臺(tái)上，然后在試驗(yàn)樣品的XYZ三個(gè)相互垂直方向上分別振動(dòng)2h,振動(dòng)頻率為10Hz~55Hz,振動(dòng)的位移峰值振幅為1.5mm。按GB/T2423.60要求，將試驗(yàn)樣品主體固定，沿離開(kāi)試驗(yàn)樣品的引出端軸向施加拉力，按表7中要求的拉力保持(10±1)s（拉力應(yīng)逐漸施加，沒(méi)有任何沖擊）。表7引腳拉力強(qiáng)度要求外引線標(biāo)稱(chēng)截面積S相應(yīng)的圓形引出端截面的直徑d拉力NS≤0.0510.05＜S≤0.07250.07＜S≤0.250.2＜S≤0.50.5＜S≤1.2S＞1.2按GB/T2423.60要求，將試驗(yàn)樣品主體固定，在引出端末端的軸向垂直方向懸掛施加彎曲力的砝碼，按表8中要求增加彎曲力，將試驗(yàn)樣品主體在2s~3s內(nèi)在垂直平面傾斜大約90°,然后以同樣的時(shí)間使其恢復(fù)到初始位置作為1次彎曲。每個(gè)方向彎曲1次，共2次。表8引腳彎曲強(qiáng)度要求截面模量Za相應(yīng)的圓截面引出端直徑d推力（容差10%)NZ≤0.0015050.0015＜Z≤0.00420.0042＜Z≤0.012250.012＜Z≤0.0550.05＜Z≤0.19Z＞0.19GB／T39392—2020按GB/T2423.60的要求，將貼片器件焊接在厚度為(1.6±0.2)mm的PCB上，然后將焊接有試驗(yàn)貼片器件的PCB放置在如圖6所示的試驗(yàn)裝置中，按1.0mm/s的速率彎曲，彎曲距離2mm;維持時(shí)間為(5±1)s;維持PCB彎曲狀態(tài)下測(cè)量貼片器件的電參數(shù)。單位為毫米注1:PCB板材與板厚按照實(shí)際設(shè)計(jì)選取（例如，板材：FR-4;厚度：1.6mm±0.2mm),焊盤(pán)尺寸由供需雙方進(jìn)行協(xié)商。注2：焊接要求用鋼網(wǎng)刷錫膏過(guò)回流焊，禁止手工焊。圖6試驗(yàn)裝置示意圖按GB/T2423.60進(jìn)行試驗(yàn)，按照6.11.4中的方法安裝貼片器件，用推力器具與試驗(yàn)樣品無(wú)沖擊地接觸，然后對(duì)貼片器件的主體（與試驗(yàn)基板平面垂直的試驗(yàn)樣品正面中心）逐步勻速增加推力至5N,并按產(chǎn)品規(guī)格書(shū)的要求安裝力矩最大值，調(diào)整電批的扭力，在散熱器上安裝試驗(yàn)樣品，先后安裝3次。試驗(yàn)樣品跌落1m高，按1個(gè)面、3條邊（針對(duì)單列直插式封裝模塊）或2條邊（指雙列直插式封裝模塊無(wú)引腳的二短邊跌落到木板地面（用1cm厚木板當(dāng)成木地板各跌1次。按IEC62321（所有部分）的測(cè)試方法測(cè)試試驗(yàn)樣品中的鉛、汞、鎘、六價(jià)鉻、多溴聯(lián)苯和多溴二苯醚、鄰苯二甲酸(2-乙基己基）酯、鄰苯二甲酸甲苯基丁酯、鄰苯二甲酸二丁酯、鄰苯二甲酸二異丁酯十種限用物質(zhì)含量。7檢驗(yàn)規(guī)則IPM的成品檢驗(yàn)可分為型式檢驗(yàn)和交收檢驗(yàn)。GB／T39392—2020型式檢驗(yàn)和交收檢驗(yàn)的檢驗(yàn)項(xiàng)目、要求和試驗(yàn)方法見(jiàn)表9。表9檢驗(yàn)項(xiàng)目序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目本標(biāo)準(zhǔn)成品檢驗(yàn)要求試驗(yàn)方法型式檢驗(yàn)交收檢驗(yàn)1外觀5162√√2外形尺寸5263√√3母線電壓531642√√4控制電壓532643√√5邏輯輸入電壓533644√√6PWM載波頻率534645√√7電源欠壓保護(hù)動(dòng)作電壓535646√√8過(guò)電流保護(hù)動(dòng)作電壓536647√√9溫度輸出及過(guò)溫保護(hù)537648√√錯(cuò)誤訊號(hào)供電電壓538649√√錯(cuò)誤訊號(hào)輸出脈寬寬度539√√輸出端漏電流√√輸入端漏電流√√靜態(tài)電流√√開(kāi)通延遲時(shí)間√√關(guān)斷延遲時(shí)間√√IPM功率√√電氣強(qiáng)度541651√ 電氣間隙542652√ 爬電距離543653√ HBM靜電放電模式551661√ MM靜電放電模式552662√ CDM靜電放電模式553663√ 連續(xù)騷擾電壓561671√—斷續(xù)騷擾電壓562672√—連續(xù)騷擾功率563673√—輻射發(fā)射564674√—靜電放電抗擾度565675√ 電快速瞬變脈沖群抗擾度566676√ 射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾抗擾度567677√ 568678√ 電壓暫降、短時(shí)中斷和電壓變化抗擾度569679√ GB／T39392—2020序號(hào)檢驗(yàn)項(xiàng)目本標(biāo)準(zhǔn)成品檢驗(yàn)要求試驗(yàn)方法型式檢驗(yàn)交收檢驗(yàn)引腳可焊性１１√ 引腳耐焊接熱２２√ 空洞率１１√—封裝分層２２√—高溫存儲(chǔ)１１√—低溫存儲(chǔ)２２√—高溫高濕存儲(chǔ)３３√ 溫度循環(huán)４４√ 高溫蒸煮５５√ 鹽霧６６√ 振動(dòng)和溫度綜合試驗(yàn)７７√—高溫反偏８８√—高溫高濕偏壓９９√—低溫反偏√—功率循環(huán)√ 典型應(yīng)用場(chǎng)景耐久性√ 振動(dòng)１１√ 引出端拉力２２√ 引出端彎曲３３√ 抗彎曲強(qiáng)度４４√ 附著力５５√—抗安裝沖擊力６６√—器件跌落７７√—限用物質(zhì)√—在下列情況之一時(shí)，應(yīng)進(jìn)行型式檢驗(yàn)：試制、試產(chǎn)的新產(chǎn)品確認(rèn)時(shí)；連續(xù)生產(chǎn)每年至少進(jìn)行一次；間隔一年以上生產(chǎn)時(shí)；產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、工藝、材料有重大變動(dòng)時(shí)；主管部門(mén)認(rèn)為有必要時(shí)。注：典型應(yīng)用場(chǎng)景耐久性在情況下可不進(jìn)行。GB／T39392—20207.2抽樣方案及合格判定交收檢驗(yàn)的抽樣方案及合格判定由供需雙方協(xié)商確定。包裝箱應(yīng)有清晰的標(biāo)志，標(biāo)志內(nèi)容如下：a)型號(hào)及名稱(chēng)；b)制造廠名或廠標(biāo)；c)數(shù)量、質(zhì)量、制造年月和批次編號(hào)；d)出廠日期或出廠編號(hào)；e)出口產(chǎn)品的包裝箱應(yīng)有限用物質(zhì)標(biāo)識(shí)。8.2包裝和運(yùn)輸IPM應(yīng)有包裝，包裝用材料應(yīng)防靜電、不應(yīng)含有影響器件質(zhì)量的酸性、堿性或其他腐蝕性的物質(zhì)。需要長(zhǎng)期貯存或長(zhǎng)途運(yùn)輸?shù)脑?yīng)作防潮包裝。IPM在避免受到機(jī)械損傷和直接雨淋的條件下可用任何運(yùn)輸工具運(yùn)輸。8.2.2包裝件運(yùn)輸?shù)湓囼?yàn)取生產(chǎn)包裝好的一件IPM成品，先后進(jìn)行運(yùn)輸?shù)湓囼?yàn)（先底面再四個(gè)側(cè)面的順序?qū)b箱各跌落一次，試驗(yàn)面與沖擊面平行，沖擊面為堅(jiān)硬的水平面）。包裝運(yùn)輸?shù)湓囼?yàn)完畢后，檢查試驗(yàn)樣品受損、變形情況，對(duì)受損樣品拍圖說(shuō)明；再測(cè)試試驗(yàn)樣品的電參數(shù)有無(wú)異常。8.2.3包裝件運(yùn)輸?shù)湟骯)包裝箱應(yīng)無(wú)散包現(xiàn)象；b)試驗(yàn)樣品