電力電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案章節(jié)答案2024年浙江大學(xué)

電力電子技術(shù)基礎(chǔ)智慧樹知到期末考試答案+章節(jié)答案2024年浙江大學(xué)單相SPWM逆變器的過調(diào)制將導(dǎo)致輸出電壓中的低次諧波大量出現(xiàn)。（）

答案:對(duì)帶NFT的三橋臂三相逆變器可用來實(shí)現(xiàn)三相四線制逆變器。（）

答案:對(duì)全橋方波逆變電路自身具備電壓調(diào)節(jié)能力。（）

答案:錯(cuò)由于變壓器需要磁復(fù)位，所以反激式變換器最大占空比受到限制。（）

答案:錯(cuò)Buck變換器的占空比可以為1。（）

答案:對(duì)所謂脈沖寬度調(diào)制的方法是一種在整個(gè)工作過程中，開關(guān)頻率不變，而開關(guān)接通的時(shí)間按照要求變化的方法。（）

答案:對(duì)單相交流調(diào)壓電路，感性負(fù)載，觸發(fā)角ɑ的移相范圍為Φ≤ɑ≤π。（）

答案:對(duì)Buck電路開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:錯(cuò)對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻100歐姆，為了保證電感電流連續(xù)，則電感值可以取為（）

答案:0.375mH;0.425mH;0.4mH以下哪些是晶閘管關(guān)斷條件（）

答案:IA＜IH;UAK＜0;tβ＞tq以下哪些器件是空穴參與工作的（）

答案:IGBT;晶閘管以下哪些直流變換電路能實(shí)現(xiàn)升降壓（）

答案:反激式變換器;Buck-Boost電路一臺(tái)電壓外環(huán)、電流內(nèi)環(huán)的逆變器設(shè)計(jì)主要包含（）

答案:功率器件設(shè)計(jì);濾波電感設(shè)計(jì);濾波電容設(shè)計(jì);雙環(huán)控制器參數(shù)設(shè)計(jì)逆變器功率主電路拓?fù)浒ǎ?/p>

答案:H橋級(jí)聯(lián)型多電平逆變器;二極管箝位型多電平逆變器;半橋逆變器;全橋逆變器輸入直流母線電壓利用率最高的單相逆變器為：()

答案:方波全橋逆變器三相SCR電流型整流電路對(duì)電池進(jìn)行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,

該整流電路的網(wǎng)側(cè)電流失真度（THD）最接近以下哪個(gè)？（）

答案:30%單相方波逆變電路輸出電壓的THD值大約為：()

答案:48%對(duì)于Buck電路，輸入電壓100V，輸出電壓50V，MOSFET的開關(guān)頻率50kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:5.5A全橋移相式調(diào)壓逆變器的工作模態(tài)等效電路有幾種：()

答案:6種有源逆變電路工作時(shí)，直流側(cè)電壓的極性是（）

答案:負(fù)三相SCR電流型整流電路的輸出電壓Ud，和控制角的關(guān)系是（）

答案:非線性,余弦三角函數(shù)關(guān)系Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則流過MOSFET的峰值電流為（）。

答案:15ABoost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電壓Uo為（）。

答案:200V如果希望提高三相SCR整流電路的電網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)，以下哪種措施有有效的：（）

答案:應(yīng)用于控制角較小的場(chǎng)合Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電流Io為（）。

答案:10A對(duì)于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則電感值為（）

答案:0.25mH功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)通是因?yàn)樾纬闪朔葱蛯?。（?/p>

答案:對(duì)Buck電路，增大輸出電蓉C，可以減小輸出電壓脈動(dòng)和電感電流脈動(dòng)。（）

答案:錯(cuò)Boost電路開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:對(duì)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的柵極與基片之間隔著SiO2薄層。（）

答案:對(duì)PN結(jié)功率二極管是利用PN結(jié)勢(shì)壘制成的二極管。（）

答案:對(duì)肖特基功率二極管不適合于高頻低壓應(yīng)用。（）

答案:錯(cuò)由于晶閘管在觸發(fā)導(dǎo)通時(shí)積累的非平衡載流子，在關(guān)斷時(shí)需要恢復(fù)時(shí)間，使其可靠關(guān)斷，因此需要在tβ＞tq之后再施加正向電壓而不會(huì)導(dǎo)通。（）

答案:對(duì)Cuk電路的中間電容C1，在其中起到Boost電路的輸出電容、Buck電路的輸入電容的作用。（）

答案:對(duì)全橋隔離Buck變換器的占空比可以為1。（）

答案:錯(cuò)反激式變換器具有升降壓能力。（）

答案:對(duì)功率MOSFET的導(dǎo)通電阻包含（）

答案:引線電阻;電極接觸電阻;溝道電阻;漂移區(qū)電阻逆變器PWM技術(shù)優(yōu)化的常用方法（）

答案:有選擇性消除諧波的PWM技術(shù);倍頻SPWM技術(shù);調(diào)制波疊加零序分量的三相SPWM技術(shù);開關(guān)角預(yù)置PWM技術(shù)全橋方波逆變電路的特點(diǎn)為（）

答案:直流母線端無功電流大;輸出電壓諧波含量豐富;輸出電壓調(diào)節(jié)能力差以下哪些器件是全控型器件（）

答案:功率MOSFET;IGBT對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則占空比為（）

答案:0.25一盞臺(tái)燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時(shí)輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負(fù)載，則輸出功率為零時(shí)的控制角α為（）

答案:180度單相半控(SCR+D)橋式帶續(xù)流二級(jí)管(D3)整流電路如圖所示。單相電源電壓US=220V/50Hz，帶大電感與電阻負(fù)載，R=5Ω，SCR控制角α=60°，計(jì)算該電路。感性負(fù)載L-R上的電壓Ud值，該整流電路的網(wǎng)側(cè)有功功率P，最接近以下哪個(gè)（）

答案:4.5kW帶有輸入線路電感Lk的SCR三相整流,其輸出電壓Ud大小，和沒有Lk相比（）

答案:小于三相SCR電流型整流電路對(duì)電池進(jìn)行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,則電路控制角應(yīng)該是（）

答案:60°Boost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則MOSFET阻斷時(shí)的電壓為（）。

答案:200V對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:10.5A一盞臺(tái)燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時(shí)輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負(fù)載，則α=90°時(shí)的輸出功率為（）

答案:20W關(guān)斷時(shí)間是恢復(fù)晶閘管電壓阻斷能力所需的最小電路換流反壓時(shí)間。（）

答案:對(duì)Buck電路，達(dá)到同樣的輸出與輸入變換比，電感電流不連續(xù)導(dǎo)通模式比連續(xù)導(dǎo)通模式時(shí)的占空比大。（）

答案:錯(cuò)晶閘管導(dǎo)通后，去掉門極電流，不能維持導(dǎo)通。（）

答案:錯(cuò)將實(shí)際變壓器用其包含勵(lì)磁電感和理想變壓器的等效電路代替，用于分析包含變壓器的直流變換器。（）

答案:對(duì)功率MOSFET耐壓越高的器件，其導(dǎo)通電阻越大。（）

答案:對(duì)波逆變器輸出濾波器的轉(zhuǎn)折頻率一般設(shè)置為開關(guān)頻率的1/2。（）

答案:錯(cuò)直流變換電路=方波逆變電路+全波或全橋整流電路。（）

答案:對(duì)所謂脈沖頻率調(diào)制的方法是一種在整個(gè)工作過程中，開關(guān)接通的時(shí)間不變，而開關(guān)頻率按照要求變化的方法。（）

答案:對(duì)IGBT采用雙極－MOS復(fù)合器件技術(shù)。（）

答案:對(duì)對(duì)于工作于開關(guān)狀態(tài)的GTR來說，應(yīng)當(dāng)盡量避免工作于有源區(qū)，否則功耗很大，要快速通過有源區(qū)，實(shí)現(xiàn)截止與飽和之間的狀態(tài)轉(zhuǎn)換。（）

答案:對(duì)由于注入的空穴是少子，存在少子的存儲(chǔ)現(xiàn)象，N－區(qū)的少子需要時(shí)間復(fù)合消失，因此IGBT的開關(guān)速度比MOSFET慢。（）

答案:對(duì)電容安秒平衡原理是指在平衡時(shí)，電容電流的平均值或直流成分必須為零。（）

答案:對(duì)Buck電路，增大電感L，可以減小輸出電壓脈動(dòng)和電感電流脈動(dòng)。（）

答案:對(duì)Buck-Boost電路開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，電感電流變化率為Ud/L。（）

答案:對(duì)高壓功率MOSFET器件，溝道電阻占主要成分。（）

答案:錯(cuò)關(guān)于交流調(diào)壓電路，以下哪些是正確的（）

答案:交流調(diào)壓電路的工作狀態(tài)與負(fù)載性質(zhì)密切相關(guān);交流調(diào)壓電路可用于燈光亮度調(diào)節(jié);通過對(duì)晶閘管觸發(fā)角的控制來實(shí)現(xiàn)交流電壓值的調(diào)節(jié);交流調(diào)壓電路不改變交流電的頻率對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則以下哪些額定峰值電流的MOSFET可以采用（）

答案:20A;15A;25A以下哪些直流變換電路輸出電壓是負(fù)極性（）

答案:Buck-Boost電路;Cuk電路以下哪些直流變換電路能實(shí)現(xiàn)降壓（）

答案:正激變換器;Buck電路;Cuk電路以下哪些直流變換電路能實(shí)現(xiàn)升壓（）

答案:Boost電路;推挽隔離Buck變換器;Sepic電路下面關(guān)于逆變器PWM優(yōu)化技術(shù)描述正確的是（）

答案:方波逆變技術(shù)諧波性能最差;方波逆變技術(shù)損耗最小以下哪些器件是只有電子參與工作的（）

答案:功率MOSFET;肖特基功率二極管直流變換電路能完成以下哪些功能（）

答案:直流電極性變換;有源濾波;直流電幅值變換以下哪些是功率MOSFET特點(diǎn)（）

答案:所需驅(qū)動(dòng)功率小;開關(guān)速度快;電壓型驅(qū)動(dòng)以下哪些直流變換電路輸出電壓是正極性（）

答案:Buck電路;正激變換器;Boost電路Boost電路，設(shè)輸入電壓為100V，電感L為1000μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，電路的工作頻率是50kHz，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，則輸出直流電流Io為（）。

答案:20A對(duì)于Buck電路，輸入電壓100V，輸出電壓50V，MOSFET的開關(guān)頻率50kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則電感值為（）

答案:0.5mH二極管電容組成的整流電路，如果電容容量C很大，對(duì)電路會(huì)產(chǎn)生什么影響？（）

答案:輸入電流為尖脈沖，脈沖電流幅度大、諧波含量高帶有控制角的SCR整流電路中，原來導(dǎo)通的SCR換流關(guān)斷，是由于（）

答案:SCR負(fù)壓關(guān)斷對(duì)于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電壓為（）

答案:10V對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻100歐姆，為了保證電感電流連續(xù)，則電感的最小取值為（）

答案:0.375mH單相逆變器的載波頻率記為fc,基波頻率記為f,SPWM技術(shù)的頻率調(diào)制比為：()

答案:fc/f下面哪個(gè)逆變技術(shù)的諧波性能最優(yōu)：()

答案:倍頻SPWM技術(shù)Buck電路，設(shè)輸入電壓為200V，電感L為100μH，電容C無窮大，輸出接10Ω的電阻，MOSFET導(dǎo)通的占空比是0.5，要將MOSFET的峰值電流為輸出直流電流Io的110％，則電路的工作頻率為（）。

答案:250kHz從電能變換的功能角度，以下電氣設(shè)備，哪個(gè)是整流裝置（）

答案:電動(dòng)汽車充電三相SCR電流型整流電路對(duì)電池進(jìn)行充電，電網(wǎng)電壓為380Vac-rms/50Hz，電池組電壓位257Vdc，如果充電電流為100A,

該整流電路的網(wǎng)側(cè)功率因數(shù)是（）

答案:0.475對(duì)于Buck電路，輸入電壓10V，輸出電壓5V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流紋波峰峰值為其直流分量的20%，則MOSFET的峰值電流為（）

答案:0.55A特大功率的整流，通常采用以下哪種電路方案（）

答案:移相多脈整流一般取電感電流最大紋波值為逆變器滿功率輸出時(shí)正弦電流峰值的：()

答案:10%到20%一盞臺(tái)燈由單相交流調(diào)壓電路供電，輸入電壓有效值Ui=220V，α=0°時(shí)輸出功率為40瓦，該燈泡為純阻性負(fù)載，則臺(tái)燈燈泡的阻值為（）

答案:1210歐姆下面哪些技術(shù)對(duì)解決單相SPWM逆變電路直流電壓利用率低問題沒有幫助的：()

答案:增加逆變器的輸出功率對(duì)于Buck電路，輸入電壓400V，輸出電壓100V，MOSFET的開關(guān)頻率100kHz，負(fù)載電阻10歐姆，電感電流連續(xù)，其紋波峰峰值為其直流分量的10%，則電感值為（）

答案:0.75mH比較：逆變電路、可關(guān)斷器件IGBT組成的三相高頻PWM整流電路，兩種電路（）

答案:電路拓?fù)湎嗤?，同一個(gè)電路通過不同的控制方法，既可以整流，又可以逆變。以下概念，哪個(gè)是不正確的是（）

答案:單相boostPFC電路結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，所以經(jīng)常用于幾十kW的整流應(yīng)用。電流型SCR整流電路，對(duì)電網(wǎng)產(chǎn)生了不利影響，主要體現(xiàn)在（）

答案:電流和電壓有相位差，有無功;功率因數(shù)低;輸入電流非正弦，諧波大不同控制角，SCR整流輸出電壓值（）

答案:瞬時(shí)值和平均值可以是正的，也可以是負(fù)的SCR整流電路的控制角，就是（）

答案:某兩相電壓之間線電壓的過零點(diǎn)單相PFC電路，為了實(shí)現(xiàn)輸入電流的正弦化和輸出電壓的穩(wěn)定，需要采用電壓和電流2個(gè)控制環(huán)路，對(duì)boost電路進(jìn)行控制。是否正確？（）

答案:對(duì)為了輸出平穩(wěn)的直流電壓，電容濾波的二極管整流電路，其輸出側(cè)濾波電容越大越好，是否正確？

（）

答案:錯(cuò)逆變器的PWM優(yōu)化技術(shù)有（）。

答案:有選擇性消諧波的PWM技術(shù);全橋倍頻SPWM技術(shù);調(diào)制波疊加零序分量的三相SPWM技術(shù)方波逆變技術(shù)產(chǎn)生的基波幅值小于傳統(tǒng)SPWM逆變技術(shù)產(chǎn)生的基波幅值。（）

答案:錯(cuò)單相全橋方波逆變電路的直流電壓利用率約為（）。

答案:0.9對(duì)單相SPWM逆變電路采用三次諧波注入法，可使得在合成調(diào)制波無過調(diào)制情況下，將輸出電壓基波幅值增加到正弦波線性調(diào)制時(shí)的（）。

答