半導(dǎo)體存儲(chǔ)器 (1)講解

項(xiàng)目八半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件任務(wù)1半導(dǎo)體存儲(chǔ)器半導(dǎo)體存儲(chǔ)器概述能存儲(chǔ)大量二值信息的器件一、一般結(jié)構(gòu)形式輸入/出電路I/O輸入/出控制！單元數(shù)龐大！輸入/輸出引腳數(shù)目有限分類1、從存/取功能分：①只讀存儲(chǔ)器(Read-Only-Memory）②隨機(jī)讀/寫（Random-Access-Memory）2、從工藝分：①雙極型②MOS型一、ROM（掉電后數(shù)據(jù)依然保存）1.掩模ROM1）結(jié)構(gòu)存儲(chǔ)矩陣中存儲(chǔ)了大量的數(shù)據(jù)，通過地址，通過地址譯碼器，可以訪問到你希望訪問的單元，然后把這個(gè)單元的數(shù)據(jù)送到輸出緩沖器，然后取出來。2）舉例w0地址數(shù)據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110A0~An-1W0W(2n-1)D0Dm兩個(gè)概念：存儲(chǔ)矩陣的每個(gè)交叉點(diǎn)是一個(gè)“存儲(chǔ)單元”，存儲(chǔ)單元中有器件存入“1”，無器件存入“0”。存儲(chǔ)器的容量：“字?jǐn)?shù)x位數(shù)”地址數(shù)據(jù)A1A0D3D2D1D0000101011011100100111110Mos管掩模ROM的特點(diǎn)：出廠時(shí)已經(jīng)固定，不能更改，適合大量生產(chǎn)簡(jiǎn)單，便宜，非易失性2.可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同2.可編程ROM（PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同寫入時(shí)，要使用編程器3.可擦除的可編程ROM（EPROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同1）用紫外線擦除的PROM（UVEPROM）4.電可擦除的可編程ROM（E2PROM）總體結(jié)構(gòu)與掩模ROM一樣，但存儲(chǔ)單元不同二、

隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM1.靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（SRAM）1）結(jié)構(gòu)與工作原理2）SRAM的存儲(chǔ)單元六管N溝道增強(qiáng)型MOS管2.*動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM） 動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)單元是利用MOS管柵極電容可以存儲(chǔ)電荷的原理三、

存儲(chǔ)器容量的擴(kuò)展1.位擴(kuò)展方式適用于每片RAM,ROM字?jǐn)?shù)夠用而位數(shù)不夠時(shí)接法：將各片的地址線、讀寫線、片選線并聯(lián)即可例：用八片1024x1位→1024x8位的RAM2.字?jǐn)U展方式適用于每片RAM,R