中級(jí)半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工技能鑒定考試題庫(kù)（含答案）

PAGEPAGE1中級(jí)半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工技能鑒定考試題庫(kù)（含答案）一、單選題1.外延一般可用于:()A、二氧化硅SiO2，溫度900℃B、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4、鎢W，溫度500-800℃C、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4，溫度200-300℃D、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、單晶硅，溫度1150-1180℃E、鋁、金、銅、銀、鉻，溫度1300℃F、鋁、金、銅、銀、鉻、鉑、銅、欽、AlO2、ITO，溫度1200-1300℃答案：D2.MEMS一般采用的曝光方法一般采用:()A、光學(xué)曝光B、電子束曝光、離子柬曝光、光學(xué)曝光C、極紫外光刻、X射線(xiàn)曝光答案：C3.石榴石型鐵氧體可以應(yīng)用在以下()領(lǐng)域。A、超導(dǎo)B、磁光C、磁泡D、微波答案：D4.按應(yīng)用分類(lèi)，集成電路分為:()A、雙極型集成電路、MOS型集成電路、雙極-MOS型B、小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模C、通用型、半專(zhuān)用、專(zhuān)用D、數(shù)字、模擬答案：C5.邏輯函數(shù)表達(dá)式Y(jié)=A+B表示的邏輯關(guān)系是()A、與B、或C、非D、與非答案：B6.半導(dǎo)體材料的基本特性是A、導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B、完全導(dǎo)電C、完全不導(dǎo)電D、具有磁性答案：A7.在CMOS邏輯電路中，當(dāng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)，NMOS晶體管處于什么狀態(tài)？A、截止?fàn)顟B(tài)B、飽和狀態(tài)C、放大狀態(tài)D、反向工作狀態(tài)答案：A8.十進(jìn)制數(shù)碼18用8421BCD碼表示為？A、10010B、100010C、00011000D、01110111答案：C9.CMOS工藝中的“C”和“M”分別代表什么？A、Conductor和MetalB、Cathode和MetalOxideC、omplementary和MetalOxideD、Conductor和MetalOxideSemiconductor答案：C10.SFR是從哪個(gè)域分析光學(xué)成像的解析力?A、時(shí)域B、頻域C、空域D、區(qū)域答案：B11.在晶圓制造中，哪個(gè)步驟涉及使用化學(xué)機(jī)械拋光（CMP）？A、晶圓切片B、晶圓清洗C、前道工藝D、后道工藝答案：C12.在集成電路的可靠性測(cè)試中，HTOL測(cè)試代表什么？A、高溫操作壽命（HighTemperatureOperatingLife）B、高溫存儲(chǔ)壽命（HighTemperatureStorageLife）C、低溫操作壽命（LowTemperatureOperatingLife）D、濕度循環(huán)測(cè)試（HumidityCycleTest）答案：A13.當(dāng)邏輯函數(shù)有n個(gè)變量時(shí)，共有()個(gè)變量取值組合。A、nB、2nC、n2D、2n答案：D14.金屬-氧化物-半導(dǎo)體（MOS）結(jié)構(gòu)中的“氧化物”通常指的是什么材料？A、二氧化硅（SiO2）B、三氧化二鋁（Al2O3）C、氮化硅（Si3N4）D、氧化鉿（HfO2）答案：A15.焦距f、物距u、像距v三者之間的關(guān)系是?A、1/f+1/v=1/uB、1/u+1/v=1/fC、1/f+1/u=1/vD、1/+1/f=1/f答案：B16.集成電路封裝的主要目的是什么？A、提高芯片運(yùn)行速度B、增加芯片的存儲(chǔ)容量C、保護(hù)芯片免受物理和環(huán)境損害D、改變芯片的電氣特性答案：C17.外延爐正確的操作步驟是:()A、加氣→排氣→加熱→生氣→沉積→排氣B、加氣→加熱→生氣→沉積→排氣答案：A18.車(chē)道保持輔助系統(tǒng)的執(zhí)行單元不包括()oA、報(bào)警模塊B、轉(zhuǎn)向盤(pán)操縱模塊C、發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊D、制動(dòng)器操縱模塊答案：C19.在集成電路的可靠性評(píng)估中，哪個(gè)測(cè)試通常用于評(píng)估器件在特定條件下的長(zhǎng)期可靠性？A、加速壽命測(cè)試（AcceleratedLifeTest,ALT）B、電氣性能測(cè)試C、封裝完整性測(cè)試D、光學(xué)顯微鏡檢查答案：A20.等離子ECVD工作原理是:()A、反應(yīng)系統(tǒng)與外界自然空間是直接相通的，從而使得反應(yīng)裝置內(nèi)氣氛壓強(qiáng)也為一個(gè)大氣壓強(qiáng)，反應(yīng)裝置內(nèi)、外的壓強(qiáng)是平衡的B、膜厚均勻好、裝片量大，多晶硅與氮化硅膜的介質(zhì)膜淀積均采用C、采取將反應(yīng)性氣體激活，從而大大地降低常規(guī)反應(yīng)所需要的溫度D、在低于晶體熔點(diǎn)的溫度下，在硅單晶襯底上，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)完整性都符合要求的新單晶層E、以單質(zhì)的固體材料為源(如鋁、金、鉻等)，然后將它變?yōu)闅鈶B(tài)，在低氣壓下，再在襯底(硅晶片)表面淀積而成薄膜F、高速電子流打在蒸發(fā)源表面，有少量的鋁原子外層電子得到足夠能量而發(fā)生躍遷，造成鋁原子失去電子而變成正離子，形成離子流G、利用等離子體小的離子，對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子(原子)，使其沉積到硅片表面并形成薄膜,是目前大規(guī)模集成電路制造中應(yīng)用得最廣泛的一種鍍膜方法答案：C21.若設(shè)計(jì)含運(yùn)放的傳統(tǒng)CMoS帶隙基準(zhǔn)，為增加低頻端PSRR帶寬則應(yīng)()A、增大電流鏡柵源電容CGSB、減小電流鏡柵漏電容CGDC、減小電流鏡柵襯電容CGBD、增大運(yùn)放內(nèi)部密勒電容CC答案：A22.以下電路中常用于總線(xiàn)應(yīng)用的有()。A、三態(tài)門(mén)B、OC門(mén)C、漏極開(kāi)路門(mén)D、CMOS與非門(mén)答案：A23.下列關(guān)于二進(jìn)制代碼中，描述錯(cuò)誤的是()A、二進(jìn)制代碼與所表示的信息之間應(yīng)具有一一對(duì)應(yīng)的關(guān)系B、用n位二進(jìn)制數(shù)可以組合成2n個(gè)代碼C、若需要編碼的信息有N項(xiàng)，則應(yīng)滿(mǎn)足2n2ND、若需要編碼的信息有N項(xiàng)，則應(yīng)滿(mǎn)足2n=N答案：D24.測(cè)取診斷參數(shù)時(shí)一定要注意(),否則所測(cè)取的參數(shù)對(duì)汽車(chē)故障的診斷就沒(méi)有任何意義。A、測(cè)試規(guī)范B、測(cè)試方法C.測(cè)試手段答案：A25.哪種測(cè)試方法用于測(cè)量集成電路的功耗？A、直流參數(shù)測(cè)試、交流參數(shù)測(cè)試B、交流參數(shù)測(cè)試C、功耗分析D、功能測(cè)試答案：A26.哪種封裝技術(shù)允許更高的引腳密度和更小的封裝尺寸？A、DIPB、SOICC、BGAD、WLCSP（晶圓級(jí)芯片封裝）答案：D27.濺鍍物理淀積(SDPVD)一般可用于:()A、二氧化硅SiO2，溫度900℃B、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4、鎢W，溫度500-800℃C、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4，溫度200-300℃D、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、單晶硅，溫度1150-1180℃E、鋁、金、銅、銀、鉻，溫度1300℃F、鋁、金、銅、銀、鉻、鉑、銅、欽、AlO2、ITO，溫度1200-1300℃答案：F28.哪種類(lèi)型的測(cè)試用于確保集成電路在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行后仍然可靠？A、直流參數(shù)測(cè)試B、交流參數(shù)測(cè)試C、老化測(cè)試D、功能測(cè)試答案：C29.行人識(shí)別常用的傳感器是()oA、超聲波傳感器B、毫米波雷達(dá)C、激光雷達(dá)D、視覺(jué)傳感器答案：D30.在CMOS工藝中，為了減小亞閾值泄漏電流（SubthresholdLeakageCurrent），可以采取哪些措施？A、提高電源電壓B、減小晶體管閾值電壓C、使用高K介質(zhì)材料D、增加晶體管尺寸答案：C31.在數(shù)字信號(hào)中，高電平用邏輯A、1表示B、0表示C、正表示D、負(fù)表示答案：A32.光學(xué)曝光特點(diǎn)是:()A、分辨率高，能曝光線(xiàn)寬為0.1um的圖形，可不用掩模版，設(shè)備復(fù)雜，成本最貴，曝光面積小B、分辨率轉(zhuǎn)高，能曝光線(xiàn)寬為0.18um的圖形，用掩模版，設(shè)備簡(jiǎn)單，成本低，曝光面積大C、離子束照射到抗蝕劑時(shí)，可使抗蝕劑的溶解性發(fā)生變化，分辨率高，能曝光線(xiàn)寬為0.1um的圖形，可不用掩模版，設(shè)備復(fù)雜，成本最貴，曝光面積小D、激光等離子體光源產(chǎn)生的EUV輻射，經(jīng)過(guò)多層膜反射鏡組成聚光系統(tǒng)后，照明反射式掩模，分辨率高，能曝光線(xiàn)寬為0.1um以下的圖形，可不用掩模版，設(shè)備復(fù)雜，成本最貴，曝光面積中E、利用光通過(guò)液體介質(zhì)后光源波長(zhǎng)縮短來(lái)提高分辨率，其縮短的倍率即為液體介質(zhì)的折射率答案：B33.如果在市場(chǎng)發(fā)現(xiàn)有人沒(méi)有明標(biāo)價(jià)碼需要撥打什么電話(huà)（）。A、110B、119C、12123D、12315答案：D34.在單相橋式整流電路中，如果一只整流二極管內(nèi)部斷開(kāi)，則()A、引起電源短路B、輸出電壓為零C、輸出電壓減小D、輸出電壓上升答案：C35.哪種材料常用于制作集成電路中的電容器？A、鋁B、硅C、多晶硅D、氧化硅答案：D36.以下哪種封裝類(lèi)型適用于高頻和高速集成電路？A、BGA（BallGridArray）B、SOP（SmallOutlinePackage）C、DIP（DualIn-linePackage）D、TO（TransistorOutline）答案：A37.哪種金屬常用于集成電路中的互連層？A、鋁B、銅C、銀D、金答案：B38.測(cè)得電路中工作在放大區(qū)的某晶體管三個(gè)極的電位分別為0V、0.7V和4.7V，則該管為（）。A、NPN型鍺管B、PNP型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型硅管答案：D39.電子束蒸鍍物理淀積(EDPVD)一般可用于:()A、二氧化硅SiO2，溫度900℃B、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4、鎢W，溫度500-800℃C、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4，溫度200-300℃D、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、單晶硅，溫度1150-1180℃E、鋁、金、銅、銀、鉻，溫度1300℃F、鋁、金、銅、銀、鉻、鉑、銅、欽、AlO2、ITO，溫度1200-1300℃答案：E40.在集成電路中，集成度是指什么？A、集成電路中元件的數(shù)量B、集成電路的面積大小C、集成電路的功耗D、集成電路的封裝形式答案：A41.在CMOS反相器中，當(dāng)輸入電壓低于某個(gè)閾值時(shí)，輸出電壓將如何變化？A、保持不變B、變?yōu)楦唠娖紺、變?yōu)榈碗娖紻、變?yōu)榱汶娖剑ǖǔ２徽f(shuō)“零電平”，因?yàn)镃MOS輸出是邏輯電平）答案：C42.下列關(guān)于數(shù)字電路和模擬電路的敘述中，正確的是()A、處理數(shù)字信號(hào)的電路稱(chēng)為模擬電路B、處理模擬信號(hào)的電路稱(chēng)為數(shù)字電路C、數(shù)字電路和模擬電路的分析方法相同D、數(shù)字電路中工作的三極管不是工作在飽和區(qū)，就是截止區(qū)答案：D43.TT1集成門(mén)電路的輸入端需通過(guò)()與正電源短接。A、電阻B、電容C、電感D、負(fù)電源答案：A44.電子束蒸發(fā)機(jī)正確的操作步驟是:()A、抽真空→電子槍→沉積B、抽真空→軸旋轉(zhuǎn)→電子槍→沉積答案：B45.光刻工序是:()A、涂膠→曝光→顯影→刻蝕→去膠B、曝光→顯影→刻蝕C、涂膠→前烘→曝光→顯影→堅(jiān)膜（后烘）→刻蝕→去膠答案：C46.在CMOS工藝中，PMOS和NMOS晶體管是如何組合使用的？A、串聯(lián)以提高電流增益B、并聯(lián)以增加驅(qū)動(dòng)能力C、以互補(bǔ)方式形成邏輯門(mén)D、串聯(lián)以形成反相器答案：C47.在半導(dǎo)體工藝中，哪個(gè)步驟用于將晶圓分割成單獨(dú)的芯片？A、劃片B、封裝C、測(cè)試D、清洗答案：A48.在CMOS電路中，當(dāng)輸入電壓處于邏輯閾值附近時(shí)，電路可能會(huì)出現(xiàn)的問(wèn)題是？A、靜態(tài)功耗增加B、噪聲容限減小C、延遲時(shí)間恒定D、電流增益下降答案：B49.在半導(dǎo)體工藝中，哪種摻雜方式會(huì)提高硅的導(dǎo)電性？A、P型摻雜（如硼）B、N型摻雜（如磷）C、同時(shí)進(jìn)行P型和N型摻雜D、不摻雜答案：B50.在半導(dǎo)體工藝中，哪個(gè)步驟用于在晶圓上形成導(dǎo)電層？A、摻雜B、氧化C、刻蝕D、清洗答案：A51.晶圓制備中，拋光的主要目的是A、增加晶圓表面粗糙度B、去除晶圓表面的雜質(zhì)和損傷C、改變晶圓的導(dǎo)電性D、提高晶圓的厚度答案：B52.由靜態(tài)CMOS反相器的動(dòng)態(tài)特性可知，一個(gè)快速門(mén)的設(shè)計(jì)是通過(guò)()實(shí)現(xiàn)的。A、增大輸出電容或加大器件的W/L實(shí)現(xiàn)的。B、減小輸出電容或加大器件的W/L實(shí)現(xiàn)的。C、減小輸出電容或減小器件的W/L實(shí)現(xiàn)的。D、增大輸出電容或減小器件的W/L實(shí)現(xiàn)的。答案：B53.國(guó)際上現(xiàn)階段的車(chē)聯(lián)網(wǎng)通信技術(shù)路線(xiàn)主要分為()和1TE-V2X兩個(gè)陣營(yíng)。A、DSRCB、5GC、4GD、蜂窩移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)答案：A54.晶圓的英文是什么？A、ChipB、WaferC、SiliconD、Semiconductor答案：B55.不屬于GPS的是()。A、衛(wèi)星B、控制站C、接收器D、高精度地圖答案：D56.哪種測(cè)試方法用于檢測(cè)集成電路中的開(kāi)路和短路故障？A、功能測(cè)試B、直流參數(shù)測(cè)試C、交流參數(shù)測(cè)試D、針床測(cè)試答案：D57.用于熱工藝的立式爐的主要控制系統(tǒng)不包括A、工藝腔B、硅片傳輸系統(tǒng)C、氣體分配系統(tǒng)D、真空泵系統(tǒng)答案：D58.哪種封裝技術(shù)有助于減少封裝尺寸并提高引腳密度？A、DIPB、GAC、QFP（四邊扁平封裝）D、SOIC答案：B59.在單相橋式整流電路中，如果一只整流二極管內(nèi)部斷開(kāi)，輸出電壓會(huì)如何變化？A、引起電源短路B、輸出電壓為零C、輸出電壓減小D、輸出電壓上升答案：C60.晶圓上的電路圖案是通過(guò)什么工藝轉(zhuǎn)移到晶圓上的？A、蒸發(fā)B、濺射C、光刻D、離子注入答案：C61.在CMOS工藝中，哪個(gè)步驟涉及使用離子注入來(lái)形成阱（well）區(qū)域？A、氧化B、擴(kuò)散C、離子注入D、退火答案：C62.共集電極放大電路的輸出電壓和輸入電壓在相位上的關(guān)系是()0A、相位差為0。B、相位差為90°C、相位差為180°D、相位差為270°答案：A63.晶圓中常用的晶體平面的密勒符號(hào)是A、(111)和(101)B、(100)和(110)C、(200)和(210)D、(300)和(310)答案：B64.關(guān)于甲類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)，敘述對(duì)的是：功放管的靜態(tài)工作點(diǎn)()。A、選在交流負(fù)載線(xiàn)的中點(diǎn)B、沿交流負(fù)載線(xiàn)下移，使靜態(tài)集電極電流降低C、沿交流負(fù)載線(xiàn)繼續(xù)下移，使靜態(tài)集電極電流等于零D、選在交流負(fù)載線(xiàn)的上方答案：A65.灰色氧化硅膜的厚度是:()A、100埃B、300埃C、800埃D、2100，3700，5600，7500埃E、2500，4350，6250埃F、1000，2750，4650，6500埃答案：C66.在集成電路設(shè)計(jì)中，哪個(gè)階段主要負(fù)責(zé)將高級(jí)語(yǔ)言編寫(xiě)的代碼轉(zhuǎn)換為門(mén)級(jí)網(wǎng)表？A、邏輯綜合B、布局與布線(xiàn)C、靜態(tài)時(shí)序分析D、仿真驗(yàn)證答案：A67.PGA(PinGridArrayPackage)封裝是:()A、塑料BGA，基板一般為2~4層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板B、柔性微型BGAC、載帶自動(dòng)鍵合BGA，基板為帶狀軟質(zhì)的1～2層PCB電路板D、陶瓷BGA，陶瓷基板E、陶瓷柱柵陳列F、在芯片的內(nèi)外有多個(gè)方陣形的插針，每個(gè)方陣形插針沿芯片的四周間隔一定距離排列答案：F68.在半導(dǎo)體分立器件中，熱敏電阻（Thermistor）的電阻值如何隨溫度變化？A、隨溫度升高而增加B、隨溫度升高而減?。ㄘ?fù)溫度系數(shù)）C、保持不變D、先增后減答案：B69.PBGA（PlasticBGA）封裝是:()A、塑料BGA，基板一般為2~4層有機(jī)材料構(gòu)成的多層板B、柔性微型BGAC、載帶自動(dòng)鍵合BGA，基板為帶狀軟質(zhì)的1～2層PCB電路板D、陶瓷BGA，陶瓷基板E、陶瓷柱柵陳列答案：A70.分壓式共射放大電路中的反饋類(lèi)型是()0A、是電流串聯(lián)負(fù)反饋B、是電流串聯(lián)正反饋C、是電流并聯(lián)負(fù)反饋D、不存在反饋答案：A71.焊錫絲的正確撤離方法是（）。A、向上撤離B、水平撤離C、45度撤離D、垂直向下撤離答案：C72.在集成電路的封裝類(lèi)型中，QFN（QuadFlatNo-lead）的特點(diǎn)不包括以下哪一項(xiàng)？A、體積小B、引腳從底部伸出C、易于焊接D、散熱性能差答案：D73.行人識(shí)別常用的傳感器是？A、超聲波傳感器B、毫米波雷達(dá)C、激光雷達(dá)D、視覺(jué)傳感器答案：D74.智能汽車(chē)通過(guò)自車(chē)傳感器和V2X通信感知，主要優(yōu)化什么？A、舒適性和速度B、可靠性和耐久性C、安全和能量D、娛樂(lè)性和便利性答案：C75.半導(dǎo)體級(jí)硅的制備過(guò)程中，提純的主要目的是A、提高導(dǎo)電性B、降低雜質(zhì)含量C、改變硅的晶體結(jié)構(gòu)D、增加硅的密度答案：B76.正膠光刻基本原理為:()A、利用二氧化硅膜或金屬蒸發(fā)層(Al、多晶硅、Si3N4等介質(zhì)薄層)作為選擇性擴(kuò)散的掩蔽膜，將需要擴(kuò)散的區(qū)域上的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層去掉，而不需要擴(kuò)散的區(qū)域上的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層仍然保留著B(niǎo)、利用二氧化硅膜或金屬蒸發(fā)層(Al、多晶硅、Si3N4等介質(zhì)薄層)作為選擇性擴(kuò)散的掩蔽膜，將需要擴(kuò)散的區(qū)域上的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層保留，而不需要擴(kuò)散的區(qū)域上的二氧化硅層或金屬蒸發(fā)層去掉答案：A77.以下哪種不是半導(dǎo)體分立器件？A、二極管B、晶體管C、電阻器D、集成電路答案：D78.晶圓制備中，切片后的主要處理步驟是A、拋光和檢查B、摻雜和熱處理C、切割和封裝D、清洗和整型答案：D79.在半導(dǎo)體工藝中，晶圓常用的材料是A、硅和鍺B、銅和金C、鋁和硅D、鎵和砷答案：A80.在半導(dǎo)體分立器件中，Zener二極管主要用于什么目的？A、電流放大B、電壓穩(wěn)定C、頻率變換D、信號(hào)調(diào)制答案：B81.甲類(lèi)功放的理想效率為多少？A、75%B、50%C、78.5%D、58.5%答案：B82.晶體三極管工作在飽和狀態(tài)時(shí)，它的IC將()oA、隨IB的增加而增加B、隨IB的增加而減小C、不隨IB的增大而增大D、等于零答案：C83.在晶圓制造中，哪個(gè)步驟用于去除晶圓上的光刻膠？A、清洗B、顯影C、灰化（ashing）D、剝離（strip）答案：D84.等離子濺鍍的特點(diǎn)是:()A、膜純度高，鈉離子沾污少，光到腐蝕方便，鍍膜層均勻，節(jié)約大旦鎢絲和鋁源，鋁膜晶粒致密均勻B、大尺寸硅片淀積鋁膜厚度均勻，調(diào)節(jié)時(shí)間可得到所需厚度，薄膜的合金成分容易控制，可控制薄膜的重要性能:臺(tái)階覆蓋、晶粒結(jié)構(gòu)、內(nèi)應(yīng)力和附著力答案：B85.二極管溫度升高時(shí)，反向飽和電流將A、增大B、減小C、不變D、變?yōu)榱愦鸢福篈86.在集成電路的封裝過(guò)程中，哪個(gè)步驟用于保護(hù)芯片免受機(jī)械沖擊和振動(dòng)？A、塑封B、清洗C、晶圓切割D、引線(xiàn)鍵合答案：A87.PQFP（PlasticQFP）封裝是:()A、正方形,引腳間距最小的是0.4mm（最小極限是0.3mm），最大的是1.27mmB、長(zhǎng)方形,引腳間距最小的是0.4mm（最小極限是0.3mm），最大的是1.27mmC、芯片四角有突出（角耳）D、厚度已經(jīng)降到1.0mm或0.5mm答案：C88.互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)式功放電路為了克服(),應(yīng)將靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在甲乙類(lèi)狀態(tài)。A、飽和失真B、截止失真C、交越失真D、雙向失真答案：C89.在半導(dǎo)體工藝中，哪個(gè)步驟用于去除晶圓表面的污染物和雜質(zhì)？A、清洗B、退火C、擴(kuò)散D、氧化答案：A90.電烙鐵的正確撤離方法是（）。A、水平撤離B、45度撤離C、垂直向下撤離D、向上撤離答案：B91.哪種封裝類(lèi)型常用于高性能微處理器？A、BGA（球柵陣列）B、DIP（雙列直插）C、SOIC（小外形集成電路）D、TO（晶體管輪廓）答案：A92.要獲得+12V的穩(wěn)定電壓，集成穩(wěn)壓器的型號(hào)應(yīng)選用()oA、CW117B、CW317C、W7812D、CW7912答案：C93.氮化硅(Si3N4)膜的用途是:()A、雜質(zhì)擴(kuò)散掩蔽膜，器件表面保護(hù)或鈍化膜，電路隔離介質(zhì)或絕緣介質(zhì)，電容介質(zhì)材料，.MOS管的絕緣柵材料B、鈍化膜、局部氧化之前的掩蔽膜、擴(kuò)散摻雜的掩蔽膜、絕緣介質(zhì)膜、雜質(zhì)或缺陷的萃取膜C、MOS器件的絕緣柵答案：A94.在CMOS工藝中，為了防止閂鎖效應(yīng)（Latchup），通常會(huì)采取哪些措施？??A、增加襯底接觸B、減少金屬互連層數(shù)C、提高電源電壓D、減小晶體管尺寸答案：A95.TTL集成門(mén)電路的輸入端需通過(guò)哪個(gè)區(qū)域與正電源短接？A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、微導(dǎo)通區(qū)答案：B96.在集成電路設(shè)計(jì)中，EDA工具中的“DRC”代表什么？A、設(shè)計(jì)規(guī)則檢查（DesignRuleCheck）B、布局與布線(xiàn)（PlacementandRouting）C、靜態(tài)時(shí)序分析（StaticTimingAnalysis）D、邏輯綜合（LogicSynthesis）答案：A97.在電路中,Ri為其輸入電阻，RS為常數(shù)，為使下限頻率fL降低，應(yīng)（）。A、減小C，減小RiB、減小C，增大RiC、增大C，減小RiD、增大C，減小Ri答案：D98.在四變量卡諾圖中，邏輯上不相鄰的一組最小項(xiàng)為？A、m1與m3B、m4與m6C、m5與m13D、m2與m8答案：D99.壓敏電阻的主要成分包()。A、l2O3B、i2O3C、ZnOD、Co2O3答案：B100.哪種封裝類(lèi)型適用于高頻和高速應(yīng)用？A、DIPB、SOICC、QFN（四邊扁平無(wú)引腳封裝）D、BGA答案：C101.在集成電路制造中，光刻工藝的主要目的是什么？A、在晶圓上形成電路圖案B、去除晶圓表面的雜質(zhì)C、測(cè)量晶圓的尺寸D、檢查晶圓的質(zhì)量答案：A102.在TTL電路中，什么是靜態(tài)功耗？A、電路在穩(wěn)態(tài)下消耗的功率B、電路在動(dòng)態(tài)轉(zhuǎn)換過(guò)程中消耗的功率C、電路短路時(shí)消耗的功率D、電路開(kāi)路時(shí)消耗的功率答案：A103.在晶圓制造中，哪個(gè)步驟用于在晶圓上創(chuàng)建電路圖案的掩模？A、清洗B、涂膠C、曝光D、顯影答案：C104.影響CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅的兩個(gè)主要參數(shù)是A、溫度和壓力B、拉伸速率和晶體旋轉(zhuǎn)速率C、摻雜濃度和晶格缺陷D、冷卻速率和加熱功率答案：B105.熱氧化工藝的基本設(shè)備不包括以下哪一種？A、臥式爐B、立式爐C、快速熱處理爐D、電阻爐答案：D106.大規(guī)模集成電路一般不采用什么濺射方法:()A、直流(DC)濺射系統(tǒng)B、射頻(RF)濺射系統(tǒng)C、磁控管濺射系統(tǒng)答案：A107.CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅的主要目的是A、增加硅的純度B、實(shí)現(xiàn)均勻摻雜并復(fù)制晶向C、提高硅的硬度D、改變硅的導(dǎo)電類(lèi)型答案：B108.在CMOS工藝中，PMOS晶體管的溝道是由什么材料形成的？A、N型半導(dǎo)體B、P型半導(dǎo)體C、金屬D、絕緣體答案：B109.影響CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅的兩個(gè)主要參數(shù)是？A、拉伸速率和晶體旋轉(zhuǎn)速率B、溫度和壓力C、電流和電壓D、時(shí)間和功率答案：A110.在半導(dǎo)體分立器件中，光敏二極管（Photodiode）的主要功能是什么？A、放大電流B、轉(zhuǎn)換光信號(hào)為電信號(hào)C、儲(chǔ)存電荷D、調(diào)制射頻信號(hào)答案：B111.二氧化硅膜SiO2的用途是:()A、雜質(zhì)擴(kuò)散掩蔽膜，器件表面保護(hù)或鈍化膜，電路隔離介質(zhì)或絕緣介質(zhì)，電容介質(zhì)材料，.MOS管的絕緣柵材料B、鈍化膜、局部氧化之前的掩蔽膜、擴(kuò)散摻雜的掩蔽膜、絕緣介質(zhì)膜、雜質(zhì)或缺陷的萃取膜C、MOS器件的絕緣柵答案：A112.用來(lái)做芯片的高純硅被稱(chēng)為A、導(dǎo)體級(jí)硅B、絕緣體級(jí)硅C、半導(dǎo)體級(jí)硅（GSG）D、復(fù)合級(jí)硅答案：C113.熱氧化工藝中，常見(jiàn)的氧化方式不包括A、干氧氧化B、濕氧氧化C、水汽氧化D、真空氧化答案：D114.在CMOS工藝中，哪個(gè)步驟用于形成晶體管的柵極？A、離子注入B、擴(kuò)散C、氧化D、多晶硅沉積和刻蝕答案：D115.不屬于GPS系統(tǒng)組成部分的是？A、衛(wèi)星B、控制站C、接收器D、高精度地圖答案：D116.按照電氣功能分類(lèi)，集成電路分為:()A、雙極型集成電路、MOS型集成電路、雙極-MOS型B、小規(guī)模、中規(guī)模、大規(guī)模、超大規(guī)模C、通用型、半專(zhuān)用、專(zhuān)用D、數(shù)字、模擬答案：D117.單晶硅生長(zhǎng)常用的兩種方法是？A、CZ法和區(qū)熔法B、浮區(qū)法和提拉法C、熔融法和濺射法D、真空蒸鍍法和外延法答案：A118.多晶硅膜的用途是:()A、雜質(zhì)擴(kuò)散掩蔽膜，器件表面保護(hù)或鈍化膜，電路隔離介質(zhì)或絕緣介質(zhì)，電容介質(zhì)材料，.MOS管的絕緣柵材料B、鈍化膜、局部氧化之前的掩蔽膜、擴(kuò)散摻雜的掩蔽膜、絕緣介質(zhì)膜、雜質(zhì)或缺陷的萃取膜C、MOS器件的絕緣柵答案：B119.在四變量卡諾圖中，邏輯上不相鄰的一組最小項(xiàng)為：()。A、m1與m3B、m4與m6C、m5與m13D、m2與m8答案：D120.閉環(huán)馬達(dá)相對(duì)于普通馬達(dá)來(lái)說(shuō)差異點(diǎn)是什么?A、動(dòng)態(tài)tilt更穩(wěn)定B、沒(méi)區(qū)別C、更便宜D、多了反饋電路答案：D121.低壓LPCVD工作原理是:()A、反應(yīng)系統(tǒng)與外界自然空間是直接相通的，從而使得反應(yīng)裝置內(nèi)氣氛壓強(qiáng)也為一個(gè)大氣壓強(qiáng)，反應(yīng)裝置內(nèi)、外的壓強(qiáng)是平衡的B、膜厚均勻好、裝片量大，多晶硅與氮化硅膜的介質(zhì)膜淀積均采用C、采取將反應(yīng)性氣體激活，從而大大地降低常規(guī)反應(yīng)所需要的溫度D、在低于晶體熔點(diǎn)的溫度下，在硅單晶襯底上，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)完整性都符合要求的新單晶層E、以單質(zhì)的固體材料為源(如鋁、金、鉻等)，然后將它變?yōu)闅鈶B(tài)，在低氣壓下，再在襯底(硅晶片)表面淀積而成薄膜F、高速電子流打在蒸發(fā)源表面，有少量的鋁原子外層電子得到足夠能量而發(fā)生躍遷，造成鋁原子失去電子而變成正離子，形成離子流G、利用等離子體小的離子，對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子(原子)，使其沉積到硅片表面并形成薄膜,是目前大規(guī)模集成電路制造中應(yīng)用得最廣泛的一種鍍膜方法答案：B122.在集成電路的封裝過(guò)程中，哪個(gè)步驟涉及到將芯片與封裝基板連接起來(lái)？A、塑封B、引線(xiàn)鍵合C、晶圓切割D、清洗答案：B123.超導(dǎo)陶瓷的主要性能是()。A、完全耐磨性B、完全抗磁性C、完全導(dǎo)電性D、完全抗腐蝕性答案：C124.在CMOS工藝中，哪個(gè)步驟用于形成晶體管的源極和漏極？A、離子注入B、擴(kuò)散C、氧化D、退火答案：A125.極紫外光刻曝光屬于:()A、投影式曝光，光源發(fā)出的光線(xiàn)通過(guò)掩模版把圖案轉(zhuǎn)移到光刻膠膜上B、掃描式曝光，是把光源匯聚成很細(xì)的射束，直接在光刻膠上掃描出圖案(可以不用掩模版)答案：A126.甲乙類(lèi)OT1電路中，功放管靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在(),以克服交越失真。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、微導(dǎo)通區(qū)答案：D127.哪種測(cè)試方法用于檢測(cè)集成電路中的時(shí)序問(wèn)題？A、直流參數(shù)測(cè)試B、交流參數(shù)測(cè)試、時(shí)序分析C、時(shí)序分析D、功能測(cè)試答案：B128.甲類(lèi)功放的理想效率為()A、75%B、50%C、78.5%D、58.5%答案：B129.電容器在實(shí)際使用中采用的基本單位是（）。A、FB、uFC、mFD、pF答案：D130.外延的方法有:()A、氣相外延（硅器件大多采用）；液相外延（砷化鉀器件）；真空蒸發(fā)、濺射(很少采用)；分子束技術(shù)（能生長(zhǎng)幾納米）B、氣相外延（硅器件大多采用）；真空蒸發(fā)、濺射(很少采用)答案：A131.在數(shù)字信號(hào)中，高電平用哪個(gè)邏輯表示？A、邏輯0B、邏輯-1C、邏輯1D、邏輯非答案：C132.在CMOS工藝中，PMOS晶體管的載流子是？A、空穴B、電子C、質(zhì)子D、中子答案：A133.在半導(dǎo)體分立器件中，三極管的放大作用是基于哪種原理？A、載流子注入B、載流子復(fù)合C、歐姆定律D、光電效應(yīng)答案：A134.在半導(dǎo)體分立器件中，二極管的PN結(jié)在正向偏置時(shí)，主要發(fā)生的是哪種載流子運(yùn)動(dòng)？A、空穴從P區(qū)向N區(qū)擴(kuò)散B、電子從N區(qū)向P區(qū)擴(kuò)散C、空穴和電子的復(fù)合D、空穴和電子的同時(shí)擴(kuò)散答案：B135.表面安裝器件SMD的翼形引腳形式有:()A、陶瓷芯片載體封裝（LCCC）、QFN;B、SOT、SOP、QFP;C、SOJ、PLCC,D、BGA、PoP、CSP、FlipChip.答案：B136.SOP（ShortOut-linePackage）封裝是:()A、芯片寬度小于0.15in、電極引腳數(shù)目少于18腳；B、0.25in芯片寬、電極引腳數(shù)目在20~44以上；C、薄形SOP封裝.答案：A137.在半導(dǎo)體制造中，哪種氣體常用于干法刻蝕工藝？A、氧氣B、氮?dú)釩、氯氣D、氬氣答案：C138.下列四種類(lèi)型的邏輯門(mén)中，可以用()實(shí)現(xiàn)三種基本運(yùn)算。A、與門(mén)B、或門(mén)C、非門(mén)D、與非門(mén)答案：D139.在半導(dǎo)體集成電路制造中，晶圓制備完成后通常需要進(jìn)行哪個(gè)步驟？A、直接封裝B、清洗和檢查C、直接測(cè)試D、直接使用答案：B140.半導(dǎo)體器件的封裝過(guò)程中，哪個(gè)環(huán)節(jié)主要用于保護(hù)芯片免受物理?yè)p傷和環(huán)境污染？A、晶圓切割B、粘片C、塑封D、引線(xiàn)鍵合答案：C141.當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管反向飽和電流將()oA、增大B、減小C、不變D、等于零答案：A142.液相法有哪一種()。A、溶膠凝膠法B、微乳液法C、活性灼燒法D、熱注射法答案：D143.單晶硅生長(zhǎng)常用的兩種主要方法是A、CZ法和區(qū)熔法B、熔化法和凝固法C、蒸發(fā)法和沉積法D、濺射法和氣相法答案：A144.小中規(guī)模集成電路一般采用的氧化方法包括:()A、干氧熱氧化、濕氧熱氧化、水汽熱氧化、摻氛熱氧化、氫氧合成熱氧化、烷氧基硅烷熱分解法、硅烷熱分解淀積法B、射頻濺射法、磁控濺射法、等離子氧化C、真空蒸發(fā)、外延法、陽(yáng)極氧化答案：A145.電子束蒸發(fā)工作原理是:()A、反應(yīng)系統(tǒng)與外界自然空間是直接相通的，從而使得反應(yīng)裝置內(nèi)氣氛壓強(qiáng)也為一個(gè)大氣壓強(qiáng)，反應(yīng)裝置內(nèi)、外的壓強(qiáng)是平衡的B、膜厚均勻好、裝片量大，多晶硅與氮化硅膜的介質(zhì)膜淀積均采用C、采取將反應(yīng)性氣體激活，從而大大地降低常規(guī)反應(yīng)所需要的溫度D、在低于晶體熔點(diǎn)的溫度下，在硅單晶襯底上，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)完整性都符合要求的新單晶層E、以單質(zhì)的固體材料為源(如鋁、金、鉻等)，然后將它變?yōu)闅鈶B(tài)，在低氣壓下，再在襯底(硅晶片)表面淀積而成薄膜F、高速電子流打在蒸發(fā)源表面，有少量的鋁原子外層電子得到足夠能量而發(fā)生躍遷，造成鋁原子失去電子而變成正離子，形成離子流G、利用等離子體小的離子，對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子(原子)，使其沉積到硅片表面并形成薄膜,是目前大規(guī)模集成電路制造中應(yīng)用得最廣泛的一種鍍膜方法答案：F146.在CMOS電路中，為了減小功耗，通常會(huì)采取什么措施？A、增加電源電壓B、減小晶體管尺寸C、提高時(shí)鐘頻率D、增加負(fù)載電容答案：B147.網(wǎng)聯(lián)式先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)使用的傳感器是()A、毫米波雷達(dá)B、視覺(jué)傳感器C、激光雷達(dá)D、V2V答案：D148.在集成電路的制造過(guò)程中，哪個(gè)步驟用于在晶圓上形成圖形化的金屬互連層？A、刻蝕B、摻雜C、濺射D、退火答案：A149.在CMOS反相器中，當(dāng)輸入電壓為邏輯高時(shí)，PMOS晶體管處于什么狀態(tài)？A、導(dǎo)通B、截止C、飽和D、反向偏置答案：B150.在CMOS工藝中，為了減小柵極泄漏電流（GateLeakageCurrent），可以采取哪些技術(shù)？A、增加?xùn)艠O氧化層厚度B、減小柵極氧化層厚度C、提高電源電壓D、降低晶體管尺寸答案：A151.智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)最常見(jiàn)的傳感器融合是？A、毫米波雷達(dá)與激光雷達(dá)的融合B、毫米波雷達(dá)與超聲波傳感器的融合C、毫米波雷達(dá)與視覺(jué)傳感器的融合D、激光雷達(dá)與視覺(jué)傳感器的融合答案：C152.在半導(dǎo)體工藝中，哪種技術(shù)用于在晶圓上形成精細(xì)的圖形？A、拋光B、摻雜C、光刻D、清洗答案：C153.熱氧化與熱分解淀積的區(qū)別是:()A、溫度1000℃以上，基片是硅片B、溫度1000℃以上，基片是硅片、金屬片、陶瓷等C、溫度600℃左右，基片是硅片、金屬片、陶瓷等D、溫度600℃以上，基片是硅片答案：A154.在三極管放大電路中，三極管最高電位的一端是()oA、NPN管的發(fā)射極B、PNP管的發(fā)射極C、PNP管的集電極D、NPN管的基極答案：B155.干氧熱氧化是:()A、氧化氣氛為干燥純凈的氧氣，生成的二氧化硅膜干燥致密，但氧化速率最低B、氧化氣氛為純凈水蒸汽，氧化速率高、生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性C、氧化氣氛為既有純凈水蒸汽又有純凈氧氣，氧化速率高，生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性D、氧化氣氛為既有純凈水蒸汽又有純凈氧氣，有氯裝置，氧化速率高，生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性E、由氫氣、燃燒部、錯(cuò)誤比例連鎖保險(xiǎn)裝置、低溫報(bào)警連鎖保險(xiǎn)裝置、排氣系統(tǒng)所組成F、利用含硅的化合物經(jīng)過(guò)熱分解，在硅片表面淀積一層二氧化硅膜答案：A156.在CMOS工藝中，柵極氧化層的厚度對(duì)晶體管的什么特性影響最大？A、閾值電壓B、漏電流C、跨導(dǎo)D、擊穿電壓答案：A157.哪種測(cè)試方法用于驗(yàn)證集成電路是否按預(yù)期執(zhí)行其功能？A、直流參數(shù)測(cè)試B、交流參數(shù)測(cè)試C、功能測(cè)試D、老化測(cè)試答案：C158.在空氣不流通的狹小地方使用二氧化碳滅火器可能造成的危險(xiǎn)是（）。A、中毒B、缺氧C、爆炸D、腐蝕答案：B159.低壓化學(xué)氣相淀積[LPCVD)一般可用于:()A、二氧化硅SiO2，溫度900℃B、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4、鎢W，溫度500-800℃C、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、氮化硅Si3N4，溫度200-300℃D、二氧化硅SiO2、多晶硅PSG、單晶硅，溫度1150-1180℃E、鋁、金、銅、銀、鉻，溫度1300℃F、鋁、金、銅、銀、鉻、鉑、銅、欽、AlO2、ITO，溫度1200-1300℃答案：B160.常用的焊料是錫和（）的合金。A、銀B、金C、銅D、鉛答案：D161.智能汽車(chē)通過(guò)自車(chē)傳感器感知、結(jié)合V2X通信感知，能夠在廣域范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)以()優(yōu)化為目標(biāo)的路徑和車(chē)速優(yōu)化、防撞避撞等功能，進(jìn)一步提升道路交通的效率、降低事故發(fā)生率和整車(chē)的能耗水平。A、安全和能量B、可靠C、運(yùn)動(dòng)控制D、其他形式答案：A162.型號(hào)為2CP10的正向硅二極管導(dǎo)通后的正向壓降約為（）。A、1VB、0.2VC、0.6VD、2.6V答案：C163.以下哪種不是熱氧化的類(lèi)型？A、干氧氧化B、濕氧氧化C、水汽氧化D、真空氧化答案：D164.等離子化學(xué)沉積機(jī)正確的操作步驟是:()A、加熱→射頻→沉積B、加熱→加氣→射頻→沉積→排氣答案：B165.二氧化硅膜真空蒸發(fā)薄膜淀積方法是:()A、借助兩電極間在低氣壓下的氧化氣體放電，使陰極(硅棒)在電離氣體的轟擊下解體，硅原子與氣體分子反應(yīng)物離開(kāi)陽(yáng)極，濺射出來(lái)的粒子和氧反應(yīng)生成二氧化硅膜B、二氧化硅在真空中加熱蒸發(fā)，淀積到硅片表面形成氧化膜C、利用四氯化硅和二氧化碳及氫氣的混合體，在高溫下通人反應(yīng)室，在硅片表面淀積一層氧化膜D、將硅浸在電解液中，以鉑片作陰極，硅片作陽(yáng)極。加上電壓以后，在電解液中產(chǎn)生一束離子流。帶負(fù)電荷的氧離子到達(dá)陽(yáng)極硅片表面，使硅氧化產(chǎn)生二氧化硅膜答案：B166.外延工作原理是:()A、反應(yīng)系統(tǒng)與外界自然空間是直接相通的，從而使得反應(yīng)裝置內(nèi)氣氛壓強(qiáng)也為一個(gè)大氣壓強(qiáng)，反應(yīng)裝置內(nèi)、外的壓強(qiáng)是平衡的；B、膜厚均勻好、裝片量大，多晶硅與氮化硅膜的介質(zhì)膜淀積均采用;C、采取將反應(yīng)性氣體激活，從而大大地降低常規(guī)反應(yīng)所需要的溫度;D、在低于晶體熔點(diǎn)的溫度下，在硅單晶襯底上，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)完整性都符合要求的新單晶層;E、以單質(zhì)的固體材料為源(如鋁、金、鉻等)，然后將它變?yōu)闅鈶B(tài)，在低氣壓下，再在襯底(硅晶片)表面淀積而成薄膜;F、高速電子流打在蒸發(fā)源表面，有少量的鋁原子外層電子得到足夠能量而發(fā)生躍遷，造成鋁原子失去電子而變成正離子，形成離子流;G、利用等離子體小的離子，對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子(原子)，使其沉積到硅片表面并形成薄膜,是目前大規(guī)模集成電路制造中應(yīng)用得最廣泛的一種鍍膜方法.答案：D167.在集成電路的制造過(guò)程中，哪個(gè)步驟通常用于在晶圓上形成絕緣層？A、氧化B、擴(kuò)散C、離子注入D、退火答案：A168.我們希望柵源電壓一旦下降至閾值電壓以下時(shí)電流應(yīng)當(dāng)下降得盡可能()，即斜率系數(shù)S的值越()。A、慢；小B、快；大C、快；小D、慢；大答案：C169.熱分解淀積熱氧化是:()A、氧化氣氛為干燥純凈的氧氣，生成的二氧化硅膜干燥致密，但氧化速率最低B、氧化氣氛為純凈水蒸汽，氧化速率高、生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性C、氧化氣氛為既有純凈水蒸汽又有純凈氧氣，氧化速率高，生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性D、氧化氣氛為既有純凈水蒸汽又有純凈氧氣，有氯裝置，氧化速率高，生成的二氧化硅膜結(jié)構(gòu)疏松且表面呈親水性E、由氫氣、燃燒部、錯(cuò)誤比例連鎖保險(xiǎn)裝置、低溫報(bào)警連鎖保險(xiǎn)裝置、排氣系統(tǒng)所組成；F、利用含硅的化合物經(jīng)過(guò)熱分解，在硅片表面淀積一層二氧化硅膜答案：F170.在半導(dǎo)體工藝中，哪種技術(shù)用于在晶圓表面形成金屬連線(xiàn)？A、蒸發(fā)B、蒸發(fā)和濺射C、離子注入D、化學(xué)氣相沉積（CVD）答案：B171.涂膠厚度的決定因素是:()A、涂膠量B、較高的黏稠度和較低的轉(zhuǎn)速，產(chǎn)生較厚的光刻膠C、較高的黏稠度和較低的轉(zhuǎn)速，產(chǎn)生較薄的光刻膠答案：B172.焊接電阻、電容等小型元器件一般選用功率（）W的內(nèi)熱式電烙鐵。A、150B、25C、56D、75答案：A173.不嚴(yán)格執(zhí)行維修操作規(guī)程，()故障的故障率就直線(xiàn)上升。A、偶然故障型B、人為故障型C.耗損故障型答案：B174.在半導(dǎo)體分立器件中，肖特基二極管（SchottkyDiode）相比普通二極管有哪些主要優(yōu)勢(shì)？A、更高的反向擊穿電壓B、更低的正向壓降C、更大的電容效應(yīng)D、更高的噪聲系數(shù)答案：B175.12級(jí)智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)可以不配備的傳感器是()。A、超聲波傳感器B、毫米波雷達(dá)C、激光雷達(dá)D、視覺(jué)傳感器答案：C176.能夠?qū)崿F(xiàn)V2X通信的是()。A、藍(lán)牙B、Wi-FiC、DSRCD、4G答案：C177.數(shù)字信號(hào)和模擬信號(hào)的不同之處是()oA、數(shù)字信號(hào)在大小上不連續(xù)，時(shí)間上連續(xù)，而模擬信號(hào)則相反；B、數(shù)字信號(hào)在大小上連續(xù)，時(shí)間上不連續(xù)，而模擬信號(hào)則相反；C、數(shù)字信號(hào)在大小、時(shí)間上均不連續(xù)，而模擬信號(hào)則相反；D、數(shù)字信號(hào)在大小、時(shí)間上均連續(xù)，而模擬信號(hào)則相反。答案：C178.在集成電路設(shè)計(jì)中，哪個(gè)階段負(fù)責(zé)將門(mén)級(jí)網(wǎng)表轉(zhuǎn)換為具體的物理布局？A、邏輯綜合B、布局與布線(xiàn)C、仿真驗(yàn)證D、靜態(tài)時(shí)序分析答案：B179.選擇性氧化中，局部氧化的英文縮寫(xiě)是A、STIB、LOCOSC、MOSD、PMOS答案：B180.晶圓制備中，整型處理不包括以下哪一項(xiàng)？A、去掉兩端B、徑向研磨C、切片D、硅片定位邊和定位槽答案：C181.PFMEA解釋正確的是?A、產(chǎn)品失效模式與過(guò)程分析B、品質(zhì)失效模式與后果分析C、制程失效模式與后果分析D、設(shè)計(jì)失效模式與后果分析答案：C182.哪種工藝用于在晶圓上形成絕緣層？A、氧化B、擴(kuò)散C、注入D、沉積答案：A183.十進(jìn)制數(shù)碼18用842IBCD碼表示為()A、10010B、100010C、00011000D、01110111答案：C184.在三極管放大電路中，三極管最高電位的一端是？A、NPN管的發(fā)射極B、PNP管的發(fā)射極C、PNP管的集電極D、NPN管的基極答案：B185.以下哪種不是常見(jiàn)的半導(dǎo)體材料？A、硅（Si）B、鍺（Ge）C、砷化鎵（GaAs）D、銅（Cu）答案：D186.車(chē)道保持輔助系統(tǒng)的執(zhí)行單元不包括？A、報(bào)警模塊B、轉(zhuǎn)向盤(pán)操縱模塊C、發(fā)動(dòng)機(jī)控制模塊D、制動(dòng)器操縱模塊答案：C187.FCW是哪種V2X應(yīng)用的簡(jiǎn)稱(chēng)()A、交叉路口碰撞預(yù)警B、前向碰撞預(yù)警C、綠波通行D、車(chē)內(nèi)標(biāo)牌答案：B188.智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)最常見(jiàn)的傳感器融合是()。A、毫米波雷達(dá)與激光雷達(dá)的融合B、毫米波雷達(dá)與超聲波傳感器的融合C、毫米波雷達(dá)與視覺(jué)傳感器的融合D、激光雷達(dá)與視覺(jué)傳感器的融合答案：C189.等離子濺鍍工作原理是:()A、反應(yīng)系統(tǒng)與外界自然空間是直接相通的，從而使得反應(yīng)裝置內(nèi)氣氛壓強(qiáng)也為一個(gè)大氣壓強(qiáng)，反應(yīng)裝置內(nèi)、外的壓強(qiáng)是平衡的；B、膜厚均勻好、裝片量大，多晶硅與氮化硅膜的介質(zhì)膜淀積均采用;C、采取將反應(yīng)性氣體激活，從而大大地降低常規(guī)反應(yīng)所需要的溫度;D、在低于晶體熔點(diǎn)的溫度下，在硅單晶襯底上，沿著原來(lái)的結(jié)晶軸方向，生長(zhǎng)一層導(dǎo)電類(lèi)型、電阻率、厚度和晶格結(jié)構(gòu)完整性都符合要求的新單晶層;E、以單質(zhì)的固體材料為源(如鋁、金、鉻等)，然后將它變?yōu)闅鈶B(tài)，在低氣壓下，再在襯底(硅晶片)表面淀積而成薄膜;F、高速電子流打在蒸發(fā)源表面，有少量的鋁原子外層電子得到足夠能量而發(fā)生躍遷，造成鋁原子失去電子而變成正離子，形成離子流G、利用等離子體小的離子，對(duì)被濺射物體電極進(jìn)行轟擊，使氣相等離子體內(nèi)具有被濺射鍍物的粒子(原子)，使其沉積到硅片表面并形成薄膜,是目前大規(guī)模集成電路制造中應(yīng)用得最廣泛的一種鍍膜方法.答案：G190.以下哪種電路常用于總線(xiàn)應(yīng)用？A、n位電路B、2n位電路C、n^2位電路D、特定結(jié)構(gòu)的總線(xiàn)接口電路答案：A191.os測(cè)試是指?A、光心測(cè)試B、開(kāi)短路測(cè)試C、電流測(cè)試D、暗邊測(cè)試答案：B192.NPN型和PNP型晶體管的區(qū)別是()。A、P區(qū)和N區(qū)的位置不同B、由兩種不同的材料硅和鍺制成的C、摻入的雜質(zhì)元素不同D、管腳排列方式不同答案：A193.CZ直拉法生長(zhǎng)單晶硅的目的是什么？A、制備工業(yè)硅B、實(shí)現(xiàn)均勻摻雜并復(fù)制仔晶結(jié)構(gòu)C、制備二氧化硅D、去除雜質(zhì)答案：B194.表面安裝器件SMD的無(wú)引腳形式有:()A、陶瓷芯片載體封裝（LCCC）、QFNB、SOT、SOP、QFPC、SOJ、PLCCD、BGA、PoP、CSP、FlipChip答案：A195.乙類(lèi)推挽（互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)）功率放大電路的理想最大效率為()A、50.5%B、60.5%C、75.5%D、78.5%4、在數(shù)字信號(hào)中，高電平用邏輯1表示，低電平用邏輯0表示，稱(chēng)為（A）A正邏輯B1邏輯C負(fù)邏輯DO邏輯答案：D196.在集成電路制造中，哪一個(gè)步驟是形成晶體管的關(guān)鍵？A、清洗和準(zhǔn)備晶圓B、光刻和刻蝕C、封裝和測(cè)試D、封裝后處理答案：B197.在半導(dǎo)體工藝中，哪個(gè)步驟用于去除晶圓表面的自然氧化層？A、濕法清洗B、氫氟酸浸泡C、離子注入D、退火答案：B198.順磁體和鐵磁體相互轉(zhuǎn)化的溫度稱(chēng)為()。A、燒結(jié)溫度B、居里溫度C、臨界溫度D、尼爾溫度答案：B199.用二進(jìn)制數(shù)對(duì)IOO個(gè)信息進(jìn)行編碼，則至少要()。A、7位B、8位C、6位D、10位答案：A200.常用的74XX系列是指()A、TT1器件B、CMOS器件C、NMOS器件D、PMOS器件答案：A201.把電動(dòng)勢(shì)為1.5V的干電池的正極直接接到一個(gè)硅二極管的正極，負(fù)極直接接到硅二極管的負(fù)極，則該管()。A、基本正常B、將被擊穿C、將被燒壞D、電流為0答案：C202.晶圓的英文是A、chipB、waferC、siliconD、substrate答案：B203.二氧化硅膜SiO2的特點(diǎn)是:()A、化學(xué)穩(wěn)定性極高，絕緣，有掩蔽性質(zhì)，明顯地限制硼、磷、砷、銻等三、五價(jià)化學(xué)元素在氧化硅介質(zhì)膜中的遷移速度B、化學(xué)穩(wěn)定性極高，不溶于水，絕緣，有掩蔽性質(zhì)，明顯地限制硼、磷、砷、銻等三、五價(jià)化學(xué)元素在氧化硅介質(zhì)膜中的遷移速度C、化學(xué)穩(wěn)定性極高，不溶于水，絕緣，有掩蔽性質(zhì)，明顯地限制硼、磷、砷、鋁、金等三、五價(jià)化學(xué)元素在氧化硅介質(zhì)膜中的遷移速度答案：C判斷題1.判斷題：題目：在半導(dǎo)體分立器件中，肖特基二極管（SchottkyDiode）具有比傳統(tǒng)PN結(jié)二極管更低的正向壓降和更快的開(kāi)關(guān)速度。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A2.判斷題：題目：晶圓制造中的濕法刻蝕通常使用化學(xué)溶液來(lái)去除晶圓表面的特定材料層。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A3.判斷題：題目：在半導(dǎo)體分立器件和集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中，靜電防護(hù)（ESDProtection）是至關(guān)重要的，因?yàn)殪o電放電可能導(dǎo)致器件損壞。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A4.判斷題：題目：半導(dǎo)體材料的遷移率是影響器件工作速度的關(guān)鍵因素之一，遷移率越高，器件的開(kāi)關(guān)速度越快。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A5.判斷題：題目：封裝過(guò)程中的熱壓焊（ThermosonicBonding）是一種利用超聲波和加熱來(lái)實(shí)現(xiàn)金絲與芯片或基板連接的技術(shù)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A6.判斷題：題目：在集成電路設(shè)計(jì)中，時(shí)序分析（TimingAnalysis）是確保電路在給定時(shí)鐘頻率下能夠正確運(yùn)行的關(guān)鍵步驟。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A7.判斷題：題目：封裝過(guò)程中，金絲球焊（WireBonding）的質(zhì)量直接影響芯片的電氣性能和可靠性。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A8.判斷題：題目：封裝后的集成電路在進(jìn)行功能測(cè)試時(shí)，通常需要使用專(zhuān)門(mén)的測(cè)試夾具來(lái)連接測(cè)試設(shè)備和芯片引腳。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A9.判斷題：題目：封裝后的集成電路在運(yùn)輸過(guò)程中，需要采取防靜電措施以防止靜電放電（ESD）損壞芯片。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A10.判斷題：題目：封裝后的集成電路在出廠前，通常需要進(jìn)行環(huán)境應(yīng)力篩選（ESS）以剔除早期失效產(chǎn)品。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A11.判斷題：題目：集成電路的封裝密度越高，其引腳間距越小，對(duì)封裝技術(shù)的要求也越高。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A12.判斷題：題目：封裝后的集成電路在使用前，通常會(huì)進(jìn)行老化測(cè)試（Burn-inTest），以加速潛在故障的暴露并篩選出不良品。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A13.判斷題：題目：在半導(dǎo)體制造中，化學(xué)氣相沉積（CVD）是一種常用的薄膜沉積技術(shù)，可用于生長(zhǎng)各種材料如二氧化硅、氮化硅等。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A14.判斷題：題目：集成電路的封裝材料不僅需要良好的絕緣性，還需要具備一定的機(jī)械強(qiáng)度以抵抗外部沖擊。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A15.判斷題：題目：在半導(dǎo)體分立器件和集成電路的生產(chǎn)過(guò)程中，質(zhì)量控制（QC）和質(zhì)量保證（QA）體系對(duì)于確保產(chǎn)品質(zhì)量至關(guān)重要。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A16.判斷題：題目：在集成電路設(shè)計(jì)中，低功耗設(shè)計(jì)是一種重要的考慮因素，旨在減少芯片的功耗以提高能效。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A17.判斷題：題目：在半導(dǎo)體制造中，濕法刻蝕通常比干法刻蝕具有更好的選擇性和均勻性。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B18.判斷題：題目：在集成電路測(cè)試中，功能測(cè)試（FunctionalTest）用于驗(yàn)證芯片是否按照設(shè)計(jì)規(guī)格正常工作。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A19.判斷題：題目：在CMOS工藝中，NMOS晶體管和PMOS晶體管是互補(bǔ)的，共同構(gòu)成了CMOS反相器的基本單元。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A20.判斷題：題目：集成電路的封裝過(guò)程中，塑封（Molding）是一種常見(jiàn)的封裝方式，它通過(guò)注入熔融的塑料材料來(lái)包封芯片和引腳。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A21.判斷題：題目：半導(dǎo)體分立器件中的雙極性晶體管（BJT）可以不通過(guò)調(diào)整基極電流來(lái)控制集電極和發(fā)射極之間的電流放大倍數(shù)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：B22.判斷題：題目：晶圓制造中的CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）步驟通常用于去除晶圓表面的粗糙度，提高表面平整度。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A23.判斷題：題目：晶圓制造中的氧化步驟是為了在硅表面生長(zhǎng)一層二氧化硅薄膜，作為后續(xù)工藝的絕緣層或掩蔽層。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A24.判斷題：題目：在半導(dǎo)體分立器件中，穩(wěn)壓二極管（ZenerDiode）的主要作用是提供一個(gè)穩(wěn)定的電壓基準(zhǔn)。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A25.判斷題：題目：封裝過(guò)程中的打線(xiàn)（WireBonding）和植球（BallMounting）都是實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路連接的關(guān)鍵步驟。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A26.判斷題：題目：在集成電路的制造過(guò)程中，金屬化步驟是為了在芯片表面形成導(dǎo)電層，以實(shí)現(xiàn)電路元件之間的互連。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A27.判斷題：題目：在集成電路制造中，多層金屬互連用于實(shí)現(xiàn)芯片內(nèi)部復(fù)雜的電路連接。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A28.判斷題：題目：晶圓制造中的曝光步驟是通過(guò)紫外光照射光刻膠，使其發(fā)生化學(xué)反應(yīng)以形成電路圖形。（）A、正確B、錯(cuò)誤答案：A29.判斷題：題目：封裝過(guò)程中使用的封裝材料需要具有良好的熱穩(wěn)定