海外半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)市場(chǎng)前景及投資研究報(bào)告：全球涂膠顯影設(shè)備龍頭東京電子（TEL）

-20%200405.3%-50%-100%-40%

2001000-60%◆

圖：TEL預(yù)期FY2025營(yíng)收同比+20.2%◆

圖：TEL預(yù)期FY2025歸母凈利潤(rùn)同比+22.3%營(yíng)業(yè)總收入41.4%yoy歸母凈利潤(rùn)yoy十億日元十億日元50%

50043.2%250079.9%100%80%77.4%45040035040%20.2%

30%200015001000500024.1%20.4%47.9%10.2%13.0%60%21.5%31.2%8.3%20%

3007.9%22.3%

40%20%10%

2508.3%-11.8%200150100500%-17.1%-25.4%-22.8%0%-10%-20%-30%-20%0-40%9注：CY表示日歷年（Calender

Year），F(xiàn)Y表示財(cái)年（Fiscal

Year），這里FY2024的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)實(shí)際反映2023年4月1日至2024年3月31日的情況。：Wind，TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所數(shù)據(jù)1.4.2

TEL預(yù)計(jì)FY25毛利率創(chuàng)新高，或通過(guò)產(chǎn)品提價(jià)與規(guī)模效應(yīng)實(shí)現(xiàn)?

盈利能力方面，F(xiàn)Y22起，TEL的毛利率中樞由過(guò)去六到七年的40%躍升至45%，主要?dú)w功于業(yè)績(jī)體量邁上新臺(tái)階；FY2024在公司銷(xiāo)售額有較大下滑的情況下毛利率仍有所改善，說(shuō)明產(chǎn)品均價(jià)有明顯提升；公司預(yù)計(jì)FY25毛利率達(dá)到46.5%，有望創(chuàng)歷史新高。FY22-FY24，歸母凈利率持續(xù)下滑的主要原因系研發(fā)費(fèi)用率不斷提高，公司預(yù)計(jì)FY25歸母凈利率將穩(wěn)中有升。?

分季度來(lái)看，在多數(shù)財(cái)年內(nèi)，TEL的盈利能力隨收入利潤(rùn)體量均呈現(xiàn)逐季提升的季節(jié)性，表明規(guī)模效應(yīng)在發(fā)揮作用。據(jù)我們測(cè)算，2016Q1-2024Q1

TEL各季度的營(yíng)收與綜合毛利率、營(yíng)收與歸母凈利率的相關(guān)系數(shù)分別達(dá)0.76、0.85，且除2021和2023財(cái)年外，TEL的毛凈利率與收入利潤(rùn)體量均呈現(xiàn)逐季提升的季節(jié)性，或表明規(guī)模效應(yīng)對(duì)TEL的盈利能力的影響較為明顯。◆

圖：TEL毛利率中樞已由40%提升至45%，且仍有提升勢(shì)頭；歸母凈利率在20%附近企穩(wěn)◆

圖：在多數(shù)財(cái)年內(nèi)，TEL的盈利能力隨收入利潤(rùn)體量呈現(xiàn)逐季提升的季節(jié)性，表明規(guī)模效應(yīng)在發(fā)揮作用毛利率歸母凈利率毛利率歸母凈利率50%45%40%35%30%25%20%15%10%5%46%47%20%60%50%40%30%20%10%0%45%20%45%42%41%19%40%

40%40%

40%40%22%

21%18%17%16%14%12%

12%0%10注：CY表示日歷年（Calender

Year），F(xiàn)Y表示財(cái)年（Fiscal

Year），這里FY2024的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)實(shí)際反映2023年4月1日至2024年3月31日的情況。：Wind，東吳證券研究所數(shù)據(jù)1.4.3

TEL研發(fā)投入&資本開(kāi)支快速擴(kuò)張，彰顯對(duì)半導(dǎo)體下游需求信心?

持續(xù)巨額的研發(fā)投入和快速擴(kuò)張的資本開(kāi)支很大程度上彰顯出TEL對(duì)半導(dǎo)體下游長(zhǎng)期需求的信心。TEL計(jì)劃FY2025-FY2029五年合計(jì)研發(fā)費(fèi)用和資本開(kāi)支分別達(dá)到1.5萬(wàn)億日元（約合750億人民幣）、7000億日元（約合350億人民幣），同時(shí)每年新招2000名員工，主要用于開(kāi)發(fā)低溫刻蝕、導(dǎo)體刻蝕（ICP）、單晶圓ALD、涂膠顯影設(shè)備新平臺(tái)、尖端光刻技術(shù)的表面處理、先進(jìn)封裝等技術(shù)和下一代產(chǎn)品；此外，在先進(jìn)封裝方面，TEL還將進(jìn)一步完善Wafer-to-Wafer和Die-to-Wafer鍵合、激光剝離以及用于EUV和高密度3D集成等超平晶圓制造技術(shù)。預(yù)計(jì)FY2025研發(fā)費(fèi)用和資本開(kāi)支分別達(dá)到2500億日元（約合125億人民幣）、1700億日元（約合85億人民幣），增速為23%和40%。◆

圖：TEL預(yù)計(jì)2025財(cái)年研發(fā)費(fèi)用快速增長(zhǎng)◆

圖：TEL資本開(kāi)支及增速研發(fā)費(fèi)用（十億日元）研發(fā)費(fèi)用YoY(右軸)資本支出（十億日元）資本支出YoY(右軸)研發(fā)費(fèi)用率(右軸）3002502001501005023.3%

25%180170

140%120%2501601401201008020%100%12280%15%11.6%

11.5%11.4%11.1%8.7%10.5%10.7%60%9.8%748.9%8.6%10%5%7.9%5740%40%555460504620%402113130%2000%0-20%11注：CY表示日歷年（Calender

Year），F(xiàn)Y表示財(cái)年（Fiscal

Year），這里FY2024的財(cái)務(wù)數(shù)據(jù)實(shí)際反映2023年4月1日至2024年3月31日的情況。：TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所數(shù)據(jù)1.4.3

TEL研發(fā)投入&資本開(kāi)支快速擴(kuò)張，彰顯對(duì)半導(dǎo)體下游需求信心?

從全球半導(dǎo)體設(shè)備TOP5制造商研發(fā)費(fèi)用對(duì)比來(lái)看，2023年TEL的研發(fā)費(fèi)用率為9%，低于其他四家。此外，五家設(shè)備商的研發(fā)費(fèi)用率存在明顯的同向變動(dòng)趨勢(shì)，反應(yīng)對(duì)半導(dǎo)體下游景氣度的預(yù)期，研發(fā)費(fèi)用率約領(lǐng)先半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額增速1-2年的時(shí)間。2024Q1除AMAT外，其他四家公司的研發(fā)費(fèi)用率均有明顯提升，或表明全球半導(dǎo)體及設(shè)備行業(yè)正迎來(lái)新一輪上行周期。◆

圖：全球半導(dǎo)體設(shè)備TOP5制造商研發(fā)費(fèi)用（億美元）◆

圖：全球半導(dǎo)體設(shè)備TOP5制造商研發(fā)費(fèi)用率對(duì)比ASMLLAMKLAAMATASMLAMATLAMTELKLATEL全球半導(dǎo)體設(shè)備銷(xiāo)售額同比-右軸504540353025201510521%19%17%15%13%11%9%50%40%30%20%10%0%7%05%-10%201520162017201820192020202120222023

2024Q12015

2016

2017

2018

2019

2020

2021

2022

2023

2024Q112數(shù)據(jù)：Wind，東吳證券研究所1.4.4

近三年TEL涂膠顯影設(shè)備收入CAGR達(dá)20%，反映市場(chǎng)需求旺盛?

涂膠顯影設(shè)備為T(mén)EL的拳頭產(chǎn)品，F(xiàn)Y24收入占比30%；刻蝕/薄膜/清洗設(shè)備為T(mén)EL的第二成長(zhǎng)曲線，F(xiàn)Y24合計(jì)收入占比65%。TEL主營(yíng)業(yè)務(wù)包含半導(dǎo)體生產(chǎn)設(shè)備（SPE）和平板顯示制造設(shè)備（FPD），其中FY23SPE收入占比超過(guò)95%。SPE產(chǎn)品包括涂膠顯影設(shè)備、刻蝕設(shè)備、薄膜沉積設(shè)備（CVD、PVD、ALD）、濕法清洗設(shè)備、測(cè)試設(shè)備和其他設(shè)備，F(xiàn)Y2024各類(lèi)產(chǎn)品在SPE新設(shè)備銷(xiāo)售收入中的占比分別為30%、32%、21%、12%、3%和2%。?

動(dòng)態(tài)來(lái)看，F(xiàn)Y2023-24涂膠顯影設(shè)備收入占比有所提升，F(xiàn)Y2021-24涂膠顯影設(shè)備收入CAGR達(dá)20%，在市占率穩(wěn)定情況下，反映光刻機(jī)與涂膠顯影設(shè)備需求旺盛；刻蝕設(shè)備占比下滑，主要系TEL刻蝕設(shè)備的市占率有所下降，但刻蝕設(shè)備仍憑借高價(jià)值量占據(jù)TEL最高單品收入比重。未來(lái)低溫刻蝕設(shè)備放量有望帶動(dòng)TEL刻蝕設(shè)備收入占比回升。◆

圖：TEL收入按產(chǎn)品大類(lèi)劃分◆

圖：TEL

SPE新設(shè)備銷(xiāo)售收入按產(chǎn)品劃分十億日元FPDSPESPE占比（右軸）其他測(cè)試設(shè)備清洗設(shè)備薄膜沉積設(shè)備刻蝕機(jī)涂膠顯影機(jī)2500100%

100%1%1%1%1%1%1%3%2%6%2%6%7%9%6%7%8%5%5%3%98%4%97%98%96%94%92%90%88%86%84%82%80%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%11%12%12%10%10%10%11%200094%94%94%94%93%20%40%20%37%21%38%21%39%21%32%23%21%34%26%29%22%92%91%15001000500034%25%40%20%30%28%26%26%25%23%23%FY2015

FY2016

FY2017

FY2018

FY2019

FY2020

FY2021

FY2022

FY2023FY2016

FY2017

FY2018

FY2019

FY2020

FY2021

FY2022

FY2023

FY202413數(shù)據(jù)：TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所1.4.5

TEL看好2024-2025年先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)資本開(kāi)支修復(fù)?

FY2024

Non-memory領(lǐng)域（邏輯、代工等非存儲(chǔ)芯片）在TEL

SPE新設(shè)備銷(xiāo)售中的收入占比約2/3，TEL預(yù)計(jì)FY2025

DRAM、NVM（Non-volatile

memory，非易失性存儲(chǔ)器，包括NAND、NOR閃存等存儲(chǔ)技術(shù)）和Non-memory三大領(lǐng)域的設(shè)備收入分別有望增長(zhǎng)16%、35%和24%?？傮w而言，TEL預(yù)期2025年WFE市場(chǎng)將實(shí)現(xiàn)兩位數(shù)增長(zhǎng)，主要看好AI服務(wù)器需求增長(zhǎng)（TEL預(yù)計(jì)2023-2027全球AI服務(wù)器出貨量CAGR：+31%）和PC/智能手機(jī)需求復(fù)蘇，后者包括端側(cè)AI的新應(yīng)用需求、疫情期間購(gòu)買(mǎi)的產(chǎn)品更換需求以及企業(yè)IT投資，兩大因素共振推動(dòng)先進(jìn)制程邏輯/晶圓代工和NAND資本開(kāi)支修復(fù)?！?/p>

圖：TEL

SPE新設(shè)備銷(xiāo)售收入按下游應(yīng)用場(chǎng)景拆分Non-memoryNVMDRAMDRAM-yoyNVM-yoyNon-memory-yoy十億日元1800150%100%50%1600140012001000800600400200056%35%16%24%-19%0%-50%-100%-72%FY2016FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023FY2024FY2025E◆

圖：TEL

SPE新設(shè)備銷(xiāo)售收入按下游應(yīng)用場(chǎng)景拆分-占比Non-memoryNVMDRAM100%80%60%40%20%0%31%38%31%36%40%50%50%26%53%55%28%60%66%66%67%20%30%21%26%20%20%7%8%20%14%24%24%27%26%17%FY2016FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023FY2024FY2025E14數(shù)據(jù)：TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所1.4.5

先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)芯片技術(shù)不斷迭代為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇?

TEL

SPE的下游應(yīng)用場(chǎng)景分為DRAM、Non-volatile

memory（NVM）和Non-memory三大類(lèi)。其中DRAM是易失性存儲(chǔ)器，廣泛應(yīng)用于服務(wù)器、PC、智能手機(jī)等；Non-volatile

memory為非易失性存儲(chǔ)器，包括NAND閃存、NOR閃存、EEPROM等存儲(chǔ)技術(shù)，廣泛應(yīng)用于USB驅(qū)動(dòng)器、SSD、數(shù)碼相機(jī)/手機(jī)和其他設(shè)備中的存儲(chǔ)卡；Non-memory是指存儲(chǔ)器之外的其他類(lèi)型的半導(dǎo)體產(chǎn)品，包括邏輯芯片、代工和其他，如CPU、GPU等。隨著技術(shù)的進(jìn)步，邏輯芯片、DRAM、NAND等半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模將持續(xù)擴(kuò)張，多層化程度將進(jìn)一步提高?！?/p>

表：TEL

SPE三大下游應(yīng)用場(chǎng)景未來(lái)技術(shù)的迭代趨勢(shì)及對(duì)應(yīng)設(shè)備機(jī)遇應(yīng)用場(chǎng)Non-memoryDRAMNVM景細(xì)分領(lǐng)域邏輯芯片DRAMNAND示意圖需求低功耗/高速CPU更快的讀取速度、多層堆疊高容量存儲(chǔ)GAA（Gate-All-Around，全環(huán)繞柵

（High-NA）極紫外(EUV)光刻；HKMG（高介電常數(shù)金

多層堆疊；3D結(jié)構(gòu)上的高深寬比刻蝕極）納米片；背面PDN（電源傳輸

屬柵極）在CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）周邊技術(shù)中

（HARC刻蝕）；邊緣鍵合；引入新材技術(shù)迭代點(diǎn)網(wǎng)絡(luò)）的應(yīng)用；HBM包裝料用于存儲(chǔ)單元HARC刻蝕；濕法刻蝕，新型干燥技術(shù)；新型低電阻金屬；鍵合；晶圓翹曲抑制技術(shù)設(shè)備機(jī)選擇性刻蝕；使用新材料進(jìn)行沉積；極紫外(EUV)光刻技術(shù)的涂膠/顯影設(shè)備；使用新材料進(jìn)行遇超臨界干燥；鍵合機(jī)/激光修邊沉積；鍵合機(jī)/解鍵合機(jī)15數(shù)據(jù)：TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所1.4.5

先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)芯片技術(shù)不斷迭代為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇?

根據(jù)TEL對(duì)邏輯芯片技術(shù)發(fā)展路線的預(yù)估，從2020年到2032年，每個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)都與特定的晶體管設(shè)計(jì)和工藝尺寸相關(guān)聯(lián)。TEL認(rèn)為通過(guò)縮短多晶硅柵極間距和晶體管單元高度以及DTCO（假設(shè)為1.15倍），預(yù)計(jì)每個(gè)新技術(shù)節(jié)點(diǎn)的邏輯密度都能提升60%~80%，從而顯著推動(dòng)半導(dǎo)體性能的持續(xù)進(jìn)步和電子產(chǎn)品的小型化。此外，EUV光刻技術(shù)的應(yīng)用，包括不同配置和新一代High

NA

EUV設(shè)備，都將是實(shí)現(xiàn)這些技術(shù)節(jié)點(diǎn)的關(guān)鍵。◆

圖：邏輯芯片技術(shù)迭代路線圖16數(shù)據(jù)：TEL

2022年中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃，東吳證券研究所1.4.5

先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)芯片技術(shù)不斷迭代為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇?

根據(jù)TEL對(duì)DRAM技術(shù)發(fā)展路線的預(yù)估，截至2023年底，DRAM先進(jìn)制程已演進(jìn)至12-13nm，繼續(xù)向10nm逼近，存儲(chǔ)密度不斷提升。在圖形化技術(shù)方面，預(yù)計(jì)會(huì)從193i

SAQP和雙模式圖形化（DP）過(guò)渡到結(jié)合EUV光刻技術(shù)的更先進(jìn)工藝。電容結(jié)構(gòu)的高寬比（A.R.）不斷增加，意味著存儲(chǔ)單元電容的設(shè)計(jì)將更加立體化，以維持DRAM的存儲(chǔ)能力。整體而言，DRAM各方面的技術(shù)進(jìn)步將對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備提出更高要求，以滿足未來(lái)對(duì)更快數(shù)據(jù)處理速度和更大存儲(chǔ)容量的需求?！?/p>

圖：DRAM技術(shù)迭代路線圖17數(shù)據(jù)：AMAT官網(wǎng)，TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所1.4.5

先進(jìn)邏輯+存儲(chǔ)芯片技術(shù)不斷迭代為半導(dǎo)體設(shè)備帶來(lái)挑戰(zhàn)與機(jī)遇?

根據(jù)TEL對(duì)NAND技術(shù)發(fā)展的預(yù)估，3D

NAND堆疊層數(shù)將從2023年的240層增長(zhǎng)至2029年的500層以上，堆疊層數(shù)、通道材料、存儲(chǔ)孔數(shù)、周邊CMOS布局等方面技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新和改進(jìn)，將推動(dòng)NAND閃存向更高容量、更快速度和更小尺寸的方向發(fā)展，也推動(dòng)相應(yīng)設(shè)備向更高產(chǎn)能、更高深寬比刻蝕、更高精度迭代。◆

圖：NAND技術(shù)迭代路線圖18數(shù)據(jù)：TEL

2022年中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃，東吳證券研究所1.4.6

TEL預(yù)計(jì)2024年中國(guó)設(shè)備需求尤其是成熟制程投資規(guī)模將同比持平?若將TEL收入按照國(guó)家/地區(qū)劃分，可以發(fā)現(xiàn)，過(guò)去數(shù)年TEL對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的依賴程度不斷加深，2023年中國(guó)大陸是TEL唯一正增長(zhǎng)的收入

，24Q1來(lái)自中國(guó)大陸的合計(jì)收入同比增速接近100%，在TEL總收入中的占比接近50%。展望2024年，TEL看好中國(guó)市場(chǎng)需求維持強(qiáng)勁，預(yù)計(jì)2024年中國(guó)設(shè)備需求尤其是成熟制程投資規(guī)模將同比持平。但由于中國(guó)國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備持續(xù)替代以及其他地區(qū)先進(jìn)制程的投資增加，TEL預(yù)計(jì)FY2025來(lái)自中國(guó)大陸的收入占比將由FY2024的44%降至40%以下?！?/p>

圖：TEL收入按國(guó)家/地區(qū)劃分：24Q1來(lái)自中國(guó)大陸的收入同比+97%十億日元800東南亞及其他中國(guó)大陸中國(guó)臺(tái)灣韓國(guó)歐洲北美日本中國(guó)大陸收入增速（右軸）210%2.52174%700600102%108%111%1.51106%97%88%50065%68%64%56%55%49%40%39%38%40034%19%19%16%10%8%0.50300-4%-11%-20%-22%-39%200-51%-0.5-11000◆

圖：TEL來(lái)自各國(guó)家/地區(qū)的收入占比：24Q1來(lái)自中國(guó)大陸的收入占比為47%東南亞及其他中國(guó)大陸中國(guó)臺(tái)灣韓國(guó)歐洲北美日本100%90%

10%80%9%

12%

9%8%9%14%16%21%10%15%12%20%

20%

16%21%24%

24%22%

20%22%24%25%23%

27%23%27%24%35%39%43%

47%47%70%60%50%40%30%20%10%0%19數(shù)據(jù)：

Wind，TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所1.4.7

三星電子、英特爾、臺(tái)積電為T(mén)EL前三大客戶?

從客戶結(jié)構(gòu)來(lái)看，F(xiàn)Y2011-FY2023，僅有五家客戶為T(mén)EL貢獻(xiàn)過(guò)10%以上的收入，近年來(lái)三星電子、英特爾、臺(tái)積電憑借自身龐大的資本開(kāi)支，穩(wěn)定成為T(mén)EL的前三大客戶。◆

圖：TEL收入按客戶劃分（僅統(tǒng)計(jì)各財(cái)年收入貢獻(xiàn)10%以上的客戶情況）美光科技SK海力士臺(tái)積電英特爾三星電子70%60%50%40%30%20%10%0%11%10%12%16%16%18%17%12%14%14%16%12%15%15%16%14%15%15%14%11%13%20%20%23%18%18%16%15%16%14%12%13%14%14%12%11%FY2011FY2012FY2013FY2014FY2015FY2016FY2017FY2018FY2019FY2020FY2021FY2022FY2023◆

圖：TEL各大客戶Capex情況（億美元）三星電子英特爾臺(tái)積電SK海力士美光科技500450400350300250200150100500202011201220132014201520162017201820192020202120222023數(shù)據(jù)：Wind，TEL各財(cái)年綜合報(bào)告/年報(bào)，東吳證券研究所目錄1

TEL：全球第四、日本最大半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商2

TEL：全球涂膠顯影設(shè)備龍頭，平臺(tái)型布局完善3

解讀TEL涂膠顯影設(shè)備超高市占率背后的邏輯4

見(jiàn)賢思齊，看好芯源微引領(lǐng)涂膠顯影設(shè)備5

風(fēng)險(xiǎn)提示212.1.1

涂膠顯影設(shè)備為T(mén)EL的拳頭產(chǎn)品，市占率長(zhǎng)期穩(wěn)定在90%左右?

涂膠顯影設(shè)備為T(mén)EL的拳頭產(chǎn)品，市占率長(zhǎng)期穩(wěn)定在90%左右，刻蝕/薄膜/清洗設(shè)備為T(mén)EL的第二成長(zhǎng)曲線。SPE產(chǎn)品中，2017-2023年TEL涂膠顯影設(shè)備的市占率穩(wěn)定在90%左右水平，EUV光刻在線涂膠顯影設(shè)備的市占率高達(dá)100%，處于行業(yè)壟斷地位；干法刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備市占率近兩年均出現(xiàn)下滑，分別由2021年的29%和39%下降至2023年的22%和31%，主要受中國(guó)國(guó)產(chǎn)刻蝕機(jī)和薄膜沉積設(shè)備快速替代影響，若進(jìn)一步細(xì)化，TEL薄膜沉積設(shè)備中的ALD和氧化爐/擴(kuò)散爐市占率降幅尤為明顯?！?/p>

圖：TEL

SPE各類(lèi)產(chǎn)品的市占率涂膠顯影機(jī)干法刻蝕機(jī)薄膜沉積設(shè)備87%清洗設(shè)備89%測(cè)試設(shè)備（探針臺(tái)）100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%91%90%87%88%89%47%47%45%40%39%29%38%30%37%28%38%27%37%29%36%26%25%34%25%34%22%31%27%25%25%22%20%CY2017CY2018CY2019CY2020CY2021CY2022CY2023◆

圖：TEL

薄膜沉積設(shè)備中各細(xì)分產(chǎn)品的市占率◆

圖：TEL

FPD兩類(lèi)產(chǎn)品的市占率CVD54%ALD氧化爐/擴(kuò)散爐FPD涂膠顯影機(jī)FPD刻蝕/灰化機(jī)60%50%40%30%20%10%0%80%70%60%50%40%30%20%10%0%53%71%71%71%51%43%68%49%65%48%44%42%38%42%40%27%40%28%40%

40%16%31%29%29%29%19%21%21%19%16%22FY2022CY2017CY2018CY2019CY2020CY2021CY2022CY2023FY2018FY2019FY2020FY2021數(shù)據(jù)：TEL各財(cái)年Q4

Presentation，東吳證券研究所2.1.2

TEL涂膠顯影設(shè)備核心的技術(shù)壁壘在于高產(chǎn)能與穩(wěn)定性?

TEL涂膠顯影設(shè)備共迭代了三大系列，依次為CLEAN

TRACK

Mark、CLEAN

TRACK

AC

、CLEANTRACK

LITHIU

。其中Mark是TEL的第一代日產(chǎn)涂膠顯影機(jī)，現(xiàn)已退出銷(xiāo)售。AC

系列是在Mark系列基礎(chǔ)上開(kāi)發(fā)的涂膠顯影機(jī)，可支持300/200mm晶圓工藝，但產(chǎn)能較低，正逐步退出市場(chǎng)。◆

表：CLEAN

TRACK

AC

系列涂膠顯影設(shè)備參數(shù)AC

12AC

12

SODACAC

8

SOD8設(shè)備型號(hào)AC150M晶圓尺寸（mm）可用性200、300100、150、200新、認(rèn)證二手新產(chǎn)能（WPH）工藝In-line：120S/A：3I-line、KrF、ArF干式、SOD/SOG、PIEBSi、GaAs、GaN、GaP、SiC、玻璃、藍(lán)寶石、AlTiC基材優(yōu)勢(shì)Si、玻璃6025型光掩膜基板封閉系統(tǒng)、精密電爐封閉系統(tǒng)設(shè)備圖片23數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所2.1.2

TEL涂膠顯影設(shè)備核心的技術(shù)壁壘在于高產(chǎn)能與穩(wěn)定性?

LITHIU

系列是繼AC

系列之后的最新涂膠顯影設(shè)備，也是近年來(lái)TEL的主流產(chǎn)品型號(hào)。該系列擴(kuò)展到先進(jìn)制程，可配套EUV光刻機(jī)，產(chǎn)能達(dá)到300WPH。2012-2022年，該系列設(shè)備已累計(jì)出貨超2000臺(tái)，其中應(yīng)用于EUV工藝的LITHIUS

Pro

Z設(shè)備出貨量超過(guò)140臺(tái)?！?/p>

表：CLEAN

TRACK

LITHIU

系列涂膠顯影設(shè)備參數(shù)設(shè)備型號(hào)晶圓尺寸（mm）可用性Pr

AP300Pr300ZPr300VPrLITHIU200、300新200、300認(rèn)證二手In-line：150新新新產(chǎn)能（WPH）200In-line：300In-line：250In-line：200(High

NA)

EUV、浸沒(méi)式、ArF干式、KrF、I-line、SOCSOD、PI、Package、OCCF等浸沒(méi)式、ArF干式、KrF

浸沒(méi)式、ArF干式、KrF、I-

浸沒(méi)式、ArF干式、KrF工藝基材、I-line、SOCline、SOC、I-lineSi、玻璃、塑料Si、玻璃Si、玻璃Si、玻璃Si、玻璃高生產(chǎn)率和工藝性能、低顆粒晶圓傳送系統(tǒng)、提高OEE、化學(xué)藥品成本降低基于Pr

Z，可實(shí)現(xiàn)多種應(yīng)用，具備高可靠性和生產(chǎn)率高生產(chǎn)率、高吞吐量、占地面積小、提高OEE、可靈活配置雙圖案工藝高通量、占地面積小、提高

計(jì)量一體化、Ingenio數(shù)OEE、化學(xué)藥品成本降低

據(jù)分析優(yōu)勢(shì)設(shè)備圖片24數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，

TEL

2022年中期經(jīng)營(yíng)計(jì)劃，東吳證券研究所2.2.1

TEL是全球CCP刻蝕機(jī)龍頭，未來(lái)或?qū)l(fā)力ICP刻蝕?

刻蝕是IC芯片制造工藝中與光刻聯(lián)系的重要圖形化工藝?？涛g是指采用物理或化學(xué)的方法選擇性地從襯底表面去除不需要的材料，以實(shí)現(xiàn)掩膜圖形的正確復(fù)制?？涛g制程位于薄膜沉積和光刻之后，目的是利用化學(xué)反應(yīng)、物理反應(yīng)、光學(xué)反應(yīng)等方式將晶圓表面附著的不必要的物質(zhì)去除，過(guò)程反復(fù)多遍，最終得到構(gòu)造復(fù)雜的集成電路。?

刻蝕工藝分為干法刻蝕和濕法刻蝕兩大類(lèi)，2022年干法刻蝕市場(chǎng)占比超過(guò)90%。由于干法刻蝕可以實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕，符合現(xiàn)階段半導(dǎo)體制造的高精準(zhǔn)、高集成度的需求，因此在小尺寸的先進(jìn)工藝中，基本采用干法刻蝕工藝，導(dǎo)致干法刻蝕在半導(dǎo)體刻蝕市場(chǎng)中占據(jù)主流地位，市場(chǎng)占比超過(guò)90%。?

干法刻蝕進(jìn)一步分為CCP刻蝕和ICP刻蝕，對(duì)應(yīng)介質(zhì)刻蝕和導(dǎo)體刻蝕，兩者市場(chǎng)占比相當(dāng)。根據(jù)作用機(jī)理不同，干法刻蝕又可分為電容耦合等離子體（CCP）刻蝕和電感耦合等離子體（ICP）刻蝕。CCP主要用于質(zhì)地較硬的電介質(zhì)刻蝕領(lǐng)域；ICP刻蝕設(shè)備可用于質(zhì)地較軟的金屬、硅等導(dǎo)體刻蝕領(lǐng)域。根據(jù)華經(jīng)產(chǎn)業(yè)研究院，2022年ICP刻蝕設(shè)備及CCP刻蝕設(shè)備分別占刻蝕設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模的47.9%和47.5%，整體占比相當(dāng)。過(guò)去CCP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占比更高，后伴隨先進(jìn)制程發(fā)展ICP設(shè)備需求增速更快、使得ICP設(shè)備占比超越CCP設(shè)備，近年來(lái)由于NAND逐步邁入3D結(jié)構(gòu)時(shí)代，存儲(chǔ)芯片對(duì)CCP設(shè)備需求增加，使得CCP設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模占比快速回升，且預(yù)計(jì)未來(lái)將再度反超ICP設(shè)備占比?！?/p>

圖：2022年全球刻蝕設(shè)備◆

圖：刻蝕工藝分類(lèi)刻蝕對(duì)象市場(chǎng)結(jié)構(gòu)氧化硅等氧化物、氮化硅、光刻膠CCP刻蝕介質(zhì)刻蝕導(dǎo)體刻蝕其他,4.6%干法刻蝕刻蝕工藝多晶硅、單晶硅、硅化物、鍺硅刻蝕CCP刻蝕設(shè)備,47.5%ICP刻蝕ICP刻蝕設(shè)備,47.9%金屬刻蝕鋁、鎢濕法刻蝕25數(shù)據(jù)：華經(jīng)院，東吳證券研究所2.2.1

TEL是全球CCP刻蝕機(jī)龍頭，未來(lái)或?qū)l(fā)力ICP刻蝕?

TEL刻蝕機(jī)包含CCP和ICP刻蝕機(jī)，CCP刻蝕機(jī)為其主力產(chǎn)品。根據(jù)TEL官網(wǎng)，2023年TEL干法刻蝕機(jī)市占率為22%，而根據(jù)Gartner，2022年TEL

CCP刻蝕機(jī)的市占率達(dá)52%，表明CCP刻蝕機(jī)為T(mén)EL的主力刻蝕設(shè)備。?

TEL正積極投入研發(fā)ICP刻蝕機(jī)。TEL計(jì)劃FY2025-FY2029五年合計(jì)研發(fā)費(fèi)用達(dá)到1.5萬(wàn)億日元（約合750億人民幣），主要研發(fā)方向包括低溫刻蝕（CCP）和導(dǎo)體刻蝕（ICP）技術(shù)?；蝾A(yù)示TEL也將在ICP刻蝕領(lǐng)域發(fā)力?！?/p>

表：TEL

UNIT

和Episod

UL系列刻蝕機(jī)參數(shù)設(shè)備型號(hào)腔室設(shè)計(jì)UNITY

Me+

OxDRM100、150、200CCP1-4UNITMe+

Si&SiCEpisodULSCCM200UD晶圓尺寸（mm）100、150、200300、ICP應(yīng)用CCP1-4CCP1-12腔室數(shù)量Ox、SiN、HM、EB、Contact、Via、Trench、SAC、Spacer、DD工藝Trench、EB、TSV基材Si、玻璃、SiC、sapphire、LN、LT、AlTicS2、CE、ROWSi、SiC、玻璃S2、CE、ROWSi安全認(rèn)證S2、CE晶圓夾持器的額外尺寸方形75，方形N/AN/A（mm）設(shè)備圖片26數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，Gartner，東吳證券研究所2.2.2

TEL推出新一代低溫刻蝕設(shè)備，有望搶占極高深寬比刻蝕份額?

近期TEL推出的新一代低溫刻蝕機(jī)正在穩(wěn)步評(píng)估并進(jìn)行量產(chǎn)驗(yàn)證，預(yù)計(jì)2026年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。該設(shè)備能夠在-70℃的極端低溫環(huán)境下運(yùn)行（當(dāng)前刻蝕工藝的冷卻溫度通常為0~30℃），在400層及以上NAND中有相當(dāng)大的優(yōu)勢(shì)，它可在33分鐘內(nèi)進(jìn)行10μm深的高深寬比刻蝕，比現(xiàn)有刻蝕機(jī)快三倍以上，大大提高了3D

NAND的生產(chǎn)效率。截至2024年5月，SK海力士正在評(píng)估該設(shè)備，若評(píng)估效果良好，TEL量產(chǎn)后或可快速搶占LAM擁有的100%

NAND通道刻蝕機(jī)份額。TEL預(yù)計(jì)其低溫刻蝕機(jī)將于2025年開(kāi)始小批量應(yīng)用，2026年起大規(guī)模生產(chǎn)。?

以刻蝕機(jī)為代表的半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)需持續(xù)迭代，以滿足下游對(duì)更大容量、更高速、更可靠性和更低功耗的需求。以NAND閃存為例，NAND閃存芯片通常用于在PC和智能手機(jī)中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其發(fā)展趨勢(shì)是存儲(chǔ)單元的堆疊層數(shù)不斷增加。TEL官網(wǎng)顯示，2023年，

NAND閃存芯片的層數(shù)已達(dá)到200層，部分頭部廠商的尖端產(chǎn)品層數(shù)超過(guò)這一水平，如SK海力士的一款3D

NAND產(chǎn)品采用三重堆棧結(jié)構(gòu)層數(shù)達(dá)到321層，而TEL預(yù)計(jì)遠(yuǎn)期NAND閃存芯片的單元層數(shù)將超過(guò)1,000層，以滿足對(duì)更高內(nèi)存容量的需求，NAND通道工藝市場(chǎng)也將從2023年的5億美元擴(kuò)大到2027年的20億美元。◆

圖：TEL新一代低溫刻蝕機(jī)運(yùn)行情況（CCP）◆

圖：NAND閃存堆疊技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)超過(guò)1000層200層24層27數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，半導(dǎo)體行業(yè)觀察，天天IC，東吳證券研究所2.3

TEL在CVD領(lǐng)域的主要產(chǎn)品為L(zhǎng)PCVD，2023年ALD市占率達(dá)16%?

薄膜沉積設(shè)備方面，TEL在CVD領(lǐng)域主要做LPCVD，2023年ALD市占率達(dá)16%。CVD設(shè)備分為管式和非管式兩大類(lèi)，根據(jù)Gartner，2020年非管式CVD市場(chǎng)占比達(dá)86%，非管式CVD進(jìn)一步可以細(xì)分為ALD、PECVD和非管式LPCVD，其中非管式LPCVD約占非管式CVD的13%。?

TEL的CVD包括Trias

e

和TELINDY

兩個(gè)系列，前者為單晶片CVD，可直接集成各種300mm的處理模塊，主要用于插頭和電極形成的高精度金屬沉積工藝；后者是等溫大批量平臺(tái)，用于氧化、退火和LPCVD等工藝?！?/p>

圖：2020年薄膜沉積設(shè)備市場(chǎng)結(jié)構(gòu)MOCVD,

Epitaxy,3%8%ECD,4%管式CVD,14%LPCVD,13%非管式CVD進(jìn)一步可以細(xì)分為ALD、PECVD和非管式LPCVDCVD設(shè)備分為管式和非管式兩大類(lèi)PVD,21%ALD,

24%CVD,64%非管式CVD,86%PECVD,63%◆

表：Triase

系列CVD參數(shù)◆

表：TELIND

系列CVD參數(shù)TELINDY

TELFORMTELINDYPLU

IRaALPHA-8SEi設(shè)備型號(hào)晶圓尺寸（mm）應(yīng)用TriaseEX-I

TiNTriaseTi/TiNTriase300W設(shè)備型號(hào)PLUUL300接觸屏障、電容器電極、金屬柵極TiN、ASFDTiNSi300晶圓尺寸（mm）300300300150、200接觸插塞、通孔填充電容器電極、接觸可用性新、認(rèn)證二手

認(rèn)證二手氧化物、退新新工藝基材CVD

Ti/TiNSiWSi氧化物、退火、氮化物、聚乙烯、TEOS、HTOALD、LPCVD、氧化/退火火、氮化物、聚乙烯、TEOS工藝SiN、SiO2在Ti沉積過(guò)程中同步進(jìn)行TiSix形成技術(shù)、ClF3清潔良好的TiN膜性能、快速沉積、ClF3清潔高生產(chǎn)率、ClF3清潔優(yōu)勢(shì)工藝溫度RT-1100CRT-1000CRT-800CRT-1250C28數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，Gartner，東吳證券研究所2.4

TEL清洗設(shè)備市占率22%（2023年），多搭配其他設(shè)備出售?

清洗設(shè)備方面，TEL擁有CELLEST

和NS30

兩個(gè)系列，前者用于300mm單片前道/后道表面清洗、濕法刻蝕等工藝，具有高產(chǎn)能和更小的占地面積；后者基于涂膠顯影設(shè)備平臺(tái)，具有出色的可靠性、穩(wěn)定性和工藝上的靈活性?！?/p>

表：CELLESTA

系列清洗設(shè)備參數(shù)◆

表：NS300系列清洗設(shè)備參數(shù)CELLESTA

-iMDCELLESTANS300+設(shè)備型號(hào)CELLESTA

-i設(shè)備型號(hào)NS300ZNS300+HT

NS300+NS300MS2Conversion150、200新晶圓尺寸（mm）晶圓尺寸（mm）可用性300新300新300300新300新300新300認(rèn)證二手180新可用性產(chǎn)能(wph)適用的工藝基材產(chǎn)能（wph）6506509001000500500320DIW洗滌器Si、玻璃DIW洗滌器

DIW洗滌器

DIW洗滌器

DIW洗滌器Si、SiC、GaAS、etc.前道/后道清洗、前道/后道清洗、適用的工藝物理清洗濕法刻蝕濕法刻蝕Si、玻璃

Si、玻璃

Si、玻璃基材SiSiSi旋轉(zhuǎn)、氮?dú)?/p>

旋轉(zhuǎn)、氮?dú)?/p>

旋轉(zhuǎn)、氮?dú)?/p>

旋轉(zhuǎn)、氮?dú)飧稍锓椒?/p>

旋轉(zhuǎn)、氮?dú)夤娘L(fēng)機(jī)鼓風(fēng)機(jī)鼓風(fēng)機(jī)鼓風(fēng)機(jī)鼓風(fēng)機(jī)干燥方法IPA/SMD熱IPA旋轉(zhuǎn)干燥清潔能力設(shè)備圖片>95%>95%>95%>95%>95%設(shè)備圖片29數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所2.5

TEL的晶圓臨時(shí)鍵合/解鍵合設(shè)備主要應(yīng)用于TSV制程?

晶圓臨時(shí)鍵合/解鍵合設(shè)備方面，TEL的Synaps

系列設(shè)備可為T(mén)SV（硅通孔）的臨時(shí)鍵合/解鍵合工藝、CMOS圖像傳感器的永久鍵合工藝以及其他各種類(lèi)型的器件提供先進(jìn)解決方案。其中Synaps

Si產(chǎn)能高、占地面積??；Synaps

V是一種臨時(shí)晶圓鍵合設(shè)備，可使用各種粘合劑將兩個(gè)晶圓鍵合在一起，該系統(tǒng)由材料涂層、烘烤和粘合功能組成，可在單個(gè)工具中實(shí)現(xiàn)集成的晶片粘合工藝，獨(dú)特開(kāi)發(fā)的晶片對(duì)準(zhǔn)單元和晶片鍵合模塊可提供最高級(jí)別的總厚度偏差（TTV）和鍵合精度。Synaps

ZPlus具有晶圓、器件和載體晶圓清洗功能，可在TSV工藝后用一個(gè)系統(tǒng)完成復(fù)雜的晶圓解鍵合工藝?！?/p>

表：Synaps

系列晶圓鍵合/解鍵合設(shè)備參數(shù)設(shè)備型號(hào)Synaps

SiSynapsVSynaps

ZPlus晶圓尺寸（mm）可用性300新300新300新典型應(yīng)用BSI（背照式）TSVTSV3σ<100nm（對(duì)準(zhǔn)精度）<5%精度-（膠水厚度的TTV）設(shè)備圖片30數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所2.6

TEL晶圓探針臺(tái)市占率34%（2023年），精度與承載力高?

晶圓探針臺(tái)作為晶圓制造環(huán)節(jié)的核心測(cè)試設(shè)備，技術(shù)壁壘在于對(duì)精度要求嚴(yán)苛（μm級(jí)別），且對(duì)設(shè)備穩(wěn)定性要求極高，需要具備視覺(jué)精密控測(cè)量和定位系統(tǒng)。晶圓探針臺(tái)的關(guān)鍵參數(shù)是XYZ軸向的定位精度控制，以及設(shè)備的承載力。TEL是全球晶圓探針臺(tái)龍頭，2023年市占率達(dá)34%，其優(yōu)勢(shì)產(chǎn)品Prex

MS型全自動(dòng)探針臺(tái)的XY軸向探測(cè)精度在1μm以內(nèi)，承載力可達(dá)1000kg，同時(shí)搭載最新的光學(xué)系統(tǒng)以及減少錯(cuò)誤的新算法。◆

表：TEL各型號(hào)晶圓探針臺(tái)設(shè)備參數(shù)設(shè)備型號(hào)PrexPrex

MSPreci

XLPrecio

octP-12XLn/n+/mP-12XL晶圓尺寸（mm）200*，300200*，300200，300150，200200，300200，300XY軸探測(cè)精度（μm）

±1.5*，±1.8±0.8±1.8±2.0±1.8，±2.5±4.0Z軸探測(cè)精度（μm）承載力（kg）±2.5*，±5.0300，450*±2.5*，±5.0600，1000*±5.0±5.0±5.0±5.0200/300*60100/200*100設(shè)備圖片31數(shù)據(jù)：TEL官網(wǎng)，東吳證券研究所目錄1

TEL：全球第四、日本最大半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商2

TEL：全球涂膠顯影設(shè)備龍頭，平臺(tái)型布局完善3

解讀TEL涂膠顯影設(shè)備超高市占率背后的邏輯4

見(jiàn)賢思齊，看好芯源微引領(lǐng)涂膠顯影設(shè)備5

風(fēng)險(xiǎn)提示323.1

TEL高度壟斷全球和中國(guó)Track市場(chǎng)，我國(guó)Track空間廣闊?

按照TEL

FY2024涂膠顯影設(shè)備4120億日元的收入、90%的市占率，匯率按照1美元兌150日元、1美元兌7.2元人民幣來(lái)估算，2023年全球涂膠顯影設(shè)備的市場(chǎng)空間約30.5億美元/220億元人民幣?！?/p>

圖：

TEL全球

Track市

占率高達(dá)89%（2022年）Screen,3%芯源微,SEMES,

3%5%?

在前道Track領(lǐng)域，TEL處于壟斷地位，2023年全球市占率高達(dá)90%，2022年在中國(guó)的市占率達(dá)91%。中國(guó)大陸前道涂膠顯影設(shè)備中僅芯源微具備高端In-line設(shè)備的量產(chǎn)能力，在本土市場(chǎng)已取得一定突破，但2022年市場(chǎng)份額僅為4%，前道Track空間依然廣闊。?

通過(guò)深入探究TEL的前道Track超高市占率背后的邏輯，我們發(fā)現(xiàn)：TEL前道Track的核心壁壘在于（1）應(yīng)用工藝范圍廣泛，產(chǎn)品系列齊全；（2）產(chǎn)能高、穩(wěn)定性強(qiáng)；（3）濕法/化學(xué)工藝水平高，材料/零部件本土化程度高；（4）與頭部晶圓廠+頭部光刻機(jī)廠商長(zhǎng)期合作。具體分析見(jiàn)3.2-3.5節(jié)。TEL,

89%◆

圖

：

TEL

占

據(jù)

中

國(guó)

大

陸

91%

的◆

表：全球半導(dǎo)體前道設(shè)備市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局Track市場(chǎng)份額（2022年）TEL全球市占率（2023年）類(lèi)別光刻機(jī)外資品牌國(guó)產(chǎn)品牌上海微電子國(guó)產(chǎn)化率芯源微,Screen,5%4%ASML

、Nikon、Canon<1%<10%>20%涂膠顯影設(shè)備

TEL、DNS芯源微90%刻蝕設(shè)備LAM、TEL、AMAT北方華創(chuàng)、中微公司22%北方華創(chuàng)、中微公司、拓荊科技等薄膜沉積設(shè)備

AMAT、LAM、TEL31%<20%<10%離子注入過(guò)程控制AMAT、Axcelis中科信、凱世通KLA、AMAT、日立上海睿勵(lì)、東方晶源盛美半導(dǎo)體、北方華創(chuàng)、

至純科技、芯源微TEL,

91%清洗設(shè)備DNS、TEL、KLA、LAM22%>30%CMP設(shè)備AMAT、Ebara華海清科、中電四十五所長(zhǎng)川科技、精測(cè)電子等>30%<5%測(cè)試設(shè)備泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)33數(shù)據(jù)：芯源微招股說(shuō)明書(shū)，Gartner，Bloomberg

Intelligence，TEL

FY24Q4Presentation，珩創(chuàng)投資，研究院，東吳證券研究所3.2

TEL

Track核心壁壘一：應(yīng)用工藝范圍廣泛，產(chǎn)品系列齊全?

前道涂膠顯影設(shè)備一般與光刻機(jī)聯(lián)機(jī)作業(yè)。涂膠顯影設(shè)備（又稱(chēng)Track或Coater＆Developer）是光刻工序中與光刻機(jī)配套使用的涂膠、烘烤及顯影設(shè)備，包括涂膠機(jī)、噴膠機(jī)和顯影機(jī)。在早期的集成電路和較低端的半導(dǎo)體制造工藝中，此類(lèi)設(shè)備往往單獨(dú)使用（Off

Line）。隨著IC制造工藝自動(dòng)化程度及客戶對(duì)產(chǎn)能要求的不斷提升，在200mm（8英寸）及以上的大型生產(chǎn)線上，涂膠顯影設(shè)備一般與光刻機(jī)聯(lián)機(jī)作業(yè)（In

Line），組成配套的圓片處理與光刻生產(chǎn)線，與光刻機(jī)配合完成精細(xì)的光刻工藝流程。?

Track承擔(dān)除曝光以外的所有光刻步驟。完整的光刻工藝包括8個(gè)細(xì)分步驟：脫水烘烤（氣相成底膜和增黏）、旋轉(zhuǎn)涂膠、前烘、曝光、后烘、顯影、堅(jiān)膜烘烤、顯影檢查，其中光刻機(jī)負(fù)責(zé)曝光步驟，Track則承擔(dān)除曝光以外的所有光刻步驟。◆

圖：光刻工藝流程脫水烘烤旋轉(zhuǎn)涂膠軟烘/前烘曝光對(duì)原始硅片進(jìn)行清洗、脫水，清除吸附在硅片表面的污染物、上道工序的殘留物和金屬離子等雜質(zhì)，并涂抹增黏劑在硅片表面均勻涂覆光刻膠，并將硅片邊緣和背面多余的光刻膠清除將硅片放在烤箱或熱板上進(jìn)行烘焙，減少光刻膠中的溶劑含量，提高光刻膠與硅片附著的穩(wěn)定性將光掩模、透鏡模組和工件臺(tái)進(jìn)行精密對(duì)準(zhǔn)調(diào)平，工件臺(tái)在移動(dòng)過(guò)程中完成硅片曝光顯影檢查堅(jiān)膜烘烤顯影后烘測(cè)量光刻膠的膜厚、套刻精度、關(guān)鍵尺寸等指標(biāo)，對(duì)顯影后的電路圖案進(jìn)行檢查再次對(duì)硅片烘焙，進(jìn)一步減少光刻膠中的溶劑含量，避免多余水分對(duì)后續(xù)刻蝕的影響，并提升光刻膠的粘性噴涂顯影液，溶解光刻膠上之前被曝光的部分，進(jìn)而將光掩模上的電路圖形復(fù)現(xiàn)在硅片上通過(guò)曝光后烘焙激發(fā)曝光過(guò)程產(chǎn)生的酸，使部分光刻膠溶于顯影液并提高顯影分辨率34數(shù)據(jù)：芯源微招股說(shuō)明書(shū)，東吳證券研究所3.2

TEL

Track核心壁壘一：應(yīng)用工藝范圍廣泛，產(chǎn)品系列齊全?作為光刻機(jī)“重要搭檔”，Track與光刻機(jī)升級(jí)迭代步伐同步。在前道領(lǐng)域，不同工藝節(jié)點(diǎn)適用光刻機(jī)各異，為提升光刻分辨率，光源波長(zhǎng)已從435nm（G-line）、365nm（I-line）、248nm（KrF）、193nm（ArF和ArFi）依次發(fā)展到13.5nm（EUV）

。Track對(duì)工藝精度的要求與光刻機(jī)產(chǎn)品升級(jí)緊密掛鉤。一方面，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體工藝節(jié)點(diǎn)正邁向28nm以下先進(jìn)制程，疊加立體結(jié)構(gòu)芯片放量，晶圓制造過(guò)程中光刻工序循環(huán)次數(shù)將明顯增加，進(jìn)而帶動(dòng)涂膠顯影次數(shù)提升；另一方面，先進(jìn)制程下光刻加工線寬明顯下降，為保障光刻機(jī)高效工作，光刻膠旋涂控制和顯影操作的技術(shù)難度均大幅提升，對(duì)應(yīng)Track的單位價(jià)值量也明顯上升。據(jù)芯源微募投數(shù)據(jù)，ArFi

Track預(yù)測(cè)單價(jià)可達(dá)到5700萬(wàn)元/臺(tái)，相比I-line提升近一倍。TEL

Track的一大優(yōu)勢(shì)就在于應(yīng)用工藝范圍廣泛、產(chǎn)品系列齊全，能夠覆蓋上述各類(lèi)型的Track，特別是在EUV

Track市場(chǎng)（包括High

NA

EUV）處于獨(dú)供狀態(tài)。?◆

表：不同制程節(jié)點(diǎn)對(duì)應(yīng)的光刻機(jī)類(lèi)型第一代G-line第二代I-line第三代KrF第四代ArF第五代ArFi第六代EUV第七代HighNA

EUV13.5nm光刻機(jī)光源波長(zhǎng)436nm365nm248nm193nm130-65nm193nm130-7nm13.5nm7-2nm制程節(jié)點(diǎn)800-250nm800-250nm180-130nm2nm及以下◆

圖：2023年全球IC光刻機(jī)CR3銷(xiāo)售以I-line、KrF、ArFi◆

圖：ArFi

Track單臺(tái)價(jià)值量明顯提升為主（臺(tái)）芯源微預(yù)測(cè)各類(lèi)Track單價(jià)（萬(wàn)元/臺(tái)）I-lineKrFArFDryArFiEUV57006000100%90%80%70%60%50%40%30%20%10%0%100746266832072425000400030002000100009280129

119

147

158

193564235003400KrF78135791221484129722912900I-line791410414115130

174209359326259118421345333793125851700Barc72332854085511938518617948211731421135ArF浸沒(méi)式數(shù)據(jù)：ASML、Canon、Nikon官網(wǎng)，芯源微公告，東吳證券研究所3.3

TEL

Track核心壁壘二：產(chǎn)能高、穩(wěn)定性強(qiáng)?

光刻工藝中的曝光所需的光刻機(jī)是最關(guān)鍵、最復(fù)雜、最昂貴的集成電路制造裝備，與之配套工作的Track需要足夠穩(wěn)定、產(chǎn)能足夠高。2024年上半年ASML的光刻機(jī)出貨均價(jià)約為0.5億歐元/臺(tái)，EUV光刻機(jī)售價(jià)更是高達(dá)1.7億歐元/臺(tái)。因此，Track的產(chǎn)能要與光刻機(jī)產(chǎn)能相匹配，否則便是對(duì)光刻機(jī)產(chǎn)能和價(jià)值投入的浪費(fèi)。?

Track與光刻機(jī)緊密協(xié)作，其性能影響光刻、刻蝕等多個(gè)工序，不穩(wěn)定、低產(chǎn)能帶來(lái)的機(jī)會(huì)成本巨大。作為光刻機(jī)的輸入（曝光前光刻膠涂覆）和輸出（曝光后圖形的顯影），Track的穩(wěn)定性直接影響到光刻工序曝光圖案