半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜編制說明

行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》編制說明（征求意見稿）一、工作簡況1、立項目的和意義半導(dǎo)體擴(kuò)散工藝是一種摻雜技術(shù)，它是將所需雜質(zhì)按要求的濃度與分布摻入到半導(dǎo)體材料中，以達(dá)到改變材料電學(xué)性能，形成半導(dǎo)體器件的目的。傳統(tǒng)的擴(kuò)散工藝一般是使用傳統(tǒng)化學(xué)品，后來發(fā)展出片狀擴(kuò)散源技術(shù)，僅德國、美國公司控制片狀擴(kuò)散工藝技術(shù)，后又發(fā)展出膜擴(kuò)散技術(shù)，美國菲諾士公司掌握膜擴(kuò)散技術(shù)20多年，對我國進(jìn)行長期的技術(shù)封鎖?！笆奈濉币?guī)劃綱要的“第四章強(qiáng)化國家戰(zhàn)略科技力量”的“集成電路”領(lǐng)域明確提出核心電子器件、高端通用芯片等寬禁帶半導(dǎo)體的發(fā)展。《新材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》中三、發(fā)展方向(二)中明確提及寬禁帶半導(dǎo)體材料；《新材料標(biāo)準(zhǔn)領(lǐng)航行動計劃(2018-2020年)》中的“二(二)4先進(jìn)半導(dǎo)體材料”中“建立碳化硅、氮化鎵、氮化硼等第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)……”；《重點新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄(2019版)》中“關(guān)鍵戰(zhàn)略材料”中“284碳化硅外延片、285碳化硅單晶襯底”。半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜（以下簡稱“擴(kuò)散膜”）的技術(shù)突破，對加快推進(jìn)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展，轉(zhuǎn)變經(jīng)濟(jì)發(fā)展方式、保障國家安全、提升綜合國力具有重大戰(zhàn)略意義。擴(kuò)散膜屬于半導(dǎo)體芯片制造的重要原材料，是芯片內(nèi)部的結(jié)構(gòu)的重要組成部分，擴(kuò)散膜是芯片摻雜基礎(chǔ)材料是擴(kuò)散源的一種新型產(chǎn)品，來源于片狀源卻不同于片狀源。擴(kuò)散膜具有擴(kuò)散摻雜均勻度好，擴(kuò)散摻雜重復(fù)性好，擴(kuò)散特性容易控制，通過特定的工藝，把擴(kuò)散膜含有的雜質(zhì)原子擴(kuò)散進(jìn)入半導(dǎo)體材料的內(nèi)部，形成具有一定摻雜濃度和梯度的的半導(dǎo)體材料，在擴(kuò)散過程中，膜被分解和燃燒掉。相對于傳統(tǒng)的半導(dǎo)體擴(kuò)散材料，具有清潔環(huán)保、不易燃，不易爆，便于儲存、運(yùn)輸，并能有效提升芯片的特性，使用技術(shù)簡單等優(yōu)勢。同時在超高濃度擴(kuò)散以及復(fù)合源擴(kuò)散方面有獨特優(yōu)勢。特別適合于制造：超高壓器件、高均勻摻雜、復(fù)合源摻雜的工藝中。另外安全、環(huán)保方面非常突出，可以使用無毒無害的化學(xué)品作為擴(kuò)散膜?？煽匦院谩⒏呔鶆蛐允瞧鋺?yīng)用特性。目前，臺灣、日本超高壓器件芯片都在使用擴(kuò)散膜，擴(kuò)散膜在制造芯片的“技術(shù)參數(shù)優(yōu)越性”“芯片可靠性”方面有很大的優(yōu)勢，加之其安全和環(huán)保特性，會成為未來發(fā)展的主流方向。二極管芯片制造和市場上高端芯片都已經(jīng)使用擴(kuò)散膜。國內(nèi)擴(kuò)散膜的制備技術(shù)發(fā)展迅速，已實現(xiàn)批量生產(chǎn)，具備了制定擴(kuò)散膜產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的基礎(chǔ)。項目團(tuán)隊突破了擴(kuò)散膜制造的設(shè)備、配方、制造工藝等多方的的限制，對膜狀源產(chǎn)品特性和應(yīng)用非常了解，滿足擴(kuò)散膜產(chǎn)品開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化的需求供應(yīng)。可以完全替代美國菲諾士公司的產(chǎn)品，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問題。目前，安徽安芯電子科技股份有限公司、山東芯源微電子有限公司等掌握半導(dǎo)體擴(kuò)散膜制造的核心技術(shù)，可以完全替代美國菲諾士公司的產(chǎn)品。擴(kuò)散膜是芯片產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，應(yīng)用非常廣泛，因此，制定《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，對我國半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展具有重要意義，能較好的解決半導(dǎo)體材料“卡脖”的問題。半導(dǎo)體擴(kuò)散膜市場需求旺盛，生產(chǎn)企業(yè)越來越多，但沒有相關(guān)產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)，產(chǎn)品質(zhì)量參差不齊，嚴(yán)重影響了產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展。因此申請制定行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，規(guī)范和引領(lǐng)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。2、任務(wù)來源2.1計劃來源及要求根據(jù)《工業(yè)和信息化部2023年第一批行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制修訂和外文版項目計劃》（工信廳科〔2023〕18號）的要求，由安徽安芯電子科技股份有限公司，負(fù)責(zé)《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》的編制，項目編號：2023-0082T-YS，要求2025年完成。本標(biāo)準(zhǔn)由全國有色金屬標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會、全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會提出并歸口，全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會具體組織編制。3、主要參加單位和工作成員及其所做的工作3.2主要參加單位情況本項目主編單位安徽安芯電子科技股份有限公司成立于2012年10月,注冊資本3041.6954萬元。占地面積100余畝、員工800余人,是一家集半導(dǎo)體芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試、半導(dǎo)體關(guān)鍵材料膜狀擴(kuò)散源于一體的綜合性半導(dǎo)體研發(fā)和制造企業(yè)。產(chǎn)品主要應(yīng)用于汽車電子、智能家居、5G通訊、LED照明、消費(fèi)類電子、智能電網(wǎng)、無人機(jī)、軍工等高端電源領(lǐng)域，大量產(chǎn)品均已實現(xiàn)進(jìn)口替代，是中國領(lǐng)先的半導(dǎo)體芯片及元器件制造商之一。公司已成功通過ISO/ITF16949:2009汽車行業(yè)質(zhì)量體系認(rèn)證和ISO14001:2004環(huán)境體系認(rèn)證，擁有兩個生產(chǎn)廠區(qū)，下核五個半導(dǎo)體制造工廠：兩個整流芯片及快恢復(fù)芯片制造工廠、一個TVS芯片制造工廠和兩個元器件封裝工廠。公司功率二極管芯片產(chǎn)品主要為光阻法GPP芯片，產(chǎn)能在國內(nèi)排名第二，安徽省排名第一，填補(bǔ)了安徽省高可靠性半導(dǎo)體分立器件芯片制造的空白。其生產(chǎn)技術(shù)及品質(zhì)管理在半導(dǎo)體二極管領(lǐng)域處于領(lǐng)先水平，在技術(shù)創(chuàng)新和發(fā)展方向上引領(lǐng)GPP芯片行業(yè)潮流。安芯電子擁有安徽省第一批高科技人才團(tuán)隊，領(lǐng)軍人才汪良恩為國家首批“萬人計劃”創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)人才。公司在創(chuàng)新發(fā)展過程中，成果轉(zhuǎn)化顯著。已獲得15項發(fā)明專利、90多項實用新型專利，公司建有“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件工程試驗室”和“安徽省功率半導(dǎo)體分立器件企業(yè)技術(shù)中心”等研發(fā)平臺，是國家專精特新重點“小巨人”企業(yè)，“國家知識產(chǎn)權(quán)優(yōu)勢企業(yè)”，“國家高新技術(shù)企業(yè)”，曾獲得“第四屆中國創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽”優(yōu)秀獎、2020年安徽省科技進(jìn)步二等獎、池州市質(zhì)量獎、“安徽省名牌產(chǎn)品”等榮譽(yù)。標(biāo)準(zhǔn)編制單位合肥增財智能科技有限公司，山東芯源微電子有限公司，安徽工匠質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)研究院有限公司，在標(biāo)準(zhǔn)的編制過程中，能積極主動收集國內(nèi)外的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，到一些有代表性的企業(yè)進(jìn)行半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)和使用等方面的調(diào)研并收集現(xiàn)場實測數(shù)據(jù)，根據(jù)了解的現(xiàn)場實際情況，編制實測數(shù)據(jù)統(tǒng)計表，公司帶領(lǐng)編制組成員單位認(rèn)真細(xì)致修改標(biāo)準(zhǔn)文本，征求多家企業(yè)的修改意見，最終帶領(lǐng)編制組完成標(biāo)準(zhǔn)的編制工作。中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)，安徽大學(xué)參與標(biāo)準(zhǔn)編制，提出了寶貴意見，并對標(biāo)準(zhǔn)附錄中的試驗方法進(jìn)行了復(fù)驗。浙江中晶科技股份有限公司參與了標(biāo)準(zhǔn)編制，對于標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)容提出了修改意見。3.2主要工作成員負(fù)責(zé)的工作情況本標(biāo)準(zhǔn)的主要起草人及工作職責(zé)見表1。表1主要起草人及工作職責(zé)起草人工作職責(zé)全面負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)的工作，包括標(biāo)準(zhǔn)的編寫、試驗方案確定及組織協(xié)調(diào)標(biāo)準(zhǔn)框架的制定和后期編寫的指導(dǎo)負(fù)責(zé)標(biāo)準(zhǔn)起草過程中技術(shù)內(nèi)容的確定與指導(dǎo)負(fù)責(zé)提供企業(yè)的現(xiàn)場調(diào)研及配合標(biāo)準(zhǔn)編寫開展現(xiàn)場試驗驗證及數(shù)據(jù)積累工作開展附錄中試驗方法的驗證參與標(biāo)準(zhǔn)編制，反饋意見，并對標(biāo)準(zhǔn)附錄中的試驗方法進(jìn)行復(fù)驗4、主要工作過程4.1起草階段本項目在下達(dá)計劃之日起，標(biāo)準(zhǔn)編制組內(nèi)部于2023年5月27日召開了關(guān)于標(biāo)準(zhǔn)起草的工作會議，布置了標(biāo)準(zhǔn)起草的相關(guān)工作。根據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)的起草原則，編制組對我國目前生產(chǎn)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品的相關(guān)企業(yè)進(jìn)行調(diào)研和統(tǒng)計，參考國內(nèi)外相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)，同時結(jié)合相關(guān)企業(yè)的一些技術(shù)指標(biāo)和檢驗數(shù)據(jù)起草了本標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿。2023年6月5日，起草單位將標(biāo)準(zhǔn)討論稿初稿發(fā)送給編制組其他成員征求意見，經(jīng)過編制組的多次討論和多版修改形成了討論稿。2023年7月19日編制組主要成員在參加了半導(dǎo)體材料標(biāo)準(zhǔn)工作會議之后，又召集編制組適時的按照新的規(guī)范要求對討論稿初稿進(jìn)行了適應(yīng)性的修改，增加了磷擴(kuò)散膜、硼擴(kuò)散膜和擴(kuò)散膜主元素等術(shù)語和定義，修改完善了擴(kuò)散膜主元素濃度的試驗方法。2023年11月13日，在安徽銅陵召開標(biāo)準(zhǔn)研討會，會后標(biāo)準(zhǔn)編制組依據(jù)研討會意見對標(biāo)準(zhǔn)文本進(jìn)行修改完善，增加了擴(kuò)散膜分類、代號和產(chǎn)品表示方法。2024年1月18日，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員和標(biāo)委會相關(guān)技術(shù)人員，前往安徽池州進(jìn)行應(yīng)用端實地調(diào)研，對擴(kuò)散膜主元素濃度要求進(jìn)行了規(guī)范，簡化了擴(kuò)散膜型號型號和濃度要求。2024年4月7日，標(biāo)準(zhǔn)編制組成員和標(biāo)委會相關(guān)技術(shù)人員，前往濟(jì)南章丘進(jìn)行實地調(diào)研，并驗證了標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)要求。2024年7月2日，形成標(biāo)準(zhǔn)征求意見稿，并提交至全國半導(dǎo)體設(shè)備和材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會材料分技術(shù)委員會秘書處。二、標(biāo)準(zhǔn)編制原則本標(biāo)準(zhǔn)起草單位自接受起草任務(wù)后，成立了標(biāo)準(zhǔn)編制組負(fù)責(zé)收集生產(chǎn)統(tǒng)計、檢驗數(shù)據(jù)、市場需求及客戶要求等信息，初步確定了《半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜》標(biāo)準(zhǔn)起草所遵循的基本原則和編制依據(jù)：（1）查閱相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和國內(nèi)外客戶的相關(guān)技術(shù)要求；（2）根據(jù)國內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)企業(yè)的具體情況，力求做到標(biāo)準(zhǔn)的合理性和實用性；（3）根據(jù)技術(shù)發(fā)展水平及測試數(shù)據(jù)確定技術(shù)指標(biāo)取值范圍；（4）按照GB/T1.1和有色加工產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)和國家標(biāo)準(zhǔn)編寫示例的要求進(jìn)行格式和結(jié)構(gòu)編寫標(biāo)準(zhǔn)；（5）細(xì)化半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品質(zhì)量要求，根據(jù)行業(yè)水平和用戶需求，對擴(kuò)散膜摻雜元素種類以及含量的要求進(jìn)行確定；（6）融入較為成熟半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜分析檢測方法，提供準(zhǔn)確的分析數(shù)據(jù)，更好的指導(dǎo)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的生產(chǎn)；（7）規(guī)定半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的質(zhì)量驗收內(nèi)容，避免低劣產(chǎn)品擠占優(yōu)秀產(chǎn)品生產(chǎn)空間，促進(jìn)行業(yè)健康發(fā)展；（8）結(jié)合我國半導(dǎo)體材料工業(yè)實際生產(chǎn)水平，同時根據(jù)產(chǎn)品用戶的意見反饋，正確兼顧好彼此之間的關(guān)系，追求技術(shù)的先進(jìn)性、指標(biāo)的合理性和嚴(yán)謹(jǐn)性的統(tǒng)一。三、確定標(biāo)準(zhǔn)主要內(nèi)容的依據(jù)本標(biāo)準(zhǔn)結(jié)合我國行業(yè)內(nèi)半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的實際生產(chǎn)和使用情況，考慮半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的發(fā)展和行業(yè)現(xiàn)狀制定而成。標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容的確定依據(jù)詳述如下：1、標(biāo)準(zhǔn)題目與適用范圍本文件規(guī)定了半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜的術(shù)語和定義、技術(shù)要求、檢驗規(guī)則、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存、隨行文件及訂貨單內(nèi)容，描述了相應(yīng)的試驗方法。本文件適用于用沉淀、掛膜等制造方法制造的用于制備光電子、微電子等器件的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜。2、分類、代號和產(chǎn)品表示方法2.1分類擴(kuò)散膜按摻雜元素分為兩類，分別是磷擴(kuò)散膜和硼擴(kuò)散膜。2.2系列代號磷擴(kuò)散膜：P。硼擴(kuò)散膜：B。2.3產(chǎn)品表示方法產(chǎn)品型號及執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)編號表示。XXYS/TXXXX—XXXX示例：磷擴(kuò)散膜，濃度為2.30*1021個/cm3，表示為：P40YS/TXXXX—XXXX。3、技術(shù)要求3.1表面質(zhì)量表面應(yīng)無裂紋、夾雜、凹坑、孔洞、缺邊、沾污等。3.2顏色磷膜：粉色或粉紅色；硼膜白色或藍(lán)色或灰色；也可雙方約定，并在訂單中說明。3.3尺寸偏差尺寸允許偏差不應(yīng)大于1mm。客戶若有特殊需求，則由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。3.4擴(kuò)散膜主元素濃度磷膜主元素濃度應(yīng)符合表1的要求，硼膜主元素濃度應(yīng)符合表2的要求。客戶若有特殊需求，則由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。磷膜主元素濃度要求型號P原子濃度（個/cm3）A級品B級品C級品P402.30*1021±5%±6%±10%P502.77*1021P602.59*1021P70-12.97*1021P70-22.87*1021P752.85*1021硼膜主元素濃度要求型號B原子濃度（個/cm3）A級品B級品C級品B101.60*1021±5%±6%±10%B202.04*1021B303.08*1021B404.55*1021（2）主要驗證情況分析批次產(chǎn)品摻雜主元素含量范圍：編制組對多片擴(kuò)散膜產(chǎn)品的摻雜主元素含量實測值進(jìn)行了統(tǒng)計，不同型號擴(kuò)散膜摻雜主元素實際含量測量方法：使用電子分析天平準(zhǔn)確測量擴(kuò)散膜試樣（以下簡稱試樣）質(zhì)量（m）（精確到0.01g），使用游標(biāo)卡尺測量試樣直徑（d）（精確到0.01cm）和厚度（T）（精確到0.001cm），按照J(rèn)Y/T0567—2020的中規(guī)定的方法測量試樣中主元素質(zhì)量百分比濃度（C），試樣中主元素原子濃度（X）以個每立方厘米（個/cm3）表示，按式（1）計算： X=m×C×nπ式中：X——試樣主元素原子濃度，單位為個每立方厘米（個/cm3）；m——試樣質(zhì)量，單位為克（g）；C——試樣中主元素質(zhì)量百分比濃度；d——試樣的直徑，單位為厘米（cm）；T——試樣的厚度，單位為厘米（cm）；M——主元素的摩爾質(zhì)量，單位為克每摩爾（g/mol）；n——摩爾數(shù)為6.02*1023（個/mol）。主元素B和P的摩爾質(zhì)量和摩爾數(shù)見表3。主元素摩爾質(zhì)量主元素摩爾質(zhì)量（g/mol）B10.81P30.97摻雜主元素實際含量測試值表序號型號A級：中心值±5%B級：中心值±6%C級：中心值±10%實際測試值結(jié)論1B10(1.52-1.68)*1021（1.5-1.7）*1021（1.44-1.76）*10211.52*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)2B20(1.94-2.14)*1021（1.92-2.16）*1021（1.84-2.24）*10212.06*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)3B30(2.93-3.23)*1021（2.9-3.26）*1021（2.77-3.39）*10213.23*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)4B40(4.32-4.78)*1021（4.28-4.82）*1021（4.10-5.01）*10214.77*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)5P40(2.19-2.42)*1021（2.16-2.44）*1021（2.07-2.53）*10212.41*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)6P50(2.63-2.91)*1021（2.60-2.94）*1021（2.49-3.05）*10212.91*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)7P60(2.46-2.73)*1021（2.43-2.75）*1021（2.33-2.85）*10212.72*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)8P70-1(2.82-3.12)*1021（2.79-3.15）*1021（2.67-3.27）*10213.12*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)9P70-2(2.73-3.01)*1021（2.70-3.04）*1021（2.58-3.16）*10213.01*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)10P75(2.71-2.99)*1021（2.68-3.02）*1021（2.57-3.14）*10212.89*1021達(dá)到A級品標(biāo)準(zhǔn)從產(chǎn)品的多批次實測結(jié)果看，摻雜主元素的實際含量符合標(biāo)準(zhǔn)中要求的指標(biāo)值，主元素含量遠(yuǎn)高于摻雜需求的雜質(zhì)濃度含量，這可以充分滿足客戶的不同摻雜工藝條件下達(dá)到目標(biāo)摻雜濃度。摻雜主元素實際含量主要是結(jié)合產(chǎn)品用戶要求以及不同半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)方的水平確定的，多個用戶對此指標(biāo)的要求一致。3.5單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻性誤差單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分步均勻性誤差：邊緣與中心差值小于15%。更高均勻度的要求，由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。測試方法：以直徑等分為3等分，分為中心區(qū)、1/2半徑區(qū)，邊緣區(qū)，按照6.4中規(guī)定的方法，分別測量三個區(qū)的主元素原子濃度進(jìn)行數(shù)據(jù)對比。主要驗證情況分析：編制組抽測多片擴(kuò)散膜產(chǎn)品的主元素濃度分布實測值進(jìn)行了統(tǒng)計。單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻度測試統(tǒng)計表型號檢測位置摩爾濃度（mol/kg）原子濃度（個/立方厘米）濃度分布均勻度結(jié)論B10中心區(qū)2.57151.52*10211.32%<15%/合格1/2半徑區(qū)2.60851.54*1021邊緣區(qū)2.55301.51*1021B20中心區(qū)4.17172.06*10212.43%<15%/合格1/2半徑區(qū)4.08842.02*1021邊緣區(qū)4.06992.01*1021B30中心區(qū)6.29913.23*10214.64%<15%/合格1/2半徑區(qū)6.00313.08*1021邊緣區(qū)6.06793.11*1021B40中心區(qū)10.90564.77*10212.10%<15%/合格1/2半徑區(qū)10.65584.67*1021邊緣區(qū)10.77614.72*1021P40中心區(qū)5.38592.41*10212.07%<15%/合格1/2半徑5.47302.45*1021邊緣區(qū)5.48922.46*1021P50中心區(qū)5.74752.91*10212.06%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.64422.86*1021邊緣區(qū)5.86052.97*1021P60中心區(qū)5.88962.72*10211.84%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.88632.71*1021邊緣區(qū)6.00582.77*1021P70-1中心區(qū)6.34163.12*10212.56%<15%/合格1/2半徑區(qū)6.24803.07*1021邊緣區(qū)6.17693.04*1021P70-2中心區(qū)5.72493.01*10213.65%<15%/合格1/2半徑區(qū)5.50532.90*1021邊緣區(qū)5.57312.93*1021P75中心區(qū)5.00812.89*10214.15%<15%/合格1/2半徑區(qū)4.79822.77*1021邊緣區(qū)5.18572.99*1021單片擴(kuò)散膜摻雜主元素濃度分布均勻性誤差主要是結(jié)合產(chǎn)品用戶要求以及不同半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜生產(chǎn)方的水平確定的，多個用戶對此指標(biāo)的要求一致。綜上所述，本標(biāo)準(zhǔn)能滿足我國與摻雜主元素濃度相關(guān)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的客觀要求，既體現(xiàn)了我國半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜制備技術(shù)的先進(jìn)水平，又兼顧我國現(xiàn)階段的具體實際。本標(biāo)準(zhǔn)實施后，將進(jìn)一步保障行業(yè)需求，也有利于將我國的半導(dǎo)體材料摻雜用擴(kuò)散膜產(chǎn)品推向國外市場。4檢驗規(guī)則4.1檢查和驗收產(chǎn)品應(yīng)由供方或第三方進(jìn)行檢驗，保證產(chǎn)品質(zhì)量符合本文件及訂貨單的規(guī)定。需方可對收到的產(chǎn)品按照本文件的規(guī)定進(jìn)行檢驗。如檢驗結(jié)果與本文件或訂貨單的規(guī)定不符，應(yīng)以書面形式向供方提出，由供需雙方協(xié)商解決。屬于外形尺寸或表面質(zhì)量的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起1個月內(nèi)提出，屬于其他性能的異議，應(yīng)在收到產(chǎn)品之日起3個月內(nèi)提出。如需仲裁，仲裁取樣應(yīng)由供需雙方共同進(jìn)行。4.2組批產(chǎn)品應(yīng)成批提交驗收，每批應(yīng)由供需雙方一致確認(rèn)的相同技術(shù)指標(biāo)的擴(kuò)散膜組成。4.3檢驗項目每批擴(kuò)散膜應(yīng)對表面質(zhì)量、顏色、尺寸偏差、摻雜主元素含量和濃度分布均勻度進(jìn)行檢驗。4.4取樣每批擴(kuò)散膜的檢驗按照GB/T2828.1抽樣檢查，或按供需雙方商定的方法抽樣。如需對其他項目進(jìn)行檢驗，可由供需雙方協(xié)商確定并在訂貨單中注明。4.5檢驗結(jié)果的判定如需方抽檢有任一不合格，判該批產(chǎn)品為不合格。5、標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸、貯存和隨行文件5.1標(biāo)志每個擴(kuò)散膜包裝盒上都有標(biāo)簽，標(biāo)簽上注明公司名稱、公司地址及聯(lián)系電話、產(chǎn)品名稱、保存條件、保質(zhì)期、擴(kuò)散膜批號、型號、尺寸、數(shù)量。5.2包裝每批次檢驗合格的擴(kuò)散膜，裝入包裝袋后密封，再裝入適當(dāng)?shù)陌b盒內(nèi)，以免損傷，再將包裝盒裝入包裝箱內(nèi)，附上隨行文件。5.3運(yùn)輸產(chǎn)品在運(yùn)輸過程中