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第四章集成運(yùn)算放大電路
自測(cè)題
一、選擇合適答案填入空內(nèi)。
(1)集成運(yùn)放電路采用直接耦合方式是因?yàn)镺
A.可獲得很大的放大倍數(shù)B.可使溫漂小
C.集成工藝難于制造大容量電容
(2)通用型集成運(yùn)放適用于放大o
A.高頻信號(hào)B.低頻信號(hào)
C.任何頻率信號(hào)
(3)集成運(yùn)放制造工藝使得同類半導(dǎo)體管的。
A.指標(biāo)參數(shù)準(zhǔn)確B.參數(shù)不受溫度影響
C.參數(shù)一致性好
(4)集成運(yùn)放的輸入級(jí)采用差分放大電路是因?yàn)榭梢浴?/p>
A.減小溫漂B.增大放大倍數(shù)
C.提高輸入電阻
(5)為增大電壓放大倍數(shù),集成運(yùn)放的中間級(jí)多采用0
A.共射放大電路B.共集放大電路
C.共基放大電路
解:(1)C(2)B(3)C(4)A(5)A
二、判斷下列說法是否正確,用“J”或“X”表示判斷結(jié)果填入括號(hào)
內(nèi)。
(1)運(yùn)放的輸入失調(diào)電壓Ui。是兩輸入端電位之差。()
(2)運(yùn)放的輸入失調(diào)電流入。是兩端電流之差。()
0運(yùn)放的共模抑制比()
(4)有源負(fù)載可以增大放大電路的輸出電流。()
(5)在輸入信號(hào)作用時(shí),偏置電路改變了各放大管的動(dòng)態(tài)電流。()
解:(1)X(2)V(3)V(4)V(5)X
三、電路如圖T4.3所示,已知£1=£2=63=100。各管的UBE均為0.7V,
試求/C2的值。
圖T4.3
解:分析估算如下:
=%--BEL°BE1=100uA
RR
-^―?小/R=100uA
1+/3R口
四、電路如圖T4.4所示。
R
O-
圖T4.4
(1)說明電路是幾級(jí)放大電路,各級(jí)分別是哪種形式的放大電路(共
射、共集、差放……);
(2)分別說明各級(jí)采用了哪些措施來改善其性能指標(biāo)(如增大放大倍
數(shù)、輸入電阻……)o
解:(1)三級(jí)放大電路,第一級(jí)為共集-共基雙端輸入單端輸出差分放大
電路,第二級(jí)是共射放大電路,第三級(jí)是互補(bǔ)輸出級(jí)。
(2)第一級(jí)采用共集-共基形式,增大輸入電阻,改善高頻特性;利用
有源負(fù)載(T5、T6)增大差模放大倍數(shù),使單端輸出電路的差模放大倍數(shù)近
似等于雙端輸出電路的差模放大倍數(shù),同時(shí)減小共模放大倍數(shù)。
第二級(jí)為共射放大電路,以T7、T8構(gòu)成的復(fù)合管為放大管、以恒流源作
集電極負(fù)載,增大放大倍數(shù)。
第三級(jí)為互補(bǔ)輸出級(jí),加了偏置電路,利用Di、D2的導(dǎo)通壓降使T9和
Tio在靜態(tài)時(shí)處于臨界導(dǎo)通狀態(tài),從而消除交越失真。
五、根據(jù)下列要求,將應(yīng)優(yōu)先考慮使用的集成運(yùn)放填入空內(nèi)。已知現(xiàn)有
集成運(yùn)致的類型是:①通用型②高阻型③高速型④低功耗型⑤高壓型
⑥大功率型⑦高精度型
(1)作低頻放大器,應(yīng)選用—o
(2)作寬頻帶放大器,應(yīng)選用—。
(3)作幅值為1UV以下微弱信號(hào)的量測(cè)放大器,應(yīng)選用—o
(4)作內(nèi)阻為lOOkQ信號(hào)源的放大器,應(yīng)選用—。
(5)負(fù)載需5A電流驅(qū)動(dòng)的放大器,應(yīng)選用。
(6)要求輸出電壓幅值為±80的放大器,應(yīng)選用―0
(7)宇航儀器中所用的放大器,應(yīng)選用—。
解:(1)①(2)③(3)⑦(4)②(5)⑥
(6)⑤(7)④
習(xí)題
4.1通用型集成運(yùn)放一般由幾部分電路組成,每一部分常采用哪種基本
電路?通常對(duì)每一部分性能的要求分別是什么?
解:通用型集成運(yùn)放由輸入級(jí)、中間級(jí)、輸出級(jí)和偏置電路等四個(gè)部分
組成。
通常,輸入級(jí)為差分放大電路,中間級(jí)為共射放大電路,輸出級(jí)為互補(bǔ)
電路,偏置電路為電流源電路。
對(duì)輸入級(jí)的要求:輸入電阻大,溫漂小,放大倍數(shù)盡可能大。
對(duì)中間級(jí)的要求:放大倍數(shù)大,一切措施幾乎都是為了增大放大倍數(shù)。
對(duì)輸出級(jí)的要求:帶負(fù)載能力強(qiáng),最大不失真輸出電壓盡可能大。
對(duì)偏置電路的要求:提供的靜態(tài)電流穩(wěn)定。
4.2已知一個(gè)集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益A°d為lOOdB,最大輸出電壓峰-
峰值U°PP=±14V,分別計(jì)算差模輸入電壓"I(即ap-AN)為10PV、100u
V、ImV、IV和一10uV、-100UV,一ImV、一IV時(shí)的輸出電壓a。。
解:根據(jù)集成運(yùn)放的開環(huán)差模增益,可求出開環(huán)差模放大倍數(shù)
201gAod=lOOdB
4a=w5
當(dāng)集成運(yùn)放工作在線性區(qū)時(shí),輸出電壓ao=A。d⑹;當(dāng)42"1超過±14丫
時(shí),“o不是+14V,就是一14V。故MI(即“p—“N)為1??赩、100口V、lmV>
IV和一10口V、一100UV、一ImV、一IV時(shí),"o分另U為IV、10V、14V、14V、
一IV、-10V>-14V、-14Vo
4.3已知幾個(gè)集成運(yùn)放的參數(shù)如表P4.3所示,試分別說明它們各屬于哪
種類型的運(yùn)放。
表P4.3
特性指標(biāo)AOdHdUio/io/iB—3dB啟KCMRSR單位增益帶寬
單位dBMQmvnAnAHzdBV/uVMHz
Ai100252006007860.5
A?13020.0124071200.5
A3100100050.020.03860.55
A41002220150966512.5
解:Ai為通用型運(yùn)放,A2為高精度型運(yùn)放,A3為高阻型運(yùn)放,A4為高
速型運(yùn)放。
4.4多路電流源電路如圖P4.4所示,已知所有晶體管的特性均相同,UBE
均為0.7V。試求/ci、/c2各為多少。
解:因?yàn)門i、T2、T3的特性均相同,且UBE均相同,所以它們的基極、
集電極電流均相等,設(shè)集電極電流為/c。先求出R中電流,再求解/ci、IC2。
人R
TTTT3/B,3/c
coB3=co+=c+
R=+T777(177)
I.伊+B./
c儼+0+3R
當(dāng)£(l+£)>>3時(shí)
IC]l=IcC?ZRIKR=100口A
4.5圖4.5所示為多集電極晶體管構(gòu)成的多路電流源。已知集電極Co與
Ci所接集電區(qū)的面積相同,C2所接集電區(qū)的面積是Co的兩倍,/CO〃B=4,e-b
間電壓約為0.7V。試求解/ci、女2各為多少
圖P4.5
解:多集電極晶體管集電極電流正比于集電區(qū)的面積。
先求出R中電流,再求解/ci、/C2o
EB
IR=%—UEB=2OQ1A(其中U=0.7V)
R
,R=+,B=JCO+
,co=/1=16Q1A
\+/3
【ci=,co=16Q1A
,C2=2ZC0-32Q1A
4.6電路如圖P4.6所示,T管的低頻跨導(dǎo)為gm,Ti和T2管d-s間的動(dòng)
態(tài)電阻分別為rasi和rds20試求解電壓放大倍數(shù)A?=AMQ/AHI的表達(dá)式。
圖P4.6
解:由于T2和T3所組成的鏡像電流源是以Ti為放大管的共射放大電路
的有源負(fù)載,Ti、T2管d-s間動(dòng)態(tài)電阻分別為rdsi、〃ds2,所以電壓放大倍數(shù)
4的表達(dá)式為
4=△%"「一小"廣—gm(rdsl//rds2)
4.7電路如圖P4.7所示,Ti與T2管特性相同,它們的低頻跨導(dǎo)為gm;
T3與T4管特性對(duì)稱;T2與T4管d-s間動(dòng)態(tài)電阻為rds2和Ms4。試求出兩電路
的電壓放大倍數(shù)AH=A?o/A(an—ai2)的表達(dá)式。
+「DD+憶DD
7)
(b)
圖P4.7
解:在圖(a)(b)所示電路中
A,D1=心D2-&D3=A,D4
A,O=&D2-4D4-A,D2-Ml=_2&D1
A;入A(%i-MJ
AZD1=gm------------------------
--------------------;
A(M
n-MI2)
圖(a)所示電路的電壓放大倍數(shù)
A,%]—"12)
=一80(展2〃
口-%2)
~gm(&2〃⑸4)
同理,圖(b)所示電路的電壓放大倍數(shù)
“gmGs2〃@4)
4.8電路如圖P4.8所示,具有理想的對(duì)稱性。設(shè)各管£均相同。
(1)說明電路中各晶體管的作
用;
(2)若輸入差模電壓為("“一
劭2),則由此產(chǎn)生的差模電流為△4,
求解電路電流放大倍數(shù)人的近似表達(dá)式。
解:(1)圖示電路為雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。Ti和T2、
T3和T4分別組成的復(fù)合管為放大管,T5和T6組成的鏡像電流源為有源負(fù)載。
(2)由于用T5和T6所構(gòu)成的鏡像電流源作為有源負(fù)載,將左半部分放
大管的電流變化量轉(zhuǎn)換到右邊,故輸出電流變化量及電路電流放大倍數(shù)
圖P4.8
分別為
△力。土2(1+尸)/人;
4=尊土2(1+尸)/
Az;
4.9電路如圖P4.9所示,具有理想的對(duì)稱性?;卮痤}4.8所提的問題。
圖P4.9
解:(1)圖示電路為雙端輸入、單端輸出的差分放大電路。Ti和T2、
T3和T3分別組成的復(fù)合管為放大管,T5和T6組成的鏡像電流源為有源負(fù)載。
(2)由于用T5和T6所構(gòu)成的鏡像電流源作為有源負(fù)載,將左半部分放
大管的電流變化量轉(zhuǎn)換到右邊,故輸出電流變化量及電路電流放大倍數(shù)分別
為
A.a2(1+£)£至
4=必土2(1+,)尸
4.10電路如圖P4.10所示,Ti與T2管的特性相同,所有晶體管的£均
相同,凡1遠(yuǎn)大于二極管的正向電阻。當(dāng)“11=⑷2=0V時(shí),?o=OVo
(1)求解電壓放大倍數(shù)的表達(dá)式;
(2)當(dāng)有共模輸入電壓時(shí),ao=?簡(jiǎn)述理由。
解:(1)在忽略二極管動(dòng)態(tài)電阻的情況下
凡1〃警
---■--
&2=-£&
噎3
A,=A”,4,2
(2)當(dāng)有共模輸入電壓時(shí),MO近似為零。由于凡1>>%,△HCI^AHC2,
因此△“BE3?5i0,故“020。
4.11電路如圖P4.11所示,Ti與T2管為超£管,電路具有理想的對(duì)稱
(1)該電路采用了o
A.共集-共基接法
B.共集-共射接法
C.共射-共基接法
(2)電路所采用的上述接法是為
了O
A.增大輸入電阻
B.增大電流放大系數(shù)
C.展寬頻帶
圖P4.H(3)電路采用超£管能夠
A.增大輸入級(jí)的耐壓值
B.增大放大能力C.增大帶負(fù)載能力
(4)Ti與T2管的靜態(tài)壓降約為o
A.0.7VB.1.4VC.不可知
解:(1)C(2)C(3)B(4)A
4.12電路如圖P4.11所示,試問:為什么說Di與D?的作用是減少Ti
與T2管集電結(jié)反向電流ZCBO對(duì)輸入電流的影響?
解:因?yàn)閁BE3+UCEI=2UD,UBEI^UD,UCEI^UD,所以UCBI^O,
反向電流為零,因此/CBO對(duì)輸入電流影響很小。
4.13在圖P4.13所示電路中,已知Ti?T3管的特性完全相同,£>>2;
反相輸入端的輸入電流為由,同相輸入端的輸入電流為九2。試問:
(1)ZC22?
(2)ZB2弋?
(3)A?,=Awo/(i'n—.
圖P4.13
解:(1)因?yàn)門i和T2為鏡像關(guān)系,且£>>2,所以,ci2,i2o
(2)ZB3=in~,C22in-i\2
(3)輸出電壓的變化量和放大倍數(shù)分別為
△Uo=-A,C3凡=_。3A。3凡
Aw/A(z-z)-—分3凡
onI2AMO/AZB3=
4.14比較圖P4.14所示兩個(gè)電路,分別說明它的是如何消交越失真和如
何實(shí)現(xiàn)過流保護(hù)的。
解:在圖(a)所示電路中,Di、D2使T2、T3微導(dǎo)通,可消除交越失真。
R為電流采樣電阻,D3對(duì)T2起過流保護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí),"D3="BE2+ioR—"D1,
未過流時(shí)ioR較小,因"D3小于開啟電壓使D3截止;過流時(shí)因"D3大于開啟
電壓使D3導(dǎo)通,為T2基極分流。D4對(duì)T4起過流保護(hù),原因與上述相同。
在圖(b)所示電路中,T4、T5使12、T3微導(dǎo)通,可消除交越失真。R1
為電流采樣電阻,T6對(duì)T2起過流保護(hù)。當(dāng)T2導(dǎo)通時(shí),aBE6=io&,未過流時(shí)
沁處較小,因口E6小于開啟電壓使T6截止;過流時(shí)因"BE6大于開啟電壓使
T6導(dǎo)通,為T2基極分流。T7對(duì)T3起過流保護(hù),原因與上述相同。
4.15圖4.15所示電路是某集成運(yùn)放電路的一部分,單電源供電,「、
T2、T3為放大管。試分析:
圖P4.15
(1)10011A電流源的作用;
(2)T4的工作區(qū)域(截止、放大、飽和);
(3)5011A電流源的作用;
(4)T5與R的作用
解:(1)為Ti提供靜態(tài)集電極電流、為T2提供基極電流,并作為Ti的
有源負(fù)載。
(2)T4截止。因?yàn)?B4="C1="O+"R+〃B2+&B3,Z/E4=UO>l/B4>〃E4。
(3)50口A電流源為T3提供射極電流,在交流等效電路中等效為阻值
非常大的電阻。
(4)保護(hù)電路。MBE5=ioR,未過流時(shí)T5電流很??;過流時(shí)使ZE5>50
□A,T5更多地為T3的基極分流。
4
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