集成電路制造工藝客觀題復(fù)習(xí)含答案

集成電路制造工藝客觀題復(fù)習(xí)含答案化學(xué)汽相淀積的英文縮寫是（）。[單選題]A.VPEB.CVD(正確答案)C.PVDD.LASERPVD是指（）。[單選題]A.物理汽相淀積(正確答案)B.等離子體C.汽相外延D.二氧化硅LPCVD的氣壓控制在（）范圍。[單選題]A.10~100torrB.1~100torrC.0.01~1torr(正確答案)D.0.001~1torr低壓化學(xué)汽相淀積的縮略語(yǔ)是（）。[單選題]A.APCVDB.LPCVD(正確答案)C.PECVDD.LCVD常壓化學(xué)汽相淀積的縮略語(yǔ)是（）。[單選題]A.APCVD(正確答案)B.LPCVDC.PECVDD.LCVD等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相淀積的縮略語(yǔ)是（）。[單選題]A.APCVDB.LPCVDC.PEPVD(正確答案)D.LCVD激光誘導(dǎo)化學(xué)汽相淀積的縮略語(yǔ)是（）。[單選題]A.APCVDB.LPCVDC.PEPVDD.LCVD(正確答案)CVD的過(guò)程是（）。[單選題]A.排出-反應(yīng)-擴(kuò)散B.轉(zhuǎn)移-介吸-反應(yīng)-擴(kuò)散C.輸送-擴(kuò)散-吸附-反應(yīng)-介吸-轉(zhuǎn)移-排出(正確答案)D.反應(yīng)-吸附-轉(zhuǎn)移VPE是指（）。[單選題]A.低壓外延B.離子注入C.等離子體D.汽相外延(正確答案)物理汽相淀積的英文縮寫是（）。[單選題]A.VPEB.CVDC.PVD(正確答案)D.LASERPVD是指（）。[單選題]A.物理汽相淀積(正確答案)B.等離子體C.汽相外延D.二氧化硅Ti.Ta.Al.Cu.Pt對(duì)應(yīng)的物質(zhì)分別是（）。[單選題]A.鈦.鉭.銅.鋁.鉑B.鈦.鉭.鋁.銅.鉑(正確答案)C.鈦.鉭.鋁.銅.金D.鈦.鉭.鋁.銅.銀蒸鍍的過(guò)程為（）。[單選題]A.蒸發(fā)—?dú)庀噘|(zhì)量輸運(yùn)—淀積成膜(正確答案)B.離化—?dú)庀噘|(zhì)量輸運(yùn)—淀積成膜C.蒸發(fā)—離化—淀積成膜D.離化—揮發(fā)—淀積成膜薄膜對(duì)應(yīng)的英文是（）。[單選題]A.siliconB.polyC.substrateD.film(正確答案)蒸發(fā)和濺射對(duì)應(yīng)的英文是（）。[單選題]A.sputtering-evaporationB.evaporation-sputtering(正確答案)C.oxidation-epitaxyD.epitaxy-sputtering低壓化學(xué)氣相淀積的英文縮寫是（）。[單選題]APCVDPECVDLPCVD(正確答案)HDPCVD干-濕-干氧化過(guò)程中，第一次干氧氧化的目的是（）。[單選題]形成所需的二氧化硅膜厚獲得致密的二氧化硅表面(正確答案)提高二氧化硅和光刻膠的黏附性改善二氧化硅和硅交界面的性能在制備完好的單晶襯底上，延其原來(lái)晶向，生長(zhǎng)一層厚度.導(dǎo)電類型.電阻率及晶格結(jié)構(gòu)都符合要求的新單晶層，該薄膜制備方法是（）。[單選題]外延(正確答案)熱氧化PVDCVD用比色法進(jìn)行氧化層厚度的檢測(cè)時(shí)，看到的色彩是（）色彩。[單選題]反射干涉(正確答案)衍射二氧化硅膜本身的摻雜結(jié)束后，要對(duì)硅片進(jìn)行質(zhì)量檢測(cè)，造成硅片表面有顆粒污染的原因可能是()。[單選題]A.離子束中混入電子B.注入機(jī)未清潔干凈(正確答案)C.注入過(guò)程中晶圓的傾斜角度不合適D.離子束電流檢測(cè)不夠精準(zhǔn)（）是指按照一定的方式將雜質(zhì)摻入到半導(dǎo)體材料中，改變材料電學(xué)性質(zhì)，達(dá)到形成半導(dǎo)體器件的目的。[單選題]A.光刻B.摻雜(正確答案)C.刻蝕D.金屬化如圖所示，屬于液態(tài)源擴(kuò)散裝置的是（）。[單選題]A.圖1B.圖2C.圖3(正確答案)D.圖4離子注入、退火、快速熱退火的英文分別是（）。[單選題]A.anneal,ionimplantation,RTAB.diffusion,anneal,RTAC.ionimplantation,anneal,RTA(正確答案)D.ionimplantation,anneal,CVD注入能量和劑量分別控制了摻雜層的（）。[單選題]A.長(zhǎng)度和寬度B.電阻率和電導(dǎo)率C.濃度和結(jié)深D.結(jié)深和濃度(正確答案)從安全上看，四氯化硅氫還原法.三氯氫硅氫還原法.硅烷熱分解法的安全性從小到大排列的順序?yàn)椋海ǎ?。[單選題]硅烷熱分解法＜四氯化硅氫還原法＜三氯化硅氫還原法四氯化硅氫還原法＜硅烷熱分解法＜三氯化硅氫還原法三氯化硅氫還原法＜硅烷熱分解法＜四氯化硅氫還原法硅烷熱分解法＜三氯化硅氫還原法＜四氯化硅氫還原法(正確答案)完善的精餾技術(shù)可將雜質(zhì)總量降到（）量級(jí)。[單選題]10-2~10-510-5~10-710-7~10-10(正確答案)10-17~10-20二氧化硅和碳在（）攝氏度的環(huán)境下反應(yīng)可生成粗硅。[單選題]100-200500-700700-9001600-1800(正確答案)用四氯化硅氫還原法進(jìn)行硅提純時(shí)，通過(guò)（）可以得到高純度的四氯化硅。[單選題]高溫還原爐精餾塔(正確答案)多晶沉積設(shè)備單晶爐單晶爐的開(kāi)機(jī)順序正確的順序是（）。[單選題]電源開(kāi)關(guān)-加熱器開(kāi)關(guān)-坩堝開(kāi)關(guān)-籽晶開(kāi)關(guān)(正確答案)電源開(kāi)關(guān)-坩堝開(kāi)關(guān)-加熱器開(kāi)關(guān)-籽晶開(kāi)關(guān)電源開(kāi)關(guān)-籽晶開(kāi)關(guān)-坩堝開(kāi)關(guān)-加熱器開(kāi)關(guān)籽晶開(kāi)關(guān)-坩堝開(kāi)關(guān)-加熱器開(kāi)關(guān)-電源開(kāi)關(guān)單晶爐中籽晶軸的作用（）。[單選題]保證爐內(nèi)溫度均勻分布及散熱帶動(dòng)籽晶上下移動(dòng)和旋轉(zhuǎn)(正確答案)起支撐作用提供一個(gè)原子重新排列標(biāo)準(zhǔn)單晶硅生長(zhǎng)完成后，需要進(jìn)行質(zhì)量檢驗(yàn)，其中熱探針?lè)梢詼y(cè)量單晶硅的（）參數(shù)。[單選題]電阻率直徑少數(shù)載流子的壽命導(dǎo)電類型(正確答案)該圖為單晶硅生長(zhǎng)環(huán)節(jié)（）的示意圖。[單選題]縮頸引晶放肩(正確答案)等頸生長(zhǎng)晶向?yàn)?lt;111>.8英寸P型半導(dǎo)體材料的定位方式是沿著硅錠長(zhǎng)度研磨出（）。[單選題]一個(gè)基準(zhǔn)面兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈45度角兩個(gè)基準(zhǔn)面且呈90度角定位槽(正確答案)8英寸的晶圓直徑大小為：（）。[單選題]125mm150mm200mm(正確答案)300mm對(duì)晶向?yàn)?lt;111>,6英寸N型半導(dǎo)體材料來(lái)說(shuō)，（）是作為放置第一步的光刻圖形的掩膜版的依據(jù)。[單選題]主平面(正確答案)次平面兩表平面均可定位槽單晶硅錠切片后需要進(jìn)行倒角，其目的是（）。[單選題]確定定位面產(chǎn)生精確的材料直徑去除硅頂兩端的不符合直徑要求的部分去除硅片緣鋒利的棱角(正確答案)4英寸的單晶硅錠的切割方式為（）[單選題]外圍切割內(nèi)圓切割(正確答案)線距切割以上均可光刻是將（）上的幾何圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的工藝。[單選題]A.光刻膠B.掩膜版(正確答案)C.曝光機(jī)D.晶圓（）不是光刻光源。[單選題]A.紫外線B.電子束C.X射線D.紅外線(正確答案)（）不是先進(jìn)的光刻技術(shù)。[單選題]A.極紫外光刻B.X射線光刻C.電子束光刻D.紫外線光刻(正確答案)正膠的優(yōu)點(diǎn)是（）。[單選題]A.有更高的光刻分辨率(正確答案)B.具有較好的靈敏度C.對(duì)硅片有良好的粘附性D.對(duì)刻蝕有良好的阻擋性光刻膠應(yīng)放在（）中。[單選題]A.避光的容器(正確答案)B.透明玻璃瓶C.透明塑料瓶D.坩堝深紫外光刻采用（）譜線。[單選題]A.193nm和248nm(正確答案)B.190nm和240nmC.100nm和300nmD.200nm和300mm投影式曝光的優(yōu)勢(shì)是（）。[單選題]A.分辨率高B.復(fù)印面積大C.復(fù)印精度好D.以上都是(正確答案)（）不是光刻的曝光方式。[單選題]A.接觸式B.接近式C.投射式(正確答案)D.投影式脫水烘烤是在（）的氛圍中進(jìn)行烘烤。[單選題]A.真空B.干燥氮?dú)釩.真空或干燥氮?dú)?正確答案)D.清潔的空氣請(qǐng)選擇光刻工序的正確操作步驟（）。[單選題]A.預(yù)處理-涂膠-對(duì)準(zhǔn)和曝光-軟烘-顯影-曝光后烘焙B.涂膠-預(yù)處理-堅(jiān)膜-對(duì)準(zhǔn)和曝光-曝光后烘焙-顯影-軟烘-顯影檢查C.預(yù)處理-涂膠-軟烘-對(duì)準(zhǔn)和曝光-顯影-堅(jiān)膜(正確答案)D.預(yù)處理-涂膠-顯影-對(duì)準(zhǔn)和曝光-軟烘-曝光后烘焙在集成電路中，將掩膜版上的圖形位置及幾何尺寸轉(zhuǎn)移到光刻膠上的工藝是（）。[單選題]A.薄膜制備B.光刻(正確答案)C.刻蝕D.金屬化通常被用于深紫外光刻膠的準(zhǔn)分子激光器的光源材料是（）。[單選題]A.KrF(正確答案)B.F2C.ArFD.XeF（）是芯片制造過(guò)程中在元器件表面上淀積金屬薄膜以及隨后刻印圖形以使形成互連線和集成電路填充塞的過(guò)程[單選題]刻蝕薄膜制備填充金屬化(正確答案)解決鋁尖刺的方法有（）。[單選題]在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑鱼~采用三層夾心結(jié)構(gòu)在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸?正確答案)采用“竹節(jié)狀”結(jié)構(gòu)利用高能粒子撞擊具有高純度靶材料表面，撞擊出的原子最后淀積在硅片上的物理過(guò)程是（）。[單選題]電阻加熱蒸發(fā)電子束蒸發(fā)濺射(正確答案)電鍍銅電鍍之前，需要沿著側(cè)壁和底部，淀積一層連續(xù)的薄種子層，若種子層不連續(xù)可能導(dǎo)致電鍍的銅產(chǎn)生（）。[單選題]空洞(正確答案)尖刺電遷移肖特基現(xiàn)象金屬鎢在集成電路中通常用于（）。[單選題]填充塞(正確答案)金屬連線阻擋層焊接層濕法刻蝕中，（）的腐蝕液是以氫氟酸為基礎(chǔ)的水溶液。[單選題]A.硅B.鋁C.二氧化硅(正確答案)D.砷化鎵常用的干法去膠方法有（）。[單選題]A.溶劑去膠B.氧化劑去膠C.等離子去膠(正確答案)D.介質(zhì)去膠反應(yīng)離子刻蝕的過(guò)程簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)是（）。[單選題]A.電離→解吸.排放→轟擊→擴(kuò)散.反應(yīng)B轟擊→電離→擴(kuò)散.反應(yīng)→解吸.排放C.電離→擴(kuò)散.反應(yīng)→轟擊→解吸.排放D.電離→轟擊→擴(kuò)散.反應(yīng)→解吸.排放(正確答案)通過(guò)監(jiān)控某一特定譜峰或波長(zhǎng)，在預(yù)期的刻蝕終點(diǎn)可探測(cè)到對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)的方法是（）。[單選題]A.發(fā)射光譜法(正確答案)B.干涉測(cè)量法C.質(zhì)量分析法D.橢圓偏振法等離子的英文表達(dá)為（）。[單選題]A.etchB.ionC.plasma(正確答案)D.wet擴(kuò)散是（）的一種方法。[單選題]A.光刻B.刻蝕C.摻雜(正確答案)D.外延擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)本質(zhì)是（）。[單選題]A.粒子由高到低運(yùn)動(dòng)B.改變導(dǎo)電類型或雜質(zhì)濃度C.改變電學(xué)性質(zhì)D.微觀粒子做不規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)的統(tǒng)計(jì)結(jié)果(正確答案)擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的方向是（）。[單選題]A.低濃度向高濃度B.高濃度向低濃度(正確答案)C.隨機(jī)的D.沒(méi)有固定方向擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)形成的原因是（）。[單選題]A.濃度分布不均勻(正確答案)B.溫度變化C.濕度變化D.氣氛變化方塊電阻的測(cè)量方法有（）。[單選題]A.兩探針?lè)˙.四探針?lè)?正確答案)C.擴(kuò)展電阻法D.歐姆表用來(lái)描述擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)快慢的物理量是（）。[單選題]A.擴(kuò)散流密度B.擴(kuò)散因子C.擴(kuò)散系數(shù)D(正確答案)D.擴(kuò)散分壓關(guān)于兩步擴(kuò)散法，第一步主要控制（）。[單選題]A.結(jié)深B.雜質(zhì)總量(正確答案)C.雜質(zhì)分布D.雜質(zhì)表面濃度（）不是雜質(zhì)在半導(dǎo)體中的擴(kuò)散方式。[單選題]A.替位式B.間隙式C.替位-間隙式D.跳躍式(正確答案)（）不是用來(lái)測(cè)量結(jié)深的。[單選題]A.磨角染色法B.擴(kuò)展電阻法C.陽(yáng)極氧化剝離法D.擴(kuò)散剝離法(正確答案)（）是使硅片上的局部區(qū)域達(dá)到平坦化。[單選題]A.平滑處理B.部分平坦化C.局部平坦化(正確答案)D.全局平坦化使用化學(xué)機(jī)械拋光進(jìn)行粗拋時(shí)拋光區(qū)域溫度一般控制在（）。[單選題]A.38-50℃(正確答案)B.20-50℃C.20-30℃D.20-38℃化學(xué)機(jī)械拋光中，拋光液的作用是（）。[單選題]A.與硅片表面材料反應(yīng)，變成可溶物質(zhì)或一些硬度過(guò)高的物質(zhì)變化(正確答案)B.向拋光墊施加壓力C.將反應(yīng)生成物從硅片表面去除D.清洗硅片CMP濕實(shí)現(xiàn)（）的一種技術(shù)。[單選題]A.平滑處理B.部分平坦化C.局部平坦化D.全局平坦化(正確答案)SOI的意思是（）。[單選題]A.汽相外延B.液相外延C.分子束外延D.絕緣層上（外延）硅(正確答案)汽相外延的簡(jiǎn)稱是（）。[單選題]A.VPE(正確答案)B.SSDC.GNDD.wuhu關(guān)于外延層的質(zhì)量要求以下說(shuō)法正確的是（）。[單選題]A.對(duì)厚度沒(méi)有要求B.對(duì)摻雜的濃度沒(méi)有要求C.雜質(zhì)分布滿足要求(正確答案)D.外延層中位錯(cuò).層錯(cuò).麻坑.霧狀.缺陷.傷痕等都無(wú)所謂SOS是在（）襯底上外延單晶硅。[單選題]A.藍(lán)寶石(正確答案)B.多晶硅C.單晶硅D.鉆石選擇外延的簡(jiǎn)稱是（）。[單選題]A.CBEB.SEG(正確答案)C.UHVD.SPE超高真空的簡(jiǎn)稱是（）。[單選題]A.SHVB.HHVC.UHV(正確答案)D.HLV硅氧四面體由（）組成。[單選題]A.四個(gè)氧和一個(gè)硅(正確答案)B.兩個(gè)氧和兩個(gè)硅C.四個(gè)硅和一個(gè)氧D.三個(gè)氧和一個(gè)硅集成電路制造工藝中，制備二氧化硅的方法有（）。[單選題]A.化學(xué)汽相沉積B.原子層沉積C.熱氧化D.以上都是(正確答案)二氧化硅可以用作擴(kuò)散掩蔽膜的原因是（）。[單選題]A.雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于其在硅中的擴(kuò)散系數(shù)(正確答案)B.雜質(zhì)在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)等于其在硅中的擴(kuò)散系數(shù)C.雜質(zhì)硅中的擴(kuò)散系數(shù)遠(yuǎn)小于其在二氧化硅中的擴(kuò)散系數(shù)D.雜質(zhì)在二氧化硅中不擴(kuò)散熱氧化法生長(zhǎng)100個(gè)單位厚度的二氧化硅會(huì)消耗（）個(gè)單位厚度的硅？[單選題]A.44(正確答案)B.56C.54D.46（）可以很大程度降低氧化層鈉離子的沾污。[單選題]A.高壓氧化B.水汽氧化C.濕氧氧化D.含氯氧化(正確答案)氧化速率跟氧化溫度之間的關(guān)系是什么？（）。[單選題]A.溫度越高，氧化速率越慢B.溫度越高，氧化速率越快(正確答案)C.沒(méi)有關(guān)系D.溫度越高越好氧化層上表面的二氧化硅是（）生長(zhǎng)的。[單選題]A.最后B.最先(正確答案)C.隨機(jī)D.中間在半導(dǎo)體生產(chǎn)中，常常采用的氧化方式是“干-濕-干”氧化，濕氧氧化的作用是（）。[單選題]A.較短的時(shí)間得到較厚的薄膜(正確答案)B.得到較好的表面C.較好的二氧化硅特性D.提高氧化膜的質(zhì)量界面陷阱電荷解決方法是（）。[單選題]A.干氧氧化(正確答案)B.水汽氧化C.高壓氧化D.摻氯氧化熱氧化生長(zhǎng)200微米的二氧化硅，氧化前硅片至少多厚？（）[單選題]A.200B.88(正確答案)C.100D.56CVD可以淀積（）。A.半導(dǎo)體(正確答案)B.絕緣體（介質(zhì)）(正確答案)C.導(dǎo)體(正確答案)D.二氧化硅(正確答案)CVD的具體方法有（）。A.APCVD(正確答案)B.LPCVD(正確答案)C.PECVD(正確答案)D.LCVD(正確答案)CVD的特點(diǎn)是（）。A.薄膜成分可控(正確答案)B.速度優(yōu)于PVD(正確答案)C.黏附性好(正確答案)D.純度高PVD可以淀積（）。A.半導(dǎo)體(正確答案)B.絕緣體（介質(zhì)）(正確答案)C.導(dǎo)體(正確答案)D.二氧化硅(正確答案)PVD的種類有（）。A.真空蒸鍍(正確答案)B.等離子體C.濺射(正確答案)D.二氧化硅PCV的具體方法有（）。A.電阻蒸鍍(正確答案)B.電子束蒸鍍(正確答案)C.激光蒸鍍(正確答案)D.LCVDPVD的特點(diǎn)是（）。A.工藝溫度低(正確答案)B.工藝原理簡(jiǎn)單(正確答案)C.致密性高D.臺(tái)階覆蓋良好PVD的主要用途（）。A.制備金屬類薄膜(正確答案)B.制備金屬電極(正確答案)C.制備金屬附著層(正確答案)D.制備金屬阻擋層(正確答案)集成電路中所選金屬化材料的特點(diǎn)有（）。A.良好的導(dǎo)電性(正確答案)B.與半導(dǎo)體有良好的接觸性(正確答案)C.良好的穩(wěn)定性(正確答案)D.良好的工藝兼容性(正確答案)鋁硅合金通常會(huì)出現(xiàn)哪些失效現(xiàn)象（）。A.鋁尖楔現(xiàn)象(正確答案)B.結(jié)穿刺現(xiàn)象(正確答案)C.電遷移現(xiàn)象(正確答案)D.短路現(xiàn)象為減少自摻雜現(xiàn)象，可以采取的措施有：（）。襯底背面用高純硅或二氧化硅覆蓋(正確答案)用兩步外延法(正確答案)低壓外延法(正確答案)降低外延生長(zhǎng)溫度屬于氧化層表面缺陷的是（）。白霧(正確答案)針孔斑點(diǎn)(正確答案)層錯(cuò)屬于絕緣介質(zhì)膜的是（）。砷化鎵二氧化硅(正確答案)氮化硅(正確答案)多晶硅摻雜的目的可能是（）。A.形成PN結(jié)(正確答案)B.改變材料的電阻率(正確答案)C.改變材料的某些特性(正確答案)D.形成一定的雜質(zhì)分布(正確答案)離子注入過(guò)程中，常用的退火方法有（）。A.高溫退火(正確答案)B.快速熱退火(正確答案)C.氧化退火D.電阻絲退火抑制通道效應(yīng)的方法有（）。A.破壞表面硅原子的排列（預(yù)先淺注入）(正確答案)B.將晶圓傾斜一定的角度(正確答案)C.表面鋪一層非結(jié)晶材質(zhì)SiO2(正確答案)D.進(jìn)行快速熱退火擴(kuò)散摻雜的優(yōu)點(diǎn)有（）。A.設(shè)備簡(jiǎn)單(正確答案)B.效率高(正確答案)C.成本低(正確答案)D.雜質(zhì)純度高離子注入的有點(diǎn)有（）。A.設(shè)備簡(jiǎn)單B.不受固溶度限制(正確答案)C.避免高溫過(guò)程(正確答案)D.雜質(zhì)純度高(正確答案)離子注入后退火的目的是（）。A.修復(fù)晶格損傷(正確答案)B.激活雜質(zhì)(正確答案)C.提高硬度D.提高穩(wěn)定性離子注入使用用來(lái)制作（）。A.超淺結(jié)(正確答案)B.源漏注入(正確答案)C.深埋層(正確答案)D.閾值電壓調(diào)整(正確答案)雜質(zhì)離子注入襯底后阻擋機(jī)制有（）。A.分子阻擋B.離子阻擋C.原子核阻擋(正確答案)D.電子阻擋(正確答案)離子注入設(shè)備主要由（）和聚焦陽(yáng)極，偏束板，掃描器，靶室組成。A.離子發(fā)生器(正確答案)B.磁分析器(正確答案)C.加速器(正確答案)D.減速器提高離子注入劑量的方法有（）。A.提高電場(chǎng)強(qiáng)度B.提高磁場(chǎng)強(qiáng)度C.延長(zhǎng)時(shí)間(正確答案)D.提高速流(正確答案)切片是拋光片制備中一道重要的工序，因?yàn)檫@一工序基本上決定了硅片的四個(gè)重要參數(shù)，即晶向、（）、（）、（）。平行度(正確答案)直徑翹度(正確答案)厚度(正確答案)單晶硅生長(zhǎng)是將電子級(jí)純的多晶硅華為單晶硅錠，要實(shí)現(xiàn)這一條件需滿足三個(gè)條件：（）、（）、（）。原子具有一定的動(dòng)能(正確答案)要有一個(gè)排列標(biāo)準(zhǔn)(正確答案)排列好的原子能穩(wěn)定下來(lái)(正確答案)不能含有任何雜質(zhì)工業(yè)上用二氧化硅和碳在高溫下以一定的比例混合發(fā)生置換反應(yīng)得到的單質(zhì)硅純度約為98%，主要含有（）、（）、（）、（）等雜質(zhì)。Fe(正確答案)Al(正確答案)B(正確答案)Cu(正確答案)直徑大于8英寸的單晶硅錠可以用()方法制備出來(lái)。FZ法CZ法(正確答案)直拉法(正確答案)懸浮區(qū)熔法單晶硅生長(zhǎng)過(guò)程中，無(wú)位錯(cuò)正常生長(zhǎng)的標(biāo)志有()、()。晶棱隨細(xì)頸轉(zhuǎn)為寬平(正確答案)B.有反光或細(xì)頸某一側(cè)向外鼓起(正確答案)C.長(zhǎng)出規(guī)定尺寸的細(xì)頸界面出現(xiàn)抖動(dòng)的光圈倒角的目的是：()、()、()。防止晶圓受到撞擊而導(dǎo)致邊緣破裂(正確答案)防止熱應(yīng)力產(chǎn)生的缺陷在邊緣產(chǎn)生并阻止其向內(nèi)部移動(dòng)(正確答案)增加晶圓邊緣的平坦度(正確答案)去除晶圓表面微量的損傷層光刻工藝三要素為（）。A.光刻機(jī)(正確答案)B.光刻膠(正確答案)C.掩膜版(正確答案)D.涂膠機(jī)光刻光源有（）。A.汞燈(正確答案)B.準(zhǔn)分子激光(正確答案)C.水銀弧光燈(正確答案)D.等離子體(正確答案)光刻膠的主要成分有（）。A.感光劑(正確答案)B.溶劑(正確答案)C.聚合物材料(正確答案)D.膠水EUV技術(shù)難點(diǎn)有（）。A.所有設(shè)備均需工作在高真空環(huán)境下(正確答案)靶材的使用壽命較低(正確答案)C.難以找到合適的光刻膠(正確答案)D.光源功率較低(正確答案)電子束光刻的特點(diǎn)是（）。A.分辨率高(正確答案)B.速度快C.效率低(正確答案)D.受光波長(zhǎng)限制光刻膠的主要性能指標(biāo)有（）。A.靈敏度(正確答案)B.分辨率(正確答案)C.抗蝕性(正確答案)D.黏附性(正確答案)先進(jìn)的光刻技術(shù)有（）。A.EUV曝光(正確答案)B.電子束光刻(正確答案)C.X射線光刻(正確答案)D.納米壓印技術(shù)(正確答案)X射線有可能獲得更高的分辨率是因?yàn)椋ǎ?。A.波長(zhǎng)更短(正確答案)B.波長(zhǎng)更長(zhǎng)C.頻率更高(正確答案)D.頻率更低表征光刻膠的性能指標(biāo)包括（）。A.靈敏度(正確答案)B.分辨率(正確答案)C.黏附性(正確答案)D.留膜率(正確答案)金屬薄膜制備中常見(jiàn)的蒸發(fā)方式有（）。電阻絲加熱蒸發(fā)(正確答案)電子束蒸發(fā)(正確答案)金屬蒸發(fā)離子束蒸發(fā)解決鋁的電遷移的方法有（）?？勺鲣X銅合金(正確答案)采用三層夾心結(jié)構(gòu)(正確答案)在合金化的鋁中適當(dāng)?shù)靥砑庸璨捎谩爸窆?jié)狀”結(jié)構(gòu)(正確答案)最常用的二氧化硅的濕法刻蝕腐蝕液包括（）。A.氯氟酸(正確答案)B.氟化銨(正確答案)C.去離子水(正確答案)D.磷酸以下刻蝕方法中，不屬于各向同性的刻蝕是（）。A.濕法刻蝕B.濺射刻蝕(正確答案)C.等離子體刻蝕D.反應(yīng)離子刻蝕(正確答案)屬于濕法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)的是（）。A.各向同性B.各向異性C.提高刻蝕的選擇比(正確答案)D.不產(chǎn)生襯底損傷(正確答案)刻蝕的主要參數(shù)有（）。A.刻蝕速率(正確答案)B.刻蝕選擇比(正確答案)C.刻蝕因子(正確答案)D.均勻性(正確答案)以下（）屬于干法刻蝕工藝。A.RIE(正確答案)B.MERIE(正確答案)C.ICP(正確答案)D.HDP(正確答案)以下（）屬于刻蝕終點(diǎn)檢測(cè)法。A.OES(正確答案)B.IEP(正確答案)C.RIED.HDP干法刻蝕的優(yōu)點(diǎn)有（）。A.各向異性(正確答案)B.均勻性好(正確答案)C.各向同性D.設(shè)備簡(jiǎn)單干法刻蝕的缺點(diǎn)有（）。A.選擇比好B.容易造成襯底損傷(正確答案)C.設(shè)備昂貴(正確答案)D.不要終點(diǎn)檢測(cè)(正確答案)擴(kuò)散可以（）。A.改變導(dǎo)電類型(正確答案)B.改變電阻率(正確答案)C.改變電導(dǎo)率(正確答案)D.保護(hù)半導(dǎo)體擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)跟（）有關(guān)。A.溫度(正確答案)B.氛圍(正確答案)C.濃度梯度(正確答案)D.濕度擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)的形成原因有（）。A.濃度分布不均勻(正確答案)B.存在濃度梯度(正確答案)C.濕度變化D.氣氛變化擴(kuò)散系數(shù)可以表示（）。A.擴(kuò)散的快慢(正確答案)B.擴(kuò)散的原因C.擴(kuò)散的難易程度(正確答案)D.擴(kuò)散的方向擴(kuò)散工藝主要測(cè)量哪些參數(shù)？A.結(jié)深Xj(正確答案)B.擊穿電壓Vb(正確答案)C.擴(kuò)散薄層電阻(正確答案)D.密度雜質(zhì)的擴(kuò)散方式有（）。A.替位式(正確答案)B.間隙式(正確答案)C.替位-間隙式(正確答案)D.跳躍式測(cè)量結(jié)深的方法有（）。A.磨角染色法(正確答案)B.擴(kuò)展電阻法(正確答案)C.陽(yáng)極氧化剝離法(正確答案)D.干涉法硼的擴(kuò)散主要分為（）。A.固態(tài)擴(kuò)散(正確答案)B.液態(tài)擴(kuò)散(正確答案)C.氣態(tài)擴(kuò)散(正確答案)D.等離子擴(kuò)散高溫回流一般用于（）。A.平滑處理(正確答案)B.部分平坦化(正確答案)C.局部平坦化D.全局平坦化影響CMP質(zhì)量的因素有（）。A.拋光壓力(正確答案)B.拋光液PH值(正確答案)C.轉(zhuǎn)速(正確答案)D.拋光區(qū)域溫度(正確答案)CMP工藝的三大關(guān)鍵因素是（）。A.拋光機(jī)(正確答案)B.拋光液(正確答案)C.拋光盤D.拋光墊(正確答案)電阻率測(cè)量方法有哪些?A.電容法(正確答案)B.四探針?lè)?正確答案)C.擴(kuò)展電阻法(正確答案)D.勾股定理外延在半導(dǎo)體生產(chǎn)中的作用是（）。A.實(shí)現(xiàn)雜質(zhì)濃度突變(正確答案)B.優(yōu)化襯底材料性能(正確答案)C.設(shè)計(jì)更加靈活(正確答案)D.讓硅片更厚低壓外延的優(yōu)點(diǎn)是（）。A.減小摻雜效應(yīng)(正確答案)B.縮小過(guò)渡區(qū)域用于多層外延(正確答案)C.對(duì)外延溫度有所下降(正確答案)D.降低成本低壓外延的氣壓可能是（）。A.10pa(正確答案)B.100pa(正確答案)C.100kpD.10kpa(正確答案)外延層需要檢測(cè)的參數(shù)有（）。A.厚度(正確答案)B.缺陷檢測(cè)(正確答案)C.電阻率(正確答案)D.電導(dǎo)率(正確答案)測(cè)量外延層厚度的方法有（）。。A.紅外反射法(正確答案)B.電容法C.磨角法(正確答案)D.四探針?lè)⊿OI應(yīng)用在集成電路上的優(yōu)勢(shì)是（）。A.寄生電容小(正確答案)B.速度快(正確答案)C.抗輻射能力強(qiáng)(正確答案)D.能抑制CMOS電路的閂鎖效應(yīng)(正確答案)根據(jù)外延層工藝中反應(yīng)物的狀態(tài)，可以將外延分為（）。A.汽相外延(正確答案)B.固相外延(正確答案)C.液相外延(正確答案)D.反相外延外延層電阻率的檢測(cè)方法有（）。A.四探針?lè)?正確答案)B.擴(kuò)展電阻法(正確答案)C.電容法(正確答案)D.紅外反射法外延摻雜的作用是（）。A.控制導(dǎo)電性質(zhì)(正確答案)B.彌補(bǔ)缺陷C.形成過(guò)渡區(qū)域D.控制外延層的電導(dǎo)率(正確答案)以下結(jié)構(gòu)屬于異質(zhì)結(jié)的有（）。A.SOI(正確答案)B.SOS(正確答案)C.SEGD.MOCVD低壓外延反應(yīng)器的缺點(diǎn)是（）。A.可以減小自摻雜反應(yīng)B.對(duì)設(shè)備要求提高，必須防止泄漏(正確答案)C.工藝溫度降低外延層晶格受影響(正確答案)D.縮小了過(guò)渡區(qū)可用于多層外延熱氧化獲得的二氧化硅的特點(diǎn)是（）。A.晶體B.非晶體(正確答案)C.難溶于水(正確答案)D.能用HF腐蝕(正確答案)二氧化硅的作用有（）。A.作為器件的保護(hù)層和鈍化層(正確答案)B.摻雜掩蔽膜(正確答案)C.隔離(正確答案)D.元器件的組成部分(正確答案)以下哪些工藝會(huì)消耗硅片自身的硅？（）A.熱氧化(正確答案)B.摻氯氧化(正確答案)C.干氧氧化(正確答案)D.化學(xué)沉積熱氧化前硅片厚100微米，氧化后二氧化硅的厚度為100微米，此時(shí)下列正確的是（）。A.被氧化了44微米的硅(正確答案)B.被氧化了56微米的硅C.剩余的硅與生成的二氧化硅總的厚度和為144微米D.剩余的硅與生成的二氧化硅總的厚度和為156微米(正確答案)關(guān)于熱氧化速率，說(shuō)法正確的是（）。A.溫度越高，速度越快(正確答案)B.壓力越大，速率越快(正確答案)C.水汽氧化最慢，干氧氧化最快D.摻雜濃度越高，速率越快(正確答案)下列方法屬于熱氧化制備二氧化硅的方法是（）。A.化學(xué)汽相沉淀法B.原子層沉淀法C.水汽氧化(正確答案)D.氫氧合成氧化(正確答案)氧化層厚度的測(cè)量方法有（）。A.比色法(正確答案)B.干涉條紋法(正確答案)C.橢圓偏振法(正確答案)D.臺(tái)階儀(正確答案)氧化層表面缺陷有（）。A.斑點(diǎn)(正確答案)B.裂紋(正確答案)C.白霧(正確答案)D.針孔(正確答案)CVD淀積二氧化硅的原理跟熱氧化相同。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)VPE過(guò)程其實(shí)就是一種CVD的過(guò)程。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)CVD常用于淀積介質(zhì)薄膜。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)APCVD成膜速度快，可用于制備較厚的薄膜。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)CVD淀積二氧化硅薄膜不會(huì)消耗硅片自己的硅。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)CVD過(guò)程中，化學(xué)反應(yīng)發(fā)生在腔室中。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)熱氧化制備二氧化硅的質(zhì)量比CVD差。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)CVD可以制備多種薄膜，所以應(yīng)用廣泛。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)PVD常用于制備金屬薄膜。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)真空蒸鍍必須在高真空下完成。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)在外電場(chǎng)作用下，導(dǎo)體內(nèi)運(yùn)動(dòng)的電子將其動(dòng)能傳給金屬離子所引起的質(zhì)量運(yùn)輸現(xiàn)象稱為電遷移。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)電遷移可產(chǎn)生空洞或小丘，引起短路或開(kāi)路，從而導(dǎo)致器件失效。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)金屬化是指根據(jù)電路設(shè)計(jì)要求，把硅片上制成各種晶體管.二極管等元器件用金屬薄膜固定的方式。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)濺射相對(duì)蒸鍍具有不少優(yōu)勢(shì)，但某些特殊材質(zhì)薄膜的制備上電子束蒸鍍更有優(yōu)勢(shì)。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)濺射常用的等離子體是用氬氣離化的。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)薄膜制備的方式中，CVD不消耗襯底材料。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)使用化學(xué)腐蝕法檢查針孔時(shí)，硅表面的腐蝕坑數(shù)目就是二氧化硅的針孔數(shù)目（）。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)把硅片對(duì)離子注入的方向傾斜30度可抑制通道效應(yīng)。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)熱擴(kuò)散摻雜工藝可以一步實(shí)現(xiàn)。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)固-固擴(kuò)散是利用晶圓表面含有所需雜質(zhì)的氧化層作為雜質(zhì)源進(jìn)行擴(kuò)散的方法。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)擴(kuò)散和離子注入都可以實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體摻雜，所以可以任意選擇。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)離子注入摻雜可以單獨(dú)控制雜質(zhì)濃度和結(jié)深，而擴(kuò)散摻雜卻不行。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)擴(kuò)散和離子注入都可以摻雜，但兩者各有利弊，所以都在使用。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)平均投影射程是指射程在入射方向上的投影的平均值，往往此處雜質(zhì)濃度最大。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)快速熱退火大大降低雜質(zhì)的再分布，對(duì)制備淺結(jié)器件特別有利。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)磁分析器之所以能挑選離子，是利用了不同荷質(zhì)比的離子在磁場(chǎng)中受勞倫茲力大小不同，偏轉(zhuǎn)角度不同的原理。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)利用蒸餾法可將混合液體加以初步分離和提純。在高純度硅的生產(chǎn)中采取簡(jiǎn)單的一次性蒸餾就可以達(dá)到高純度的要求。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)半導(dǎo)體材料的電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)單晶硅生長(zhǎng)結(jié)束后，用四探針技術(shù)測(cè)量單晶硅錠的電阻率。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)<100>晶向的單晶硅錠有四根或八根對(duì)稱的棱線。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)晶圓具有各向異性特點(diǎn)，切片時(shí)要按照一定的方向進(jìn)行。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)12英寸的晶圓進(jìn)行單面研磨。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)硅屬于單質(zhì)半導(dǎo)體，砷化鎵屬于化合物半導(dǎo)體。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)KOH水溶液可作為正膠顯影液。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)軟烘又叫前烘，該工序僅可在烘箱中進(jìn)行。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)負(fù)性光刻膠經(jīng)曝光過(guò)的區(qū)域被溶解，而未曝光的區(qū)域被保留。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)電阻絲加熱蒸發(fā)可以淀積難熔金屬。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)解決鋁互連中肖特基接觸的方法是在電極引出部分進(jìn)行輕摻雜。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)金屬鎢常常采用CVD法來(lái)制備。[判斷題]對(duì)(正確答案)錯(cuò)一般情況下，與濕法刻蝕相比，干法刻蝕具有較高的選擇比。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)砷化鎵的濕法刻蝕液是磷酸。[判斷題]對(duì)錯(cuò)(正確答案)去膠時(shí)，無(wú)金屬表面和