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專題15物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題-三年(2022-2024)高
考化學(xué)真題分類匯編(全國(guó)通用)(含解析)一
三年真題—二二
專題15物質(zhì)造構(gòu)者惟質(zhì)保合教
目”窗借。絹翻窗
考點(diǎn)命題趨勢(shì)
在當(dāng)前的舊高考中,"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"屬于選擇性考試內(nèi)容,以綜合性客觀題形式出現(xiàn),
隨著新課程的落實(shí),"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"已成為選擇性必修課程,將成為新高考的必考內(nèi)
容,在新高考中,部分卷區(qū)不再設(shè)置"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"綜合題,而是將其考查分散到選
擇題和其他綜合題當(dāng)中.縱觀近年來(lái)高考真題,物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題基本上考的都
考點(diǎn)1物質(zhì)結(jié)構(gòu)是最基本、最典型、最主干的知識(shí)點(diǎn)。以下是高考時(shí)時(shí)常考的知識(shí)點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)與元
與性質(zhì)綜合題素的性質(zhì)方面,如原子電子排布式,元素原子的性質(zhì);化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)方面,如
雜化軌道類型,分子(離子)空間構(gòu)型;分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)方面;如晶胞判斷與
計(jì)算。試題均建構(gòu)在以教材為主的中學(xué)化學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)之上,沒(méi)有偏離教材體系和考試
說(shuō)明的要求,試題基本保持穩(wěn)定.試卷并不能把所有的知識(shí)面全部覆蓋,也不能保證
重要知識(shí)點(diǎn)可能反復(fù)出現(xiàn)。
竊窟饗綠。闔迨送溫
1.(2024?北京卷)錫(Sn)是現(xiàn)代“五金”之一,廣泛應(yīng)用于合金、半導(dǎo)體工業(yè)等。
(1)Sn位于元素周期表的第5周期第IVA族。將Sn的基態(tài)原子最外層軌道表示式補(bǔ)充完整:
□cm
5s5p
(2)SnCU和Sn。,是錫的常見(jiàn)氯化物,SnCl2可被氧化得到。
①SnC"分子的VSEPR模型名稱是。
②SnC)的Sn—C1鍵是由錫的軌道與氯的3p軌道重疊形成.鍵。
(3)白錫和灰錫是單質(zhì)Sn的常見(jiàn)同素異形體.二者晶胞如圖:白錫具有體心四方結(jié)構(gòu);灰錫具有立方金
剛石結(jié)構(gòu).
①灰錫中每個(gè)Sn原子周圍與它最近且距離相等的Sn原子有個(gè).
②若白錫和灰錫的晶胞體積分別為%nn?和V2nm3,則白錫和灰錫晶體的密度之比是0
(4)單質(zhì)sn的制備:將sn。?與焦炭充分混合后,于惰性氣氛中加熱至800。(2,由于固體之間反應(yīng)慢,
未明顯發(fā)生反應(yīng)。若通入空氣在80(rc下,sn0,能迅速被還原為單質(zhì)Sn,通入空氣的作用是
2.(2024?浙江卷6月)氧是構(gòu)建化合物的重要元素。請(qǐng)回答:
(1)某化合物的晶胞如圖1,C1的配位數(shù)(緊鄰的陽(yáng)離子數(shù))為;寫出該化合物的化學(xué)式,
寫出該化合物與足量NH4cl溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式.
圖I
(2)下列有關(guān)單核微粒的描述正確的是0
A.Ar的基態(tài)原子電子排布方式只有一種
B.Na的第二電離能〉Ne的第一電離能
C.Ge的基態(tài)原子簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]4s24P2
D.Fe原子變成Fe+,優(yōu)先失去3d軌道上的電子
(3)化合物HA、HB、HC和HD的結(jié)構(gòu)如圖2。
RO-r-OHRAO-C-OHRAO-C-O.HRAO-C-SH
HAHBHCHD
圖2
①HA、HB和HC中羥基與水均可形成氫鍵(-O-H…OH?),按照氫鍵由強(qiáng)到弱對(duì)三種酸排序,請(qǐng)
說(shuō)明理由。
②已知HC、HD鈉鹽的堿性NaONaD,請(qǐng)從結(jié)構(gòu)角度說(shuō)明理由。
3.(2024?山東卷)鎰氧化物具有較大應(yīng)用價(jià)值,回答下列問(wèn)題:
(1)Mn在元素周期表中位于第周期族;同周期中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)比Mn多的元
素是(填元素符號(hào))。
(2)Mn如某種氧化物MnOx的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示,該氧化物化學(xué)式為.
當(dāng)MnOx晶體有O原子脫出時(shí),出現(xiàn)O空位,Mn的化合價(jià)(填“升高”“降低”或“不變”),O空位的
產(chǎn)生使晶體具有半導(dǎo)體性質(zhì)。下列氧化物晶體難以通過(guò)該方式獲有半導(dǎo)體性質(zhì)的是(填標(biāo)號(hào)).
A.CaOB.V2O5C.Fe2QjD.CuO
(3)月(見(jiàn)圖)是Mn。*晶型轉(zhuǎn)變的誘導(dǎo)劑。BF4的空間構(gòu)型為;[BMIM]+中咪唾環(huán)存
在成大兀鍵,則N原子采取的軌道雜化方式為.
卷、BF;
[BMIM]+BF;
(4)Mn。*可作HMF轉(zhuǎn)化為FDCA的催化劑(見(jiàn)下圖)。FDCA的熔點(diǎn)遠(yuǎn)大于HMF,除相對(duì)分子質(zhì)量
存在差異外,另一重要原因是。
4.(2024?浙江卷1月)氮和氧是構(gòu)建化合物的常見(jiàn)元素。
OO
IIII
已知:+H2O-HO-S-OH
O/II
O
請(qǐng)回答:
(1)某化合物的晶胞如圖,其化學(xué)式是,晶體類型是。
(2)下列說(shuō)法正確的是。
A.電負(fù)性:B>N>0B.離子半徑:P3<S2<C1-
C.第一電離能:Ge<Se<AsD.基態(tài)Cf+2+的簡(jiǎn)化電子排布式:[Ar]3d,
(3)①H2N-NH2+H+-H2N-NH;,其中-NH2的N原子雜化方式為;比較鍵角
NHNH:H2N-NH2中的-NH?_______H2N-NH;中的-NH;(填或“=”),請(qǐng)說(shuō)明理由0
②將HNO3與SO3按物質(zhì)的量之比1:2發(fā)生化合反應(yīng)生成A,測(cè)得A由2種微粒構(gòu)成,其中之一是NO;。
比較氧化性強(qiáng)弱:NO;HNC)3(填“>”、“<”或“=");寫出A中陰離子的結(jié)構(gòu)式.
5.(2024?全國(guó)甲卷)IVA族元素具有豐富的化學(xué)性質(zhì),其化合物有著廣泛的應(yīng)用.回答下列問(wèn)題:
(1)該族元素基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)___,在與其他元素形成化合物時(shí),呈現(xiàn)的最高化合價(jià)為.
(2)CaC?俗稱電石,該化合物中不存在的化學(xué)鍵類型為(填標(biāo)號(hào)).
a.離子鍵b.極性共價(jià)鍵c.非極性共價(jià)鍵d.配位鍵
CH3
(3)一種光刻膠薄膜成分為聚甲基硅烷-[1上,其中電負(fù)性最大的元素是硅原子的雜化軌道類型為
H
(4)早在青銅器時(shí)代,人類就認(rèn)識(shí)了錫.錫的鹵化物熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表,結(jié)合變化規(guī)律說(shuō)明原因:_____.
物質(zhì)SnF4SnCl4SnBr4Snl4
熔點(diǎn)/℃442-3429143
l<594pm,
⑸結(jié)晶型PbS可作為放射性探測(cè)器元件材料,其立方晶胞如圖所示.其中Pb的配位數(shù)為。設(shè)NA
為阿伏加德羅常數(shù)的值,則該晶體密度為g-cm-3(列出計(jì)算式)。
6.(2023?全國(guó)甲卷)將獻(xiàn)菁一鉆鈦一三氯化鋁復(fù)合嵌接在碳納米管上,制得一種高效催化還原二氧化碳的
催化劑.回答下列問(wèn)題:
⑴圖1所示的幾種碳單質(zhì),它們互為,其中屬于原子晶體的是,C6。間的作用力是
石墨碳納米管
c60
圖1
(2)獻(xiàn)菁和鉆酰菁的分子結(jié)構(gòu)如圖2所示。
圖2
酥菁分子中所有原子共平面,其中P軌道能提供一對(duì)電子的N原子是(填圖2酥菁中N原子的標(biāo)號(hào))。
鉆獻(xiàn)菁分子中,鉆離子的化合價(jià)為,氮原子提供孤對(duì)電子與鉆離子形成鍵。
(3)氣態(tài)A1CL通常以二聚體Al2cIf的形式存在,其空間結(jié)構(gòu)如圖3a所示,二聚體中A1的軌道雜化類型為
-AUS的熔點(diǎn)為1090。遠(yuǎn)高于Aid,的1921,由此可以判斷鋁氟之間的化學(xué)鍵為鍵。A1F3
結(jié)構(gòu)屬立方晶系,晶胞如圖3b所示,廣的配位數(shù)為-若晶胞參數(shù)為?m,晶體密度
P=g-cm-3(列出計(jì)算式,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA).
圖3aAl2c%的分子結(jié)構(gòu)圖3bAIF3的晶體結(jié)構(gòu)
7.(2023?全國(guó)乙卷)中國(guó)第一輛火星車“祝融號(hào)”成功登陸火星。探測(cè)發(fā)現(xiàn)火星上存在大量橄欖石礦物
(MgxFe2.xSiO4),回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)Fe原子的價(jià)電子排布式為。橄欖石中,各元素電負(fù)性大小順序?yàn)?鐵的化合價(jià)為
(2)已知一些物質(zhì)的熔點(diǎn)數(shù)據(jù)如下表:
物質(zhì)熔點(diǎn)/℃
NaCl800.7
SiCl4-68.8
GeCl4-51.5
SnCl4-34.1
Na與Si均為第三周期元素,NaCl熔點(diǎn)明顯高于SiCl,,原因是。分析同族元素的氯化物SiCl,、GeCl4,
SnCL熔點(diǎn)變化趨勢(shì)及其原因.SiCl"的空間結(jié)構(gòu)為_(kāi)_____,其中Si的軌道雜化形式為
(3)一種硼鎂化合物具有超導(dǎo)性能,晶體結(jié)構(gòu)屬于立方晶系,其晶體結(jié)構(gòu)、晶胞沿c軸的投影圖如下所示,
晶胞中含有個(gè)Mg。該物質(zhì)化學(xué)式為,B-B最近距離為0
8.(2023?山東卷)鹵素可形成許多結(jié)構(gòu)和性質(zhì)特殊的化合物?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)-40(時(shí),耳與冰反應(yīng)生成"O尸利HF。常溫常壓下,尸為無(wú)色氣休,固態(tài)的晶體類型為,
HOF水解反應(yīng)的產(chǎn)物為(填化學(xué)式)。
⑵CIO?中心原子為Cl,。2。中心原子為O,二者均為V形結(jié)構(gòu),但CIO,中存在大兀鍵(n;)。C1O,中C1原
子的軌道雜化方式;為0-C1-0鍵角C1-O-C1鍵角(填“〈”或“=”)。比較C1O2與中
C1-0鍵的鍵長(zhǎng)并說(shuō)明原因_____.
(3)一定條件下,CuCl2,K和F?反應(yīng)生成KC1和化合物X-已知X屬于四方晶系,晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(晶胞
參數(shù)a=b/c,a=0=Y=9O。),其中Cu化合價(jià)為+2。上述反應(yīng)的化學(xué)方程式為。若阿伏加德羅常數(shù)的
值為NA,化合物X的密度P=g<111-3(用含NA的代數(shù)式表示)。
9.(2023?北京卷)硫代硫酸鹽是一類具有應(yīng)用前景的浸金試劑。硫代硫酸根(S2O;-)可看作是SOj中的一
個(gè)O原子被S原子取代的產(chǎn)物.
(1)基態(tài)S原子價(jià)層電子排布式是。
(2)比較S原子和O原子的第一電離能大小,從原子結(jié)構(gòu)的角度說(shuō)明理由:.
(3)S2O^的空間結(jié)構(gòu)是.
(4)同位素示蹤實(shí)驗(yàn)可證實(shí)S?。;-中兩個(gè)S原子的化學(xué)環(huán)境不同,實(shí)驗(yàn)過(guò)程為
SO;—Ag?S+SO〉過(guò)程ii中,SQ,斷裂的只有硫硫鍵,若過(guò)程i所用試劑是Na232so3和
35S,過(guò)程ii含硫產(chǎn)物是.
O,MgS/VGHq的晶胞形狀為長(zhǎng)方體,邊長(zhǎng)分別為anm、bnm、cnm,結(jié)構(gòu)如圖所示。
晶胞中的[Mg(H2<3)6『個(gè)數(shù)為.已知MgSgs不耳。的摩爾質(zhì)量是Mg.moP,阿伏加德羅常數(shù)
為NA,該晶體的密度為g.cm-3。(lnm=l(T7cm)
(6)浸金時(shí),SQ;作為配體可提供孤電子對(duì)與Au+形成[AU(SQ3)2「.分別判斷S?O;-中的中心S原子和端
基S原子能否做配位原子并說(shuō)明理由:。
10.(2023年6月?浙江卷)氮的化合物種類繁多,應(yīng)用廣泛。
請(qǐng)回答:
(1)基態(tài)N原子的價(jià)層電子排布式是0
(2)與碳?xì)浠衔镱愃?,N、H兩兀素之間也可以形成氮烷、氮烯。
①下列說(shuō)法不正確的是.
A.能量最低的激發(fā)態(tài)N原子的電子排布式:Is22sl2P33sl
B.化學(xué)鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù):Ca3N2>Mg3N2
C.最簡(jiǎn)單的氮烯分子式:N2H2
D.氮烷中N原子的雜化方式都是sp'
②氮和氫形成的無(wú)環(huán)氮多烯,設(shè)分子中氮原子數(shù)為n,雙鍵數(shù)為m,其分子式通式為0
③給出H+的能力:NH3[CuNH3r(填"/或“<”),理由是。
(3)某含氮化合物晶胞如圖,其化學(xué)式為,每個(gè)陰離子團(tuán)的配位數(shù)(緊鄰的陽(yáng)離子數(shù))
為。
11.(2023年1月?浙江卷)硅材料在生活中占有重要地位.請(qǐng)回答:
(l)Si(NHz)4分子的空間結(jié)構(gòu)(以Si為中心)名稱為,分子中氮原子的雜化軌道類型是.
Si(NH2)4受熱分解生成Si3N4和NH3,其受熱不穩(wěn)定的原因是。
(2)由硅原子核形成的三種微粒,電子排布式分別為:①[Ne]3s23P2、②[Ne]3s?3pi、③[Ne]3s23Pzs],有關(guān)
這些微粒的敘述,正確的是.
A.微粒半徑:③,①〉②
B.電子排布屬于基態(tài)原子(或離子)的是:①②
C.電離一個(gè)電子所需最低能量:①,②〉③
D.得電子能力:①〉②
(3)Si與P形成的某化合物晶體的晶胞如圖.該晶體類型是,該化合物的化學(xué)式為.
12.(2022?全國(guó)甲卷)2008年北京奧運(yùn)會(huì)的“水立方”,在2022年冬奧會(huì)上華麗轉(zhuǎn)身為“冰立方”,實(shí)現(xiàn)了奧
運(yùn)場(chǎng)館的再利用,其美麗的透光氣囊材料由乙烯(CH2=CH2)與四氟乙烯(CF2=CF2)的共聚物(ETFE)制成。回
答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)F原子的價(jià)電子排布圖(軌道表示式)為.
⑵圖a,b.c分別表示C、N、。和F的逐級(jí)電離能I變化趨勢(shì)(縱坐標(biāo)的標(biāo)度不同)。第一電離能的變化圖
(4)CF2=CF2和ETFE分子中C的雜化軌道類型分別為和;聚四氟乙烯的化學(xué)穩(wěn)定性高于聚
乙烯,從化學(xué)鍵的角度解釋原因。
(5)螢石(CaF”是自然界中常見(jiàn)的含氟礦物,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示,X代表的離子是;若該立方晶胞
參數(shù)為apm,正負(fù)離子的核間距最小為pm.
13.(2022?全國(guó)乙卷)鹵素單質(zhì)及其化合物在科研和工農(nóng)業(yè)生產(chǎn)中有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)氟原子激發(fā)態(tài)的電子排布式有,其中能量較高的是0(填標(biāo)號(hào))
a.Is22s22P43slb.Is22s22P43d?c.Is22sl2Psd.Is22s22P33P?
⑵①一氯乙烯(C2H3CI)分子中,C的一個(gè)雜化軌道與Cl的3Px軌道形成C-Cl鍵,并且C1
的3Px軌道與C的2Px軌道形成3中心4電子的大兀鍵(n;)。
②一氯乙烷(C2H5CI)、一氯乙烯(6巳。)、一氯乙烘(CRC1)分子中,C-C1鍵長(zhǎng)的順序是,理由:
(i)C的雜化軌道中s成分越多,形成的C-C1鍵越強(qiáng):(ii)。
(3)鹵化物CsICl?受熱發(fā)生非氧化還原反應(yīng),生成無(wú)色晶體X和紅棕色液體Y。X為0解釋X的熔
點(diǎn)比Y高的原因.
(4)a-Agl晶體中r離子作體心立方堆積(如圖所示),Ag+主要分布在由構(gòu)成的四面體、八面體等空隙中。
在電場(chǎng)作用下,Ag+不需要克服太大的阻力即可發(fā)生遷移。因此,a-Agl晶體在電池中可作為
31
已知阿伏加德羅常數(shù)為NA,則a-Agl晶體的摩爾體積Vm=m-mol(列出算式)。
14.(2022?湖南卷)鐵和硒(Se)都是人體所必需的微量元素,且在醫(yī)藥、催化、材料等領(lǐng)域有廣泛應(yīng)用,
回答下列問(wèn)題:
(1)乙烷硒琳(Ethaselen)是一種抗癌新藥,其結(jié)構(gòu)式如下:
O
O
①基態(tài)Se原子的核外電子排布式為[Ar];
②該新藥分子中有種不同化學(xué)環(huán)境的C原子;
③比較鍵角大?。簹鈶B(tài)Se。?分子SeOj離子(填或"="),原因是。
(2)富馬酸亞鐵(FeC4Hq4)是一種補(bǔ)鐵劑。富馬酸分子的結(jié)構(gòu)模型如圖所示:
①富馬酸分子中。鍵與兀鍵的數(shù)目比為;
②富馬酸亞鐵中各元素的電負(fù)性由大到小的順序?yàn)?
(3)科學(xué)家近期合成了一種固氮酶模型配合物,該物質(zhì)可以在溫和條件下直接活化H2,將N3-轉(zhuǎn)化為NH1,
反應(yīng)過(guò)程如圖所示:
①產(chǎn)物中N原子的雜化軌道類型為
②與NH2互為等電子體的一種分子為(填化學(xué)式)。
(4)鉀、鐵、硒可以形成一種超導(dǎo)材料,其晶胞在xz、yz和xy平面投影分別如圖所示:
IOK
*Fe
Osc
①該超導(dǎo)材料的最簡(jiǎn)化學(xué)式為;
②Fe原子的配位數(shù)為;
③該晶胞參數(shù)a=b=0.4nm、c=1.4nm,阿伏加德羅常數(shù)的值為NA,則該晶體的密度為g-cmT(列出
計(jì)算式)。
15.(2022?山東卷)研究籠形包合物結(jié)構(gòu)和性質(zhì)具有重要意義。化學(xué)式為Ni(CN)x-Zn(NH3)y-zC6H6的籠
形包合物四方晶胞結(jié)構(gòu)如圖所示(H原子未畫出),每個(gè)苯環(huán)只有一半屬于該晶胞.晶胞參數(shù)為
a=bwc,a=B=y=90°?;卮鹣铝袉?wèn)題:
ONi2+
OZn2+
(1)基態(tài)Ni原子的價(jià)電子排布式為,在元素周期表中位置為_(kāi)______.
(2)晶胞中N原子均參與形成配位鍵,Ni?+與Zi?+的配位數(shù)之比為;x:y:z=;晶胞中有d軌
道參與雜化的金屬離子是
)替代苯也可形成類似的籠形包合物.已知毗嗟中含有與苯類似的兀:大兀鍵、則叱咤中N原
子的價(jià)層孤電子對(duì)占據(jù)(填標(biāo)號(hào))。
A.2s軌道B.2P軌道C.sp雜化軌道D.sp2雜化軌道
(4)在水中的溶解度,口比咤遠(yuǎn)大于苯,主要原因是①,②
的堿性隨N原子電子云密度的增大而增強(qiáng),其中堿性最弱的是
16.(2022?北京卷)FeSO/H2。失水后可轉(zhuǎn)為FeSO,MO,與FeS3可聯(lián)合制備鐵粉精低、(\)和H2sO”0
I.FeSO”.H2O結(jié)構(gòu)如圖所示。
(1)Fe2+價(jià)層電子排布式為.
(2)比較SOt和凡。分子中的鍵角大小并給出相應(yīng)解釋:
2
(3)H2O與Fe\SO;'和H2O的作用分別為。
II.FeS2晶胞為立方體,邊長(zhǎng)為anm,如圖所示。
(4)①與Fe2+緊鄰的陰離子個(gè)數(shù)為.
②晶胞的密度為P=g-cm-\(lnm=10-9m)
(5)以FeS?為燃料,配合FeSO”?H?O可以制備鐵粉精(Fe,?!缓虷2SO4。結(jié)合圖示解釋可充分實(shí)現(xiàn)能源和資
源有效利用的原因?yàn)椤?/p>
17.(2022?重慶卷)配位化合物X由配體!?-(如圖)和具有正四面體結(jié)構(gòu)的四4。產(chǎn)構(gòu)成。
QO
o
、?八
O人o
配體I/
⑴基態(tài)ZB的電子排布式為o
(2)1?-所含元素中,電負(fù)性最大的原子處于基態(tài)時(shí)電子占據(jù)最高能級(jí)的電子云輪廓圖為形;每個(gè)I?-
中采取sp2雜化的C原子數(shù)目為個(gè),C與0之間形成。鍵的數(shù)目為個(gè)。
(3)X晶體內(nèi)部空腔可吸附小分子,要增強(qiáng)X與H2O的吸附作用,可在I?-上引入。(假設(shè)X晶胞形狀
不變)。
A.-C1B.-0HC.-NH2D.-CH3
(4)X晶體具有面心立方結(jié)構(gòu),其晶胞由8個(gè)結(jié)構(gòu)相似的組成單元(如圖)構(gòu)成。
Zn
X晶胞的組成單元X晶胞的組成單元的對(duì)角面中[ZnQ『+與L?配位示意圖
①晶胞中與同一配體相連的兩個(gè)[ZmO產(chǎn)的不同之處在于.
②X晶體中Zn2+的配位數(shù)為.
③已知ZnO鍵長(zhǎng)為dnm,理論上圖中A、B兩個(gè)Zd+之間的最短距離的計(jì)算式為nm.
④已知晶胞參數(shù)為2anm,阿伏加德羅常數(shù)的值為M,I?-與[ZnQ產(chǎn)的相對(duì)分子質(zhì)量分別為跖和跖,則x
的晶體密度為g?cm-3例出化簡(jiǎn)的計(jì)算式).
18.(2022?福建卷)1962年首個(gè)稀有氣體化合物XePtFf問(wèn)世,目前已知的稀有氣體化合物中,含氤QXe)
的最多,氟(36Kr)次之,氨(i8Ar)化合物極少JBrOF2][AsF6]?xKrF2是[BrOF2『、[AsF6「與KrF2分子形成的加
合物,其晶胞如下圖所示。
?o
oF
?As
OBr
?Kr
(1)基態(tài)As原子的價(jià)電子排布式為.
(2)Ar,Kr、Xe原子的活潑性依序增強(qiáng),原因是.
⑶晶體熔點(diǎn):KrF2XeF?(域文“〈”或“=”),判斷依據(jù)是.
+
(4)[BrOF2]的中心原子Br的雜化軌道類型為.
(5乂BrOF2][AsF6]?xK^F2加合物中x=,晶體中的微粒間作用力有(填標(biāo)號(hào))。
a.氫鍵b.離子鍵c.極性共價(jià)鍵d.非極性共價(jià)鍵
19.(2022?河北卷)含Cu、Zn、Sn及S的四元半導(dǎo)體化合物(簡(jiǎn)寫為CZTS),是一種低價(jià)、無(wú)污染的綠色
環(huán)保型光伏材料,可應(yīng)用于薄膜太陽(yáng)能電池領(lǐng)域.回答下列問(wèn)題:
(1)基態(tài)S原子的價(jià)電子中,兩種自旋狀態(tài)的電子數(shù)之比為。
(2)Cu與Zn相比,第二電離能與第一電離能差值更大的是,原因是。
⑶SnCl]的幾何構(gòu)型為,其中心離子雜化方式為0
(4)將含有未成對(duì)電子的物質(zhì)置于外磁場(chǎng)中,會(huì)使磁場(chǎng)強(qiáng)度增大,稱其為順磁性物質(zhì)。下列物質(zhì)中,屬于順
磁性物質(zhì)的是(填標(biāo)號(hào))。
A.[CU(NH3)2]C1B.[CU(NH3)4]SO4C.[Zn(NH3)4]SO4D.Na2[Zn(OH)4]
(5)如圖是硫的四種含氧酸根的結(jié)構(gòu):
根據(jù)組成和結(jié)構(gòu)推斷,能在酸性溶液中將Md+轉(zhuǎn)化為MnO:的是―(填標(biāo)號(hào)),理由是
(6)如圖是CZTS四元半導(dǎo)體化合物的四方晶胞。
①該物質(zhì)的化學(xué)式為。
②以晶胞參數(shù)為單位長(zhǎng)度建立的坐標(biāo)系可以表示晶胞中各原子的位置,稱作原子分?jǐn)?shù)坐標(biāo),例如圖中A原
311
子的坐標(biāo)沏“"於則B原子的坐標(biāo)為一
20.(2022?海南卷)以C%。、ZnO等半導(dǎo)體材料制作的傳感器和芯片具有能耗低、效率高的優(yōu)勢(shì)?;卮饐?wèn)
題:
(1)基態(tài)O原子的電子排布式其中未成對(duì)電子有個(gè)。
(2)Cu、Zn等金屬具有良好的導(dǎo)電性,從金屬鍵的理論看,原因是。
(3)獻(xiàn)菁的銅、鋅配合物在光電傳感器方面有著重要的應(yīng)用價(jià)值.儆菁分子結(jié)構(gòu)如下圖,分子中所有原子共
O
平面,所有N原子的雜化軌道類型相同,均采取雜化.鄰苯二甲酸酊和鄰苯二甲酰
%
O
O
亞胺(C^C、H)都是合成配菁的原料,后者熔點(diǎn)高于前者,主要原因是.
(4)金屬Zn能溶于氨水,生成以氨為配體,配位數(shù)為4的配離子,Zn與氨水反應(yīng)的離子方程式為。
(5)ZnO晶體中部分O原子被N原子替代后可以改善半導(dǎo)體的性能,Zn-N鍵中離子鍵成分的百分?jǐn)?shù)小于Zn-0
鍵,原因是。
(6)下圖為某ZnO晶胞示意圖,下圖是若干晶胞無(wú)隙并置而成的底面O原子排列局部平面圖0口abed為所取
晶胞的下底面,為銳角等于60。的菱形,以此為參考,用給出的字母表示出與所取晶胞相鄰的兩個(gè)晶胞的底
面_______
21.(2022?廣東卷)硒(Se)是人體必需微量元素之一,含硒化合物在材料和藥物領(lǐng)域具有重要應(yīng)用.自我
國(guó)科學(xué)家發(fā)現(xiàn)聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)效應(yīng)以來(lái),AIE在發(fā)光材料、生物醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域引起廣泛關(guān)注。一種含Se的
新型AIE分子IV的合成路線如下:
H
/
Inm
(l)Se與S同族,基態(tài)硒原子價(jià)電子排布式為,
⑵H?Se的沸點(diǎn)低于HQ,其原因是.
(3)關(guān)于I-III三種反應(yīng)物,下列說(shuō)法正確的有
A.I中僅有。鍵
B.I中的Se-Se鍵為非極性共價(jià)鍵
C.II易溶于水
D.II中原子的雜化軌道類型只有sp與sF
E.I?in含有的元素中,o電負(fù)性最大
(4)IV中具有孤對(duì)電子的原子有.
(5)硒的兩種含氧酸的酸性強(qiáng)弱為HzSeO4H?SeO3(填“〉”或研究發(fā)現(xiàn),給小鼠喂食適量硒酸鈉
(Na2SeO4)可減輕重金屬錢引起的中毒。SeO『的立體構(gòu)型為。
(6)我國(guó)科學(xué)家發(fā)展了一種理論計(jì)算方法,可利用材料的晶體結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)預(yù)測(cè)其熱電性能,該方法有助于加速
新型熱電材料的研發(fā)進(jìn)程.化合物X是通過(guò)該方法篩選出的潛在熱電材料之一,其晶胞結(jié)構(gòu)如圖1,沿X、
y、z軸方向的投影均為圖2。
①X的化學(xué)式為。
②設(shè)X的最簡(jiǎn)式的式量為Mr,晶體密度為0g.em-3,則X中相鄰K之間的最短距離為nm(列出計(jì)
算式,NA為阿伏加德羅常數(shù)的值)。
三年真題郊區(qū)福的鰥
老敦15物質(zhì)造構(gòu)者惟質(zhì)徐合甄
目”窗借。絹翻窗
考點(diǎn)命題趨勢(shì)
在當(dāng)前的舊高考中,"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"屬于選擇性考試內(nèi)容,以綜合性客觀題形式出現(xiàn),
隨著新課程的落實(shí),"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"已成為選擇性必修課程,將成為新高考的必考內(nèi)
容,在新高考中,部分卷區(qū)不再設(shè)置"物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)"綜合題,而是將其考查分散到選
擇題和其他綜合題當(dāng)中.縱觀近年來(lái)高考真題,物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)綜合題基本上考的都
考點(diǎn)1物質(zhì)結(jié)構(gòu)是最基本、最典型、最主干的知識(shí)點(diǎn)。以下是高考時(shí)時(shí)??嫉闹R(shí)點(diǎn):原子結(jié)構(gòu)與元
與性質(zhì)綜合題素的性質(zhì)方面,如原子電子排布式,元素原子的性質(zhì);化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)方面,如
雜化軌道類型,分子(離子)空間構(gòu)型;分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)方面;如晶胞判斷與
計(jì)算。試題均建構(gòu)在以教材為主的中學(xué)化學(xué)基礎(chǔ)知識(shí)之上,沒(méi)有偏離教材體系和考試
說(shuō)明的要求,試題基本保持穩(wěn)定.試卷并不能把所有的知識(shí)面全部覆蓋,也不能保證
重要知識(shí)點(diǎn)可能反復(fù)出現(xiàn)。
竊窟饗綠。闔迨送溫
1.(2024?北京卷)錫(Sn)是現(xiàn)代“五金”之一,廣泛應(yīng)用于合金、半導(dǎo)體工業(yè)等。
(1)Sn位于元素周期表的第5周期第IVA族。將Sn的基態(tài)原子最外層軌道表示式補(bǔ)充完整:
□cm
5s5p
(2)SnCU和Sn。,是錫的常見(jiàn)氯化物,SnCl2可被氧化得到。
①SnC"分子的VSEPR模型名稱是。
②SnC)的Sn—C1鍵是由錫的軌道與氯的3p軌道重疊形成.鍵。
(3)白錫和灰錫是單質(zhì)Sn的常見(jiàn)同素異形體.二者晶胞如圖:白錫具有體心四方結(jié)構(gòu);灰錫具有立方金
剛石結(jié)構(gòu).
白錫灰錫
①灰錫中每個(gè)Sn原子周圍與它最近且距離相等的Sn原子有個(gè).
②若白錫和灰錫的晶胞體積分別為%nn?和V2nm3,則白錫和灰錫晶體的密度之比是0
(4)單質(zhì)sn的制備:將sn。?與焦炭充分混合后,于惰性氣氛中加熱至800。(2,由于固體之間反應(yīng)慢,
未明顯發(fā)生反應(yīng)。若通入空氣在80(rc下,sn0,能迅速被還原為單質(zhì)Sn,通入空氣的作用是
【答案】
⑴EifiiTn
5s5p
(2)①平面三角形②sps雜化
(3)①4②三
4%
(4)與焦炭在高溫下反應(yīng)生成CO,CO將Sn。?還原為單質(zhì)Sn
【解析】
(1)Sn加位于元素周期表的第5周期WA族,其基態(tài)原子的價(jià)電子排布式為5s25P2,所以其軌道表示式
迎皿口
為5**5p。
4+2
(2)①SnCU中Sn的價(jià)層電子對(duì)數(shù)為;一=3,VSEPR模型是平面三角形,②SnJ中Sn的價(jià)層電子
4+4
對(duì)數(shù)為;一=4,有4個(gè)。鍵,所以Sn采用sp3雜化方式,則SnCl的Sn-Cl鍵是由錫的sp3雜化軌道與氯
的3P軌道重疊形成。鍵。
(3)①灰錫具有立方金剛石結(jié)構(gòu),所以每個(gè)Sn原子周圍與它最近且距離相等的Sn原子有4個(gè),②白錫晶
胞中均雄可得Sn原子數(shù)目為2,而灰錫晶胞中均攤可得Sn原子數(shù)目為8,所以其密度之比為
2M,8M_v2
",NAV24V1°
2.(2024?浙江卷6月)氧是構(gòu)建化合物的重要元素.請(qǐng)回答:
(1)某化合物的晶胞如圖1,Cr的配位數(shù)(緊鄰的陽(yáng)離子數(shù))為;寫出該化合物的化學(xué)式,
寫出該化合物與足量NH4cl溶液反應(yīng)的化學(xué)方程式.
會(huì)時(shí)。。
。。OK
0°
圖?
(2)下列有關(guān)單核微粒的描述正確的是。
A.Ar的基態(tài)原子電子排布方式只有一種
B.Na的第二電離能>Ne的第一電離能
C.Ge的基態(tài)原子簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]4s24P之
D.Fe原子變成Fe+,優(yōu)先失去3d軌道上的電子
(3)化合物HA、HB、HC和HD的結(jié)構(gòu)如圖2.
rj??
RO-C-OHRO-C-OHRO-C-OHRO-C-SH
HAHBHCHD
圖2
①HA、HB和HC中羥基與水均可形成氫鍵(-0-H…OH?),按照氫鍵由強(qiáng)到弱對(duì)三種酸排序,請(qǐng)
說(shuō)明理由.
②已知HC、HD鈉鹽的堿性NaONaD,請(qǐng)從結(jié)構(gòu)角度說(shuō)明理由-
【答案】⑴①.12②.K3CIO③K3C1O+2NH4C1+H2O=3KC1+2NH3-H2。(2)AB
(3)①.HOHB>HA②.O、S.Se的電負(fù)性逐漸減小,鍵的極性:C=0>C=S>C=Se,使得HA、
HB,HC中羥基的極性逐漸增大,其中羥基與H2O形成的氫鍵逐漸增強(qiáng)③.S的原子半徑大于O的原子
半徑,S—H鍵的鍵能小于0—H鍵,同時(shí)HC可形成分子間氫鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性
HD>HC,C的水解能力大于D-
【解析】
【小問(wèn)1詳解】
由晶胞結(jié)構(gòu)知,C1位于8個(gè)頂點(diǎn),O位于體心,K位于面心,1個(gè)晶胞中含C1:8x(=1個(gè)、含O:1個(gè)、
含K:6xy=3個(gè),該化合物的化學(xué)式為K3clO;由圖可知,C1-的配位數(shù)為浮=12;該化合物可看成KC1K0,
故該化合物與足量NH4cl溶液反應(yīng)生成KC1和NH3-H2O,反應(yīng)的化學(xué)方程式為
K3C1O+2NH4C1+H2O=3KC1+2NH3H2O.
【小問(wèn)2詳解】
A.根據(jù)原子核外電子排布規(guī)律,基態(tài)Ar原子的電子排布方式只有Is22s22P63s23P6一種,A項(xiàng)正確;
B.Na的第二電離能指氣態(tài)基態(tài)Na+失去一個(gè)電子轉(zhuǎn)化為氣態(tài)基態(tài)正離子所需的最低能量,Na+和Ne具有
相同的電子層結(jié)構(gòu),Na+的核電荷數(shù)大于Ne,Na+的原子核對(duì)外層電子的引力大于Ne的,故Na的第二電離
能〉Ne的第一電離能,B項(xiàng)正確;
C.Ge的原子序數(shù)為32,基態(tài)Ge原子的簡(jiǎn)化電子排布式為及中甲。4s24P2,C項(xiàng)錯(cuò)誤;
D.基態(tài)Fe原子的價(jià)電子排布式為3d64s2,Fe原子變成Fe+,優(yōu)先失去4s軌道上的電子,D項(xiàng)錯(cuò)誤;
答案選AB。
【小問(wèn)3詳解】
①O、S,Se的電負(fù)性逐漸減小,鍵的極性:C=0>C=S>C=Se,使得HA、HB、HC中羥基的極性逐漸增
大,從而其中羥基與水形成的氫鍵由強(qiáng)到弱的順序?yàn)镠C>HB>HA;
②HC、HD鈉鹽的堿性NaC>NaD,說(shuō)明酸性HCvHD,原因是:S的原子半徑大于0的原子半徑,S—H
鍵的鍵能小于O—H鍵,同時(shí)HC可形成分子間氫鍵,使得HD比HC更易電離出H+,酸性HD>HC,C
的水解能力大于D,鈉鹽的堿性NaC>NaD.
3.(2024?山東卷)鎰氧化物具有較大應(yīng)用價(jià)值,回答下列問(wèn)題:
(1)Mn在元素周期表中位于第周期族;同周期中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)比Mn多的元
素是(填元素符號(hào)).
(2)Mn如某種氧化物Mn。*的四方晶胞及其在xy平面的投影如圖所示,該氧化物化學(xué)式為0
產(chǎn)生使晶體具有半導(dǎo)體性質(zhì)。下列氧化物晶體難以通過(guò)該方式獲有半導(dǎo)體性質(zhì)的是(填標(biāo)號(hào)).
A.CaOB.V2O5C.Fe^D.CuO
(3)(見(jiàn)圖)是Mn。*晶型轉(zhuǎn)變的誘導(dǎo)劑。BF4的空間構(gòu)型為;[BMIM]+中咪唾環(huán)存
在《大兀鍵,則N原子采取的軌道雜化方式為。
BF;
[BMIM]+BF;
(4)Mn。*可作HMF轉(zhuǎn)化為FDCA的催化劑(見(jiàn)下圖).FDCA的熔點(diǎn)遠(yuǎn)大于HMF,除相對(duì)分子質(zhì)量
⑵①.MnCh②降低③.A
(3)①.正四面體形②.sp2
(4)FDCA形成的分子間氫鍵更多
【解析】
【小問(wèn)1詳解】
Mn的原子序數(shù)為25,位于元素周期表第四周期VHB族;基態(tài)Mn的電子排布式為:[Ar]3d54s2,未成對(duì)
電子數(shù)有5個(gè),同周期中,基態(tài)原子未成對(duì)電子數(shù)比Mn多的元素是Cr,基態(tài)Cr的電子排布式為[Ar]3d54s1,
有6個(gè)未成對(duì)電子;
【小問(wèn)2詳解】
由均攤法得,晶胞中Mn的數(shù)目為l+8x1=2,0的數(shù)目為2+4x^=4,即該氧化物的化學(xué)式為MnCh;
82
Mn。*晶體有0原子脫出時(shí),出現(xiàn)O空位,即x減小,Mn的化合價(jià)為+2x,即Mn的化合價(jià)降低;CaO
中Ca的化合價(jià)為+2價(jià)、V2O5中V的化合價(jià)為+5價(jià)、Fe2O3中Fe的化合價(jià)為+3、CuO中Cu的化合價(jià)為+2,
其中CaO中Ca的化合價(jià)下降只能為0,其余可下降得到比0大的價(jià)態(tài),說(shuō)明CaO不能通過(guò)這種方式獲得
半導(dǎo)體性質(zhì);
【小問(wèn)3詳解】
BF;中B形成4個(gè)◎鍵(其中有1個(gè)配位鍵),為sp3雜化,空間構(gòu)型為正四面體形;咪噪環(huán)存在武大兀鍵,
N原子形成3個(gè)◎鍵,雜化方式為sp2;
【小問(wèn)4詳解】
由HMF和FDCA的結(jié)構(gòu)可知,HMF和FDCA均能形成分子間氫鍵,但FDCA形成的分子間氫鍵更多,使
得FDCA的熔點(diǎn)遠(yuǎn)大于HMF.
4.(2024?浙江卷1月)氮和氧是構(gòu)建化合物的常見(jiàn)元素.
OO
已矢口:4S0+H2O-HO-S-OH
OOoll
請(qǐng)回答:
(1)某化合物的晶胞如圖,其化學(xué)式是,晶體類型是。
(2)下列說(shuō)法正確的是_______.
A.電負(fù)性:B>N>0B,離子半徑:P3-<S2-<C1-
C.第一電離能:Ge<Se<AsD.基態(tài)Cd+2+的簡(jiǎn)化電子排布式:[Ar]3d,
(3)①H2N-NH2+H+fHzN-NH;,其中-NH2的N原子雜化方式為;比較鍵角
ZHNH:H2N-NH2中的-NH2H2N-NH;中的-NH;(填,=“〈”或“=”),請(qǐng)說(shuō)明理由0
②將HNO3與SO3按物質(zhì)的量之比1:2發(fā)生化合反應(yīng)生成A,測(cè)得A由2種微粒構(gòu)成,其中之一是NO;。
比較氧化性強(qiáng)弱:NO;HNC)3(填或“=");寫出A中陰離子的結(jié)構(gòu)式.
【答案】⑴(D-CrCl2-4H2O②.分子晶體(2)CD
(3)①.sp3②.<③.-NH2有孤電子對(duì),孤電子對(duì)對(duì)成鍵電子排斥力大,鍵角變?、?>
「oO]-
IIII
⑤-O-S—O-S-O—H
IIII
L00」
【解析】
【小問(wèn)1詳解】
由晶胞圖可知,化學(xué)式為CrClz/H?。;由晶胞圖可知構(gòu)成晶胞的粒子為CrC^ZH2。分子,故為分子晶
體;
【小問(wèn)2詳解】
A同一周期,從左到右,電負(fù)性依次增強(qiáng),故順序?yàn)?>N>B,A錯(cuò)誤;
B核外電子排布相同,核電荷數(shù)越大,半徑越小,故順序?yàn)閜3->s2->cr,B錯(cuò)誤;
C同一周期,從左到右,電離能增大的趨勢(shì),VA族和VIA族相反,故順序?yàn)镚e<Se<As,C正確;
D基態(tài)Cr的簡(jiǎn)化電子排布式:[Ar]3d‘4s'CP+的簡(jiǎn)化電子排布式為[Ar]3dtD正確;
故選CD;
【小問(wèn)3詳解】
5—
①-NH2的價(jià)層電子對(duì)數(shù)3+工一=4,故雜化方式為sp3;-NH2價(jià)層電子對(duì)數(shù)為4,有一對(duì)孤電子對(duì),
5—1一]x4
-NH;價(jià)層電子對(duì)數(shù)4+-------------=4,無(wú)孤對(duì)電子,又因?yàn)楣码娮訉?duì)對(duì)成鍵電子的排斥力大于成鍵電子
2
對(duì)成鍵電子的排斥力,故鍵角NHNHHzN-NH2中的-NH2<H2N-NHJ中的-NH;;
②將HNO3與SC>3按物質(zhì)的量之比1:2發(fā)生化合反應(yīng)生成A,測(cè)得A由2種微粒構(gòu)成,其中之一是NO;,
則A為NO2Hs2O7,NO;為硝酸失去一個(gè)OH-,得電子能力更強(qiáng),氧化性更強(qiáng),故氧化性強(qiáng)弱:NO;>HNO3;
-00一-
陰離子為HS2O;根據(jù)已知可知其結(jié)構(gòu)式為0—3—0—3-0一H。
5.(2024?全國(guó)甲卷)IVA族元素具有豐富的化學(xué)性質(zhì),其化合物有著廣泛的應(yīng)用?;卮鹣铝袉?wèn)題:
(1)該族元素基態(tài)原子核外未成對(duì)電子數(shù)為_(kāi)___,在與其他元素形成化合物時(shí),呈現(xiàn)的最高化合價(jià)為一
(2)CaC2俗稱電石,該化合物中不存在的化學(xué)鍵類型為(填標(biāo)號(hào)).
a.離子鍵b.極性共價(jià)鍵c.非極性共價(jià)鍵d.
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