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2025屆浙江省衢州一中高考物理全真模擬密押卷注意事項(xiàng):1.答卷前,考生務(wù)必將自己的姓名、準(zhǔn)考證號(hào)填寫(xiě)在答題卡上。2.回答選擇題時(shí),選出每小題答案后,用鉛筆把答題卡上對(duì)應(yīng)題目的答案標(biāo)號(hào)涂黑,如需改動(dòng),用橡皮擦干凈后,再選涂其它答案標(biāo)號(hào)?;卮鸱沁x擇題時(shí),將答案寫(xiě)在答題卡上,寫(xiě)在本試卷上無(wú)效。3.考試結(jié)束后,將本試卷和答題卡一并交回。一、單項(xiàng)選擇題:本題共6小題,每小題4分,共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1、如圖,質(zhì)量為m、帶電荷量為+2q的金屬塊a,在絕緣光滑水平臺(tái)面上以水平初速度v0向右勻速運(yùn)動(dòng),正碰完全相同的不帶電的靜止金屬塊b,碰后金屬塊b從高臺(tái)上水平飛出,金屬塊a恰好無(wú)初速度下落(金屬塊a,b均可視為質(zhì)點(diǎn))。已知在足夠高的光滑高臺(tái)邊緣右邊空間中存在水平向左的勻強(qiáng)電場(chǎng)(電場(chǎng)區(qū)域足夠大)。場(chǎng)強(qiáng)大小E=,碰撞前后兩金屬塊之間的庫(kù)侖力不計(jì),空氣阻力不計(jì)。則()A.在水平臺(tái)面上碰后金屬塊b帶電荷量為+2qB.在水平臺(tái)面上碰撞后金屬塊b的速度為C.第一次碰撞后兩金屬塊不可能發(fā)生第二次碰撞D.碰撞后運(yùn)動(dòng)過(guò)程中金屬塊b距高臺(tái)邊緣的最大水平距離2、如圖所示,在半徑為R的半圓和長(zhǎng)為2R、寬為的矩形區(qū)域內(nèi)充滿磁感應(yīng)強(qiáng)度為B的勻強(qiáng)磁場(chǎng),方向垂直于紙面向里。一束質(zhì)量為m、電量為q的粒子(不計(jì)粒子間相互作用)以不同的速率從邊界AC的中點(diǎn)垂直于AC射入磁場(chǎng).所有粒子從磁場(chǎng)的EF圓弧區(qū)域射出(包括E、F點(diǎn))其中EO與FO(O為圓心)之間夾角為60°。不計(jì)粒子重力.下列說(shuō)法正確的是()A.粒子的速率越大,在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間越長(zhǎng)B.粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為C.粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間可能為D.粒子的最小速率為3、小球在水中運(yùn)動(dòng)時(shí)受到水的阻力與小球運(yùn)動(dòng)速度的平方成正比,即,則比例系數(shù)的單位是A.B.C.D.4、將一物體從地面以速度v0豎直上拋,物體上拋運(yùn)動(dòng)過(guò)程中所受的空氣阻力大小恒定,設(shè)物體在地面時(shí)的重力勢(shì)能為零,則物體從拋出到落回原地過(guò)程中,如圖所示的四個(gè)圖中不正確的()A. B. C. D.5、如圖所示,aefc和befd是垂直于紙面向里的勻強(qiáng)磁場(chǎng)I、II的邊界,磁場(chǎng)I、Ⅱ的磁感應(yīng)強(qiáng)度分別為B1、B2,且B2=2B1,一質(zhì)量為m、電荷量為q的帶電粒子垂直邊界ae從P點(diǎn)射入磁場(chǎng)I,后經(jīng)f點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)II,并最終從fc邊界射出磁場(chǎng)區(qū)域.不計(jì)粒子重力,該帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為()A. B.C. D.6、下列說(shuō)法正確的是____________A.β射線為原子的核外電子電離后形成的電子流B.一個(gè)氫原子從n=3的激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí),最多能產(chǎn)生3個(gè)不同頻率的光子C.用加溫、加壓或改變其化學(xué)狀態(tài)的方法都不能改變?cè)雍怂プ兊陌胨テ贒.原子核經(jīng)過(guò)衰變生成新核,則新核的質(zhì)量總等于原核的質(zhì)量二、多項(xiàng)選擇題:本題共4小題,每小題5分,共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對(duì)的得5分,選對(duì)但不全的得3分,有選錯(cuò)的得0分。7、在醫(yī)學(xué)上,常用鈷60產(chǎn)生的γ射線對(duì)患有惡性腫瘤的病人進(jìn)行治療。鈷60的衰變方程為2760A.鈷60發(fā)生的是β衰變,X是電子B.γ射線比β射線的穿透能力強(qiáng)C.X粒子是鈷60原子核的組成部分D.該衰變過(guò)程釋放的核能全部轉(zhuǎn)化為γ射線的能量8、下列說(shuō)法正確的是()A.當(dāng)分子力表現(xiàn)為引力時(shí),分子勢(shì)能隨分子間距離的增大而增大B.一定量的理想氣體壓強(qiáng)不變,體積減小,氣體分子對(duì)容器壁在單位時(shí)間內(nèi)單位面積上碰撞次數(shù)增多C.當(dāng)人們感到干燥時(shí),空氣的相對(duì)濕度一定較小D.液晶具有液體的流動(dòng)性,但不具有單晶體的光學(xué)各向異性E.一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的宏觀自然過(guò)程都是可逆的9、如圖所示,MN是一半圓形絕緣線,O點(diǎn)為圓心,P為絕緣線所在圓上一點(diǎn),且OP垂直于MN,等量異種電荷分別均勻分布在絕緣線上、下圓弧上.下列說(shuō)法中正確的()A.O點(diǎn)處和P點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小相等,方向相同B.O點(diǎn)處和P點(diǎn)處的電場(chǎng)強(qiáng)度大小不相等,方向相同C.將一正點(diǎn)電荷沿直線從O移動(dòng)到P,電場(chǎng)力始終不做功D.將一正點(diǎn)電荷沿直線從O移動(dòng)到P,電勢(shì)能增加10、如圖甲所示在一條張緊的繩子上掛幾個(gè)擺,a、c擺的擺長(zhǎng)相同且小于b擺的擺長(zhǎng)。當(dāng)a擺振動(dòng)的時(shí)候,通過(guò)張緊的繩子給其他各擺施加驅(qū)動(dòng)力,使其余各擺也振動(dòng)起來(lái)。圖乙是c擺穩(wěn)定以后的振動(dòng)圖像,重力加速度為g,不計(jì)空氣阻力,則()A.a(chǎn)、b、c單擺的固有周期關(guān)系為Ta=Tc<TbB.b、c擺振動(dòng)達(dá)到穩(wěn)定時(shí),c擺振幅較大C.達(dá)到穩(wěn)定時(shí)b擺的振幅最大D.由圖乙可知,此時(shí)b擺的周期Tb小于t0E.a擺的擺長(zhǎng)為三、實(shí)驗(yàn)題:本題共2小題,共18分。把答案寫(xiě)在答題卡中指定的答題處,不要求寫(xiě)出演算過(guò)程。11.(6分)一個(gè)小電珠上標(biāo)有“”的字樣,現(xiàn)在要用伏安法描繪出這個(gè)電珠的圖象,有下列器材供選用:A.電壓表(量程為,內(nèi)阻約為)B.電壓表(量程為,內(nèi)阻約為)C.電流表(量程為,內(nèi)阻約為)D.電流表(量程為,內(nèi)阻約為)E.滑動(dòng)變阻器(阻值范圍為,額定電流為)F.滑動(dòng)變阻器(阻值范圍為,額定電流為)(1)實(shí)驗(yàn)中電壓表應(yīng)選用_______,電流表應(yīng)選用_______(均用器材前的字母表示)。(2)為了盡量減小實(shí)驗(yàn)誤差,要電壓從零開(kāi)始變化且多取幾組數(shù)據(jù),滑動(dòng)變阻器調(diào)節(jié)方便,滑動(dòng)變阻器應(yīng)選用_________(用器材前的字母表示)。(3)請(qǐng)?jiān)谔摼€框內(nèi)畫(huà)出滿足實(shí)驗(yàn)要求的電路圖_____,并把圖中所示的實(shí)驗(yàn)器材用實(shí)線連接成相應(yīng)的實(shí)物電路圖_______12.(12分)頻閃攝影是研究物體運(yùn)動(dòng)常用的實(shí)驗(yàn)手段。在暗室中,照相機(jī)的快門處于常開(kāi)狀態(tài),頻閃儀每隔一定時(shí)間發(fā)出一次短暫的強(qiáng)烈閃光,照亮運(yùn)動(dòng)的物體,于是膠片上記錄了物體在幾個(gè)閃光時(shí)刻的位置。如圖所示是物體下落時(shí)的頻閃照片示意圖,已知頻閃儀每隔閃光一次,當(dāng)?shù)刂亓铀俣却笮?,照片中的?shù)字是豎直放置的刻度尺的讀數(shù),單位是厘米。利用上述信息可以求出:物體下落至點(diǎn)時(shí)速度大小為_(kāi)_____(結(jié)果保留3位有效數(shù)字),實(shí)驗(yàn)中物體由點(diǎn)下落至點(diǎn),動(dòng)能的增加量約為重力勢(shì)能減少量的____%(結(jié)果保留2位有效數(shù)字)。四、計(jì)算題:本題共2小題,共26分。把答案寫(xiě)在答題卡中指定的答題處,要求寫(xiě)出必要的文字說(shuō)明、方程式和演算步驟。13.(10分)如圖所示一足夠長(zhǎng)的斜面傾角為370,斜面BC與水平面AB圓滑連接質(zhì)量m=2kg的物體靜止于水平面上的M點(diǎn),M點(diǎn)距B點(diǎn)之間的距離L=9m,物體與水平面和斜面間的動(dòng)摩擦因素均為μ=0.5現(xiàn)使物體受到一水平向右的恒力F=14N作用,運(yùn)動(dòng)至B點(diǎn)時(shí)撤去該力(sin370=0.6,cos370=0.8,取g=10m/s2)則:(1)物體在恒力作用下運(yùn)動(dòng)時(shí)的加速度是多大?(2)物體到達(dá)B點(diǎn)時(shí)的速度是多大?(3)物體沿斜面向上滑行的最遠(yuǎn)距離是多少?14.(16分)如圖(a),水平地面上固定一傾角為37°的斜面,一寬為l=0.43m的有界勻強(qiáng)磁場(chǎng)垂直于斜面向上,磁場(chǎng)邊界與斜面底邊平行。在斜面上由靜止釋放一正方形金屬線框abcd,線框沿斜面下滑時(shí),ab、cd邊始終與磁場(chǎng)邊界保持平行。以地面為零勢(shì)能面,從線框開(kāi)始運(yùn)動(dòng)到恰好完全進(jìn)入磁場(chǎng)的過(guò)程中,線框的機(jī)械能E與位移s之間的關(guān)系如圖(b)所示,圖中①、②均為直線段。已知線框的質(zhì)量為m=0.1kg,電阻為R=0.06Ω。(sin37°=0.6,cos37°=0.8,重力加速度g取10m/s2)求:(1)線框與斜面間的動(dòng)摩擦因數(shù)μ;(2)ab邊剛進(jìn)入磁場(chǎng)時(shí),線框的速度v1;(3)線框剛進(jìn)入磁場(chǎng)到恰好完全進(jìn)入磁場(chǎng)所用的時(shí)間t;(4)線框穿越磁場(chǎng)的過(guò)程中,線框中產(chǎn)生的最大電功率Pm;15.(12分)如圖所示,寬L=2m、足夠長(zhǎng)的金屬導(dǎo)軌MN和M′N′放在傾角為θ=30°的斜面上,在N和N′之間連接一個(gè)R=2.0Ω的定值電阻,在AA′處放置一根與導(dǎo)軌垂直、質(zhì)量m=0.8kg、電阻r=2.0Ω的金屬桿,桿和導(dǎo)軌間的動(dòng)摩擦因數(shù),導(dǎo)軌電阻不計(jì),導(dǎo)軌處于磁感應(yīng)強(qiáng)度B=1.0T、方向垂直于導(dǎo)軌平面的勻強(qiáng)磁場(chǎng)中.用輕繩通過(guò)定滑輪將電動(dòng)小車與桿的中點(diǎn)相連,滑輪與桿之間的連線平行于斜面,開(kāi)始時(shí)小車位于滑輪正下方水平面上的P處(小車可視為質(zhì)點(diǎn)),滑輪離小車的高度H=4.0m.啟動(dòng)電動(dòng)小車,使之沿PS方向以v=5.0m/s的速度勻速前進(jìn),當(dāng)桿滑到OO′位置時(shí)的加速度a=3.2m/s2,AA′與OO′之間的距離d=1m,求:(1)該過(guò)程中,通過(guò)電阻R的電量q;(2)桿通過(guò)OO′時(shí)的速度大?。唬?)桿在OO′時(shí),輕繩的拉力大?。唬?)上述過(guò)程中,若拉力對(duì)桿所做的功為13J,求電阻R上的平均電功率.

參考答案一、單項(xiàng)選擇題:本題共6小題,每小題4分,共24分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,只有一項(xiàng)是符合題目要求的。1、D【解析】

A.由于金屬塊與金屬塊完全相同,根據(jù)接觸后先中和再平分可知金屬塊與金屬塊的電荷量相等,即在水平臺(tái)面上碰后金屬塊帶電荷量為,故A錯(cuò)誤;B.金屬塊與金屬塊碰撞過(guò)程系統(tǒng)動(dòng)量守恒,以向右為正方向,由動(dòng)量守恒定律得:解得在水平臺(tái)面上碰撞后金屬塊的速度為:故B錯(cuò)誤;C.碰后金屬塊在豎直方向做自由落體運(yùn)動(dòng),在水平方向受到電場(chǎng)力和高臺(tái)邊緣對(duì)金屬塊的支持力,處于靜止?fàn)顟B(tài);碰后金屬塊在豎直方向做自由落體運(yùn)動(dòng),在水平方向受到向左電場(chǎng)力,做勻減速直線運(yùn)動(dòng),所以第一次碰撞后兩金屬塊會(huì)發(fā)生第二次碰撞,故C錯(cuò)誤;D.碰撞后運(yùn)動(dòng)過(guò)程中金屬塊在水平方向有:距高臺(tái)邊緣的最大水平距離:故D正確。故選D。2、B【解析】

ABC.粒子從F點(diǎn)和E點(diǎn)射出的軌跡如圖甲和乙所示;

對(duì)于速率最小的粒子從F點(diǎn)射出,軌跡半徑設(shè)為r1,根據(jù)圖中幾何關(guān)系可得:解得根據(jù)圖中幾何關(guān)系可得解得θ1=60°,所以粒子軌跡對(duì)應(yīng)的圓心角為120°;

粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間為對(duì)于速率最大的粒子從E點(diǎn)射出,軌跡半徑設(shè)為r2,根據(jù)圖中幾何關(guān)系可得解得根據(jù)圖中幾何關(guān)系可得所以θ2<60°,可見(jiàn)粒子的速率越大,在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的時(shí)間越短,粒子的速率越小運(yùn)動(dòng)時(shí)間越長(zhǎng),粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的最長(zhǎng)時(shí)間為,不可能為,故B正確、AC錯(cuò)誤;

D.對(duì)從F點(diǎn)射出的粒子速率最小,根據(jù)洛倫茲力提供向心力可得解得最小速率為故D錯(cuò)誤。

故選B。3、C【解析】

由可得k的單位為A.A項(xiàng)與上述分析結(jié)論不相符,故A錯(cuò)誤;B.B項(xiàng)與上述分析結(jié)論不相符,故B錯(cuò)誤;C.C項(xiàng)與上述分析結(jié)論相符,故C正確;D.D項(xiàng)與上述分析結(jié)論不相符,故D錯(cuò)誤。4、B【解析】

A.物體在運(yùn)動(dòng)過(guò)程中受到重力和空氣阻力,則上升過(guò)程中由牛頓第二定律得下降過(guò)程中由牛頓第二定律得可判斷上升過(guò)程中速度方向向上,下降過(guò)程中速度方向向下,根據(jù)動(dòng)量定義可知上升過(guò)程中動(dòng)量方向向上,下降過(guò)程中動(dòng)量方向向下,故A正確;B.根據(jù)公式可知合外力的沖量方向始終向下,故B錯(cuò)誤;CD.克服空氣阻力做的功為物體運(yùn)動(dòng)的路程,上升過(guò)程,下落過(guò)程總路程,根據(jù)功能關(guān)系可知,機(jī)械能逐漸減小,則有故C、D正確;不正確的故選B。5、B【解析】

粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)只受洛倫茲力作用,故粒子做圓周運(yùn)動(dòng),洛倫茲力做向心力,故有則有粒子垂直邊界ae從P點(diǎn)射入磁場(chǎng)Ⅰ,后經(jīng)f點(diǎn)進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅱ,故根據(jù)幾何關(guān)系可得:粒子在磁場(chǎng)Ⅰ中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為磁場(chǎng)寬度d;根據(jù)軌道半徑表達(dá)式,由兩磁場(chǎng)區(qū)域磁感應(yīng)強(qiáng)度大小關(guān)系可得:粒子在磁場(chǎng)Ⅱ中做圓周運(yùn)動(dòng)的半徑為磁場(chǎng)寬度,那么,根據(jù)幾何關(guān)系可得:粒子從P到f轉(zhuǎn)過(guò)的中心角為,粒子在f點(diǎn)沿fd方向進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅱ;然后粒子在磁場(chǎng)Ⅱ中轉(zhuǎn)過(guò),在e點(diǎn)沿ea方向進(jìn)入磁場(chǎng)Ⅰ;最后,粒子在磁場(chǎng)Ⅰ中轉(zhuǎn)過(guò)后從fc邊界射出磁場(chǎng)區(qū)域;故粒子在兩個(gè)磁場(chǎng)區(qū)域分別轉(zhuǎn)過(guò),根據(jù)周期可得:該帶電粒子在磁場(chǎng)中運(yùn)動(dòng)的總時(shí)間為故選B。6、C【解析】試題分析:β衰變的電子是原子核中的一個(gè)中子轉(zhuǎn)變?yōu)橐粋€(gè)質(zhì)子和一個(gè)電子,電子釋放出來(lái),不是來(lái)自核外電子,A錯(cuò)誤;一個(gè)氫原子從n=3的激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí),最多產(chǎn)生兩種不同頻率的光子,但是若是大量氫原子從n=3的激發(fā)態(tài)躍遷到基態(tài)時(shí),最多可產(chǎn)生3種不同頻率的光子,B錯(cuò)誤;原子核的半衰期與外界因素?zé)o關(guān),C正確;原子核經(jīng)過(guò)衰變生成新核,需要釋放出射線,質(zhì)量減小,D錯(cuò)誤;考點(diǎn):考查了原子衰變,氫原子躍遷二、多項(xiàng)選擇題:本題共4小題,每小題5分,共20分。在每小題給出的四個(gè)選項(xiàng)中,有多個(gè)選項(xiàng)是符合題目要求的。全部選對(duì)的得5分,選對(duì)但不全的得3分,有選錯(cuò)的得0分。7、AB【解析】

A.由核反應(yīng)的質(zhì)量數(shù)和電荷數(shù)守恒可知,X的質(zhì)量數(shù)為0,電荷數(shù)為-1,則鈷60發(fā)生的是β衰變,X是電子,選項(xiàng)A正確;B.γ射線比β射線的穿透能力強(qiáng),選項(xiàng)B正確;C.X粒子是電子,不是鈷60原子核的組成部分,選項(xiàng)C錯(cuò)誤;D.該衰變過(guò)程釋放的核能一部分轉(zhuǎn)化為新核的動(dòng)能,一部分轉(zhuǎn)化為γ射線的能量,選項(xiàng)D錯(cuò)誤。8、ABC【解析】

A.當(dāng)分子力表現(xiàn)為引力時(shí),增大分子減的距離,需要克服分子力做功,所以分子勢(shì)能隨分子間距離的增大而增大,故A正確;B.一定量的理想氣體保持壓強(qiáng)不變,氣體體積減小,氣體分子的密集程度增大,單位時(shí)間內(nèi)氣體分子對(duì)容器壁單位面積上碰撞次數(shù)增多,故B正確;C.當(dāng)人們感到干燥時(shí),空氣的相對(duì)濕度一定較小,故C正確;D.液晶既具有液體的流動(dòng)性,又具有單晶體的光學(xué)各向異性的特點(diǎn),故D錯(cuò)誤;E.根據(jù)熱力學(xué)第二定律可知,一切與熱現(xiàn)象有關(guān)的宏觀自然過(guò)程都具有方向性,都是不可逆,故E錯(cuò)誤;故選ABC。9、BC【解析】

分別畫(huà)出正、負(fù)電荷產(chǎn)生的電場(chǎng)強(qiáng)度的方向如圖,由圖可知,O點(diǎn)與P點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)的方向都向下,同理可知,在OP的連線上,所以各點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)的方向均向下。AB.由庫(kù)侖定律可知:,O點(diǎn)到兩處電荷的距離比較小,所以兩處電荷在O點(diǎn)產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng)都大于在P處產(chǎn)生的場(chǎng)強(qiáng),而且在O點(diǎn)兩處電荷的場(chǎng)強(qiáng)之間的夾角比較小,所以O(shè)點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)一定大于P點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)。故A錯(cuò)誤,B正確;CD.由于在OP的連線上,所以各點(diǎn)的合場(chǎng)強(qiáng)的方向均向下,將一正試探電荷沿直線從O運(yùn)動(dòng)到P電場(chǎng)力始終與運(yùn)動(dòng)的方向垂直,不做功,電勢(shì)能不變。故C正確,D錯(cuò)誤。10、ABE【解析】

A.由單擺周期公式,知固有周期關(guān)系為Ta=Tc<Tb,故A正確;BC.因?yàn)門a=Tc,所以c擺共振,達(dá)到穩(wěn)定時(shí),c擺振幅較大,b擺的振幅最小,故B正確,C錯(cuò)誤;D.受迫振動(dòng)的頻率等于驅(qū)動(dòng)力的頻率,所以三個(gè)單擺的頻率相同,周期相同,故Tb等于t0。故D錯(cuò)誤。E.由圖乙與前面的分析可知a擺的周期為t0。由解得故E正確。故選ABE。三、實(shí)驗(yàn)題:本題共2小題,共18分。把答案寫(xiě)在答題卡中指定的答題處,不要求寫(xiě)出演算過(guò)程。11、ADE【解析】

(1)[1]因?yàn)殡娭榈念~定電壓為,為保證實(shí)驗(yàn)安全,選用的電壓表量程應(yīng)稍大于,但不能大太多,量程太大則示數(shù)不準(zhǔn)確,所以只能選用量程為的電壓表,故選A;[2]由得,電珠的額定電流應(yīng)選用量程為的電流表,故選D。(2)[3]由題意可知,電壓從零開(kāi)始變化,并要多測(cè)幾組數(shù)據(jù),故只能采用滑動(dòng)變阻器分壓接法,而分壓接法中,為調(diào)節(jié)方便應(yīng)選總阻值小的滑動(dòng)變阻器,故選E。(3)[4][5]電珠內(nèi)阻電壓表內(nèi)阻遠(yuǎn)大于電珠內(nèi)阻,應(yīng)采用電流表外接法,故電路圖和實(shí)物連接圖分別如圖乙、丙所示12、1.1695~97均正確【解析】

[1]根據(jù)公式可得[2]同理可得物體有B到C過(guò)程中,動(dòng)能增加量為重力勢(shì)能的減少量為動(dòng)能的增加量約為重力勢(shì)能減少量的四、計(jì)算題:本題共2小題,共26分。把答案寫(xiě)在答題卡中指定的答題處,要求寫(xiě)出必要的文字說(shuō)明、方程式和演算步驟。13、(1)(2)(3)【解析】

(1)在水平面上,根據(jù)牛頓第二定律可知:F-μmg=ma,

解得:(2)有M到B,根據(jù)速度位移公式可知:vB2=2aL

解得:vB=m/s=6m/s

(3)在斜面上,根據(jù)牛頓第二定律可知:mgsinθ+μmgcos

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