新高考物理一輪復(fù)習(xí)跟蹤訓(xùn)練第63講 光的波動(dòng)性 電磁波（原卷版）

第63講光的波動(dòng)性電磁波（模擬精練+真題演練）1．（2022·浙江湖州·統(tǒng)考一模）將鐵絲圈在肥皂水中蘸一下，讓它掛上一層薄薄的液膜，豎直放置能觀察到彩色條紋，如圖所示，則（）

A．這是光的衍射現(xiàn)象B．這是光的偏振現(xiàn)象C．這層肥皂膜上薄下厚，側(cè)截面為梯形D．若用黃光照射將看到上疏下密的黃色橫條紋2．（2024·云南大理·云南省下關(guān)第一中學(xué)校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）殲20是我國(guó)自主研制的第五代戰(zhàn)斗機(jī)，其優(yōu)秀的性能受到全世界的關(guān)注。殲20光學(xué)著陸系統(tǒng)中用到了雙縫干涉的知識(shí)，如圖甲所示的雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，用綠光照射單縫S時(shí)，在屏上觀察到如圖乙所示的條紋；僅改變一個(gè)實(shí)驗(yàn)條件后，觀察到的條紋如圖丙所示。改變的實(shí)驗(yàn)條件可能是（）

A．增大單縫和雙縫間的距離B．減小雙縫之間的距離C．減小雙縫到光屏的距離D．將綠光換為紫光3．（2023·江蘇鎮(zhèn)江·統(tǒng)考三模）如圖所示，某種光盤利用“凹槽”、“平面”記錄信息，激光照射到“凹槽”會(huì)產(chǎn)生極小反射光強(qiáng)，下列說(shuō)法正確的是（）

A．“凹槽”產(chǎn)生極小光強(qiáng)是由于衍射現(xiàn)象形成B．“凹槽”入射光與“平面”反射光傳播速度相同C．激光在介質(zhì)中的波長(zhǎng)可能為“凹槽”深度的3倍D．“凹槽”反射光與“平面”反射光的頻率相同4．（2023·全國(guó)·二模）如圖所示，一細(xì)束白光通過(guò)三棱鏡折射后分為各種單色光，取其中SKIPIF1<0、SKIPIF1<0、SKIPIF1<0三種色光，并同時(shí)做如下實(shí)驗(yàn)：①讓這三種單色光分別通過(guò)同一雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置在光屏上產(chǎn)生干涉條紋（雙縫間距和縫屏間距均不變）；②讓這三種單色光分別照射到某金屬板表面，觀察與金屬板連接的靜電計(jì)指針是否轉(zhuǎn)動(dòng)；下列說(shuō)法中不正確的是（）

A．在棱鏡中SKIPIF1<0光的速度最大B．如果減小白光在左側(cè)面的入射角，最先消失的是SKIPIF1<0光C．SKIPIF1<0種色光形成的干涉條紋間距最大D．若SKIPIF1<0光能使該金屬板發(fā)生光電效應(yīng)，SKIPIF1<0光一定不能使該金屬發(fā)生光電效應(yīng)5．（2023·山東·統(tǒng)考二模）在一塊平板玻璃上放置一如圖所示的薄透鏡，在兩者之間形成空氣膜，現(xiàn)讓單色光豎直射向薄透鏡，在薄透鏡上方向下觀察，觀察到的現(xiàn)象是（）

A．只能看到同顏色的平行反射光B．平行、等間距的明暗相間的直干涉條紋C．同心、內(nèi)密外疏的明暗相間的圓環(huán)狀干涉條紋D．若薄透鏡的高度h不變僅增大半徑R，則相鄰條紋的間距變大6．（2023·江蘇蘇州·江蘇省木瀆高級(jí)中學(xué)校聯(lián)考三模）單縫衍射圖樣的中央亮條紋寬度的一半與單縫寬度、光的波長(zhǎng)、縫到屏的距離的關(guān)系和雙縫干涉的條紋寬度關(guān)系類似；利用單縫衍射實(shí)驗(yàn)可以測(cè)量金屬的線膨脹系數(shù)，線膨脹系數(shù)是表征物體受熱時(shí)長(zhǎng)度增加程度的物理量。如圖所示，擋光片A固定，擋光片B放置在待測(cè)金屬棒上端，A、B間形成平直狹縫，激光通過(guò)狹縫在光屏上形成衍射圖樣，在激光波長(zhǎng)已知的情況下，通過(guò)測(cè)量縫屏距離和中央亮條紋寬度，可算出狹縫寬度及變化，進(jìn)而計(jì)算出金屬的線膨脹系數(shù)。（）

A．激光波長(zhǎng)越短，其他實(shí)驗(yàn)條件不變，中央亮條紋寬度越寬B．相同實(shí)驗(yàn)條件下，金屬的膨脹量越大，中央亮條紋寬度越窄C．相同實(shí)驗(yàn)條件下，中央亮條紋寬度變化越大，說(shuō)明金屬膨脹量越大D．狹縫到光屏距離越大，其他實(shí)驗(yàn)條件相同，測(cè)得的線膨脹系數(shù)越大7．（2023·山東青島·統(tǒng)考三模）如圖，利用平面鏡也可以實(shí)現(xiàn)楊氏雙縫干涉實(shí)驗(yàn)的結(jié)果，下列說(shuō)法正確的是（）

A．光屏上的條紋關(guān)于平面鏡M上下對(duì)稱B．相鄰亮條紋的間距為SKIPIF1<0C．若將平面鏡向右移動(dòng)一些，相鄰亮條紋間距不變D．若將平面鏡向右移動(dòng)一些，亮條紋數(shù)量保持不變8．（2023·天津南開·南開中學(xué)?？寄M預(yù)測(cè)）關(guān)于甲、乙、丙、丁四個(gè)實(shí)驗(yàn)，以下說(shuō)法正確的是（）

A．四個(gè)實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生的條紋均為干涉條紋B．甲、乙兩實(shí)驗(yàn)產(chǎn)生的條紋均為等距條紋C．丙實(shí)驗(yàn)中，產(chǎn)生的條紋間距越大，該光的頻率越大D．丁實(shí)驗(yàn)中，適當(dāng)減小單縫的寬度，中央條紋會(huì)變寬9．（2023·全國(guó)·校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）雙縫干涉實(shí)驗(yàn)是物理史上最美的實(shí)驗(yàn)之一、如圖所示，用單色光進(jìn)行雙縫干涉實(shí)驗(yàn)，單色光通過(guò)單縫S后對(duì)稱地通過(guò)平行于單縫的雙縫SKIPIF1<0、SKIPIF1<0，光屏上出現(xiàn)明暗相間的條紋，O點(diǎn)在SKIPIF1<0、SKIPIF1<0的中垂線上。則（）A．若將單縫S向左移動(dòng)，將看到光屏上明暗相間的條紋向O點(diǎn)靠攏B．若將光屏向左移動(dòng)，將看到光屏上明暗相間的條紋向O點(diǎn)靠攏C．若將單縫S向上移動(dòng)，將看到光屏上明暗相間的條紋整體向上移動(dòng)D．若將雙縫SKIPIF1<0、SKIPIF1<0的間距變小，將看到光屏上明暗相間的條紋向O點(diǎn)靠攏10．（2023·河北石家莊·統(tǒng)考三模）如圖甲所示為雙縫干涉實(shí)驗(yàn)的原理圖，屏上的SKIPIF1<0點(diǎn)位于雙縫SKIPIF1<0和SKIPIF1<0的中垂線上，在雙縫與屏之間充滿折射率為n的均勻介質(zhì)。用一單色光垂直照射雙縫，在屏上會(huì)產(chǎn)生干涉條紋，屏上SKIPIF1<0點(diǎn)是一條暗條紋的中心，SKIPIF1<0點(diǎn)到SKIPIF1<0點(diǎn)的距離為x。已知該單色光在真空中的波長(zhǎng)為SKIPIF1<0，雙縫與屏之間的距離為L(zhǎng)，則雙縫SKIPIF1<0和SKIPIF1<0間的距離為（）A．SKIPIF1<0 B．SKIPIF1<0C．SKIPIF1<0 D．SKIPIF1<011．（2023·重慶·統(tǒng)考三模）如圖甲為雙縫干涉實(shí)驗(yàn)裝置示意圖，如圖乙為用該裝置實(shí)驗(yàn)時(shí)得到的甲、乙兩種單色光的干涉條紋。下列說(shuō)法正確的是（）A．若甲光是藍(lán)光，乙光可能是紅光B．雙縫到P點(diǎn)的距離差為SKIPIF1<0，若用頻率SKIPIF1<0的光做實(shí)驗(yàn)，P處為亮條紋C．測(cè)量過(guò)程中，把乙光干涉條紋的亮條紋少數(shù)一個(gè)，會(huì)導(dǎo)致波長(zhǎng)測(cè)量值偏大D．用甲光做實(shí)驗(yàn)時(shí)，若把雙縫豎直向上移動(dòng)一小段距離，光屏上的O點(diǎn)為亮條紋12．（2023·貴州·校聯(lián)考一模）光刻機(jī)是制造芯片的核心裝備，如圖甲所示，它采用類似照片沖印的技術(shù)，通過(guò)曝光去除晶圓表面保護(hù)膜的方式，先將掩膜版上的精細(xì)圖形印制到硅片上，然后將晶圓浸泡在腐化劑中，失去保護(hù)膜的部分被腐蝕掉后便形成電路。某光刻機(jī)使用的是真空中波長(zhǎng)為SKIPIF1<0的極紫外線光源（SKIPIF1<0），如圖乙所示，在光刻膠和投影物鏡之間填充了折射率為1.8的液體用于提高光刻機(jī)投影精細(xì)圖的能力，則該紫外線由真空進(jìn)入液體后（）

A．光子能量減小 B．傳播速度不變C．波長(zhǎng)變?yōu)镾KIPIF1<0 D．更容易發(fā)生明顯衍射13．（2023·江蘇徐州·?？寄M預(yù)測(cè)）圖示為通過(guò)3D眼鏡看電腦顯示屏的照片，下列說(shuō)法正確的是（）A．左側(cè)鏡片上涂有增反膜B．右側(cè)鏡片上涂有增透膜C．兩側(cè)鏡片為透振方向不同的偏振片D．電腦顯示屏發(fā)出的光為自然光14．（2022·浙江·舟山中學(xué)校聯(lián)考模擬預(yù)測(cè)）如圖所示，SKIPIF1<0為一電阻可忽略的線圈，SKIPIF1<0為一電阻，SKIPIF1<0為電容器，開關(guān)SKIPIF1<0處于閉合狀態(tài)，現(xiàn)突然斷開SKIPIF1<0，并開始計(jì)時(shí)，能正確反映SKIPIF1<0回路中電流i（規(guī)定順時(shí)針?lè)较驗(yàn)檎┘半娙萜髦须妶?chǎng)SKIPIF1<0的變化（由SKIPIF1<0板指向SKIPIF1<0板為電場(chǎng)的正方向）隨時(shí)間變化的圖像是（

）

A．

B．

C．

D．

15．（2023·浙江杭州·校聯(lián)考二模）如圖所示，把一矩形均勻薄玻璃板ABCD壓在另一個(gè)矩形平行玻璃板上，BC一側(cè)用薄片墊起，將紅單色光從上方射入，這時(shí)可以看到明暗相間的條紋，下列關(guān)于這些條紋的說(shuō)法中正確的是（）

A．條紋與AD邊平行B．看到的條紋是由薄玻璃板ABCD的上下兩個(gè)界面的反射光疊加而成的C．如果用手用力捏右側(cè)三層，會(huì)發(fā)現(xiàn)條紋保持間距不變，整體向AD側(cè)移動(dòng)D．看到的條紋越多，說(shuō)明薄片的厚度越厚16．（2023·天津西青·天津市西青區(qū)楊柳青第一中學(xué)?？寄M預(yù)測(cè)）圖甲是用光的干涉法檢測(cè)物體表面平整程度的裝置，其中M為標(biāo)準(zhǔn)板，N為水平放置的待檢測(cè)物體，入射光豎直向下照射，圖乙為觀察到的干涉條紋，下列說(shuō)法正確的是（）

A．入射光的波長(zhǎng)越長(zhǎng)，干涉條紋的條數(shù)越少B．MN之間墊塊的高度越高，干涉條紋的條數(shù)越少C．P點(diǎn)所對(duì)應(yīng)待檢測(cè)物的表面相對(duì)Q點(diǎn)所對(duì)應(yīng)待檢測(cè)物的表面是凸起的D．P點(diǎn)所對(duì)應(yīng)待檢測(cè)物的表面相對(duì)Q點(diǎn)所對(duì)應(yīng)待檢測(cè)物的表面是凹下的17．（2023·山東淄博·山東省淄博第一中學(xué)校聯(lián)考二模）某同學(xué)利用圖甲所示的裝置研究光的干涉和衍射，光電傳感器可用來(lái)測(cè)量光屏上光強(qiáng)的分布。某次實(shí)驗(yàn)時(shí)，在電腦屏幕上得到圖乙所示的光強(qiáng)分布。下列說(shuō)法正確的是（）A．這位同學(xué)在縫屏上安裝的是雙縫B．這位同學(xué)在縫屏上安裝的是單縫C．當(dāng)做干涉現(xiàn)象研究時(shí)，若要使干涉條紋的間距變大，應(yīng)選用雙縫間距較小的雙縫D．當(dāng)做干涉現(xiàn)象研究時(shí)，若要使干涉條紋的間距變小，應(yīng)增大縫屏與光屏間的距離18．（2023·陜西·陜西師大附中?？寄M預(yù)測(cè)）1912年勞埃等人根據(jù)理論預(yù)見，并用實(shí)驗(yàn)證實(shí)了X射線與晶體相遇時(shí)能發(fā)生衍射現(xiàn)象，證明了X射線具有電磁波的性質(zhì)，成為X射線衍射學(xué)的第一個(gè)里程碑。X射線衍射分析是利用晶體形成的X射線衍射圖樣，對(duì)物質(zhì)進(jìn)行內(nèi)部原子在空間分布狀況的結(jié)構(gòu)分析方法。X射線衍射的原理是：由于晶體內(nèi)部規(guī)則排列的原子間距離與X射線波長(zhǎng)具有相同數(shù)量級(jí)，所以將一定波長(zhǎng)的X射線照射到晶體時(shí)，就會(huì)得到明顯的X射線衍射圖樣。衍射圖樣在空間分布的方位和強(qiáng)度，與晶體微觀結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。根據(jù)以上材料和所學(xué)的知識(shí)，下列說(shuō)法正確的是（）A．一定波長(zhǎng)的X射線照射到非晶體時(shí)，不會(huì)得到明顯的衍射圖樣B．一定波長(zhǎng)X射線分別照射到食鹽和石墨晶體上，得到的衍射圖樣在空間中分布的方位和強(qiáng)度不同C．一定波長(zhǎng)的SKIPIF1<0射線照射到晶體時(shí)，也會(huì)得到明顯的衍射圖樣D．X射線能在磁場(chǎng)中偏轉(zhuǎn)，可應(yīng)用于通信、廣播及其他信號(hào)傳輸E．X射線是由交替變化的電場(chǎng)和磁場(chǎng)組成的，X射線是橫波19．（2023·山東·統(tǒng)考高考真題）如圖所示為一種干涉熱膨脹儀原理圖。G為標(biāo)準(zhǔn)石英環(huán)，C為待測(cè)柱形樣品，C的上表面與上方標(biāo)準(zhǔn)平面石英板之間存在劈形空氣層。用單色平行光垂直照射上方石英板，會(huì)形成干涉條紋。已知C的膨脹系數(shù)小于G的膨脹系數(shù)，當(dāng)溫度升高時(shí)，下列說(shuō)法正確的是