2024年全國半導(dǎo)體行業(yè)職業(yè)技能競賽（半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工賽項）理論考試題庫（含答案）

PAGEPAGE12024年全國半導(dǎo)體行業(yè)職業(yè)技能競賽（半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)工賽項）理論考試題庫（含答案）一、單選題1."在Lens成像計算公式中“F""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：B2.如下不是測試站常規(guī)點檢的是？（）A、照度B、水平C、色溫D、距離答案：B3.FF模組由哪些組成？（）A、鏡片B、PCB（基板）C、芯片D、以上都是答案：D4.目前調(diào)焦的主要方案是什么？（）A、limit調(diào)焦B、Peak調(diào)焦C、PeakinPASS調(diào)焦D、以上都是答案：D5.馬達漏焊接影響模組什么功能？（）A、外觀B、可靠性C、OTPD、解析力答案：D6.下列哪些原因不會導(dǎo)致實測遠焦Code值偏大？（）A、馬達鎖附高度偏小B、lens混模穴號C、半成品膠厚過大D、B膠厚過厚答案：C7.Code值偏小與下列哪個選項無關(guān)？（）A、VCM起始電流偏小B、鎖附高度偏高C、lensEFL偏高D、馬達浮高答案：C8.目前廠內(nèi)常用芯片厚度？（）A、200umB、250umC、100umD、150um答案：D9.鏡頭場曲過大會引起什么不良？（）A、臟污B、偏色C、暗角D、解析力答案：D10.變焦的英文簡稱？（）A、FFB、AFC、VFD、NF答案：B11.產(chǎn)品在設(shè)計時，要求焊PIN到焊盤的距離為？（）A、0.15-0.22mmB、0.15-0.3mmC、0.15-0.2mmD、0.15-0.25mm答案：D12.當(dāng)IR光譜變異時可能引起什么不良？（）A、WBB、SFRC、臟污D、暗角答案：A13.AF機型燒錄PDAF的目的是？（）A、客戶要求B、快速對焦C、降低SFR不良D、降低OTP不良答案：B14.免調(diào)焦機種十級需要重點監(jiān)控哪些項目？（）A、燒錄內(nèi)容B、MTF及鎖付高度C、點膠方式D、FPC答案：B15.SensorLSC燒錄.MTKLSC燒錄.高通LSC燒錄的主要不同點？()A、sensorLSC燒錄后的補償畫面可以在實時影像中得到，可以抓圖實時畫面進行效果確認B、MTKLSC和高通Lsc補償在實時影像獲取不到，只能從平臺工具輸出的補償后畫面確認補償效果C、MTKLSC燒錄的是每個區(qū)域的補償系數(shù)，數(shù)據(jù)規(guī)律是中間小，四周大D、以上都描述正確答案：D16.OIS馬達設(shè)計的主要功能特性為？（）A、提升解析力B、拍照防抖C、改善黑團D、減少成本答案：B17."在Lens成像計算公式中“V""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：D18.屬于軟件配置導(dǎo)致馬達不動的原因為？（）A、VCMPING焊接錯誤B、粘膠C、測試板損壞D、AF電源電壓及DriverIC設(shè)置錯誤答案：D19.以下哪些是實驗室拍攝解析力用到的Chart？（)A、MTFB、棋盤ChartC、SFRX型ChartD、TVline答案：D20.哪一項不會造成解析力不良？（）A、馬達tiltB、DBtiltC、FPC褶皺D、HMtilt答案：C21.AA機種常用的UV預(yù)固化時間的是？（）A、3SB、5SC、8SD、10S答案：B22.H/M指的是？（）A、蓋HolderB、打金線C、蓋晶圓D、板材切割答案：A23.閉環(huán)馬達相對于普通馬達來說差異點是什么？（）A、動態(tài)tilt更穩(wěn)定B、沒區(qū)別C、更便宜D、多了反饋電路答案：D24.鏡頭烘烤溫度是？（）A、90℃B、80℃C、95℃D、100℃答案：B25.在客戶端檢驗產(chǎn)品需？()A、帽子B、手表C、佩戴靜電手環(huán)D、以上全是答案：C26.鏡頭解析力好壞的評價指標(biāo)不包括？（）A、MTFB、SFRC、TVlineD、FOV答案：D27.AF機型調(diào)焦時達到清晰點后會把鏡頭下旋一定角度，其作用是？（）A、找到最佳清晰點B、防塵C、SFR補償D、避開馬達非線性區(qū)域答案：D28.H/M偏移會導(dǎo)致哪項不良產(chǎn)生？（）A、TiltB、解析力C、點不亮D、暗角答案：D29.COBWB工序的制程主要是？（）A、打金線B、清洗C、貼晶元D、貼HolderIR答案：A30.AF模組由哪些組成？()A、鏡片B、PCB（基板）C、VCM馬達D、以上都是答案：D31.MTKPDAFDCC使用的Chart為？()A、菱形B、棋盤C、XchartD、條形答案：A32.AA也叫主動對齊，是對齊那個光軸中心？（）A、sensor&LensB、SensorC、lensD、holder答案：A33.檢驗方式有全檢和？()A、特檢B、抽檢C、專檢D、免檢答案：B34.OS測試是指？（）A、光心測試B、開短路測試C、電流測試D、暗邊測試答案：B35.CloseLoop馬達指的是什么馬達？（）A、中置馬達B、普通馬達C、閉環(huán)馬達D、無螺牙馬達答案：C36.下道工站對上道工站流下的產(chǎn)品進行檢驗，叫做？()A、抽檢B、互檢C、終檢D、設(shè)計檢驗答案：B37.POG的中文含義是？（）A、臟點B、臟污C、白點D、異物答案：B38.模組鎖付高度定義考慮哪幾個因素？（）A、姿勢差B、AA膠厚C、各器件尺寸D、姿勢差.AA膠厚.各器件尺寸答案：D39.機臺正常生產(chǎn)時機臺上的指示應(yīng)該是？（）A、紅色B、綠色C、黃色D、不亮燈答案：B40.不屬于鐳射切割不良的是？（）A、PCB鐳偏B、PCB變形C、元件破損D、鐳射區(qū)域發(fā)黑答案：B41.千級區(qū)域環(huán)境對particle的管控標(biāo)準(zhǔn)是>（?）um顆?！埽?）ea？()A、0.5，1500B、0.5，1000C、0.3，1500D、0.3，1000答案：B42.Hotpixel測試項值的是測試什么？（）A、亮線B、亮點C、壞點D、臟點答案：B43.自動白平衡體現(xiàn)的測試項是？（）A、SHADINGB、AWBC、OCD、LSC答案：B44.當(dāng)調(diào)焦SFR不良異常時，該如何對策分析？（）A、立即要求十級停線，加嚴浮高管控B、立即反饋SQE，要求來料加嚴管控C、先做互換分析，層別影響度，再對應(yīng)性分析，找對應(yīng)部門確認發(fā)生問題并改善D、SFR不良不能報，打臟污里面答案：C45.CCD站通光孔內(nèi)部白點的通用管控標(biāo)準(zhǔn)是？（）A、直徑≦0.1mmB、直徑≦0.15mmC、直徑≦0.2mmD、直徑≦0.3mm答案：A46.十級AA半成品防止時間過久會引起什么異常？（）A、臟污B、臟點C、暗角D、解析力答案：A47.以下不屬于DB使用的膠水是？（）A、2035SCB、4001FSC、6220D、4051L答案：C48.Standybycurrent是什么測試項目？()A、開短路B、啟動電流C、待機電流D、工作電流答案：C49.OTP的英文全稱描述正確的是？()A、OneTimeProgrammableB、OnTimeProgrammableC、OneTestProgrammableD、以上全不是答案：A50.調(diào)焦時發(fā)現(xiàn)每顆產(chǎn)品角落均存在暗角遮擋，可能發(fā)生的原因是？（）A、調(diào)焦環(huán)抬起高度設(shè)置過大，導(dǎo)致遮擋B、調(diào)焦環(huán)設(shè)計有問題，需要重新設(shè)計C、調(diào)焦環(huán)插入深度不夠，形成遮擋D、以上均有可能答案：D51.POD的中文含義是？（）A、臟點B、臟污C、白點D、異物答案：A52.FOV指的是什么參數(shù)？()A、焦距B、鏡頭高度C、鏡片D、光學(xué)視角答案：D53.測試機臺點檢的周期為多久一次？()A、每天B、每周C、每月D、每班答案：A54.以下不是OTP燒錄的項目是？（）A、WBB、LSCC、SFRD、PDAF答案：C55.以下哪款膠水是AA膠水？()A、DA-4001FSB、DA-4051LC、LT354D、FH8627答案：C56.測試時下列哪項不可以隨意修改？（）A、測試參數(shù)B、測試距離C、光源照度色溫D、以上都是答案：D57.AA機臺buyoff要求中心分數(shù)差異在多少以內(nèi)？（）A、7以內(nèi)B、5以內(nèi)C、10以內(nèi)D、3以內(nèi)答案：D58.EEPROM的作用是？（）A、存儲燒錄信息B、驅(qū)動馬達C、防止電磁干擾D、以上都是答案：A59.EEPROM的作用是什么？()A、驅(qū)動馬達B、存儲燒錄信息C、防止電磁干擾D、以上都是答案：B60.IR的只要作用是？（）A、防塵B、防水C、防炫光D、濾光答案：D61.OC指的是什么？（）A、暗角B、偏色C、解析力D、光心答案：D62.Workcurrent是什么測試項目？()A、開短路B、啟動電流C、待機電流D、工作電流答案：D63.AA制程指什么？（）A、主動對準(zhǔn)B、自動對焦C、自動點膠D、自動測試答案：A64.VCM起始電流偏低會導(dǎo)致？（）A、Code值偏大B、Code值偏小C、線性不良D、無影響答案：B65.當(dāng)焊接和馬達鐵殼短路時對手機端有什么影響？（）A、無影響B(tài)、無法打開C、無法對焦D、畫面異常答案：C66.AA機臺產(chǎn)品拋料后不正確的處理方法是？（）A、直接用手接觸產(chǎn)品處理B、拋料品集中一起C、重新走拋料流程D、確認OK后上機臺生產(chǎn)答案：A67.DB畫膠常用畫膠膠型有米型和（）型A、?雪花型B、△三角型C、○圓形D、□方形答案：A68.AA工藝的全稱是（）A、中心對焦工藝B、A等級生產(chǎn)工藝C、全像素對焦D、自適應(yīng)主動對準(zhǔn)答案：D69.下面哪種問題能造成VCM無動作？（）A、線圈斷開/短路B、簧片變形C、啟動電流偏大D、tilt偏大答案：A70.DB使用DA-4001FS膠水，芯片翹曲可控制？（）A、1~2umB、4~7umC、10~15umD、20~25um答案：B71.按生產(chǎn)過程分，質(zhì)量檢驗可分為（）.制程.成品.出貨幾個階段？（）A、成品B、進料C、生產(chǎn)D、檢驗答案：B72.什么配置的機種需要進行畸變校正？（）A、A機種B、AF機種C、長焦機種D、大廣角機種答案：D73.對于固定焦距和拍攝距離說法正確是？（）A、使用光圈越小，景深越大B、使用光圈越小，景深越小C、使用光圈變化，景深不變D、使用光圈越大，景深越大答案：A74.試產(chǎn)物料必須經(jīng)哪三方在需求單簽字方可包裝入庫？（）A、PM.ME.PEB、PM.TE.PEC、PM.SQE.PED、PM.NPI.DQA答案：D75.σ代表DPPM水平？（）A、2699B、66.07C、0.544D、0.002答案：B76.西維臟污認證需將授權(quán)文件重新命名為？（）A、Dev.datB、License.licC、license.datD、license_support_halcon11_2020_01.dat答案：C77.臟點上的成像不良位于？（）A、Sensor上表面B、IR上表面C、Lens表面D、Lens內(nèi)答案：A78.修復(fù)站lens剝膠擰lens時在加熱平臺加熱溫度是？（）A、60±5℃B、90±5℃C、80±5℃D、120±5℃答案：C79.通光孔刮傷標(biāo)準(zhǔn)表面點狀直徑？()A、≤0.15mmB、≤0.25mmC、≤0.20mmD、≤0.1mm答案：A80.DriveIC的作用是？（）A、存儲燒錄信息B、驅(qū)動馬達C、防止電磁干擾D、以上都是答案：B81.以下D/B正確的解釋是什么？（）A、將芯片與PCB用導(dǎo)線連接B、將鏡頭黏在PCB上C、將芯片通過膠水黏在PCB上D、打金線答案：C82.實驗室切片輔助分析主要最直觀目的是？（）A、點污分析B、外觀追蹤C、SFR分析D、尺寸數(shù)據(jù)確認答案：D83.模組鏡頭已點膠，修復(fù)該如何拆解鏡頭？（）A、加熱平臺加熱，使膠水軟化，然后倒置用3M膠扭出鏡頭B、直接用調(diào)焦環(huán)或鎖附工具用力扭出鏡頭C、用酒精持續(xù)泡膠水，膠水軟化后扭出鏡頭D、用鑷子將膠挑開，扭出鏡頭答案：A84.某sensor分辨率3264x2448，則此sensor是多少像素的？（）A、2MB、8MC、32MD、50M答案：B85.AA規(guī)格設(shè)定需要管控那幾個重要參數(shù)？（）A、CPS.均勻性B、CPS.場曲.均勻性.分數(shù)C、場曲D、SFR分數(shù)答案：B86.DB膠水覆蓋率首件標(biāo)準(zhǔn)是？（）A、≥60%B、≥70%C、≥75%D、≥85%答案：D87.EFL指的是什么參數(shù)？（）A、模組總高度B、鏡頭總高度C、鏡頭焦距D、模組鎖附高度答案：C88.AA機型鏡頭組plasma到AA投入時間管控？（）A、2HB、4HC、6HD、10H答案：B89.以下哪項不是DB檢驗項目？（）A、Sensor劃傷B、浮高C、Sensor臟污D、金球偏答案：D90.AF機種最后一站進行AFCode檢測的作用是？（）A、確認SFR是否存在變異B、確認Code與燒錄信息變化能否滿足客戶要求，監(jiān)控制程環(huán)境差異C、確認Code是否在作動區(qū)間范圍內(nèi)D、客戶要求的，做著給客戶看答案：B91.AF機種做海思標(biāo)定時，馬達需推到？（）A、近焦B、中焦C、遠焦D、(遠焦+近焦)/2答案：C92.AA烘烤后鏡頭組脫落，無需確認？（）A、壓合后膠厚B、壓合位置膠寬C、膠水是否烘烤干D、脖子膠厚度答案：D93.“靜電”的英文簡寫是？（）A、EDXB、EDSC、ESDD、EXD答案：C解析：二、判斷題94.Colorshading指的是什么？（）A、暗角B、偏色C、解析力D、光心答案：B95.廠內(nèi)單條載具排板數(shù)量沒有？（）A、16B、24C、32D、34答案：D96.半成品烤箱烘烤參數(shù)？（）A、80±℃，60minB、120±℃，60minC、130±℃，30minD、120±℃，90min答案：A97.鏡頭的成像特性中間和四周的成像亮度為？（）A、四周亮，中心暗B、四周暗，中心亮C、四周和中心一樣亮D、四周和中心一樣暗答案：B98.超級黑面蓋如何進行清潔？（）A、使用無塵棒擦拭B、使用無塵布擦拭C、使用粘塵棒滾動清潔D、使用溶劑清潔答案：C99.顏色均勻性體現(xiàn)在以下哪個測試項？（）A、YshadingB、AWBC、olorShadingD、LSC答案：C100.調(diào)焦機顯示預(yù)調(diào)角度超出上限時，可能出現(xiàn)什么異常？（）A、調(diào)焦環(huán)壞了B、產(chǎn)品點不亮C、鎖附高度異常D、撞機了答案：C101.制造文件中標(biāo)“★”的尺寸為？（）A、常規(guī)尺寸B、重點尺寸C、外部尺寸D、內(nèi)部尺寸答案：B102.Sensor是指模組的()部分？（）A、鏡頭B、基座C、圖象傳感器D、連接器答案：C103.鏡頭清洗的目的是？（）A、降低SFR不良B、降低臟點不良C、降低臟污不良D、降低外觀不良答案：C104.ESD的中文含義是什么？（）A、靜電放電B、作業(yè)指導(dǎo)書C、流程卡D、控制計劃答案：A105.PDAFMTK燒錄平臺使用的Chart型號為？（）A、菱形ChartB、條形ChartC、白板光源D、SFRChart答案：B106.LSC燒錄標(biāo)準(zhǔn)為70%+/-3%，四角差異5%，以下哪組滿足燒錄要求？()A、左上角67%，左下角68%，右上角72%，右下角73%B、左上角67%，左下角67%，右上角68%，右下角68%C、左上角71%，左下角71%，右上角72%，右下角74%D、左上角66%，左下角68%，右上角70%，右下角70%答案：B107.常用閉環(huán)馬達又叫？（）A、中置馬達B、closeloopC、openloopD、OIS馬達答案：B108.定焦的英文簡稱？（）A、FFB、AFC、VFD、NF答案：A109.SENSOR的光學(xué)原理是將光信號轉(zhuǎn)換為？（）A、顏色信號B、電信號C、視覺信號D、接收信號答案：B110.DOF指的是什么值？（）A、焦距B、景深C、視場角D、鏡片數(shù)答案：B111.MTKLSC補償后的shading規(guī)格上下限，一般按照燒錄規(guī)范目標(biāo)值？（）A、±5%B、±6%C、±8%D、±10%答案：A112.工序配錯指的是什么？（）A、機臺內(nèi)運行的ABCD流程弄錯了B、漏流程C、工單輸錯D、產(chǎn)品不良答案：B113.AA機臺buyoff要求四角分數(shù)差異在多少以內(nèi)？（）A、15以內(nèi)B、10以內(nèi)C、5以內(nèi)D、1以內(nèi)答案：C114.SFR是從哪個域分析光學(xué)成像的解析力?（）A、時域B、頻域C、空域D、區(qū)域答案：B115.產(chǎn)品上二維碼作用是什么？（）A、保密信息B、客戶要求C、板廠信息存儲D、便于產(chǎn)品追溯答案：D116.馬達動態(tài)tilt會引起什么不良？（）A、臟污B、偏色C、暗角D、解析力答案：D117.HDC是測試什么的？（）A、SFR燒錄B、Code燒錄C、畸變校準(zhǔn)D、AWB燒錄答案：C118.機臺停機超過多少時間后需停機從新送Q首件？（）A、1HB、2–3HC、4H以上D、6H以上答案：C119.焦距f、物距u、像距v三者之間的關(guān)系是？（）A、1/f+1/v=1/uB、1/u+1/v=1/fC、1/f+1/u=1/vD、1/v+1/f=1/f答案：B120.IR片上增加黑絲印的目的是？（）A、改善flareB、改善particleC、改善HMPR識別D、改善holder清洗時甩膠現(xiàn)象答案：A121.臟污不良在修復(fù)該如何清潔？（）A、拆了鏡頭反向振動使其脫落B、用棉簽進行擦拭C、拆鏡頭后上清洗機臺，直接進行清洗作業(yè)D、拆鏡頭后用膠棒將臟污粘掉答案：D122.AF模組由遠焦到近焦的對焦過程中，鏡頭相對芯片的距離會？（）A、增加B、減小C、不變D、跳躍答案：A123.發(fā)現(xiàn)某個站位軟件MD5碼不統(tǒng)一該如何處理？()A、正常作業(yè)沒問題就沒關(guān)系B、這是品質(zhì)稽核的事，與我無關(guān)C、告訴設(shè)備統(tǒng)一軟件就好了D、立即停線，確認系統(tǒng)軟件版本，確認異常軟件來源，評估在制風(fēng)險答案：D124.機臺更換膠水時應(yīng)首先？（）A、拆下機臺上的膠管B、關(guān)閉膠水適配器的氣壓C、拆卸點膠膠閥D、直接拆下更換答案：B125.PDAF高通燒錄平臺使用的Chart型號為？（）A、菱形ChartB、條形ChartC、白板光源D、SFRChart答案：A126.如果發(fā)現(xiàn)軟件提示“MD5碼管控”是發(fā)生了什么問題？（）A、產(chǎn)品漏流程B、產(chǎn)品被回流C、二維碼重碼D、軟件有更新或被修改答案：D127.一體式單鏡頭來料AA前不清洗直接烘烤的作用是？（）A、烘干內(nèi)部膠水B、釋放應(yīng)力C、改善點污D、防止鏡頭進水答案：B128.如下哪種情況會造成解析力不良？（）A、HMshiftB、AA光心NGC、馬達起始電流過大D、lens來料MTF不達標(biāo)答案：D129.機臺新開線調(diào)試機臺后應(yīng)？（）A、確認產(chǎn)品OK后正常生產(chǎn)。B、確認產(chǎn)品OK后送Q首檢正常生產(chǎn)C、確認首檢OK后送Q首檢，首檢OK后正常生產(chǎn)D、以上全是答案：C130.免調(diào)焦可代替以下那一站？（）A、功能測試B、OTPC、PDAFD、調(diào)焦答案：D131.IR用中文描述表達為？（）A、濾光片B、芯片C、玻璃片D、鏡片答案：A132.VCMPIN封膠目的是？（）A、提升外觀B、增加VCM拉力C、防短路D、防氧化答案：C133.Cpk=1.0代表水平？（）A、3σB、4σC、5σD、6σ答案：A134.AA機臺Sensor點不亮異常不可能的原因是？（）A、Sensor異常B、金線異常C、Lens異常D、連接小板異常答案：C135."在Lens成像計算公式中“U""代表？()"A、速度B、EFLC、物距D、像距答案：C136.AA膠水回溫時間是？（）A、2HB、1HC、1.5HD、3H答案：A137.機臺暫時停機時應(yīng)？（）A、關(guān)閉安全門打開排膠功能B、關(guān)閉安全門關(guān)閉氣壓C、關(guān)閉安全門即可D、關(guān)閉電源.氣源，節(jié)省能源答案：A138.免調(diào)焦機種當(dāng)發(fā)現(xiàn)遠焦Code超出下限時，說明？（）A、鎖附高度過高B、鎖附高度過低C、模組浮高D、模組偏心答案：A139.下列不屬于不合格品處理方式的是？()A、特采B、報廢C、出貨D、以上全是答案：C140.制程震動的目的是？（）A、檢驗脫落B、助檢可移動臟污C、確認是否耐磨損D、檢驗Tray盤可靠性答案：B141.首件檢驗的重要意義為？()A、確認首件是OK品B、避免批量性問題出現(xiàn)C、SIP要求執(zhí)行D、以上全是答案：B142.一體式鏡頭AA時會驗證上抬.下拉，其目的是？（）A、調(diào)整四周解析力B、調(diào)整模組高度C、補償AA膠縮D、調(diào)整AA膠厚答案：C143.機臺上的EMO是什么控制按鍵？（）A、排膠按鍵B、氣壓控制按鍵C、緊急停止按鍵D、機臺停止按鍵答案：C144.解析力測試通常使用的chart類型有？（）A、MTF，SFRB、SFR，菱形C、菱形，MTFD、條形，SFR答案：A145.常用鏡頭固定膠是？（）A、1710X16FRIB、LT354C、9530BD、FH8627答案：A146.對產(chǎn)品缺陷分類中輕微不良的表示為？()A、MIB、MAC、RD、IR答案：A147.模組為何要進行AWB點檢？（）A、形成光源系數(shù)進行差異補償，避免機差導(dǎo)致燒錄異常B、為了能確認機臺能夠正常燒錄，避免未燒錄產(chǎn)生C、為了避免軟件把AWB內(nèi)容和其它內(nèi)容搞亂，進行數(shù)據(jù)對比使用D、客戶要求的，沒什么用答案：A148.Cpk通過Minitab軟件哪個圖形體現(xiàn)？（）A、直方圖B、箱線圖C、柏拉圖D、能力分布圖答案：D149.免調(diào)焦工藝十級不需要管控哪些？（）A、鎖附高度B、lens模穴號C、VCM模穴號D、VCM彈片行程答案：D150.當(dāng)發(fā)現(xiàn)Code值偏大時，HM機臺該如何調(diào)試？（）A、Bonding高度下壓B、增加膠量C、減少畫膠氣壓D、無需調(diào)試答案：B151.照度的單位是什么？()A、LuxB、cmC、kD、lnx答案：A152.良率數(shù)據(jù)查詢在什么地方？（）A、PLMB、OAC、MESD、文檔系統(tǒng)答案：C153.AA一般驗收指標(biāo)tilt目標(biāo)值是多少分以內(nèi)？（）A、2′B、4′C、6′D、8′答案：C154.WB指的是？（）A、蓋holderB、打金線C、蓋晶圓D、板材切割答案：B155.生產(chǎn)過程中發(fā)現(xiàn)批量性異常，以下做法正確的是？（）A、立即停機B、追溯異常批次C、調(diào)整機臺，重送首件D、以上都對答案：D156.下列關(guān)于靜態(tài)CMOS的特性，錯誤的是（）。A、邏輯電平與器件的相對尺寸無關(guān)。B、CMOS反相器具有高輸出阻抗，這使它對噪聲和干擾不敏感。C、輸出電壓擺幅等于電源電壓。D、由于反相器的輸入節(jié)點只連到晶體管的柵上，所以穩(wěn)態(tài)輸入電流幾乎為零。答案：B157.壓電陶瓷的應(yīng)用包括()。A、蜂鳴器B、打火機C、雷達D、超聲波探頭答案：A158.數(shù)字萬用表能直接測量三極管的（）。A、電流放大倍數(shù)B、輸出電阻C、輸入電壓D、管型答案：A159.低壓電容器的放電負載通常（）。A、燈泡B、線圈C、互感器D、轉(zhuǎn)子答案：A160.導(dǎo)線接頭的絕緣強度應(yīng)（）原導(dǎo)線的絕緣強度。A、可大可小B、少C、小于大D、等于答案：D161.為了使兩輸入NAND門的下拉延時tphl與最小尺寸的反相器相同，在PDN串聯(lián)網(wǎng)絡(luò)中的NMOS器件必須設(shè)計為反相器中的NMOS寬度的（），以使NAND下拉網(wǎng)絡(luò)的等效電阻與反相器的相同。A、二分之一B、一倍C、四倍D、兩倍答案：D162.穩(wěn)壓二極管主要是利用其（）特性，可以在電路中穩(wěn)壓。A、恒流特性B、導(dǎo)電性C、反向擊穿特性D、非一線性答案：C163.三相異步電動機按其（）的不同可分為開啟式、防護式、封閉式三大類。A、供電電源的方式B、外殼防護方式C、結(jié)構(gòu)型式方式D、工作制答案：B164.在要求小容量的高頻電路中，應(yīng)盡量選用（）。A、瓷介電容B、滌綸電容C、鉭電解電容D、鋁電解電容答案：A165.氮化硼陶瓷的優(yōu)點()。A、熱膨脹系數(shù)小B、抗熱振性高C、高溫電絕緣性D、耐磨性答案：C166.風(fēng)能的大小與風(fēng)速的(）成正比A、二次方B、三次方C、四次方D、五次方答案：B167.以下()的粉體適合于新型陶瓷的生產(chǎn)。A、板狀B、球形C、不規(guī)則形狀D、柱狀答案：B168.標(biāo)識為203的貼片電阻，其阻值應(yīng)該是()。A、20ΩB、2KΩC、200ΩD、20KΩ答案：D169.關(guān)于生產(chǎn)經(jīng)營單位對從業(yè)人員進行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)的說法，正確的是()。A、對所有從業(yè)人員都應(yīng)當(dāng)進行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)B、對有過相似工作經(jīng)驗的從業(yè)人員可以不進行安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)C、從業(yè)人員培訓(xùn)不合格的應(yīng)予以辭退D、可以根據(jù)情況決定是否建立安全生產(chǎn)教育和培訓(xùn)檔案答案：A170.極化的形式有()。A、離子位移極化B、偶極子趨向極化C、空間電荷極化D、電子位移極化答案：D171.在某放大電路中，測的三極管三個電極的靜態(tài)電位分別為0V，-10V，-9.3V，則這只三極管是（）。A、NPN型硅管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、PNP型鍺管答案：A172.在由NPN型BJT組成的單管共發(fā)射極放大電路中，如靜態(tài)工作點過高，容易產(chǎn)生()失真。A、截止失真B、飽和v失真C、雙向失真D、線性失真答案：B173.復(fù)合管，已知V1的1=30，V2的2=50，則復(fù)合后的約為（）。A、1500B、80C、50D、30答案：A174.職業(yè)道德建設(shè)的核心是()A、服務(wù)群眾B、愛崗敬業(yè)C、辦事公道D、奉獻社會答案：A175.在鋁絞線中加入鋼芯的作用是（）。A、提高導(dǎo)電能力B、增大導(dǎo)線面積C、提高機械強度D、抗燃能力提升答案：C176.相變增韌的根本原因是氧化鋯陶瓷中具有()。A、立方相B、偽立方相C、四方相D、平方向答案：C177.食用油分為植物油和動物油兩大類，油的主要成分是（）。A、脂肪B、碳水化合物C、蛋白質(zhì)D、膳食纖維答案：A178.直流負反饋是指()。A、存在于RC耦合電路中的負反饋B、放大直流信號時才有的負反饋C、直流通路中的負反饋D、只存在于直接耦合電路中的負反饋答案：C179.某晶體管的發(fā)射極電流等于1mA，基極電流等于20μA，則它的集電極電流等于()。A、0.8mAB、0.98mAC、1.2mAD、1.02mA答案：B180.生產(chǎn)經(jīng)營單位的主要負責(zé)人未履行《安全生產(chǎn)法》規(guī)定的安全生產(chǎn)管理職責(zé)的，責(zé)令。A、處二萬元以下罰款B、限期改正C、停產(chǎn)停業(yè)整頓D、處四萬元以下罰款答案：B181.D1，D2均為理想二極管，設(shè)U1=10V，ui=40sinωtV,則輸出電壓uO應(yīng)為()。A、最大值為40V，最小值為0VB、最大值為40V，最小值為+10VC、最大值為10V，最小值為－40VD、最大值為10V，最小值為0V答案：D182.新型陶瓷材料的主要缺點是()。A、價格高B、熔點高C、脆性大D、硬度高答案：C183.電感器在電路中用字母（）表示。A、LB、gC、RD、H答案：A184.用萬用表測量2.1k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、20kB、18kC、2kD、45k答案：C185.萬用表電壓量程2.5V是當(dāng)指針指在（）位置時電壓值為2.5V。A、1/2量程B、滿量程C、2/3量程D、3/3量程答案：B186.動態(tài)設(shè)計中的信號完整性問題主要有：()。A、電荷分享B、電荷分享C、電荷泄漏D、時鐘饋通答案：B187.集成電路制造中的光刻工藝主要目的是什么？A、去除晶圓表面的污染物B、在晶圓上形成電路圖形C、增加晶圓表面的粗糙度D、制備金屬互聯(lián)層E、提高晶圓的機械強度答案：B188.電阻器在電路中用字母（）表示。A、RB、UC、LD、HE答案：A189.當(dāng)環(huán)境溫度升高時，二極管的反向飽和電流將增大，這是因為此時PN結(jié)內(nèi)部的()。A、少數(shù)載流子濃度減小B、少數(shù)載流子濃度增大C、多數(shù)載流子濃度增大D、多數(shù)載流子濃度減小答案：B190.評價一個設(shè)計好壞的重要質(zhì)量指標(biāo)有()。A、穩(wěn)定性B、功能C、成本D、功耗答案：A191.預(yù)防宿舍火災(zāi)，應(yīng)注意以下哪幾條()。A、不在宿舍使用“熱得快”等違章電器B、不在宿舍使用酒精爐C、不躺臥吸煙和亂扔煙頭，最好不在宿舍抽煙D、離開宿舍時拔下電源插頭答案：C192.雙極型晶體管工作在放大區(qū)的偏置條件是發(fā)射結(jié)()。A、不偏B、微偏C、正偏D、反偏答案：C193.規(guī)定了電子元器件的額定值，一般包括額定工作電壓、額定工作電流、額定功率消耗及額定工作溫度等。它們的定義是：電子元器件能夠（）工作的電壓、電流、功率消耗及環(huán)境溫度。A、正常B、長期正常C、短期D、長期答案：B194.測量二極管正向電阻時，若用兩手把管腳捏緊，測量結(jié)果將會()。A、變B、不變C、變大D、不能確定答案：A195.陶瓷的概述以下錯誤的是()。A、高硬度B、高溫穩(wěn)定性C、高耐磨性D、高導(dǎo)電性答案：D196.下面關(guān)于傳播延時的定義錯誤的是()。A、傳播延時只與電路工藝和拓撲連接有關(guān)。B、通常所說的傳播延時是針對門的。C、傳播延時tp是tpLH（門的輸出由低至高翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間）和tpHL（輸出由高至低翻轉(zhuǎn)的響應(yīng)時間）這兩個時間的平均值。D、輸入和輸出波形的50%翻轉(zhuǎn)點之間的時間。答案：A197.新型陶瓷的粉體要求具有以下()性質(zhì)。A、韌性B、團聚性C、流動性D、可燒結(jié)性答案：C198.壓痕法可以測試結(jié)構(gòu)陶瓷的()。A、延展性B、強度C、硬度D、彈性答案：A199.無鉛焊接用的焊料基體是（）A、鉛B、錫C、氧化銀D、金答案：A200.PN結(jié)加正向電壓時，空間電荷區(qū)將()。A、變窄B、基本不變C、變寬D、條件不全，無法判斷答案：A201.一般濕敏電阻的相應(yīng)時間是()量級的。A、毫秒B、分C、微秒D、秒答案：D202.在現(xiàn)代陶瓷材料燒結(jié)過程中如何促進燒結(jié)過程()。A、原始粉末性質(zhì)B、外加劑C、成型壓力D、燒結(jié)工藝答案：A203.為了防止跨步電壓對人造成傷害,要求防雷接地裝置距離建筑物出入口、人行道最小距離不應(yīng)小于（）米。A、3B、2.5C、4D、直徑答案：A204.穩(wěn)壓管DZ正向壓降視為零，它的穩(wěn)定電壓為7V，則回路中的電流等于（）。A、0B、10mAC、25mAD、5.75mA答案：A205.由非氧化物組成的陶瓷材料有()。A、碳化硅B、氮化硼C、氧化硅D、氧化銅答案：B206.作為新型陶瓷的粉體，要求其()。A、團聚少B、化學(xué)組成精確C、純度高D、組成分布均勻答案：A207.生產(chǎn)、經(jīng)營、儲存、運輸、使用危險化學(xué)品和處置廢棄危險化學(xué)品單位的對本單位危險化學(xué)品的安全負責(zé)A、保衛(wèi)部門負責(zé)人B、安全部門負責(zé)人C、主要負責(zé)人D、經(jīng)理答案：C208.氧化物陶瓷：主要成分是()。A、l2O4B、SiO2C、AiO2D、Al2O2答案：A209.腐蝕性液體濺到皮膚上，應(yīng)該立即（）。A、用干布抹去B、用大量清水沖洗C、用繃帶包扎患處D、請醫(yī)生治療答案：B210.陶瓷半導(dǎo)體化的方式有()。A、晶界偏析B、兩端通電C、化學(xué)計量比偏離D、雜質(zhì)缺陷答案：D211.氮化硅陶瓷具有()等性能特點。A、自膨脹B、自增強C、自增韌D、自潤滑答案：C212.Bi-Sr-Ca-Cu-O超導(dǎo)陶瓷的臨界溫度()。A、39KB、73.5KC、100KD、200K答案：C213.下面關(guān)于導(dǎo)線模型的說法錯誤的是：()。A、若一個分布模型導(dǎo)線的總電阻為R，總電容為C，則該電路的傳播延時（電壓從0變化到50%）等于0.38RC。B、若一個集總模型導(dǎo)線的總電阻為R，總電容為C，則該電路的傳播延時（電壓從0變化到50%）等于0.69RC。C、對于短互連線的寄生效應(yīng)來說，使用集總模型不再精確，因此比較合適的方法是用分布rc模型來代替。D、當(dāng)分析導(dǎo)線的寄生效應(yīng)時，先把每段導(dǎo)線的總導(dǎo)線電阻集總成一個電阻R，然后把總的電容合并成一個電容C，把這樣的簡單模型稱為集總RC模型。答案：C214.電阻元件的功率越大，則體積就（）。A、越大B、關(guān)系不能確定C、無關(guān)D、越小答案：A215.氧化物陶瓷由那幾個部分組成()。A、陶瓷材料B、氧化鋁C、氧化鐵D、碳化硅答案：B216.晶體管的三個工作區(qū)是()。A、截止區(qū)B、區(qū)域不定C、放射區(qū)D、放區(qū)答案：D217.BaTiO3具有的晶系包括()。A、四方晶系B、三方晶系C、立方晶系D、六方晶系答案：A218.若一導(dǎo)線寬為W，高為H，則對于較大的W/H，邊緣場電容模型中的總電容可以近似為()，而當(dāng)W/H小于1.5時，總電容中占主要部分的是()。A、平板電容；邊緣電容B、平板電容；接地電容C、接地電容；邊緣電容D、邊緣電容；平板電容答案：A219.場效應(yīng)管起放大作用時應(yīng)工作在漏極特性的()。A、恒流區(qū)B、可變電阻區(qū)C、夾斷區(qū)D、擊穿區(qū)答案：A220.標(biāo)識為2n2的電容器，其容值應(yīng)該是()。A、0.22nFB、22nFC、2.2nFD、2.2pF答案：C221.搖表的兩個主要組成部分是手搖（）和磁電式流比計。A、直流發(fā)電機B、電流互感器C、交流發(fā)電機D、三相異步電動機答案：A222.某三極管各電極對地電位的方位有所變動，如何判斷該三極管()。A、處于放大區(qū)域B、處于飽和區(qū)域C、處于截止區(qū)域D、已損壞答案：D223.新型陶瓷是按照()進行分類的。A、成分B、結(jié)構(gòu)C、工藝D、功能答案：D224.防靜電的接地電阻要求不大于（）Ω。A、10B、40C、100D、定子及轉(zhuǎn)子答案：C225.某三極管的額定功率是1W，使用時當(dāng)該三極管的功率達到1.1W時（）。A、不會損壞B、不會損壞C、長期使用不會損壞D、長期使用會損壞答案：D226.生物活性玻璃與羥基磷灰石相比，()。A、成本高B、硬度不行C、傳播更快D、成本更低答案：D227.隨著電源電壓的降低，反相器在過渡區(qū)的增益（）。A、不變B、增大C、不確定D、減小答案：B228.生物活性玻璃與羥基磷灰石相比，()。A、生物活性更好B、成本更低C、強度更好D、毒性更小答案：B229.氯氣泄漏時，搶修人員必須穿戴防毒面具和防護服，進入現(xiàn)場首先要（）。A、加強通風(fēng)B、切斷氣源C、切斷電源D、尋找人員答案：B230.設(shè)計一種空調(diào)控制器電路板，需要多個0.25W，誤差±5%的電阻，應(yīng)該選用以下的()。A、金屬膜電阻B、金屬氧化膜電阻C、碳膜電阻D、線線電阻答案：C231.溶膠-凝膠法可以制備()等形態(tài)的產(chǎn)品。A、薄膜B、塊體C、厚膜D、粉體答案：C232.屬于配電電器的有（）。A、接觸器B、熔斷器C、電阻器D、定子和轉(zhuǎn)子答案：B233.生物活性陶瓷是指()。A、能誘導(dǎo)骨骼生長B、生物相容性好C、本身具有生命D、以生命體作為原料的陶瓷答案：B234.非自動切換電器是依靠（）直接操作來進行工作的。A、外力(如手控)B、電動C、感應(yīng)D、用其它設(shè)備帶動答案：A235.相比于磁性金屬材料，磁性陶瓷材料具有()等特點。A、損耗低B、居里溫度低C、高頻性能優(yōu)秀D、磁化率高答案：B236.某三極管的額定功率是1W，使用時當(dāng)該三極管的功率達到2W時（）。A、立即損壞B、長期使用會損壞C、不會損壞D、長期使用不會損壞答案：A237.晶體管是一個具有()（當(dāng)|VGS||VT|時）的開關(guān)。A、有限關(guān)斷電阻、無限導(dǎo)通電阻B、無限關(guān)斷電阻、無限導(dǎo)通電阻C、有限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻D、無限關(guān)斷電阻、有限導(dǎo)通電阻答案：D238.當(dāng)通過靜態(tài)CMOS電路來實現(xiàn)邏輯功能時，PMOS器件串聯(lián)相當(dāng)于（）功能。A、與B、或C、或非D、與非答案：C239.二極管主要是利用其（）特性，可以在電路中充當(dāng)電子開關(guān)。A、反向擊穿特性B、單向?qū)щ娦訡、恒流特性D、非線性答案：B240.集成電路的導(dǎo)線會引起電容、電阻和電感等寄生參數(shù)效應(yīng)，它們對電路的特性都會有多方面的影響，包括：()。A、影響電路的可靠性。B、引起額外的噪聲來源。C、使傳播延時增加。D、影響能耗和功率的分布。答案：A241.以下()可以作為永久磁體材料。A、尖晶石型B、磁鉛石型C、石榴石型D、鈣鈦礦型答案：B242.當(dāng)一個熔斷器保護一只燈時,熔斷器應(yīng)串聯(lián)在開關(guān)（）。A、前B、后C、中D、無答案：B243.下列新能源中屬于二次能源的是()。A、熱能B、核能C、生物質(zhì)能D、太陽能答案：C244.下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說法不正確的是：()。A、閾值電壓通常對于NMOS器件是一個正值，對于PMOS器件是一個負值。B、隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。C、當(dāng)源與體之間存在襯底偏置電壓VSB時，將會使n溝MOS管的閾值電壓增大。D、不同體偏置下條件下的閾值電壓可以由下式確定：答案：B245.作為過壓保護的壓敏電阻，在性能上要求其()。A、耐磨性強B、非線性系數(shù)高C、反應(yīng)速度快D、漏電流低答案：D246.普通電阻器被替換的原則是盡量保證（）一致。A、形狀B、功率C、阻值D、阻值和功率答案：D247.碘鎢燈屬于（）光源。A、氣體放電B、電弧C、熱輻射D、粉色答案：C248.集成電路生產(chǎn)時的固定成本與銷售量();可變成本是直接用于制造產(chǎn)品的費用，與產(chǎn)品的產(chǎn)量成()。A、無關(guān)；正比。B、有關(guān)；正比。C、無關(guān)；反比。D、有關(guān)；反比。答案：A249.蓄電池是將所獲得的電能以0的形式儲存,并能夠?qū)⑵滢D(zhuǎn)換成電能的電化學(xué)裝置,可以重復(fù)充電和放電。A、機械能B、化學(xué)能C、動能D、勢能答案：B250.氧化鋅壓敏電阻的壓敏特性主要來源于其結(jié)構(gòu)中的()。A、主晶相B、晶界C、氣孔D、第二相答案：B251.關(guān)于高頻阻波器的作用下列哪個敘述不對()。A、對高頻載波電流阻抗很大B、對工頻電流呈現(xiàn)的阻抗很大C、阻止高頻電流的外流D、防止高頻載波信號向母線方向分流答案：B252.某貼片電容的實際容量是0.022?F，換成數(shù)字標(biāo)識是（）。A、221B、223C、222D、224答案：B253.根據(jù)三極管放大電路的輸入回路與輸出回路公共端的不同，可將三極管放大電路分為()三種。A、共基極電路B、共發(fā)射極電路C、共集電極電路D、串聯(lián)電極電路答案：A254.以下()的硬度比氧化鋁陶瓷低。A、氧化鋯B、氧化鈣C、氧化鎂D、氧化鋅答案：C255.Na-β-A12O3可以用于制作成鈉硫電池的()。A、導(dǎo)線B、電芯C、包裹材料D、隔膜材料答案：D256.焊料的成分主要是（）。A、銅，鉛B、銅，錫C、鉛，錫D、鋁，錫答案：C257.六方氮化硼可以作為()的應(yīng)用。A、材質(zhì)硬度B、高溫潤滑C、導(dǎo)電D、傳播度答案：B258.假設(shè)VCC>>VBE,LCEO≈0，則在靜態(tài)時該三極管處于()。A、放大區(qū)B、飽和區(qū)C、截止區(qū)D、區(qū)域不定答案：B259.半導(dǎo)體二極管的重要特性之一是()。A、溫度穩(wěn)定性B、放大作用C、單向?qū)щ娦訢、濾波特性答案：B260.某場效應(yīng)管的漏極特性曲線則該場效應(yīng)管為（）。A、P溝道耗盡型MOS管B、N溝道耗盡型MOS管C、P溝道增強型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管答案：B261.差動放大電路的主要特點是()。A、有效放大差模信號，有力抑制共模信號；B、既放大差模信號，又放大共模信號C、有效放大共模信號，有力抑制差模信號；D、既抑制差模信號，又抑制共模信號答案：A262.關(guān)于氫能的特點錯誤的是()。A、氫能是取之不竭，用之不盡的。B、氫在燃燒時不產(chǎn)生污染物，是理想的綠色能源。C、碳納米管在氫能的儲運應(yīng)用方面已經(jīng)成熟。D、氫氣釋放能量快，反應(yīng)速率常數(shù)高。答案：C263.發(fā)光二極管發(fā)光時，其工作在()。A、反向截止區(qū)B、正向?qū)▍^(qū)或反向擊穿區(qū)C、正向?qū)▍^(qū)D、反向擊穿區(qū)答案：C264.某電阻的阻值是20歐姆，誤差范圍是±5%，使用四色環(huán)標(biāo)識時應(yīng)是（）。A、棕紅黑金B(yǎng)、紅黑黑金C、紅黑黑棕D、棕紅紅棕答案：B265.下列材料中,導(dǎo)電性能最好的是（）。A、銅B、鋁C、銀D、必須在電動機完全停轉(zhuǎn)后才答案：C266.光電二極管正常工作時，外加()電壓。A、反向B、正向C、直流D、擊穿答案：A267.標(biāo)識為2k7的電阻器，其阻值應(yīng)該是()。A、2.7ΩB、27ΩC、270ΩD、2700Ω答案：D268.傳統(tǒng)陶瓷與新型陶瓷的區(qū)別是()。A、性能不同B、結(jié)構(gòu)不同C、材料不同D、以上說法都錯答案：C269.關(guān)于煤炭液化表述錯誤的是()。A、是將固體狀態(tài)的煤炭經(jīng)過化學(xué)加工轉(zhuǎn)化為液體產(chǎn)品。B、可以將硫等有害元素及灰分脫除，得到潔凈的二次能源。C、能夠優(yōu)化能源結(jié)構(gòu)、解決石油短缺、減少環(huán)境污染。D、可以得到更多的能量。答案：D270.以下()的粉體適合于新型陶瓷的生產(chǎn)。A、球形B、原型C、方形D、Y型答案：A271.用直流電壓表測得放大電路中某晶體管電極1、2、3的電位各為V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，則()。A、1為e3為b2為cB、1為e2為b3為cC、2為e1為b3為cD、3為e1為b2為c答案：A272.燒結(jié)過程的驅(qū)動力是()。A、表面能不變B、表面能下降C、表面能增加D、以上都不是答案：B273.軟磁鐵氧體主要分為()。A、Mn-ZnB、Nn-ZNC、Mm-znD、Ni-Zn答案：D274.假設(shè)一反相器和兩輸入與非門中的器件PMOS與NMOS的尺寸比為2，最小尺寸的對稱反相器的輸入電容等于最小尺寸NMOS管柵電容的3倍。若該NAND門的等效電阻等于該反相器的電阻，那么它的邏輯努力（logicaleffort）為（）。A、4/3B、2/3C、5/3D、1答案：A275.以下()屬于鐵電陶瓷材料的主要應(yīng)用。A、存儲器B、濾波器C、加速器D、驅(qū)動器答案：D276.以下()在新型陶瓷的應(yīng)用中所占比例最高。A、硬度B、速度C、電功能D、傳播答案：C277.RC橋式正弦波振蕩電路由兩部分電路組成,即RC串并聯(lián)選頻網(wǎng)絡(luò)和（）。A、基本共射放大電路B、基本共集放大電路C、反相比例運算電路D、同相比例運算電路答案：D278.當(dāng)溫度升高時，二極管的反向飽和電流將()。A、變小B、減少C、條件不全,無法判斷D、增大答案：D279.以下不符合助焊劑要求的是（）。A、熔點應(yīng)低于焊料B、不產(chǎn)生害氣體C、表面張力小D、具有強腐蝕性答案：D280.壓敏電阻主要的性能參數(shù)有()。A、壓敏電壓B、殘壓比C、非線性系數(shù)D、漏電流答案：A281.磷酸三鈣作為生物可降解陶瓷的主要缺點是()。A、有毒副作用B、力學(xué)性能不好C、制備成本高D、降解能力不可調(diào)答案：D282.在分析大扇入邏輯門時，內(nèi)部節(jié)點電容變得十分顯著從而不能忽略，四輸入NAND門及其RC模型，所有的NMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為RN，所有的PMOS尺寸相同，它們的等效電阻都為RP，則其傳播延時可以表示為（）。A、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+4C)B、tpHL=0.69Rp(C1+C2+C3+C)C、tpHL=0.69RN(C1+C2+C3+C)D、tpHL=0.69RN(C1+2C2+3C3+C)答案：A283.某場效應(yīng)管的轉(zhuǎn)移特性有特殊的功能，該管為（）。A、P溝道增強型MOS管B、P溝道結(jié)型場效應(yīng)管C、N溝道增強型MOS管D、N溝道耗盡型MOS管答案：D284.從我國歷史和國情出發(fā),社會主義職業(yè)道德建設(shè)要堅持的最根本的原則是().A、人道主義B、愛國主義C、社會主義D、集體主義答案：D285.熱釋電紅外探測器具有()的特點。A、體積小B、寬光譜響應(yīng)C、功耗低D、價格便宜答案：C286.某二極管反向擊穿電壓為150V，則其最高反向工作電壓()。A、略大于150VB、等于75VC、約等于150VD、等于300V答案：B287.某色環(huán)電感的色環(huán)排列是“棕黑黑銀”，此電感的實際電感量和誤差是（）。A、10uH±2%B、10uH±5%C、10uH±10%D、1uH±10%答案：C288.陶瓷的抗壓強度()抗拉強度。A、小于B、大于C、等于D、不確定答案：B289.在設(shè)計大扇入電路時，可以采取多種技術(shù)來降低其電路延時，以下不是降低延時的方法是（）。A、調(diào)整晶體管尺寸B、將關(guān)鍵路徑上的晶體管調(diào)整至靠近門的輸入端C、逐級加大晶體管尺寸D、變換邏輯來減少單個門的輸入信號個數(shù)答案：B290.當(dāng)設(shè)計一個高性能處理器時，我們需要考慮的數(shù)字電路的最基本的指標(biāo)是（）。A、能量B、電路面積C、開關(guān)速度D、功耗答案：C291.當(dāng)溫度升高時，二極管反向飽和電流將()。A、增大B、減小C、不變D、等于零答案：A292.人員密集場所應(yīng)劃定安全疏散逃生責(zé)任區(qū),確定各責(zé)任區(qū)（）,提高組織引導(dǎo)人員疏散和逃生的能力。A、治安管理員B、疏散引導(dǎo)員C、消防安全員D、消防志愿者答案：B293.對于陶瓷而言，以下()溫度點的溫度最低。A、熔點B、液相線溫度C、燒結(jié)溫度D、沸點答案：C294.現(xiàn)需要一種大容量且精度要求不高的電容器，應(yīng)該選用以下的（）。A、電容B、鋁電解電容C、滌綸電容D、云母電容答案：B295.氧化鋁陶瓷用于哪些領(lǐng)域()。A、制造機械零件B、電子器件C、耐火材料D、耐磨答案：C296.以下哪種方法不能減小CMOS反相器的傳播延時（）。A、減小擴散電容和互連線的電容B、增大輸入電壓VinC、適當(dāng)增加晶體管的W/LD、適當(dāng)增大VDD答案：B297.電動機在額定工作狀態(tài)下運行時,（）的機械功率叫額定功率。A、允許輸出B、允許輸入C、推動電機D、降低啟動電壓答案：A298.互補輸出級采用射極輸出方式是為了使()。A、電壓放大倍數(shù)高B、輸出電流小C、輸出電阻增大D、帶負載能力強答案：D299.ZnO在軟磁鐵氧體中有()等作用。A、提高燒結(jié)溫度B、提高損耗C、提高居里溫度D、提高磁化強度答案：B300.二極管的反向飽和峰值電流隨環(huán)境溫度的升高而（）。A、增大B、減小C、不變D、為0答案：A301.下面關(guān)于MOSFET電容不正確的是：()。A、橫向擴散xd是由工藝決定的，習(xí)慣上把它與每單位面積的柵氧電容相乘得到每單位晶體管寬度的覆蓋電容。B、柵至溝道的電容CGC的大小以及它的劃分取決于工作區(qū)域和端口電壓。C、結(jié)電容是由正向偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的。D、避免電路工作在閾值電壓附近可以使線性電容具有較好特性。答案：C302.D2均為硅管（正向壓降0.7V)，D為鍺管（正向壓降0.3V)，U＝6V，忽略二極管的反向電流，則流過D1、D2的電流分別為（）。A、2mA，2mAB、0，2mAC、2mA，0D、1mA，0答案：B303.用萬用表測量1.9k的電阻，檔位應(yīng)該選擇（）。A、2kB、15kC、5kD、1k答案：A304.發(fā)光二極管正常工作時，外加()電壓。A、弱向B、擊穿C、交流D、正向答案：C305.下列關(guān)于降低CMOS反相器的降低電源電壓說法錯誤的是（）。A、降低電源電壓使反相器對外部噪聲源更加敏感。B、降低電源電壓意味著減小信號擺幅和能耗。C、降低電源電壓的同時會使門的延時減小。D、降低電源電壓可以幫助減小系統(tǒng)的內(nèi)部噪聲。答案：C306.假設(shè)CMOS反相器的等效負載電容CL對于由高至低以及由低至高的翻轉(zhuǎn)是完全一樣的，Reqp和Reqn分別是PMOS管和NMOS管在所關(guān)注時間內(nèi)的等效導(dǎo)通電阻，則反相器的傳播延時定義為（）。A、tp=0.69ReqnCitpB、tp=0.69ReqpCitpC、tp=0.69(Reqn+Reqp)Ci/2tpD、tp=0.69(Reqn+Reqp)CL答案：C307.在本征半導(dǎo)體中加入()元素可形成N型半導(dǎo)體。A、四價B、六價C、三價D、五價答案：D308.氣敏陶瓷的主要應(yīng)用領(lǐng)域是()。A、氣體的分類B、氣體的吸附C、氣體的檢測D、氣體的提純答案：C309.絕緣材料的耐熱等級為E級時,其極限工作溫度為（）℃。A、90B、100C、120D、3答案：C310.氧化物基金屬陶瓷特性()。A、熱穩(wěn)定性B、抗氧化性C、抗熱振性D、抗腐蝕性答案：C311.一個穩(wěn)定電壓UZ=3V的穩(wěn)壓管，隨溫度的升高，穩(wěn)定電壓UZ將（）。A、升高B、不變C、降低D、為零答案：C312.晶體管共發(fā)射極輸出特性常用一族曲線表示，其中每一條曲線對應(yīng)一個特定的()。A、iEB、iCC、iBD、uCE答案：C313.直流電壓表測得放大電路中某三極管各管腳電位分別是2V、6V、2.7V，則三個電極分別是()。A、（B、C、E）B、（C、B、E）C、（E、C、B）D、A、B、C均可答案：C314.對放大電路進行調(diào)試，靜態(tài)主要測試（）參數(shù)。A、放大倍數(shù)B、靜態(tài)工作點C、輸入電阻D、輸出電阻答案：B315.人體消化道不包括：（）。A、口腔B、咽C、氣管D、食管答案：C316.以下描述的是微波燒結(jié)的優(yōu)點，正確的是()。A、整體加熱B、選擇性加熱C、溫度梯度從內(nèi)到外D、快速加熱答案：D317.關(guān)于一對串聯(lián)反相器中的寄生電容，電容的大小隨著工藝尺寸的縮小而增加的是（）。A、擴散電容CDB1和CDB2B、柵漏電容CGD12C、扇出的柵電容CG3和CG4D、連線電容CW答案：D318.在Si-Na2O-V2O5系濕敏電阻中，Si的作用是()。A、吸附水分B、燒結(jié)助劑C、提高壽命D、產(chǎn)生半導(dǎo)體效應(yīng)答案：D319.在使用電容器時，加在其兩端的電壓應(yīng)滿足（）額定電壓。A、大于B、遠高于C、小于D、無限制答案：C320.以下具有較低韌性的氧化鋯陶瓷是()。A、TZPB、ZTAC、FSZD、PSZ答案：C321.直接耦合放大電路存在零點漂移的原因主要是()。A、電阻阻值有誤差B、晶體管參數(shù)的分散性C、晶體管參數(shù)受溫度影響D、受輸入信號變化的影響答案：C322.對裂變的鏈?zhǔn)椒磻?yīng)加以控制，使核能平穩(wěn)緩慢地釋放出來的裝置叫()。A、原子彈B、氫彈C、核電站D、核反應(yīng)堆答案：D323.穩(wěn)壓管反向擊穿后，其后果為（）。A、永久性損壞B、只要流過穩(wěn)壓管電流不超過規(guī)定值允許范圍，管子無損C、由于擊穿而導(dǎo)致性能下降D、擊穿后損壞答案：B324.晶體管構(gòu)成的三種放大電路中，沒有電壓放大作用但有電流放大作用的是()。A、共集電極接法B、以上都不是C、共基極接法D、共發(fā)射極接法答案：B325.以下()屬于電介質(zhì)陶瓷。A、熱釋電體B、壓電體C、介電體D、鐵電體答案：D326.碳材料作為惰性生物材料的優(yōu)點有()。A、密度低B、韌性高C、硬度低D、模量低答案：A327.邁斯納效應(yīng)產(chǎn)生的條件是溫度()臨界溫度A、低于B、等于C、遠高于D、高于答案：A328.與甲類功率放大方式相比，乙類互補對稱功放的主要優(yōu)點是()。A、不用輸出變壓器B、不用輸出端大電容C、效率高D、無交越失真答案：C329.互補CMOS門中，M1與M2管為相同尺寸與同一工藝條件制造的NMOS晶體管，則M1管的閾值電壓Vth1與M2管的電壓Vth2的關(guān)系是（）。A、Vth1=Vth2B、Vth1C、確定D、Vth1>Vth2答案：B330.穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在()狀態(tài)。A、正向?qū)˙、反向截止C、飽和D、飽和答案：D331.一般將（）V的電壓作為安全電壓。A、36B、12C、500D、220答案：A332.某電阻的色環(huán)排列是“綠藍黑棕棕”，此電阻的實際阻值和誤差是（）。A、5600KΩ±5%B、5.6KΩ±1%C、5600KΩ±1%D、5.6KΩ±5%答案：B333.鐵氧體的主要成分包括()。A、氧化鐵B、金屬鐵C、鐵的復(fù)合氧化物D、金屬鐵和鐵的復(fù)合氧化物答案：C334.煤、石油以及風(fēng)能、太陽能、核能、地?zé)崮艿仁强梢灾苯訌淖匀唤绔@得的，統(tǒng)稱為（）。A、二次能源B、一次能源C、可再生能源D、不可再生能源答案：B335.測得三極管IB=30μA時，IC=2.4mA；IB=40μA時，IC=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為()。A、60B、82C、104D、50答案：A336.生物陶瓷用于以下哪些領(lǐng)域()。A、醫(yī)療器械B、導(dǎo)電器C、金屬探測器D、人工骨骼答案：A337.相比較生物活性玻璃，生物活性玻璃陶瓷()。A、強度更大B、毒性更小C、成本更低D、活性更好答案：A338.陶瓷的有（）的性能特點。A、熔點高B、硬度大C、耐磨損D、價格昂貴答案：A339.集成運放電路采用直接耦合方式是因為()。A、可獲得較高增益B、可使溫漂變小C、在集成工藝中難于制造大電容D、可以增大輸入電阻答案：C340.下面關(guān)于優(yōu)化功耗規(guī)則的說法錯誤的是：()。A、短路電流功耗可以通過使輸入和輸出信號的上升/下降時間匹配來達到最小。B、對于一個給定的反相器尺寸，當(dāng)負載電容太小時，功耗主要來自短路電流。C、對于非常大的負載電容值，所有的功耗都用來充電和放電負載電容。D、使一個門的輸入和輸出上升時間相等可以得到最優(yōu)的結(jié)果。答案：D341.當(dāng)晶體三極管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏時，則晶體三極管的集電極電流將()。A、減少B、增變C、幾乎為零D、反向答案：C342.溫度穩(wěn)定性最好的穩(wěn)壓管是（）。A、穩(wěn)定電壓UZ=6V的管子B、穩(wěn)定電壓UZ>6V的管子C、穩(wěn)定電壓UZD、穩(wěn)定電壓UZ答案：A343.以下不是助焊劑的作用的是（）。A、使焊點美觀B、除去氧化膜C、防止氧化D、增大表面張力答案：D344.通用型集成運放的輸入級采用差動放大電路，這是因為它的（）。A、輸入電阻高B、輸出電阻低C、共模抑制比大D、電壓放大倍數(shù)大答案：C345.面積較小的門往往較快并消耗()的能量，因為門的總電容常常隨面積的減小而()。A、較少；增大B、較多；增大C、較少；減小D、較多；減小答案：C346.惰性生物陶瓷作為骨關(guān)節(jié)材料時，其硬度()。A、略小于骨骼硬度B、略大于骨骼硬度C、越硬越好D、必須等于骨骼硬度答案：B347.氮化硅陶瓷自增韌的特點來源于其陶瓷中含有()相。A、βB、αC、YD、Σ答案：A348.某電阻的色環(huán)排列是“灰紅黑紅棕”，此電阻的實際阻值和誤差是（）。A、82KΩ±1%B、92KΩ±1%C、822KΩ±5%D、92KΩ±1%答案：A349.電容器在電路中用字母（）表示。A、DB、CC、LcD、B答案：B350.潔凈煤技術(shù)，是指從煤炭()的全過程，旨在減少污染物排放與提高利用效率的生產(chǎn)、加工、轉(zhuǎn)化、燃燒及污染控制等新技術(shù)體系。A、生產(chǎn)到使用的各個環(huán)節(jié)B、開采到利用的各個環(huán)節(jié)C、消費到回收的各個環(huán)節(jié)D、生產(chǎn)到消費的各個環(huán)節(jié)答案：B351.電壓繼電器使用時其吸引線圈直接或通過電壓互感器（）在被控電路中。A、并聯(lián)B、串聯(lián)C、串聯(lián)或并聯(lián)D、燈泡不亮答案：A352.用CMOS管組合的兩輸入NAND門，若其中NMOS管的等效電阻為RN，PMOS管的等效電阻為RP，電容負載為CL，則當(dāng)兩輸入都為高電平時其下拉傳播延時可以近似為（）。A、0.69RNCLB、1.38RNCLC、0.69RPCLD、0.345RNCL答案：B353.地震時經(jīng)常會遇到燃氣泄露的情況，請問這種情況下正確的處理方法是()。A、用濕毛巾捂住口、鼻，不使用明火，震后設(shè)法轉(zhuǎn)移B、原地等待救援C、用濕毛巾捂住口、鼻，使用蠟燭照明D、為了保持呼吸暢通，不捂口鼻答案：A354.地面上的絕緣油著火，應(yīng)用進行滅火。A、水B、二氧化碳滅火器C、干砂D、風(fēng)答案：C355.非鐵電電容器的介電常數(shù)隨著溫度的變化呈現(xiàn)()的趨勢。A、非線性變化B、不可預(yù)知C、線性變化D、保持不變答案：C356.單極型半導(dǎo)體器件是（）。A、二極管；B、雙極型三極管；C、場效應(yīng)管；D、半導(dǎo)體二極管答案：C357.電感器在實際使用中采用的基本單位是（）。A、HB、uHC、mHD、pH答案：B358.警告標(biāo)志的含義是提醒人們對周圍環(huán)境引起注意，以避免可能發(fā)生危險的圖形標(biāo)志。通常的外型是（）。A、帶斜杠的圓形框B、圓形邊框C、正三角形邊框D、五角型答案：C359.用滅火器滅火時，滅火器的噴射口應(yīng)該對準(zhǔn)火焰的（）。A、上部B、中部C、根部D、頂部答案：C360.為了使三極管可靠地截止，電路必須滿足()。A、發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏B、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都反偏C、發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)正偏D、發(fā)射結(jié)和集電結(jié)都正偏答案：B361.關(guān)于CMOS反相器的開關(guān)閾值VM，下列說法錯誤的是（）。A、提高NMOS的驅(qū)動強度將使開關(guān)閾值趨近于GND。B、開關(guān)閾值取決于PMOS和NMOS管相對驅(qū)動強度的比。C、一般希望開關(guān)閾值處于電壓擺幅的中點。D、增加PMOS或NMOS的寬度使VM分別向GND或VDD移動。答案：D362.納米技術(shù)是指在()尺度范圍內(nèi)研究電子、原子、分子和分子內(nèi)在規(guī)律及特征，并用于制造各種特種的一門綜合性科學(xué)技術(shù)。A、0.1--10nmB、0.1--10nmC、1--100nmD、1--100μm答案：C363.敏感陶瓷的通常是由()制成。A、陶瓷片B、隔膜材料C、電感元器件D、半導(dǎo)體答案：D364.濕度傳感器的電阻值隨環(huán)境濕度變化的關(guān)系特性曲線，稱為()。A、響應(yīng)時間B、感濕特性C、濕滯特性D、阻濕特性答案：B365.食物中毒后正確的做法是：（）。A、聯(lián)系急救B、不緊不慢C、在家醫(yī)治D、聽天命答案：A366.固相合成法過程中，經(jīng)過高溫反應(yīng)后通常還需進行()的工藝處理。A、碎屑B、球磨C、磁性陶瓷D、化學(xué)性陶瓷答案：B367.放大電路的三種組態(tài)()。A、都有功率放大作用B、都有電壓放大作用C、都有電流放大作用D、只有共射極電路有功率放大作用答案：A368.導(dǎo)電陶瓷的特點包括()。A、抗氧化B、抗磨損C、抗輻射D、抗腐蝕答案：A369.下面關(guān)于導(dǎo)線電阻的說法錯誤的是：()。A、一矩形導(dǎo)體的長為L，截面積為A，ρ為電阻率，則其電阻可以表示為R=ρL/AB、一個方塊導(dǎo)體的電阻與它的絕對尺寸無關(guān)，導(dǎo)線電阻與方塊電阻的關(guān)系是，R=Rs?L/W。C、與如銅這樣的材料相比，鋁的電阻率較小，所以集成電路中最常用的互連材料是鋁。D、導(dǎo)線的方塊電阻可以表示為Rs=ρ/H。也叫做薄層電阻。答案：C370.以下哪個不是降低開關(guān)活動性的設(shè)計技術(shù)：()。A、分時復(fù)用資源B、提前輸入具有較高翻轉(zhuǎn)率的信號C、改變邏輯電路的拓撲結(jié)構(gòu)D、通過均衡信號路徑來減少毛刺答案：B371.準(zhǔn)備測量數(shù)字電路中輸入和輸出共6路信號，選用（）儀器最好。A、四通道示波器B、邏輯分析儀C、數(shù)字萬用表D、兩通道示波器答案：B372.PNP型和NPN型晶體管，其發(fā)射區(qū)和集電區(qū)均為同類型半導(dǎo)體（N型或P型）。所以在實際使用中發(fā)射極與集電極（）。A、可以調(diào)換使用B、不可以調(diào)換使用C、PNP型可以調(diào)換使用，NPN型則不可以調(diào)換使用D、可以調(diào)試答案：B373.鐵電體在居里溫度以上的相屬于()。A、順電相B、逆電相C、無電相D、鐵電相答案：A374.與國外相比，我國生物質(zhì)能技術(shù)存在較大的差距，但不包括()。A、生物燃料的規(guī)?；a(chǎn)方面B、秸稈直接燃燒供熱技術(shù)研究和設(shè)備開發(fā)方面C、厭氧消化產(chǎn)氣率方面D、生物質(zhì)發(fā)電技術(shù)和裝置方面答案：A375.負反饋所能抑制的干擾和噪聲是()。A、輸入信號所包含的干擾和噪聲B、反饋環(huán)內(nèi)的干擾和噪聲C、反饋環(huán)外的干擾和噪聲D、輸出信號中的干擾和噪聲答案：B376.固相中形成超微粉體的好處()。A、成本低B、工藝簡單C、散熱好D、耐磨性最強答案：A377.從制造角度考慮,低壓電器是指在交流50HZ、額定電壓（）V或直流額定電壓1500V及以下電氣設(shè)備。A、400B、800C、1000D、600答案：C378.某色環(huán)電感的色環(huán)排列是“黃紫金銀”，此電感的實際電感量和誤差是（）。A、47uH±10%B、47uH±5%C、4.7uH±2%D、47uH±5%答案：B379.當(dāng)使用互補CMOS門實現(xiàn)一個具有N個輸入的邏輯門時，所需要的晶體管數(shù)目為（）個。A、2NB、2N+1C、4ND、N答案：A380.以下()是世界知名的電功能陶瓷的生產(chǎn)企業(yè)。A、TOTOB、FERROC、TDKD、京瓷答案：B381.對于可降解生物陶瓷，其降解速度最好()骨生長速度。A、等于B、約于C、大于D、無所謂答案：A382.用45S5作為骨連接材料是，一旦發(fā)生斷裂，其斷裂位置位于()。A、45S5上B、兩者界面上C、隨機出現(xiàn)D、人體骨骼上答案：A383.下列屬于不屬于新能源（）A、地?zé)崮蹷、風(fēng)能C、水能D、生物質(zhì)能答案：C384.鐵殼開關(guān)在作控制電機啟動和停止時,要求額定電流要大于或等于（）倍電動機額定電流。A、兩B、一C、三D、四答案：A385.設(shè)某晶體管三個極的電位分別為UE=13V，UB=12.3V，UC=6.5V，則該管是為（）。A、PNP型鍺管B、NPN型鍺管C、PNP型硅管D、NPN型硅管答案：D386.風(fēng)力發(fā)電技術(shù)已經(jīng)走向成熟，下列關(guān)于全球風(fēng)電裝機容量前五位的國家排序正確的是()。A、德國、西班牙、美國、丹麥、印度B、美國、德國、中國、日本、丹麥C、美國、西班牙、德國、中國、印度D、德國、中國、西班牙、印度、丹麥答案：A387.以下可以作為微波器件的是()。A、軟磁鐵氧體B、矩磁鐵氧體C、旋磁鐵氧體D、硬磁鐵氧體答案：C388.標(biāo)識為473的貼片電容，其容值應(yīng)該是()。A、47?102pFB、47?103pFC、47.3pFD、473pF答案：B389.陶瓷有()的性能特點。A、硬度大B、彈性好C、韌性大D、熔點高答案：D多選題1.半導(dǎo)體分立器件的散熱方式主要有？A、自然散熱B、強制風(fēng)冷C、水冷D、熱管散熱E、半導(dǎo)體制冷答案：ABCD2.在集成電路封裝過程中，常見的封裝形式有？A、DIP（雙列直插式封裝）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、COB（板上芯片封裝）E、TO（晶體管輪廓封裝）答案：ABCD3.下列哪些參數(shù)是評估半導(dǎo)體分立器件性能的重要指標(biāo)？A、反向擊穿電壓B、正向?qū)▔航礐、電流放大倍數(shù)D、封裝尺寸E、頻率響應(yīng)答案：ABCE4.以下哪些設(shè)備是半導(dǎo)體分立器件和集成電路裝調(diào)過程中常用的？A、晶圓切割機B、封裝機C、測試機D、顯微鏡E、燒結(jié)爐答案：ABCD5.集成電路封裝過程中的金絲球焊（WireBonding）主要用于哪些連接？A、芯片與引腳框架B、芯片與封裝基板C、封裝基板與引腳D、封裝基板與散熱片E、不同芯片之間的連接答案：AB6.下列哪些材料常用于集成電路的互連層？A、鋁B、銅C、硅D、金E、鎢答案：ABDE7.以下哪些屬于集成電路微系統(tǒng)組裝的關(guān)鍵技術(shù)？A、精密定位與對準(zhǔn)B、微焊接技術(shù)C、三維封裝技術(shù)D、可靠性測試與篩選E、電磁兼容性設(shè)計答案：ABCD8.集成電路按功能可分為哪幾類？A、數(shù)字集成電路B、模擬集成電路C、混合信號集成電路D、微處理器E、存儲器答案：ABC9.集成電路微系統(tǒng)組裝中，常用的連接技術(shù)有哪些？A、焊接（如引線鍵合、倒裝芯片焊接）B、壓接C、粘接（如環(huán)氧樹脂粘接）D、螺接E、插接答案：ABC10.在半導(dǎo)體分立器件和集成電路的篩選過程中，常用的無損檢測技術(shù)包括？A、X射線檢測B、紅外熱成像C、超聲波掃描D、激光掃描顯微鏡E、電氣性能測試答案：ABCD11.半導(dǎo)體材料的基本特性包括哪些？A、導(dǎo)電性介于導(dǎo)體和絕緣體之間B、具有熱敏性C、具有良好的光學(xué)特性D、可通過摻雜改變導(dǎo)電類型E、具有良好的機械強度答案：ABD12.半導(dǎo)體分立器件的主要類型包括哪些？A、二極管B、三極管C、集成電路D、晶閘管E、場效應(yīng)管答案：ABDE13.在集成電路裝調(diào)過程中，需要關(guān)注的環(huán)境因素有？A、靜電防護B、溫度與濕度控制C、潔凈度D、振動與沖擊E、電磁干擾答案：ABCE14.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測試通常包括哪些類型的測試？A、高溫老化測試B、溫度循環(huán)測試C、濕度偏置測試D、靜電放電測試E、輻射測試答案：ABCD15.集成電路封裝過程中需要控制的參數(shù)包括？A、引腳共面性B、封裝體尺寸C、濕度敏感性等級（MSL）D、焊接強度E、內(nèi)部缺陷檢測答案：ABDE16.下列哪些因素會影響集成電路的封裝質(zhì)量？A、封裝材料的選擇B、封裝工藝的控制C、封裝環(huán)境的潔凈度D、封裝后的測試方法E、封裝前的清洗工藝答案：ABCE17.半導(dǎo)體分立器件中，具有負溫度系數(shù)的器件是？A、硅二極管B、鍺二極管C、齊納二極管D、熱敏電阻E、光電二極管答案：AB18.在集成電路測試中，故障定位與隔離的方法包括？A、邊界掃描技術(shù)B、紅外熱成像C、邏輯筆測試D、掃描鏈測試E、故障模擬與仿真答案：ADE19.半導(dǎo)體分立器件中的PIN二極管主要用于哪些應(yīng)用？A、射頻開關(guān)B、整流器C、穩(wěn)壓器D、光電探測器E、振蕩器答案：AD20.半導(dǎo)體分立器件的封裝形式主要有？A、TO系列（如TO-92,TO-220）B、SOP（小外形封裝）C、BGA（球柵陣列封裝）D、IP（雙列直插封裝）E、QFN（方形扁平無引腳封裝）答案：ADE21.半導(dǎo)體分立器件的測試通常包括哪些階段？A、晶圓測試B、封裝前測試C、成品測試D、可靠性測試E、老化測試答案：BCDE22.集成電路設(shè)計中的EDA工具主要支持哪些設(shè)計階段？A、需求分析B、原理圖設(shè)計C、仿真驗證D、布局布線E、物理驗證答案：BCDE23.下列哪些因素會影響半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性能？A、溫度B、摻雜濃度C、光照D、機械壓力E、磁場答案：ABC24.半導(dǎo)體分立器件和集成電路測試中的靜態(tài)參數(shù)測試包括？A、輸入輸出電壓B、功耗C、延遲時間D、擊穿電壓E、增益答案：ABD25.半導(dǎo)體分立器件的可靠性測試通常包括哪些內(nèi)容？A、高溫存儲測試B、溫度循環(huán)測試C、濕度測試D、靜電放電測試E、輻射測試答案：ABCDE26.在半導(dǎo)體分立器件的篩選過程中，常用的篩選方法有哪些？A、視覺檢查B、電氣測試C、X射線檢查D、紅外熱成像E、激光掃描答案：ABC27.以下哪些是影響集成電路封裝可靠性的因素？A、封裝材