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文檔簡介

化學(xué)橫向科研參數(shù)序號貨物名稱數(shù)量詳細配置1旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極測試系統(tǒng)1臺一、旋轉(zhuǎn)圓盤電極裝置:

*1.轉(zhuǎn)速:50-10000rpm,電機功率0.02馬力,采用銀碳刷接觸連接;2.顯示誤差為1%;3.控制:分體控制,可拆式結(jié)構(gòu),方便置入手套箱。具有信號輸入/輸出接口,可通過輸入外部信號(來自電化學(xué)工作站)控制轉(zhuǎn)速;可將轉(zhuǎn)速信號輸出至測試設(shè)備(示波器)或用來控制其它設(shè)備;4.防爆:最新防爆設(shè)計,保證人身與設(shè)備安全;5.旋轉(zhuǎn)桿:長度>150mm適用于各種電解池,方便與其它儀器聯(lián)用,還有不同型號旋轉(zhuǎn)桿供不同研究使用;*6.旋轉(zhuǎn)玻碳盤電極:5mm的盤直徑,最高轉(zhuǎn)速為2500rpm。材質(zhì):GC,盤電極直徑:5.0mm,電極外徑:15mm;*7.盤環(huán)電極:外螺紋設(shè)計,接觸更好,信號傳輸穩(wěn)定。有特氟龍與PEEK兩種材料,適應(yīng)不同應(yīng)用。盤環(huán)間隙≤320μm。盤環(huán)尺寸精度:0.01mm;8.雙接點參比電極:外層溶液為10%KNO3(質(zhì)量百分比),內(nèi)層溶液為飽和KCl凝膠;9.鉑對電極:鉑絲對電極:鉑絲純度99.99%;電極長度~30cm;10.電解池:玻璃電解池和若干密封塞子;11.通氣裝置:可與旋轉(zhuǎn)桿配合使用,材質(zhì)應(yīng)為PEEK;12.標準:歐盟CE認證;13.服務(wù)要求:應(yīng)提供原廠認可的安裝、培訓(xùn)服務(wù)。

雙恒電位儀要求:

1、電源要求:24.0VDC(±5%),4A(低電壓直流設(shè)備)2、電源適配器:100to240VAC,2.3A,50to60Hz3、環(huán)境溫度:10℃to40℃4、掃描速率:10μV/secto125V/sec5、電流測試范圍:100pAto1.0A6、電壓測試范圍::±10.0V,±2.5V7、有8段電位轉(zhuǎn)換:From100nA/Vto1A/V8、輸入阻抗:>1013Ωinparallelwith<10pF9、微信號發(fā)生器帶寬:>11MHz(3dB)10、DAC輸出:16bits11、測試方法:包括循環(huán)伏安法(CV),方波循環(huán)伏安法,脈沖法,以及電池充放電測試等。

12、雙工作電極測試技術(shù)包括旋轉(zhuǎn)圓盤圓環(huán)電極法,微流體產(chǎn)生/采集實驗,交叉陣列(IDA)方法,可以在一個容器中同時控制兩個工作電極等,同時為每個工作電極提供激勵信號并同時測量電流和電位。

13、其應(yīng)用和測量電位達到±10VDT,電流從±1安培到幾個皮安,并支持IR補償。軟件:支持軟件控制旋轉(zhuǎn)圓盤電極裝置的轉(zhuǎn)速。主機有模擬電壓輸入/輸出接口和同步信號接口,可與其它儀器聯(lián)用。通過USB接口與電腦連接。

2顯微共聚焦拉曼光譜儀1臺1.1激光光源1.1.1532nm激發(fā)波長,激光器功率不低于50mW。

1.1.2632.8nm激發(fā)波長,激光器功率不低于17mW。

1.1.3785nm激發(fā)波長,激光器功率不低于280mW(需提供技術(shù)證明文件)。

1.1.4要求必須具備用戶現(xiàn)場升級紫外及深紫外激發(fā)波長功能(需提供技術(shù)證明文件)。

1.1.5不同激發(fā)波長采用獨立的,按波長獨立優(yōu)化的激光入射光路,以保證每個波長均有最優(yōu)的通光效率,避免互相影響(需提供技術(shù)證明文件)。

1.1.6要求必須配置激光擴束器,使得激光光斑尺寸連續(xù)可調(diào),并能連續(xù)改變到樣品上的激光功率密度,以方便信號弱且怕燒樣品的檢測,并使二維直接成像功能得以實現(xiàn)(需提供技術(shù)證明文件)。

1.1.7各波長均使用兩片Edge瑞利濾光片和一片用于去除等離子線的干涉濾光片,儀器阻擋激光瑞利散射水平好于1014(需提供技術(shù)證明文件)。

檢驗標準:使用表面拋光的單晶硅做樣品,同時觀測激光線和硅拉曼峰(520cm-1),位于0cm-1的激光線強度小于硅-520強度的1/120,X50或X100倍物鏡,狹縫大小為正常實驗狀態(tài)。

1.2光譜儀1.2.1*為保證儀器的高通光效率和高靈敏度,采用先進的自動聚焦透射式光譜儀,無色差,無像差,光譜儀焦長250mm(需提供技術(shù)證明文件)。

1.2.2系統(tǒng)總通光效率大于30%。

1.2.3激光入射光路通光效率大于40%。

1.2.4光譜范圍:200nm到1100nm,全光譜范圍內(nèi)支持3種掃描模式,全光譜范圍內(nèi)可快速連續(xù)掃描,無接譜。

532nm激發(fā)波長,光譜范圍:50-9000cm-1632.8nm激發(fā)波長,光譜范圍:50-6000cm-1785nm激發(fā)波長,光譜范圍:50-3500cm-11.2.5光譜分辨率:全譜段好于1cm-1,根據(jù)需要最高可達0.5cm-1(需提供技術(shù)證明文件)。

檢驗標準:使用氖燈作為信號源,大于等于1800線高分辨光柵,測試17086ABScm-1發(fā)光線,其半高全寬小于1cm-1。

1.2.6光譜重復(fù)性:≤±0.02cm-1(需提供技術(shù)證明文件)。

檢驗標準:使用表面拋光的單晶硅做樣品,采用100×物鏡,重復(fù)不少于40次。觀測硅拉曼峰(520cm-1),520峰中心位置重復(fù)性≤±0.02cm-1。

1.2.7不同波長瑞利濾光片需自動切換,采用三點精確定位技術(shù),轉(zhuǎn)臺需采用光柵尺反饋控制系統(tǒng),確保精度和重復(fù)性,可調(diào)節(jié)濾光片角度,優(yōu)化低波數(shù)性能(需提供技術(shù)證明文件)。

1.2.8*高分辨率光柵,軟件控制自動轉(zhuǎn)換。采用光柵尺反饋控制系統(tǒng)控制光柵的精確定位,重復(fù)性好(需提供技術(shù)證明文件)。

1.2.9高靈敏度:在高光譜分辨率條件下,硅三階峰(約在1440cm-1)的信噪比好于25:1,并能觀察到四階峰(需提供技術(shù)證明文件)。

檢測條件:使用單晶硅片,波長532nm,激光輸出功率20mW,狹縫寬度(或針孔)<=50微米,使用大于等于1800線高分辨光柵,積分時間300秒,binning等于1,顯微鏡頭為X100倍。

1.2.10CCD探測器:應(yīng)使用紫外和近紅外同時增強型CCD探測器,在近紅外和紫外部分量子效率明顯增強,有些部分效率提高2-3倍。1024x256像元,優(yōu)質(zhì)芯片,半導(dǎo)體制冷到-70oC。量子效率:在650nm處>50%,在300nm處>30%,讀出噪音(<3-7/e-/pixel),暗噪音(<0.002e-/pixel/s)(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3智能控制功能1.3.1切換波長時,采用計算機控制全自動切換(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3.2自動準直激光到樣品的激發(fā)光路、樣品至探測器的拉曼信號傳遞光路(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3.3自動定期儀器狀態(tài)校準、并自動調(diào)節(jié)準直光路,保證儀器最佳性能狀態(tài);廠家工程師在必要時可通過互聯(lián)網(wǎng)實現(xiàn)遠程自動調(diào)整及優(yōu)化(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3.4自動拉曼信號強度校正功能:內(nèi)置標準白光光源,軟件自動校準拉曼光強度,消除不同波長信號的響應(yīng)差異(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3.5自動波長校準功能:內(nèi)置標準氖燈光源,自動實現(xiàn)全光譜自動校準,保證光譜峰位準確度(需提供技術(shù)證明文件)。

1.3.6拉曼信號采集模式與白光照明模式自動切換(需提供技術(shù)證明文件)。

1.4共焦技術(shù)1.4.1須采用新型共焦顯微技術(shù)(數(shù)字化控制CCD區(qū)

域),以避免儀器的不穩(wěn)定性和復(fù)雜的光路調(diào)整,且保證儀器高靈敏度(需提供技術(shù)證明文件)。

1.4.2軟件控制共焦孔徑大小,在10-1000m范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。

1.4.3軟件控制自動調(diào)整狹縫大小,在10-1000m范圍內(nèi)連續(xù)可調(diào)。

1.4.4空間分辨率:在x100倍鏡頭下,橫向分辨率<0.5微米,光軸方向縱向分辨率<2微米,共焦深度連續(xù)可調(diào)(需提供技術(shù)證明文件)。

1.5共焦顯微系統(tǒng)*高穩(wěn)定性研究級徠卡顯微鏡(需提供技術(shù)證明文件)。

10X原裝目鏡,5X、20X、50X、100X和長焦50X物鏡。

反射及透射柯勒照明。

彩色攝像頭,可在計算機上顯示存儲圖像。

1.6計算機及彩色激光打印機世界著名廠家生產(chǎn),3.1GHz,4GBRAM,500GB硬盤,DVD-RW刻錄機,100M網(wǎng)卡,27英寸液晶顯示器,Windows7操作系統(tǒng),可觀察和存儲顯微鏡下的白光像。Windows下光譜專業(yè)軟件包-包括儀器控制、數(shù)據(jù)采集、計算和處理及曲線擬合等各項功能。

1.7數(shù)據(jù)庫(譜庫數(shù)量>5000張)可進行譜庫搜索。

可進行混合物搜索。

可建立新光譜庫。

包含無機礦物數(shù)據(jù)庫。

包含有機高分子數(shù)據(jù)庫。

1.8高精度三維拉曼掃描成像樣品臺最小步長為0.1微米。

XY自動平臺,掃描范圍:X≥100毫米,Y≥70毫米(需提供技術(shù)證明文件)。

帶手動操作鼠標球,可軟件自動控制驅(qū)動。

可對樣品測量部位自動定位并進行拉曼成像,采用光柵尺反饋控制系統(tǒng)自動控制克服反向間隙,保證原始點的重復(fù)性(需提供技術(shù)證明文件)。

用軟件可連接攝像頭采集圖像,擴展了顯微鏡的視場,也可使自動平臺的掃描區(qū)域擴大。

包括自動聚焦軟件及軟件。

1.9高空間分辨率快速拉曼掃描成像技術(shù)配合快速掃描自動樣品臺,最小步長0.1微米。

快速實時拉曼成像控制及數(shù)據(jù)處理軟件包。

多變量化學(xué)統(tǒng)計數(shù)據(jù)分析軟件包。

拉曼圖象分辨率高,可達250nm(需提供技術(shù)證

明文件)。

最短積分時間≤10ms。

1.103D快速成像技術(shù)立體地收集并顯示透明材料內(nèi)部的拉曼數(shù)據(jù)。

快速實時拉曼成像控制及數(shù)據(jù)處理軟件包。

完整的顯示樣品的3D立體拉曼圖象。

本儀器還須具備下列功能擴展能力(需提供技術(shù)白皮書):

與原子力顯微鏡/近場光學(xué)顯微鏡聯(lián)用(RAMAN/AFM/NSOM),并無需對拉曼光譜儀做任何改造。

與掃描電鏡(電子探針,能譜,陰極熒光)聯(lián)用(SEM/RAMAN)。

與激光共焦顯微鏡聯(lián)用(RAMAN/LCSM),并無需對拉曼光譜儀做任何改造。

可升級到采用窄帶慮光片技術(shù)的拉曼光譜二維直接成像。

1.11光鑷附件由光鑷將單個活細胞或細胞器長時間固定在焦點附近,進行拉曼光譜分析。

用拉曼光鑷系統(tǒng)實時監(jiān)測單個活細胞或細胞器的生命過程。

3X射線光電子能譜儀1臺1.真空系統(tǒng):

*1.1分析室:真空度優(yōu)于6.0×10-8Pa;1.2進樣及樣品處理室:真空度應(yīng)優(yōu)于7.0×10-7Pa1.3進樣及樣品處理室不可與分析腔共用,防止交叉污染;2.多功能樣品停放臺:

2.1可通過鼠標點擊實現(xiàn)樣品臺的移動2.2超高真空監(jiān)測裝置3.單色化X射線源:

3.1射線源類型:單色化AlKαX射線源;3.2激發(fā)X射線源電子槍為LaB6電子槍;*3.3束斑直徑至少在20μm~400μm之間連續(xù)可調(diào),分析面積:≥1400μm×1400μm3.3功率:不高于300W,避免高功率對樣品表面帶來輻照損傷;*3.4單色化光源的陽極靶可移動,在陽極靶更換前應(yīng)可提供不少于20個工作點使用。確保儀器使用過程中,陽極靶無需更換;*3.5能量分辨率和靈敏度(正常工作條件下):對Ag3d5/2峰,半高寬優(yōu)于0.5eV@100kcps;3.6大束斑能量分辨率和靈敏度(正常工作條件

下):對Ag3d5/2峰能量分辨優(yōu)于0.5eV時,計數(shù)率強度高于250kcps;3.7小束斑能量分辨率和靈敏度(正常工作條件下):Ag3d5/2分辨率優(yōu)于0.5eV時,計數(shù)率強度應(yīng)高于500cps。

3.8成像XPS:≤10μm,且在該最小分辨率下,能夠?qū)崿F(xiàn)采譜、成像和深度剖析。

4.能量分析器:

4.1采譜能量分析器:

180ο半球能量分析器4.2平均半徑:不小于150mm4.3能量掃描范圍應(yīng)不小于0~3200eV,確保多功能分析時無需切換分析器;5.探測器:同時完成采譜分析及xps成像。

6.電荷中和系統(tǒng):對PET絕緣樣品,在O-C=O結(jié)構(gòu)中C1s峰能量分辨(FWHM)優(yōu)于0.85eV7.離子槍刻蝕套件7.1離子源:Ar+源;7.2刻蝕模式:單一槍體,單離子模式;7.3;刻蝕能量——100eV~4keV連續(xù)可調(diào)7.4刻蝕電流——最大刻蝕電流高于5μA;8.樣品觀察和調(diào)整:

8.1能清楚觀察樣品圖象,圖像可實時顯示及儲存。分析室需具備觀察視窗兩個,并裝有防X射線玻璃;觀察窗口法線方向需位于水平線以上,以方便觀察。

9.UPS紫外光電子能譜分析(UPS)11.1價帶譜,功函數(shù)測試11.2光源:He紫外光源;11.3能量分辨率:對Ag費米邊,能量分辨率應(yīng)不大于120meV.12.原位高溫高壓氣體反應(yīng)池12.1溫度范圍:恒壓靜態(tài)模式下,加熱溫度大于800℃,氣體流動動態(tài)模式下,加熱溫度大于500℃)12.2采用PID溫控方式,控溫精度優(yōu)于1攝氏度。

12.3加熱器采用陶瓷加熱器,可以耐受腐蝕性氣氛和變溫環(huán)境;12.4配備四路反應(yīng)氣路和一路吹掃氣路,每路進氣口帶質(zhì)量流量計;采用PLC觸摸屏控制流量計;12.5為防止反應(yīng)室過熱,外壁可通入冷卻水冷卻。

13.譜儀控制和數(shù)據(jù)處理:

13.1譜儀控制:譜儀參數(shù)設(shè)置,系統(tǒng)軟件應(yīng)實現(xiàn)可視化操作;分析部件均可通過系統(tǒng)軟件控制;系統(tǒng)軟件具備可視化操作界面,實現(xiàn)對真空泵、閥門、真空規(guī)、離子槍、中和槍以及加熱冷卻等的控制;所有進氣閥門均可通過軟件控制實現(xiàn)自動化開啟和

關(guān)閉;系統(tǒng)軟件內(nèi)置真空安全互鎖控制模塊,可有效禁止真空設(shè)備的誤操作;多功能樣品臺,樣品臺移動可通過鼠標操作實時的光學(xué)像而實現(xiàn),并具有可視化操作界面。

13.2數(shù)據(jù)處理:隨系統(tǒng)計算機一臺,預(yù)裝數(shù)據(jù)采集和處理軟件包數(shù)據(jù)處理方法:定性分析、定量分析、曲線擬合等需具備SMART本底扣除方法。

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