電子物理學(xué)系

WaveAbrikosov這顯然已經(jīng)沒(méi)有疑問(wèn)了，不像在一般二類(lèi)超導(dǎo)，在高溫超導(dǎo)的Abrikosov晶格會(huì)溶化而變成vortex液體在不可忽的相圖的部分再者晶格溶解的密度也很特：它像冰一樣的溶化，液態(tài)比固體密一點(diǎn)，在最近的實(shí)驗(yàn)中Zeldovetal發(fā)現(xiàn)了有一項(xiàng)相當(dāng)令人驚奇的現(xiàn)象：當(dāng)溫度越接近TC的時(shí)相變中的entropyjump越大，在物理想像空間裡，我(同時(shí)A.Sudbo)認(rèn)為vortexloops是一個(gè)有夠的造成這項(xiàng)現(xiàn)象的原因，很多這種vortexrings是在相變中產(chǎn)生的，而它們的entropy都很大，我將計(jì)算（用一般的meanfield和renormalizationgroup場(chǎng)論的方法和我所發(fā)展的dual超導(dǎo)理論）在相變中的magnetization 跟entropyjumps。Svortexd-smixing的（其描述大多數(shù)高溫超導(dǎo)）p波的（其描述”heavyfermion”跟目前所發(fā)現(xiàn)的Sr2RuO4超導(dǎo)）Ginzburg–Landaup波超導(dǎo)體的相變參數(shù)（orderparameter）phasesd,p波對(duì)超導(dǎo)旋渦和旋渦之間的作用之定量化。我將採(cǎi)用timedependentGinzburg–Landauuniversalityclass和transport特性。在”Dustyplasma”目前在幾個(gè)研究（dustyplasma）的實(shí)驗(yàn)中，在電漿裡，發(fā)現(xiàn)了灰塵（dust）粒子的晶格，其中有些晶格結(jié)構(gòu)和想像中的古典Wigner晶格完全不同，雖然 Wigner的晶格有些種類(lèi)，有些晶格的結(jié)構(gòu)還是跟一般的Wigner的晶格（closelypackedbodycenteredface和centeredcubic）完全不同，也很清楚的看到我們採(cǎi)用analylical（大多數(shù)場(chǎng)理論的，例如平均場(chǎng)meanfield）和numerical（moleculardynamics）兩種方法做為研發(fā)相圖和激發(fā)態(tài)（聲子）的spectrum。NSC89-2112-M009-039BandOffset；暫態(tài)能譜分析；功函數(shù)；漏電流MOCVD所成長(zhǎng)之氮化物的電性物理研究。目前此一領(lǐng)域自從本計(jì)畫(huà)開(kāi)始到目前為止，本實(shí)驗(yàn)室氮化鎵的物性研究上已有初步的成V量測(cè)分析其蕭基能障、Richardsoncompensaion的影響。金屬接面的特性、深層能態(tài)的量測(cè)與分析、yelloweson的機(jī)制，以及完整的實(shí)驗(yàn)分析能力等。例如在我們的實(shí)驗(yàn)中我們利用純電性量測(cè)量到了氮化錶中兩個(gè)極深的能階VV的物理特性，PLyelloweson的謎。除此之外，我們K我們下一年度的研究方向如下(一)Schottky接Schottky接面其功函數(shù)不同、漏電流也不同，我們實(shí)驗(yàn)時(shí)可做的範(fàn)圍較廣，而且我們也要利用不同的金屬(Ni,Au,Pd….)Eletricalstrss對(duì)金屬接面的電性影響﹒NativeoxideSchottkydiode的turnonvoltageidealfactor(n)值與barrierhigh(能障高度)(三)AlGaN/InGaN/GaNbandoffset的GaN(AlN)isolationbarrierdiffusioncurrent是否可忽略、one-carrierSCLInN(GaN)與金屬之間作蕭基接面中間I-V、C-V量測(cè)、導(dǎo)納頻譜分析、深層缺陷暫態(tài)頻譜分析等，我們又加入NSC89-2112-M009-024的半徑差異過(guò)大，容易產(chǎn)生相分離（phaseseparate）的現(xiàn)象，這個(gè)現(xiàn)象在氮化鎵TBAsTMGa、TBAsNH3為反應(yīng)源，EDAS來(lái)分析其組成。NSC89-2112-M009-012在第二年氮化鎵半導(dǎo)體雷射整合計(jì)畫(huà)的磊晶子計(jì)畫(huà)中，我們將憑藉以往之p用的(comD機(jī)臺(tái)高度均勻之薄膜成長(zhǎng)的特性，積極開(kāi)發(fā)元件製程(EOG)NSiCNp-nNSC89-2218-E009-002(89N408)計(jì)畫(huà)名稱(chēng)：III-V族氮化物摻雜技術(shù)關(guān)鍵詞：MOCVD系統(tǒng)，針GaN薄膜中的缺陷濃度，對(duì)薄膜品質(zhì)應(yīng)有很大的改善。之後則將等價(jià)電子摻雜技術(shù)運(yùn)用到Multi-layers結(jié)構(gòu)上，我們參考以往在modulationdopingn-typep-type2DEG(2DEG)，在電子元件的製作上為另一非常有利的摻雜方式。利用modulationdoping和δ-doping所產(chǎn)生之高濃度的二維電子氣(2DEG)、二維電洞氣(2DHG)，SiH4為δ-dopingGaN薄膜做一系列的摻雜磊晶參數(shù)變化，並進(jìn)I89037(88.7.1-關(guān)鍵詞：三五族氮化合物；原子力顯微鏡；同步輻射；XX三族氮化物半導(dǎo)體一直是現(xiàn)代高科技產(chǎn)業(yè)極重要的材料，近來(lái)更引起產(chǎn)業(yè)此計(jì)劃主要著重於兩大研究方向:首先是應(yīng)用我們能使用的國(guó)內(nèi)外各種可利用的同步輻射光源，來(lái)照射在氮化物之合金與化合物中的雜質(zhì)原子(摻雜或佈植)X射線(xiàn)吸收頻譜(XAFS)X射線(xiàn)駐波量測(cè)(XSW)等技術(shù)來(lái)研究我們的薄膜樣品。(AFM)件等級(jí)的。在沒(méi)有特定分子層之表面型態(tài)資訊的情況下是幾乎不可能來(lái)進(jìn)行XSW實(shí)驗(yàn)研究的。而在缺乏有關(guān)零維度量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)之分離與簇結(jié)的情況下，無(wú)NSC89-2112-M009-013計(jì)畫(huà)名稱(chēng)：II-VI族稀磁性半導(dǎo)體之研究與凝體物理理論探討(2/2)關(guān)鍵詞：稀磁性半導(dǎo)體;高壓相變;量子霍爾效應(yīng);期持續(xù)進(jìn)行的工作項(xiàng)目，少部分(子題2及6)則是今年新增的研究課題。1:(GaAs)(100)(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)(Zn1-xFexSe)半磁性半導(dǎo)體薄膜，及其相關(guān)的應(yīng)變超晶格(StrainedLayerSuperlattice,SLS)，在高壓下拉曼散射光譜及光激冷光譜的特性，以與近二年來(lái)，我們所研究的硒化鋅(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒(Zn1-xFexSe)(bulk)，在高壓下拉曼散射光譜特性作一比較。本計(jì)畫(huà)將分兩年進(jìn)行，第一年將研究生長(zhǎng)於砷化鎵(GaAs)(100)基板上的硒化鋅(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒化鐵鋅(Zn1-xFexSe)等單層薄膜Zn1-xMnxSe(Zn1-xFexSe)ZnSe應(yīng)變超晶格在2:本計(jì)畫(huà)擬以超高真空熱蒸鍍（UHVthermalevaporation）TEM(GaAs)(100)(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)及硒化鐵鋅(Zn1-xFexSe)等半磁性半導(dǎo)體薄膜的成長(zhǎng)的(ZnSe)、硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)、硒化鐵鋅(Zn1-等半磁性半導(dǎo)體薄膜與基板介面的晶格缺陷(laticedisloction)效應(yīng)，及這效應(yīng)和薄膜厚度變因之明確關(guān)係。本計(jì)畫(huà)分兩年執(zhí)行，第一年先研究硒化鋅(ZnSe)硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)、硒化鐵鋅(Zn1-xFxSe)等半磁性半導(dǎo)體薄膜的生長(zhǎng)，第二年則研究其光學(xué)特性分析其結(jié)構(gòu)生長(zhǎng)之機(jī)制。近來(lái)界觀物理(mesoscopicphysics)在國(guó)際上引起相當(dāng)多的注意，界觀物理系統(tǒng)可以是為一微小的量子力學(xué)實(shí)驗(yàn)室，利用它,可從事量子力學(xué)及各種凝態(tài)物理模型的基本研究。我們希望能作出好的薄膜，在未來(lái)從事界觀物理的研究。是故我們希望能藉由光譜(PL及Raman)及表面分析(TEM)等工具所測(cè)得的參數(shù)，了解各種長(zhǎng)晶條件(如溫度，蒸鍍速率，摻雜濃度，膜厚等)與晶體品質(zhì)(如缺陷，雜質(zhì)等)與物理特性(如能隙，表面應(yīng)力)之間的關(guān)係，而得到良好的晶體品質(zhì)的薄膜作出好的元件,從事界觀物理的基礎(chǔ)研究。本子題將由博士生林高進(jìn)配合數(shù)位碩士生長(zhǎng)期協(xié)助執(zhí)行。3:此一子計(jì)劃將考慮由多數(shù)互相平行置放的空心圓柱狀碳微管組成的集束(bundle)系統(tǒng)的基本激發(fā)。這些空心圓柱狀碳微管(直徑約在1-2nm之間)的管軸碳微管的介電系數(shù)，則回應(yīng)函數(shù)(responsefunction)即為每一圓柱狀碳微管所有L磁場(chǎng)的方向?qū)⒖紤]沿著管軸方向，外加磁場(chǎng)的效應(yīng)將會(huì)使原來(lái)的L(角動(dòng)量)模4:我們將運(yùn)用微擾變分法配合有效質(zhì)量近似與絕熱近似，計(jì)算激子在非等方另外,在最近幾年，激子在低維度量子系統(tǒng)的超級(jí)輻射(superradiane)現(xiàn)象，kd的平方的關(guān)係，其中k是輻射光的波數(shù)，它正比於激子的能量，而d是晶格常數(shù)，這項(xiàng)因子大大的增加了輻射率和頻率遷移。所以，在算出激子在量子微結(jié)構(gòu)()的能量後,5:Skyrmion的理論.與雙層系統(tǒng).的探討。我們將分兩年的時(shí)間來(lái)探討這個(gè)問(wèn)題:下的雙層量子霍爾效應(yīng)系統(tǒng)，看看當(dāng)一些系統(tǒng)參數(shù)如穿隧能，Zeeman能與層間第二年時(shí)我們將探討有限溫度的情況，看看一些物理量，如磁矩、比熱及集體激發(fā)等如何隨溫度而改變。從比熱的結(jié)果我們可以看看是不是有相變發(fā)生，skyrmion-antiskyrmonKoserlitz-Thous相變有skyrmion的實(shí)驗(yàn)結(jié)果來(lái)比較。此子題將由博士生林銘杰協(xié)助執(zhí)行。6:我們將針對(duì)硒化鋅(ZnSe)及以其為母體的三元化合物半導(dǎo)體，含稀磁性與非稀磁性參雜，如硒化錳鋅(Zn1-xMnxSe)(Zn1-xFxSe)、硒化鎘鋅(Zn1-xCdxSe)、硒化鎂鋅(Zn1-xMgxSe)...等，進(jìn)行高壓下相變及其振動(dòng)模的分裂與凝體理論組所發(fā)展出來(lái)的P量子力學(xué)程式。此P程式將由淡江大學(xué)物理系李明憲與薛宏中教授所提供。P已被證明能解出諸如固體或表面等延伸系統(tǒng)的電子密度分佈及系統(tǒng)總能量。P是應(yīng)用虛位能(pseudopotental)多電子的交互作用則採(cǎi)用由密度泛函理論(DensityFunctonalTheoryDF)所導(dǎo)出的交換相干(exhange─correation)位勢(shì)來(lái)近似。利用高性能的工作站或超級(jí)電腦，ASTP可做為在原子尺度下模擬微觀現(xiàn)象、並具高準(zhǔn)確性及效率的計(jì)算工具。由於此程式已被證明對(duì)於計(jì)算多電子系統(tǒng)的性質(zhì)具有相當(dāng)精確的結(jié)果，NSC89-2112-M009-038關(guān)鍵詞：擾動(dòng)；穿隧效應(yīng)；熱電效應(yīng)；CoulombBlockade；Fockker-Planck；本人未來(lái)三年的計(jì)劃主要在了解高溫超導(dǎo)元件擾動(dòng)效應(yīng)的物理性質(zhì)﹐研究的主題分別為:一.MBE整的薄膜。同時(shí)﹐探討以非線(xiàn)性”沙堆模型”二.穿隧效應(yīng)單電子穿隧效應(yīng):不同成長(zhǎng)方向﹑不同偏壓﹑和不同溫度下的單電子穿隧行為(尤其是Coulombblockade之關(guān)係；進(jìn)而觀察表面能隙隨上述條件之變化關(guān)係。三、Re0.8Pr0.2Ba2Cu3O7超導(dǎo)體之離子半徑效應(yīng)(ionicsizeRe0.8Pr0.2Ba2Cu3O7系統(tǒng)(Re=Er,Y,Ho,Dy,Gd,Eu,Sm,Nd)X-ray吸收近邊光譜(x-rayabsorptionnear-edgespectroscopy,XANES),透過(guò)光譜分析及計(jì)算樣品中的電子結(jié)構(gòu)及電洞在各細(xì)部結(jié)構(gòu)的分布後,可以進(jìn)一步研Re1-xPrxBa2Cu3O7Pr所引起的離子半徑效應(yīng)(ionicsizeeffect)。JdeBroglieorentz變換程序?qū)⒛芰苛孔踊普沟絼?dòng)量量子化，同時(shí)依電子與渦漩量子之相對(duì)運(yùn)動(dòng)圖像將量子霍爾效應(yīng)類(lèi)比於受迫約瑟芬遜交流效應(yīng)。NSC89-2112-M009-030關(guān)鍵詞：氮化鎵；分子束磊晶；N2N2電漿源，成長(zhǎng)氮化物光電磊晶NIII-VUVm紅外波段之發(fā)光元件。在基本物理光電之特性研究，氮砷化鋁銦鎵量子井是NSC89-2112-M009-018N2電漿源之分子束磊晶系統(tǒng)成長(zhǎng)氮砷化銦鎵量子井雷射結(jié)結(jié)構(gòu)可設(shè)計(jì)出長(zhǎng)波長(zhǎng)1.3m之雷射。此種含氮雷射結(jié)構(gòu)之優(yōu)點(diǎn)是N與s在導(dǎo)帶所形成之EcV以上可使被注入活性層之電子更不易洩出，因而使雷射特徵溫度oK，大輻提升1.3m雷射之溫度特性。NmiscibiliygapNNN量子井結(jié)NN2N原子直接鍍於基座上參N1%sNPL1.3m。N量子井雷射結(jié)構(gòu)製成寬面積雷射，第一年預(yù)期目標(biāo)設(shè)定為雷射之起振電流密度低於1.kAcm2。C89101(88.10.1-計(jì)畫(huà)重點(diǎn)包括:850NM面射型雷射(VCSEL)垂直共振腔磊晶薄膜層設(shè)計(jì)，C89209(89.4.1-關(guān)鍵詞：約瑟芬接面陣列;熱電子幅射混波元件;相位鎖模;高溫超導(dǎo)研究在十年的全球性努力後﹐迅速轉(zhuǎn)換至實(shí)際上的應(yīng)用﹐法在近期內(nèi)很快的發(fā)展出具獨(dú)特且有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力的超導(dǎo)應(yīng)用產(chǎn)品﹐則可預(yù)見(jiàn)的公眾對(duì)超導(dǎo)研究的支將迅速轉(zhuǎn)趨冷淡﹐此目前在先進(jìn)國(guó)家的公私立研究機(jī)構(gòu)﹐即有針對(duì)幾項(xiàng)特別的應(yīng)用領(lǐng)域﹐合作開(kāi)﹐在美國(guó)BIG3聯(lián)盟(sNorthrop-Grummn(前身為西屋公司SienceandTechnologyCenter)共同組成的聯(lián)盟)將在近兩年內(nèi)﹐全力發(fā)展高溫超導(dǎo)在微波通訊(尤其是行動(dòng)電話(huà)基臺(tái))上的應(yīng)用﹐這無(wú)疑提供了本研究對(duì)未來(lái)研究方向的擬定一項(xiàng)極具啟發(fā)意義的參考。多﹐D及一般的微波元件等很快的加入先頭行列。故在調(diào)查了許多相關(guān)的文獻(xiàn)後﹐我們想在未來(lái)三年內(nèi)對(duì)題目上所列的兩項(xiàng)超導(dǎo)元件進(jìn)行研究﹔最主要的原因是這類(lèi)元件不需要複雜的製程﹐且基本上均可在單層薄膜上﹐以二維的約瑟芬三角陣列而言﹐這是目前由數(shù)值模擬結(jié)果顯示﹐唯一可以有效產(chǎn)生鎖模(mode-lockng)脈衝訊號(hào)之元件(uniformiy)態(tài)者寬鬆﹐因此極適合嘗試在高溫超導(dǎo)薄膜上製備並研究其特性。在另一方面﹐熱電子輻射偵檢混波器(HotElectronBolometerMixer)﹐目前是一極為引人注目的研究課題﹐在實(shí)務(wù)上﹐NbN證HEBM片上﹐而完成一個(gè)可直接應(yīng)用的次系統(tǒng)Subsystem﹐相信此一構(gòu)想若能順利完THz波偵測(cè)系統(tǒng)的整合工作。而在每一研究THz訊號(hào)之設(shè)備﹐可以和本校光電所潘犀靈教授之超快雷射研究群緊密結(jié)合﹐借用其現(xiàn)有之電光採(cǎi)樣設(shè)備(E-Osamplingsystem)﹐故應(yīng)可以在不大NSC89-2112-M009-029統(tǒng)(~50GByte),高速列印系統(tǒng)和微小醫(yī)學(xué)器材應(yīng)用等。研究氮化物材料的物理結(jié)構(gòu)與光電特性。我們將採(cǎi)用超低溫系統(tǒng)(4.2Kor□point1.28K)(RaanSpecsopy)nescence)及光激螢光激發(fā)(PhotolumnescenceExctation,PL)來(lái)研究等價(jià)位元素()薄膜之光電特性、超低溫微結(jié)構(gòu)(FineStructure)研究、超低溫氮化物材料中缺陷能階、雜質(zhì)能階所扮演角色以及解析材料中激子活化(excisactivites)的能(DeepLevelTransientSpecsopy,DLTS)光激發(fā)深階暫態(tài)能譜分析(OpticalDeepLevelTransientSpectroscopy,ODLTS)以及持續(xù)性光導(dǎo)(PersistentPhotoconductvity,PPC)量測(cè)更進(jìn)一步了解這些深階缺陷或雜質(zhì)的物理特性與形成亞穩(wěn)態(tài)(metsable)行為的機(jī)制。另外，對(duì)於氮砷化鎵sxN1-x)三元混晶材料，隨著氮的加入造成冷激光發(fā)光光譜產(chǎn)生紅位移(redshift)的現(xiàn)象，亦是一個(gè)重要的發(fā)現(xiàn)；我們將研究其中的物理特性與其發(fā)光1.3℃m89N-2112-M009-016計(jì)畫(huà)名稱(chēng)：超弦論的超對(duì)稱(chēng)，D-R-R荷D-箔規(guī)範(fàn)?wèi)B(tài)；R-R荷；K-群論近年的發(fā)展已進(jìn)入非微擾弦的重要階段.1995D-箔的發(fā)現(xiàn).更促進(jìn)了各種弦對(duì)偶的發(fā)展,Ads/CFT的發(fā)現(xiàn)增加了我們對(duì)超對(duì)稱(chēng)規(guī)範(fàn)場(chǎng)論的了解.D-箔有幾個(gè)重要的要素stringsolutionR-RBPS本計(jì)畫(huà)將從時(shí)空規(guī)範(fàn)?wèi)B(tài)角度討論(2)並預(yù)期將與(3),D-Einstein-Yang-type℃弦.預(yù)期由時(shí)空費(fèi)米規(guī)範(fàn)?wèi)B(tài)T-D-.R-R荷.worldsheetvertexpicturechanging去了解此一現(xiàn)象R-RWittenK-theory群.D-K-theory的關(guān)係.SenBPS態(tài)的發(fā)現(xiàn).亦是本計(jì)畫(huà)將探NSC89-2112-M009-006MAPQ/PMMA全像高分子材料體積化塊材的設(shè)計(jì)、研製與特性量測(cè)，以及配合NSC89-2112-M009-040在研究奈微米結(jié)構(gòu)量子傳輸?shù)碾姶艌?chǎng)效應(yīng)方面，我們主要的目標(biāo)是尋找增U-這些結(jié)果將和有很寬的場(chǎng)的情形做比較。ZenerZener穿隧圖像做一比較。最後，我們計(jì)畫(huà)研究鐵磁環(huán)的永久電流。在飽和範(fàn)圍時(shí)，環(huán)中磁化已經(jīng)整（不管是順時(shí)鐘或是逆時(shí)鐘方向NSC89-2112-M009-019CuGeSnGe合金非有序?qū)Υ烹娦耘c鍺系列合金是非常有趣的材料，改變銅鍺的相對(duì)莫耳含量，將可得到一系列有序電阻率改變的樣品，從輕微的非有序金屬性橫越金屬-非金屬相變而至非金屬態(tài)或從超導(dǎo)態(tài)經(jīng)超導(dǎo)-非金屬相變而至非金屬；我們從針對(duì)variaberngehoppingmagneto-trsportquantumintrferences扮eletron-electroninteractons測(cè)到unnel