項(xiàng)目名稱：表面等離子體超分辨成像光刻基礎(chǔ)研究首席科學(xué)家

項(xiàng)目名稱：羅先剛起止年限：2011.1本項(xiàng)目以國家在國民經(jīng)濟(jì)和國防高科技領(lǐng)域?qū)π畔⒖茖W(xué)技術(shù)中新一代微納信息器件的重大需求為牽引，研究P“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”兩個重大專項(xiàng)對微納制造技術(shù)的重P（衍射極限問題、分辨極限問題、感光機(jī)制問題、損耗問題、P超分辨成像器件和創(chuàng)新性貢獻(xiàn)，建立相應(yīng)的研究基地和人才隊(duì)伍，形成具有核心自主知識產(chǎn)權(quán)的P光刻技術(shù)平臺。通過本項(xiàng)目研究，使我國在P超分辨成像光刻理論、技新一代光學(xué)光刻技術(shù)路線，為采用光學(xué)方法突破16nm、甚至10nm以下光刻線寬節(jié)點(diǎn)奠定基礎(chǔ)。建立SP超衍射和超分辨成像理論和技術(shù)體系，為16nm線寬節(jié)點(diǎn)以下光SPSP光刻分辨力極限、SP感光培養(yǎng)一支該領(lǐng)域高水平研究人才隊(duì)伍和一批學(xué)術(shù)帶頭人，建立SP超分辨5～1016nm線寬SP超分辨成像理論模型，建立超衍射與衍射受限光學(xué)成像一體化設(shè)SP超分辨光刻感光機(jī)理模型，并用于研究對比度、焦深、工作距等SP光學(xué)光刻工藝?yán)碚摵图夹g(shù)。（1）365nm32nmSP超分辨成像器件；（2）制作特征尺寸為32nm的光柵、NEFO16nm線寬分辨力SP光學(xué)成像設(shè)計(jì)結(jié)果。SCI10010065國新一代微納光子功能材料和器件的長遠(yuǎn)發(fā)展奠定堅(jiān)實(shí)的基礎(chǔ)。973PPPPP成像光刻器件原理和方法以及P超衍射光學(xué)光刻技術(shù)和工藝等關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題，獲得32nm線寬分辨力P超分辨成像器件，制作特征尺寸為32nm的光柵、O字符等集成電路常用典型圖形結(jié)構(gòu)兩項(xiàng)標(biāo)志性成果，并建立P超分辨成像應(yīng)用基礎(chǔ)研究的理論和技術(shù)平臺、研究基地以及人才隊(duì)伍。繼續(xù)發(fā)展矢量楊顧算法，使其能適用于分析亞波長范圍的超衍射電磁PSM以及微區(qū)RamaFTIR-可見-米金屬微結(jié)構(gòu)的形貌、尺寸、周期性、介電參數(shù)等對超衍射行為的影響。類比傳統(tǒng)材料科學(xué)中原子、分子、晶胞、缺陷、復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)劃分（的影響，總結(jié)歸納結(jié)構(gòu)類型和特征規(guī)律，為單元結(jié)構(gòu)電磁振蕩模型提供思路。在超衍射材料結(jié)構(gòu)與電磁物性之間的關(guān)系模型上，主要從電偶極子、對比分析。超衍射光學(xué)材料的一般電磁特性的結(jié)構(gòu)逆向設(shè)計(jì)，例如介電常數(shù)、磁利用色散匹配的復(fù)合單元結(jié)構(gòu)等進(jìn)一步對其優(yōu)化。超衍射光學(xué)材料的損耗優(yōu)化，用高分辨力的暗場顯微鏡研究納米結(jié)構(gòu)對光超衍射散射，用透射顯微的P超衍射行為特征。從單層薄膜制備技術(shù)入手，包括單一組份、多種組份共存的膜層制備成分比例控制等方面的要求，攻關(guān)相關(guān)工藝技術(shù)問題。針對曲面膜層超衍射材料結(jié)構(gòu)，發(fā)展面形可控的曲面膜層制備技術(shù)。量的薄膜沉積技術(shù)獲得特定厚度分布的薄膜結(jié)構(gòu)。利用掃描電子顯微鏡（M、原子力顯微鏡（AM）等精密納米測層致密性、膜層厚度、納米圖形層結(jié)構(gòu)尺寸等。利用X射線散射分析方法測試部缺陷。利用紫外光頻段多光譜橢偏儀精確測試超衍射材料單元膜層結(jié)構(gòu)的光在超分辨成像原理、物理機(jī)制、成像特性和規(guī)律研究方面采用理論分析和實(shí)驗(yàn)相結(jié)合的方案，從一些典型亞波長金屬薄膜結(jié)構(gòu)的P參數(shù)空間分布下的光波傳輸行為的數(shù)理公式利用多重級數(shù)展開和微擾近似理論（關(guān)系曲線。建立系統(tǒng)的超衍射材料中光波匯聚的理論模型，考察理想?yún)R聚焦點(diǎn)的在研究超分辨成像器件與傳統(tǒng)光學(xué)元件的組合成像特性和一體化分析系的對接，為一體化成像設(shè)計(jì)提供理論指導(dǎo)。超分辨成像器件結(jié)構(gòu)建模和計(jì)算機(jī)輔助設(shè)計(jì)基本平臺。在分析和歸納本運(yùn)行環(huán)境。光線超衍射追跡方法成像分析方法和模擬計(jì)算軟件。結(jié)合超衍射行為針對分辨力、焦深、放大率、畸變等超分辨成像器件關(guān)鍵光學(xué)特性，析方法，展開器件各種像差的數(shù)值模擬和仿真分析。建立超分辨成像器件光學(xué)設(shè)計(jì)軟件與傳統(tǒng)光學(xué)設(shè)計(jì)軟件的接口，在超精確計(jì)算和模擬，可以在兩者之間進(jìn)行協(xié)同設(shè)計(jì)和優(yōu)化。根據(jù)理論模型結(jié)合自行編制的電磁計(jì)算模擬軟件，全面分析不同結(jié)構(gòu)利用高倍率鏡頭將傳統(tǒng)星點(diǎn)/分辨力檢驗(yàn)靶投影到超分辨成像器件的物面上，然后再成像到像面上，進(jìn)而檢測器件的星點(diǎn)/分辨力聚焦情況。通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得星點(diǎn)/分辨力的光強(qiáng)信息和分布特性。此方法同時適用于等倍率和縮上，再通過高倍率鏡頭進(jìn)行觀察。利用特殊設(shè)計(jì)和制作的接近式分辨力檢驗(yàn)靶檢測超分辨成像器件的實(shí)過分辨力靶的光成像在像面上。再通過高分辨圖像采集設(shè)備獲得分辨力圖像。利用特殊設(shè)計(jì)和制作的接近式星點(diǎn)檢驗(yàn)靶檢測超分辨成像器件的星點(diǎn)分布特性。超分辨成像器件的光學(xué)調(diào)制傳遞函數(shù)檢驗(yàn)采用對刀口擴(kuò)展函數(shù)進(jìn)行掃M(jìn)在減小SPSP優(yōu)化材料結(jié)構(gòu)中的特征參數(shù)，根據(jù)P超衍射傳輸和耦合的物理機(jī)制和模型，減少局域電磁模式中的磁流損耗環(huán)路，將電磁能量集中在非損耗區(qū)域，減少電磁能在共振環(huán)路中的局域特性。365nm193nm等光刻波長下的增益材料和技術(shù)，通過在超衍射材料中嵌入有源材料實(shí)現(xiàn)SP波能量補(bǔ)償，理論和實(shí)通過在感光層與超分辨成像器件之間建立局域共振模式，利用SP成在基于新現(xiàn)象的SP表面等離子體亞波長高分辨光學(xué)成像及光刻過程中的焦深調(diào)控和能量損耗補(bǔ)償問題。結(jié)合超分辨結(jié)構(gòu)(Super-RENS)技術(shù)，引入非線性光學(xué)效應(yīng)及有SP的發(fā)展針對高分辨光學(xué)光刻結(jié)構(gòu)的新測試手段和方法。發(fā)展如P光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)的關(guān)鍵單元技術(shù)方案主要有基于近場光學(xué)光纖探針納米測和光學(xué)光刻實(shí)驗(yàn)應(yīng)用研究演示。光刻工藝是P光學(xué)光刻技術(shù)的重要組成部分。超分辨成像器件具有利用傳統(tǒng)長波長光源實(shí)現(xiàn)32nmP學(xué)光刻工藝。本項(xiàng)目提出的P32nm線寬分辨力的P超分辨成像器件及其實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，得到16nm線寬節(jié)點(diǎn)的超分辨成像設(shè)計(jì)結(jié)果，為未來16nm、甚至10nm以下線寬的光學(xué)光刻技術(shù)奠定了理論和方法基礎(chǔ)，同時也為我國中長期科技戰(zhàn)略發(fā)展規(guī)劃中的“極大規(guī)模集成電路制造技術(shù)及成套工藝”和“核心電子器件、高端通用芯片及基礎(chǔ)軟件產(chǎn)品”兩個重大專項(xiàng)提供前沿制造技術(shù)基礎(chǔ)。項(xiàng)目提出建立衍射受限與超衍射光學(xué)成像統(tǒng)一的理論和技術(shù)體系，可以P面地開展PP理論和技術(shù)基礎(chǔ)。針對PP率的P光學(xué)光刻成像器件能夠有效地解決掩模制備工藝中特征尺寸為32nm結(jié)衍射受限光學(xué)光刻系統(tǒng)的集成奠定了理論和技術(shù)基礎(chǔ)。目前，P超分辨成像技術(shù)絕大部分是等倍率縮放，或在曲面結(jié)構(gòu)上實(shí)現(xiàn)縮小倍率成像（如等，對實(shí)際應(yīng)用帶來巨大困難。本項(xiàng)目提出平面結(jié)構(gòu)的縮小PPP分辨成像光刻技術(shù)的“波前工程”理論技術(shù)體系，同時結(jié)合P耦合匹配膜層結(jié)構(gòu)思想，拓展P超分辨成像的工作距和焦深，解決P光學(xué)光刻應(yīng)用方面的重大SP光學(xué)光刻技術(shù)向?qū)嵱没较虬l(fā)展。目前，這方面的研目總體目標(biāo)和關(guān)鍵科學(xué)問題開展研究，或者從P成像光刻分辨力、光刻介質(zhì)、光圍繞P超分辨成像光刻研究的重大科技問題開展協(xié)同研究，彼此既有關(guān)聯(lián)又有各自主攻的科研目標(biāo)。SPSP分辨力極限的物理SP光刻分辨力研究的理論基石。第二課題研究PP型，并分析光刻材料對光刻分辨力的影響特性。該課題是研究P光刻工藝的理論基礎(chǔ)。SP材料介電常數(shù)、損耗等特性的物理機(jī)制和途徑，SP超分辨成像器件的研究提供材料基礎(chǔ)。第四課題研究波前工程技術(shù)、P超衍射光學(xué)光刻工藝技術(shù)等提高P光刻圖形論和實(shí)驗(yàn)基石。SPSP成像器件的物理原理和實(shí)現(xiàn)方法，為4-1課題1、限制SPSPSP成像分辨力、視場、焦深受限的物理因素并給出理論解決途徑，研究影響SP成像和光刻分辨力極限的建立一套完整的P超衍射、超分辨成像理論仿真和優(yōu)化設(shè)計(jì)平臺。提供描述436nm、365nm、248nm或193nm波長入射光波前分布、偏振狀態(tài)、膜層出能夠?qū)崿F(xiàn)波前調(diào)控提高P出實(shí)現(xiàn)P光刻長焦深器件設(shè)計(jì)軟件和詳細(xì)說明。提供一種拓展SP成像焦深（>100nm@32nm線寬）的有效方法，并為項(xiàng)35~451010~15SPSP超分辨成建立基于P光學(xué)的超分辨成像模型，系統(tǒng)地描述P超衍射成像光刻的物理過程，發(fā)展并完善SP超衍射成像的數(shù)值計(jì)算方法和理論模型，研究P體與電磁瞬逝波相互作用機(jī)理及其傳播、耦合特性，研究限制P超衍射成像性能的因素，對P超衍射成像光刻分辨力的理論極限進(jìn)行預(yù)測和分析。針對P超衍射成像的機(jī)理，在436nm、365nm、248nm或193nm波長光源條件下，提出P365nm波長光源條件下建立優(yōu)化P光刻技術(shù)的銜接，探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高P研究各種因素對SP利用內(nèi)容（1）建立的理論模型和數(shù)值計(jì)算平臺系統(tǒng)研究各種因素對P成P緣形貌、圖形質(zhì)量等對P光刻質(zhì)量的影響，為制定P掩模設(shè)計(jì)和工藝標(biāo)準(zhǔn)提供依據(jù)。研究膜層厚度、重復(fù)周期、平整度、均勻度等因素對成像質(zhì)量的影響，為PPP光刻質(zhì)量提供前提。探索進(jìn)一步提高SP在前面工作的基礎(chǔ)上，同課題4，5結(jié)合，研究提高P光刻質(zhì)量的理論機(jī)PPP成像的長焦深成像器件、相移器件等亞波長光學(xué)器件，用于改善P成像P擴(kuò)展SPSP365nm波長光源條件下通過在傳統(tǒng)光刻輸入端SP成像時對相位進(jìn)行調(diào)制，擴(kuò)展成像焦深，改進(jìn)工作距離。同其他課題合作，SP成像的特性，實(shí)現(xiàn)長焦深成像。研發(fā)一種焦深檢測的系學(xué)術(shù)骨干：課題2、SP與光刻介質(zhì)相互作用的機(jī)理研究本課題針對表面等離子體超分辨成像光刻中SP光場與光刻介質(zhì)相互作用，研究在365nm波長光源條件下SP與光刻介質(zhì)相互作用過程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制，分析光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系，建立SP光刻過程的物理描述和分析方法；基于光學(xué)非線性等效應(yīng)，發(fā)展新型SP光刻介質(zhì)，SP光刻的分辨力和靈敏度。獲得SP與光刻介質(zhì)相互作用過程中電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制，以及光刻介質(zhì)性能參數(shù)與光刻分辨力和圖形質(zhì)量之間的關(guān)系。建立SP與光刻介質(zhì)相互作用過程P光刻分辨力和靈敏度的新型P刻介質(zhì)，為32nm線寬節(jié)點(diǎn)以下P光刻技術(shù)提供物理和技術(shù)支撐。給出32nm報告。發(fā)表論文35-506-1010-15人才和技術(shù)隊(duì)伍。P365nm波長光源條件下P激發(fā)的過程和場分布特點(diǎn)；研究光刻掩模高頻分量與P的耦合、轉(zhuǎn)化以及P與P特性對P光刻過程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。光刻介質(zhì)的性能參數(shù)、表面平整度與P光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析在365nm波長光源條件下PP光刻中相干效應(yīng)以及改善P光刻線條對比度、陡度、邊緣粗糙度的方法研究。SPP發(fā)展用于描述P）等計(jì)算分析工具。在365nmPP程及特性對成像光刻空間分辨力及局域場增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對P光刻介質(zhì)中局域光場分布，以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。365nmSP光刻介質(zhì)的探索研究。探索金屬納米團(tuán)簇的加入對SP光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度焦深等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對SP光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究究所課題負(fù)責(zé)人：學(xué)術(shù)骨干：SPSP耗的物理機(jī)制和技術(shù)途徑，建立損耗影響SP光刻效率的分析方法和提高途徑,深SP材料介電常數(shù)、損耗、色散行為的物理機(jī)制和技術(shù)途徑。365nm193nmAg、Au、Al材料膜層，給出介電常數(shù)的測試結(jié)果（介電常數(shù)實(shí)部調(diào)制范圍：3~-10)，提供完整詳細(xì)可重復(fù)的提出增益補(bǔ)償?shù)腟P傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，明確該結(jié)構(gòu)樣品的工藝制備方法以及其中SP傳輸和耦合損耗特性的測試分析方法，獲得指導(dǎo)性Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制備”20-300nmSP（365nm和193nm），論證SP傳輸與耦合損耗小于0.2dB/Commented[s1]:代替“20mm薄膜的制備”25~401010~155SPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)參量的相關(guān)性，SPSP在增益材料中的傳輸規(guī)律的研究，探索利用半導(dǎo)體增益材料補(bǔ)SP傳輸損耗。增益補(bǔ)償方式的低損耗SP12的基礎(chǔ)上，針對實(shí)現(xiàn)增益補(bǔ)償?shù)牡蛽p耗的傳輸、耦合，設(shè)SPSP光刻效率的應(yīng)用要求，優(yōu)低損耗SP在理論研究的基礎(chǔ)上，為有效提高SP納米光刻效率，開展制備低損耗SPSP模式的模場和損耗特性，并進(jìn)一步實(shí)驗(yàn)分析造SP損耗的機(jī)理。SP在理論研究P傳輸、耦合與結(jié)構(gòu)參量關(guān)系的基礎(chǔ)上，探索調(diào)控P模式特性（包括波長、色散、能量分布、耦合等）的物理機(jī)理，研究金屬/構(gòu)中利用熱光效應(yīng)、電光效應(yīng)實(shí)現(xiàn)P調(diào)控的有效途徑。SPSPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)，SP的傳輸、耦合、色散特性進(jìn)行測試。承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：黃翊東學(xué)術(shù)骨干：課題4、提高SP光刻圖形質(zhì)量的原理和驗(yàn)證方法研究高深寬比、陡直度好的高質(zhì)量P光刻圖形的原理和方法，為課題五P超分辨成像光刻技術(shù)實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證奠定理論基礎(chǔ)，并提供可靠的工藝技術(shù)支持。SP32nm203510~15本課題在課題一針對PPPPSP研究基于SP超分辨光刻的配套光刻工藝和方法，研究用于提高SP光刻質(zhì)量的提高SP針對P成像光刻技術(shù)特點(diǎn)，研究提高P光刻圖形質(zhì)量的新機(jī)理和新方法，探響。研究波前照明技術(shù)對SP照明等波前照明技術(shù)對P法及仿真模型方式、照明偏振特性優(yōu)化方法及仿真模型及其選擇依據(jù)。提高SP分別搭建針對提高SP承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：姚漢民學(xué)術(shù)骨干：課題5、超分辨成像光刻器件原理和方法研究闡明超分辨SP成像器件物理原理，獲得成像特性和規(guī)律，解決與超分辨搭建P16nm線寬分辨力SP光學(xué)成像設(shè)計(jì)結(jié)果。365nm32nmSP超分辨成像器件，制作32nm的光柵、NEFO字符等集成電路常用典型圖形結(jié)構(gòu)。20~303510~15本課題在前期P超分辨PSP在P超分辨成像物理機(jī)制方面主要研究內(nèi)容包括：倏逝波以P波形式作P超分辨成像光學(xué)特性的相關(guān)數(shù)理模型和計(jì)算方法。在PP系模型；有效提高P光刻分辨力、延伸P成像工作距和焦深的理論和技術(shù)途徑。可制備的超分辨成像光刻器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化方法，包括器件結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)依據(jù)、□縮小倍率超分辨成像器件和SPP納米光學(xué)聚焦透鏡中可對倏逝波光波振幅和位相調(diào)制的亞波長納米PP納米光像差分析等成像特性表征技術(shù)。SP開展超分辨成像器件與投影光學(xué)系統(tǒng)組合后實(shí)現(xiàn)縮小投影P光學(xué)光刻的工作P承擔(dān)單位：課題負(fù)責(zé)人：羅先剛學(xué)術(shù)骨干：主要涉及SP超分辨成像理論模型及物SP1、建立SP型和表征平臺，SPSP波SP2SP光刻質(zhì)量對掩模參數(shù)的依賴特性，SPSP對光刻質(zhì)量的影響，鄰近效應(yīng)修正的高質(zhì)量P統(tǒng)研究SP超分辨成像特性規(guī)律和超分41P超衍射成像光刻的物P超衍射成像的數(shù)P與電磁瞬逝波相互作用機(jī)理及其傳播、耦合特P2、研究P光刻過程中高頻信息的傳遞過程，分析光刻結(jié)構(gòu)特征參數(shù)對分辨力和圖形質(zhì)量的影響，SP光刻過程中的電磁能量轉(zhuǎn)換機(jī)制。給出P光刻微觀和料特性對光刻質(zhì)量的影響，發(fā)展365nm感光顯影數(shù)理模型和計(jì)算分析方法。5、制備金屬(Au或Ag)的納米顆粒；研制出體積百分比的均勻分散的金屬納米顆粒－料（線寬分辨力提高1.2倍以上。6、建立研究SPSP得SP模式特性和耦合特性與2、金屬納米顆粒的制備。通過物理和化學(xué)方法制備獲得一定尺寸和形狀的金屬納米顆粒。將非線性光學(xué)介質(zhì)與光刻介質(zhì)或金屬掩膜結(jié)構(gòu)復(fù)合，研究非線性等效應(yīng)對P以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。3、研究分析P模式損耗與結(jié)構(gòu)參量之間的關(guān)系；系統(tǒng)研究高質(zhì)量金屬（Ag、Au）納米膜層的制備工藝和方法；研究金屬薄膜厚度和介電常數(shù)的測試方法，系統(tǒng)研究金屬薄膜質(zhì)量的量化表征參數(shù)和受工藝條件影響的規(guī)律。4、系統(tǒng)理論分析研究影響P光刻質(zhì)量的各個因素，包括光源、照明、掩模、成像質(zhì)量、基片、感光材料、曝光顯影及處理工藝等。5、研究SP光刻中光學(xué)鄰近效應(yīng)掩模優(yōu)SP光刻掩模檢驗(yàn)的光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)和開展相關(guān)實(shí)驗(yàn)，45nmSP光刻掩6成像機(jī)理；超衍射材料用于成像的理論和設(shè)計(jì)途徑，成像結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原則，研究超分辨成像器件的放大倍率、焦深、視場、工作距等成像特性。7SPSP20～30nm3nm，有域內(nèi)缺陷尺寸50nm～100nm9、建立光學(xué)鄰近效應(yīng)修正掩模建用于檢驗(yàn)掩模質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)系掩模技術(shù)進(jìn)行實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，P光刻實(shí)現(xiàn)45nm以下線寬的高質(zhì)量一維光刻線條圖形。1045nm的SP超分辨成像器件的優(yōu)化分辨成像器件的成像性能測試45nm45nm1125～35篇，申請16～20項(xiàng)。SP分析和表征理論，提高分辨力、視場和焦深的物理技術(shù)途徑，發(fā)展與P關(guān)的波前工程理論和技術(shù)，P影響感光特性和質(zhì)量的規(guī)律，納米金屬顆粒對P屬介質(zhì)混合材料P1SP成像波長、振幅、SP成像質(zhì)量表征的系統(tǒng)，給SP成像、分辨料薄膜層的制備工藝和方法，研究光源P光刻質(zhì)量的影響和實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)搭建、樣品制備，45～32nm線寬P光刻掩模及光刻圖形制備，與傳統(tǒng)物鏡對接和一體化設(shè)計(jì)分析方法，研究65nm2、初步建立感光物理模型、感光材料特性影響光刻質(zhì)量的規(guī)律，初步建立365nm感光顯影數(shù)理模型計(jì)算分析軟件方法。3、分別制備出分辨力為1SP超衍射成像質(zhì)量，像差分析SP的光刻膠與金屬納米顆粒的復(fù)SPSP光刻技術(shù)的銜接，探索利用傳統(tǒng)光學(xué)的波前調(diào)控和預(yù)畸變技術(shù)提高SP光刻質(zhì)量3、研究光刻光源P激發(fā)的過程和場分PP量耦合和轉(zhuǎn)換過程；研究掩模版結(jié)構(gòu)參數(shù)、膜層結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，以及光刻介質(zhì)的特性對P光刻過程中電磁能量利用和轉(zhuǎn)換的影響。4（如粘滯性、粘附性、抗蝕性、表面張力、平整度、以及力學(xué)模量等參數(shù)分辨力的影響。光刻介質(zhì)的性能參數(shù)、表面平整度與P光刻圖形質(zhì)量的關(guān)系。研究并分析P膜層參數(shù)、材料匹配以及金屬固有吸收損耗等對分辨力和圖形質(zhì)量的影響；進(jìn)行SP光刻中相干效應(yīng)以及改善SP光刻線條對比度、陡度、邊緣粗糙度的方法研究。SP4、給出旋涂速度與光刻膠厚度100nm，伽馬值：1.4～2出偏振選擇性感光材料的初步試驗(yàn)效果。3～-10的6、給出有效激發(fā)真空波長為365nm、248nm、193nmSP于1nm，有效薄膜區(qū)域尺寸膜區(qū)域內(nèi)缺陷尺寸50nm～100nm的空洞數(shù)目<10，100nm波前工程技術(shù)應(yīng)用于SP光刻究多層金屬/SPSP模SP模式的傳輸損耗特性。9SP光刻的1：1實(shí)驗(yàn)研究SP7、研究光源偏振態(tài)、離軸照明對SP1032nm超分辨成像器件40nmSPSP光刻質(zhì)量的影響規(guī)律、分析及45SP11分辨成像器件的測試系統(tǒng)，提供i線縮小投影式SP光刻實(shí)驗(yàn)9和SP超分辨成像的對接方法和一體化1230~40篇，申請15~20項(xiàng)。1065nm研究基于相移等機(jī)理的長焦深SP超分P過程的數(shù)值仿真方法，研究光場空間偏P光場分布的影響，研究多層金屬介質(zhì)交替納米薄膜結(jié)構(gòu)中膜層之間物質(zhì)滲透特性和分析評價方法，研究高質(zhì)量多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備工藝和方法，適合365nm、248nm、193nm的P料和方法途徑，研究光刻材料處理工藝對SP光刻質(zhì)量的影響，研究P光刻配套傳遞工藝，利用光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)與超分辨成像器件進(jìn)行投影光刻，開展提高光刻圖形質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)研究，根據(jù)像差補(bǔ)償技術(shù)和光刻實(shí)驗(yàn)結(jié)果，優(yōu)化改進(jìn)超分辨成像器件制備工藝。1于表面等離子成像的長焦深成像器件、相移器件等亞波長光學(xué)器件，用于改善P成像、聚焦光刻功能器件的性能分析和優(yōu)化設(shè)計(jì)。2SP光刻工藝過程的數(shù)31、提交長焦深SP顧算法”等優(yōu)化設(shè)計(jì)算法進(jìn)行SP成像器件的設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)焦深2Lens視場SP16nm5：1，1000nm。365nm感光顯影數(shù)理模顆粒改善32nm光刻膠相關(guān)性線性系數(shù)3~10-10esu（50～100nm，伽馬值：2.0～2.5SP究徑向偏振光高效最優(yōu)SP特性對成像光刻空間分辨力及局域場增強(qiáng)效應(yīng)的影響。研究非線性等效應(yīng)對光刻介質(zhì)中局域光場分布，以及焦距、能量集中度、形狀的調(diào)控。研究金屬納米顆粒的濃度、尺寸、形狀等參數(shù)對光刻膠相關(guān)參數(shù)的影響。4/SPPurcell效應(yīng)的影響；研構(gòu)中有效激勵波長為365nm、248nm、193nmSP模式的方法；實(shí)驗(yàn)研究多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)中SP模式的傳輸損耗特6、研究光刻材料處理工藝對P量的影響，搭建用于檢測光刻材料處理工藝結(jié)果的實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)。7、研究P光刻對圖形傳遞工藝的特殊要求及相互作用影響，利用光刻實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)與超分辨成像器件進(jìn)行投影光刻，開展提高光刻圖形質(zhì)量的實(shí)驗(yàn)研究。87、制備出多層金屬/10～20nm，SiO2薄膜厚度10～20nm，總厚度>100nm度為<10nm，最大起伏小于<2nm，空洞缺陷少（1mm尺度范圍缺陷數(shù)目<1個。9的檢測系統(tǒng)（厚度、表面等，實(shí)驗(yàn)研究光刻材料處理工藝評價對P光刻質(zhì)量的影響。10SP光刻圖形傳遞工藝寬比（大于2：1）的深刻蝕工11SP光刻質(zhì)量提高手段，實(shí)現(xiàn)40nm～32nm線寬SP1.5：1i線波長條件下獲得初步的32nm線寬分辨力光32nm辨成像的成像理論和像差理論，改進(jìn)32nm22nm1325~40篇，申請15～20項(xiàng)。拓展SP超分辨成像焦深和工作距的方1、實(shí)現(xiàn)SP學(xué)設(shè)計(jì)軟件的銜接和數(shù)據(jù)接口和詳細(xì)說明。2、實(shí)現(xiàn)利用傳統(tǒng)光學(xué)波前工程進(jìn)行P完成焦深檢測系統(tǒng)方案的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。3365nm感光顯影表面粗糙度1nm)或金屬納米4、實(shí)現(xiàn)SP100nm2.0～2.7，1.4倍以上。SP模式傳輸損耗的補(bǔ)償特性，SPSPSP能量分布、耦合特性的物理機(jī)理，實(shí)驗(yàn)研究增益補(bǔ)償?shù)腜型P究32nm線寬的光刻工藝及提高光刻圖P32nm1SP成像原理模型，通過在傳統(tǒng)光刻輸入端或SP成像時對相位進(jìn)行調(diào)2、研究基片上金屬納米薄膜或陣列（薄膜厚度和陣列參數(shù)）3等材料與結(jié)構(gòu)參數(shù)對P光刻線條寬度及光刻質(zhì)量的影響，給出優(yōu)化的理論與實(shí)驗(yàn)結(jié)果。對比研究線偏振光、軸對稱偏振光在P激發(fā)方面的不同特性以及與光刻介質(zhì)相互作用的特點(diǎn)。開展徑向偏振光光刻的實(shí)驗(yàn)研究工作。4、理論分析有源增益材料和結(jié)構(gòu)對模式傳輸損耗的補(bǔ)償方式，設(shè)計(jì)并制備傳輸、耦合等結(jié)構(gòu)。5、優(yōu)化多層金屬/介質(zhì)結(jié)構(gòu)參數(shù)，摸索365nm193nm工作波長有效降低SP模式傳輸損耗的方法；實(shí)驗(yàn)研究增益SPSP模SP模式SP調(diào)控的結(jié)構(gòu)。7、開展新型P光刻介質(zhì)的光刻工藝研究，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證提高線寬分辨力、光刻質(zhì)P32nm寬的光刻工藝及提高光刻圖形質(zhì)量的方法。8、理論和實(shí)驗(yàn)探索研究SP與輻射電子SP>Ф5mm,金屬薄膜厚度1020nmSiO2薄膜厚度1020nm，總厚度>300nm7、制備出多層薄膜結(jié)構(gòu)，SP傳5dB/mm。8P光刻新方法和新技術(shù)以及優(yōu)化工藝流程等，實(shí)現(xiàn)深寬比達(dá)到2：1的32nm線寬的P光刻一維、二維線條和O字符圖形。916nm超分辨成像器件制備工藝的32nm超分辨成像1032nm典型集成電路SP光刻圖形的制作，得到任意字符O32nm辨成像器件的像差特性的實(shí)驗(yàn)檢測結(jié)果。11、發(fā)表論文30~40篇，申請15～20項(xiàng)。9、完善32nm及以下超分辨成像器件的像差特性及理論模型。完善傳統(tǒng)光學(xué)和P超衍射成像系統(tǒng)的對接設(shè)計(jì)方案。設(shè)計(jì)16nm32nm以下超分辨成像器件的像差特性的實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證方法及實(shí)現(xiàn)技術(shù)途徑。1032nmSPP成像光刻分辨力理P成像光刻實(shí)驗(yàn)研光刻的線寬分辨力，研究金屬納米團(tuán)簇對提高光刻分辨力和質(zhì)量的影響作用，設(shè)計(jì)和制備低損的P實(shí)驗(yàn)研究光刻膠感光波長下增益補(bǔ)償傳輸、耦合多層金屬介質(zhì)薄膜結(jié)構(gòu)，完善并優(yōu)化金屬/介質(zhì)多層膜的制備工藝,總結(jié)介電常數(shù)與材料和組分的關(guān)系,系統(tǒng)研究高質(zhì)量PP光刻分辨力和圖形質(zhì)量的方法和可行性，完善32/22/16nm的的超分辨成像器件的設(shè)計(jì)32nm線寬光刻圖形制備，研究探索248nm、193nm波長下1SP光刻超分SP光2、給出P感光物理模型、感光材料特性影響光刻質(zhì)量的規(guī)365nm計(jì)算分析軟件方法。3、給出滿足365nm波長下32nm光刻需要的新型光刻介質(zhì)光刻膠厚度：22～100nm2.0～3，非線性感光材料（線寬分辨力提高1.5倍以SP完成長焦深SP光刻超分辨成像器件的2、綜合前期對P光刻的感光物理模型的分析、仿真結(jié)果，以及對光刻工藝參數(shù)的模擬分析，形成可以對光刻過程進(jìn)行計(jì)算分析的程序模塊。3、探索金屬納米團(tuán)簇的加入對P光刻介質(zhì)分辨力、靈敏度等性能的改進(jìn)。研究金屬納米團(tuán)簇的種類、尺寸、濃度、形狀等參數(shù)及引入方式對P光刻介質(zhì)性能的調(diào)控。研究金屬納米團(tuán)簇與感光顆粒的微觀結(jié)構(gòu)、分布形態(tài)對光刻靈敏度的影響。試驗(yàn)其在365nm刻性能，測試其最小光刻分辨本領(lǐng)。繼續(xù)開展非線性光學(xué)材料輔助的超分辨光刻的實(shí)驗(yàn)研究，軸對稱偏振光源照明下的新型光刻方法研究，進(jìn)一步提高其光刻的線寬分辨力。4SP傳輸損耗、耦合損耗與結(jié)構(gòu)SP光刻效率，54、獲得SPSP傳輸、耦合結(jié)構(gòu)。>Ф5mm,金屬薄膜厚度SiO2薄膜厚度<10nm>500nm6、獲得增益補(bǔ)償?shù)腜將增益補(bǔ)償?shù)腜層結(jié)構(gòu)應(yīng)用于光刻技術(shù)的可行性，得到指導(dǎo)性結(jié)果。20300nmSP橫向傳輸波長范圍內(nèi)（工作波長365nm193nm）SP傳輸與耦合損耗0.2dB/mm的可行性。8、建立和完善P超分辨光刻工藝操作流程及評價標(biāo)準(zhǔn)，制定SP超分辨光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)草案。922nm、16nmSP作；實(shí)驗(yàn)探索在光刻技術(shù)中利用增益材料有效降低P模式損耗的可行性。6/32nmNEFO字符等集成電路常用典SP7、建立系統(tǒng)的SP光刻工藝實(shí)驗(yàn)平臺和實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量SP光刻圖形制備的工藝標(biāo)32nm1130-4015-20SP等方面，完善32/22/16nm932nm超分辨成像器件的制備工SP對接的光刻實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證系統(tǒng)，完成高質(zhì)量的32nm線寬光刻圖形制備，實(shí)驗(yàn)探索32nm線寬以下光刻分辨力。10、研究探索248nm、193nm徑，為開發(fā)高能量利用率的超衍射材料，提出導(dǎo)向性方案。紫外/SPg線（436nm）i（365nm），其超衍射分辨能力（22nm以下）（如193nm5nm等10nm1nmP金屬PP耦合和傳輸模式行為理論分析和實(shí)驗(yàn)測試等。SP在系統(tǒng)掌握亞波長超衍射材料中的超衍射行為規(guī)律和機(jī)制等方面的知識基P慧差、像散、色差等初級像差缺乏準(zhǔn)確的物理分析、數(shù)學(xué)模型和光線追跡方法，因而尚未建立合理的P分辨成像器的制作提供清晰的藍(lán)圖，并能夠有效地指導(dǎo)制作工作的完成。成像分析等方面的理論和技術(shù)接口。影響SP分辨力理論極限。P光刻是通過操縱倏逝波的傳輸、耦合模式，實(shí)現(xiàn)空間截止頻率調(diào)制，突等因素的影響對提高P道，缺乏對這些影響因素與P光刻分辨力之間關(guān)系的系統(tǒng)分析。解決P光刻分辨力極限將面臨著以下幾個關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題需要研究：由于SP光刻分辨力的實(shí)現(xiàn)首先是通過SP波與光刻介質(zhì)相互作用，進(jìn)行電PPP光刻分辨力必須面對的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問題和難點(diǎn)。超衍射材料和SP超衍射材料和器件的主要制作手段目前仍是微細(xì)加工技術(shù)和化學(xué)自組裝技以及缺陷的人為引入一直是科研工作者努力解決的問題。超衍射材料和器件制備中關(guān)鍵科學(xué)問題包括納米模板技術(shù)制備金屬材料多是制約亞波長金屬微納結(jié)構(gòu)光學(xué)性質(zhì)研究的關(guān)鍵因素。6、基于超分辨成像的高質(zhì)量SPSPSP光刻技術(shù)走向應(yīng)用的重要條件。SP光刻的獨(dú)特物理特性，盡管于傳統(tǒng)光刻材料和工藝兼容，SP光刻的最佳設(shè)計(jì)和工藝參數(shù)，實(shí)現(xiàn)高深SPSP光刻技術(shù)應(yīng)成的各種局域、耦合P波模式分布，研究P波模式之間的相互激發(fā)、轉(zhuǎn)換規(guī)P的各種匹配條件以及相關(guān)參數(shù)與超衍射光強(qiáng)定域分布的關(guān)系。研究實(shí)現(xiàn)超衍射光學(xué)行為調(diào)控手段和結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)原則，包括實(shí)現(xiàn)特定方向的折射/反射、電磁波空間頻譜裁剪、倏逝波與傳輸波之間的耦合轉(zhuǎn)換、電磁波沿特定方向衍射等等。針對紫外光、深紫外頻段電磁波，研究在超衍射人工結(jié)構(gòu)中表現(xiàn)出的（究提供超衍射材料方面的光學(xué)宏觀描述方法。研究紫外到深紫外頻段下，實(shí)現(xiàn)特定宏觀光學(xué)介電常數(shù)、磁導(dǎo)率、表面阻抗和調(diào)控P計(jì)算法和分析軟件。研究紫外到深紫外頻段下，用于實(shí)現(xiàn)電磁波超衍射傳輸和調(diào)控的各種研究摻雜型復(fù)合金屬薄膜材料的制備方法和介電常數(shù)調(diào)節(jié)和測試，研究降低P傳輸耦合損耗的理論和方法技術(shù)途徑，探索增益補(bǔ)償方式的P傳輸耦合材料和可行性研究。研究分析超分辨P成像器件的各種成像基本特性，包括光學(xué)傳遞函/P超分辨成像的像質(zhì)評判、像差分析等方面的完整數(shù)理模型，研究各種像差（包括球差、慧差、色差等）校正和補(bǔ)償?shù)脑砗蛯?shí)現(xiàn)方法。研究超分辨成像與傳統(tǒng)衍射受限成像光學(xué)系統(tǒng)的共