電子科技大學(xué)碩士考試大綱

812筆試（閉卷180150（一）12（二）2（三）1（四）1（五）134（六）123（七）2、DEM的主要表示方法3、DEM1、3SWebGIS的實(shí)現(xiàn)技術(shù)3、GIS813筆試（閉卷180150《電磁場與電磁波》(第四版)謝處方高等教育出版社2006Laplace、PoissonHelmholtz方程，掌握一維問題微分方程的求解方法；（自感、外感波動方程、橫縱關(guān)系、TEM波、TE波、TM波；均勻（非均勻）平面波、球面波、導(dǎo)行電磁波；無耗媒質(zhì)、損耗媒質(zhì)、理想導(dǎo)體、復(fù)介電常數(shù)；Poynting矢量、Poynting定理；波矢量、傳播透射、全反射、全透射；反射系數(shù)、駐波系數(shù)、透射系數(shù)、波阻抗、臨界角、Brewster角等。TMmn814筆試（閉卷180150《電力電子技術(shù)》(第四版)王兆安機(jī)械工業(yè)出版社2004MOSFET、IGBT等電力電子器件的結(jié)構(gòu)、原理、特性和使用方法；PWM技術(shù)的工作原理和控制特性，了解軟開關(guān)技術(shù)的基本原理；（一）：～20%30分。電力電子技術(shù)的基本概念。各種二極管；半控型器件：晶閘管；典型全控型器件：GTOMOSFET、IGBT、BJT；IGCT、MCT、SIT、STIH等其他電力電子器件；功率集成電路和智能功率模塊；電力電子器件的串并聯(lián)；電力電子器件的保護(hù)；（二）：～44%60分。單相可控整流電路；三相可控整流電路；變壓器漏抗對整流流電路的有源逆變工作狀態(tài)；相位控制電路。（三）：～12%20分。降壓斬波電路；升壓斬波電路；升降壓斬波電路；復(fù)合斬波電（四）：～6%10分。單相相控式交流調(diào)壓電路；三相相控式交流調(diào)壓電路；交流調(diào)功（五）：～12%20路和多電平逆變電路。PWMPWMPWM波形的生成方法；PWMPWM逆變電路；PWM整流電路。（六）：～6%10分。軟開關(guān)技術(shù)的分類與基本概念。間接交流變流電路；交—直—交變頻電路（VVVF（CVCF。1、選擇題：302、填空題：503、簡答題：254、推論題：155、計(jì)算題：30815筆試（閉卷180150《電路分析》胡翔駿高等教育出版社2001電路的基礎(chǔ)知識：電阻電路分析：動態(tài)電路的時域分析：了解二階電路，RLC正弦穩(wěn)態(tài)分析：RLC串聯(lián)諧振電路分析，諧振角頻率，品質(zhì)因素，通頻帶，帶通濾波特性，817筆試（閉卷180150《電子測量》(2版)《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(5版)《數(shù)字設(shè)計(jì)——原理與實(shí)踐》(3版)JohnF.Wackerly機(jī)械工業(yè)出版社2003（75分11測量和計(jì)量的基本概念（1）測量的定義，測量的組成（2）測量的量值比較原理，間接比電子測量的基本內(nèi)容和主要特點(diǎn)（1）電子測量在測量科學(xué)技術(shù)中的地位（2）電子測量所電子測量的基本實(shí)現(xiàn)技術(shù)（1）變換技術(shù)（2）比較技術(shù)（3）處理技術(shù)（4）電子測量方法的分類（1）直接測量與間接測量（2）有源量測量與無源量測量（3）頻域、測量儀器和測量系統(tǒng)的基本特性（1）靜態(tài)特性及基本參數(shù)（2）動態(tài)特性的頻域和時域的2測量誤差的基本概 （1）定義（2）來源（3）分類（4）表示方隨機(jī)誤差的統(tǒng)計(jì)特性與統(tǒng)計(jì)處理方 系統(tǒng)誤差的判斷及消除方法（1）定義、特征、分類（2）發(fā)現(xiàn)方法、判據(jù)（3）削弱或消粗大誤差的判斷及剔除方 （1）判別準(zhǔn)則（2）剔除方等精度測量和不等精度測 （1）等精度測量結(jié)果的數(shù)據(jù)處理（2）不等精度測量的加權(quán)測量不確定度（1）基本概念（2）分類（3）評定方法（4）3時間與頻率的測量原 （1）模擬測量技術(shù)（2）數(shù)字測量技電子計(jì)數(shù)器的組成原理和主要測量功 （1）測頻（2）測周（3）測頻比（4）測時間間 （1）測頻誤差（2）測周誤差（3）測頻和測周±1誤差的比較，高分辨率時間和頻率測量技 （1）多周期同步測量技術(shù)（2）模擬內(nèi)插法（3）游標(biāo)微波頻率測量技 （1）變頻法（2）置換 調(diào)制域測量技 （1）調(diào)制域測量的基本概念（2）無間歇計(jì)數(shù)器的實(shí)4交流電壓的測量（1）AC/DC轉(zhuǎn)換的原理（2）峰值電壓表、均值直流電壓的數(shù)字測量技術(shù)（1）DVM的組成及主要性能指標(biāo)（2）逐次逼近式、單斜式、A/D轉(zhuǎn)換原理 DVM的誤差分析及自動化技術(shù)（1）DVM的固有誤差（2）DVM附加誤差（3）DVM的主要部件的誤差（4）DVM的自動校正技術(shù)（5）DVM的自動量程技術(shù) 5、信號波形測量（信號時域測量CRT結(jié)構(gòu)及波形顯示原理（1）CRT的組成及基本性能參數(shù)（2）光點(diǎn)掃描波形模擬顯示技術(shù)和通用示波器（1）通用示波器的組成（2）Y（垂直）通道及其主要性波形取樣技術(shù)及取樣示波器（1）波形取樣與顯示原理（2）取樣示波器的組成原理與主要波形存儲技術(shù)及數(shù)字存儲示波器（1）波形的模擬存儲（記憶示波器）和數(shù)字存儲（2）數(shù)示波器的基本測量技術(shù)（1）示波器的主要性能、選用原則及使用要點(diǎn)（2）壓的方法（3）示波器測量時間，頻率和相位的方法(4)時域測試技術(shù)的基本概 （1）信號的時域測量（2）時域測試系統(tǒng)的基本組成原6正弦發(fā)生器及函數(shù)發(fā)生器（1）正弦信號發(fā)生器的原理、組成及主要性能指標(biāo)（2）多波形鎖相頻率合成信號的產(chǎn)生（1）頻率合成的基本概念（2）鎖相環(huán)（PLL）的原理及基本形式(3)提高頻率分辨力的多環(huán)合成技術(shù)（4）(5)擴(kuò)展頻率上限的多模分頻直接數(shù)字合成（DDS）技術(shù)（1）DDS的組成及相位累加器原理（2）DDS頻率合成信號合成信號源簡介（1）任意波形發(fā)生器的原理、組成（2）7信號頻譜分析及線性系統(tǒng)頻率特性測試的基本概念（1）信號頻譜分析的內(nèi)容、方法及儀外差式頻譜議（1）組成原理及框圖（2）主要性能指標(biāo)（3）8、數(shù)字系統(tǒng)（數(shù)域）數(shù)據(jù)域測試的基本概 （1）數(shù)字系統(tǒng)測試的特點(diǎn)（2）數(shù)據(jù)域測試系統(tǒng)的組9自動測試系統(tǒng)（1）自動測試系統(tǒng)（CCAT平臺）的組成和發(fā)展（2）基于可程控儀器的組成的自動測試系統(tǒng)；GPIB總線的定義、主要接口功能、系統(tǒng)的組建（3）基于模塊式儀器組成的自基于網(wǎng)絡(luò)化儀器組成的自動測試系統(tǒng)：分布式測系統(tǒng)與網(wǎng)絡(luò)通信技術(shù)的基本概念 1、標(biāo) 者為重點(diǎn)內(nèi)容232：3：3：2主要題型有單項(xiàng)選擇題、填空題、判斷題、名詞解釋、簡答題、應(yīng)用題等。其分?jǐn)?shù)比例為（75分1號位擴(kuò)展；BCD碼、GREY碼間的轉(zhuǎn)換。2、組合邏輯設(shè)計(jì)原理（重點(diǎn)內(nèi)容3、組合邏輯設(shè)計(jì)實(shí) （重點(diǎn)內(nèi)容4、時序邏輯設(shè)計(jì)原 （重點(diǎn)內(nèi)容重點(diǎn)掌握:S型D型K型（重點(diǎn)內(nèi)容,T型鎖存器、觸發(fā)器的電路結(jié)構(gòu)，工作原理，時序特性,狀態(tài)機(jī)類型及基本分析方法；使用狀態(tài)圖表示狀態(tài)機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)換關(guān)系；鐘控同步狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)：狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程的建立，狀態(tài)的化簡與編碼賦值、未用狀態(tài)的處理-最小風(fēng)險方案和最小成本方案、使用狀態(tài)轉(zhuǎn)換表的設(shè)計(jì)方法、使用狀態(tài)圖的設(shè)計(jì)方法。5、時序邏輯設(shè)計(jì)實(shí) （重點(diǎn)內(nèi)容818筆試（閉卷1801502晶體結(jié)構(gòu)、倒易點(diǎn)陣與晶體衍射約20%；晶體結(jié)合 約20%； 約20%；自由電子費(fèi)米氣體 約20%； 約20%1布里淵區(qū)；X射線衍射的勞厄條件，及布喇格方程；結(jié)構(gòu)因子與原子形狀因子。2德隆常數(shù)、離子半徑；分子晶體內(nèi)能，Lenard-Jeans勢；內(nèi)聚能與平衡點(diǎn)陣常數(shù)；晶體缺陷：線缺345819筆試（閉卷180150《新概念物理教程(光學(xué))》趙凱華高等教育出版社2006；第一 光和光的傳 第五章變換光學(xué)與全息照相 光與物質(zhì)的相互作用光的量子性計(jì)算題822筆試（閉卷180150《控制工程基礎(chǔ)》沈艷清華大學(xué)出版社2009（一）：第一章緒論12（二）：第二章控制系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型12（三）：25%2（四）：第四章控制系統(tǒng)的根軌跡分析1、繪制負(fù)反饋閉環(huán)控制系統(tǒng)根軌跡圖（注意分離角2（五）：第五章控制系統(tǒng)的頻域分析12、繪制開環(huán)系統(tǒng)的奈魁斯特圖和波德圖(注意繪制波德圖時所用的化簡方法)3456（六）：30%23（七）：第七章采樣控制系統(tǒng)12計(jì)算題:150823筆試（閉卷180150《控制工程基礎(chǔ)》沈艷清華大學(xué)出版社2009《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.Oppenheim（一）：第一章緒論12（二）：第二章控制系統(tǒng)數(shù)學(xué)模型12（三）：15%2（四）：第四章控制系統(tǒng)的根軌跡分析1、繪制負(fù)反饋閉環(huán)控制系統(tǒng)根軌跡圖（注意分離角2（五）：第五章控制系統(tǒng)的頻域分析12、繪制開環(huán)系統(tǒng)的奈魁斯特圖和波德圖(注意繪制波德圖時所用的化簡方法)3456:75分824筆試（閉卷180150《理論力學(xué)》(第六版)（一）：12、平衡方程的建立與求解，摩擦（滑動摩擦和滾動摩擦）3括桁架）的平衡問題；掌握摩擦、摩擦角的概念，能求解考慮滑動摩擦?xí)r簡單的物體系統(tǒng)平衡問（二）：1234（三）：動力學(xué)12345基本要求：能夠熟練建立并求解質(zhì)點(diǎn)的運(yùn)動微分方程；掌握并熟練計(jì)算動力學(xué)中各基本物理量(動量、動量矩、動能、沖量、功、勢能等)；熟練掌握動力學(xué)普遍定理(對固定點(diǎn)的和對質(zhì)心的動量矩定理、動能定理)及相應(yīng)的守恒定理，能夠建立剛體定軸轉(zhuǎn)動和平面1、基礎(chǔ)題（包括填空、判斷題、選擇題和分析題）：602、計(jì)算題（包括綜合題）：90825筆試（閉卷180150WadeTrappe人民郵電出版社2004《密碼編碼學(xué)與網(wǎng)絡(luò)安全——原理與實(shí)踐》(第四版)Stallings電子工業(yè)出版社2006 密碼學(xué)的發(fā)展概況（了解 古典密碼中的基本加密運(yùn)算（了解幾種典型的古典密碼體制（了解 Shannon理論密碼體制的數(shù)學(xué)模型（掌握熵及其性質(zhì)（了解偽密鑰和惟一解距離（了解密碼體制的完善保密性（了解 分組密碼的基本原理（理解DES的工作模式（掌握 公鑰密碼的理論基礎(chǔ)（理解RSA公鑰密碼（掌握大素數(shù)的生成及素性檢測（理解EIGamal公鑰密碼（了解 序列密碼的基本原理（理解移位寄存器與移位寄存器序列（理解線性移位寄存器的表示（理解線性移位寄存器序列的周期性（了解線性移位寄存器的序列空間（了解線性移位寄存器序列的極小多項(xiàng)式（理解m序列的偽隨機(jī)性（了解B-M算法與序列的線性復(fù)雜度（了解 基于公鑰密碼的數(shù)字簽名（掌握EIGamal簽名方案（理解 Hash函數(shù)Hash函數(shù)的性質(zhì)（掌握Hash函數(shù)（理解MD5Hash函數(shù)算法（掌握1（ 密鑰建立協(xié)議（掌握秘密共享技術(shù)（理解身份識別技術(shù)（了解零知識證明技術(shù)（了解1章網(wǎng)絡(luò)與信息安全基礎(chǔ)23PGP、S/MIMESSHSSLWEBIPSecKerberosX.509協(xié)議4章系統(tǒng)安全技術(shù)UNIXWindowsUNIXWindows5第6章案例分析828筆試（閉卷180150《數(shù)字電子技術(shù)基礎(chǔ)》(5版)《數(shù)字設(shè)計(jì)——原理與實(shí)踐》(第四版)JohnF.Wackerly機(jī)械工業(yè)出版社2007溢出判別，符號位擴(kuò)展；BCD碼、GREY碼間的轉(zhuǎn)換。重點(diǎn)掌握作為電子開關(guān)運(yùn)用的二極管、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)管的工作方式；以CMOS倒相器電路的構(gòu)成及工作狀態(tài)分析；邏輯門電路的靜態(tài)特性：傳輸特性、輸入、輸出特性、直流噪聲容限；特殊的輸入輸出電路結(jié)構(gòu)：CMOS傳輸門、施密特觸發(fā)器輸入結(jié)構(gòu)、組合邏輯設(shè)計(jì)原理（重點(diǎn)內(nèi)容組合邏輯設(shè)計(jì)實(shí) （重點(diǎn)內(nèi)容時序邏輯設(shè)計(jì)原 （重點(diǎn)內(nèi)容重點(diǎn)掌握:S型D型K（重點(diǎn)內(nèi)容,T機(jī)的模型圖，狀態(tài)機(jī)類型及基本分析方法；使用狀態(tài)圖表示狀態(tài)機(jī)狀態(tài)轉(zhuǎn)換關(guān)系；鐘控同步狀態(tài)機(jī)的設(shè)計(jì)：狀態(tài)轉(zhuǎn)換過程的建立，狀態(tài)的化簡與編碼賦值、未用狀態(tài)的處理-最小風(fēng)險方時序邏輯設(shè)計(jì)實(shí) （重點(diǎn)內(nèi)容重點(diǎn)掌握：運(yùn)用基本的邏輯門、觸發(fā)器作為設(shè)計(jì)的基本元素完成計(jì)數(shù)器、移位寄存器、（計(jì)數(shù)器、位移寄存器等時序功能器件作為設(shè)計(jì)的基本元素完成更為復(fù)雜的時序邏輯電路設(shè)計(jì)的方法。了解模擬-數(shù)字轉(zhuǎn)換器、數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器、555時基電路的基本電路結(jié)構(gòu)和工作原理；模運(yùn)用；了解555時基電路構(gòu)成單穩(wěn)態(tài)電路、施密特觸發(fā)器、多諧振蕩器的原理。829筆試（閉卷180150《數(shù)字設(shè)計(jì)--原理與實(shí)踐》(第三版)JohnF.Wackerly機(jī)械工業(yè)出版社2003掌握邏輯關(guān)系式的標(biāo)準(zhǔn)表達(dá)式（最小項(xiàng)和式簡單組合電路的設(shè)計(jì)要求掌握下列設(shè)計(jì)實(shí)例：數(shù)據(jù)判斷電路（4輸入、二進(jìn)制譯碼器、數(shù)據(jù)選擇器、全加器JKD能夠通過對設(shè)計(jì)要求的分析建立狀態(tài)轉(zhuǎn)換圖或狀態(tài)/利用狀態(tài)/與或式3-83-84144第一 晶體二極管及應(yīng)用電1、半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識（了解本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體（PN型，本征激發(fā)與復(fù)合，雜質(zhì)電離，空穴導(dǎo)電原理，多子PN結(jié)。2、二極管特性（了解3、二極管應(yīng)用（掌握二極管單向?qū)щ娞匦詰?yīng)用：半波與全波整流電路；單向與雙向限幅電路；二極管開關(guān)電路。第二 雙極型晶體管1、BJT原理（了解NPNPNP（一般了解vBE、vCE作用（正向電壓的指數(shù)控制作用和反向電壓的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)，BJT的截止2、BJT靜態(tài)伏安特性曲線（掌握共射輸入特性曲線和輸出特性曲線（三個區(qū)）3、BJT參數(shù)（掌握 ,α,βICBO,ICEOICMPCM,BVCEOfTBJTBJT的放大、截止與飽和狀態(tài)判別。4、BJT模型（掌握）BJT的小信號等效模型：簡化模型（gm參數(shù)和β參數(shù)模型）BJTπ等效模型：會畫完整模型和了解模型參數(shù)的物理含義。第三章晶體管放大器基礎(chǔ)1、放大器的一些基本概念（正確理解2、BJT偏置電路（掌握Q原理和穩(wěn)定條件。3、BJT三種基本組態(tài)放大器（掌握）小信號放大器指標(biāo)（正確理解）：CE、CC、CB放大電路、指標(biāo)及特點(diǎn)（掌握特等電路分析法，記公式。交流負(fù)載線，放大器動態(tài)范圍，截止與飽和失真（CE放大器。4、多級放大器（掌握 1、FET原理（了解FETNJFETNMOSFET的工作原理，放大區(qū)vGSvOSiD的影響2、FET特性曲線（掌握NJFETFET3、FET偏置電路（自給偏壓和混合偏置（掌握）PFETNFET偏置極性的差別。4、FET的小信號模型（掌握）5、FETCSCD組態(tài)放大器（掌握）1、恒流源(理解電路原理和特點(diǎn)2、差動放大器（重點(diǎn)掌握基本概念和分析方法Avc，KCMR，Rid，Ric,Ro）及用單邊等放電路法求指標(biāo)，差放抑制零漂的原因，差放的小信號范圍3、OCLOTL功率輸出電路（掌握OCLOTL電路原理及滿激勵指標(biāo)（掌握，功率管極限參數(shù)（ICMPCM,BVCEO）OCL第六章放大器的頻率響應(yīng)1、放大器頻率響應(yīng)的概念及描述（了解產(chǎn)生頻率響應(yīng)的原因，放大器頻率特性函數(shù)，fL、fH、BW的定義，幅頻特性和相頻特性函2、放大器的低、高頻截止頻率的估算（掌握第七章負(fù)反饋技術(shù)1、單環(huán)理想模型（了解2、實(shí)際反饋放大器類型及極性的判斷（掌握3、負(fù)反饋對放大電路的影響（定性了解5、負(fù)反饋放大器的穩(wěn)定性（掌握第八章集成運(yùn)算放大器及應(yīng)用1、集成運(yùn)放電路組成及特點(diǎn)（定性了解2、了解集成運(yùn)放的主要參數(shù)：Avd，KCMR，RidRo，BWG，SR，VIO，dVIO/dT，Iio，d3、理想運(yùn)放分析法（重點(diǎn)掌握4、運(yùn)放的線性應(yīng)用電路（重點(diǎn)掌握830筆試（閉卷180150《數(shù)字圖像處理（第二版》(阮秋琦等譯 原著（美）Gonzalez和Woods電工業(yè)出版社2005掌握圖像空間域/頻域處理(增強(qiáng))11.11.4數(shù)字圖像處理的基本步驟2章數(shù)字圖像處理基礎(chǔ)3章空間域圖像增強(qiáng)44.24.655.25.35.119章形態(tài)學(xué)處理9.29.39.5（9.5.1（9.5.210章圖像分割10.111章表示與描述（11.1.1（11.2.3831筆試（閉卷180150《信號與系統(tǒng)》(第二版A.V.Oppenheim2000《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.OppenheimLeonW.Couch,II《DigitalandAnalogCommunicationSystems》(第六版LeonW.Couch,II科學(xué)出版30%第三 基帶脈沖與數(shù)字信 采樣定 自然采 瞬時采 PCM的構(gòu)成與基本原理PCM的參數(shù)選擇與計(jì)算PCM的性能指標(biāo) 第五 AM、FM及數(shù)字調(diào)制系 幅度調(diào)制 抑制載波雙邊帶調(diào)制（DSB- 非對稱邊帶信號 MSK第六 隨機(jī)過程與譜分 第七 噪聲環(huán)境下通信系統(tǒng)的性 PCM LTILTILTILTILTI連續(xù)時間傅立葉變換性質(zhì)傅立葉變換性質(zhì)和基本傅立葉變換隊(duì)列表5.65.8由線性常系數(shù)差分方程表征的系統(tǒng)LTI7.6AM8.9第十章：ZZZZZ832筆試（閉卷180150《晶體管原理與設(shè)計(jì)》(第二版)突變結(jié)與線性緩變結(jié)的定義，PN結(jié)空間電荷區(qū)的形成，耗盡近似與中性近似，耗盡區(qū)寬度、大注入效應(yīng)，PN結(jié)的交流小信號參數(shù)與等效電路，勢壘電容與擴(kuò)散電容的定義、計(jì)算與特點(diǎn)，PN結(jié)的開關(guān)特性與少子存儲效應(yīng)，PN結(jié)雪崩擊穿的機(jī)理，雪崩擊穿電壓的計(jì)算及影響因素，齊納擊算與測量，影響閾電壓的各種因素，閾電壓的襯底偏置效應(yīng)、MOSFET在非飽和區(qū)的簡化的直流電流電壓方程，MOSFET飽和漏源電壓與飽和漏極電流的定義與計(jì)算，MOSFET的直流輸出特性曲線圖，MOSFETMOSFET的直流參數(shù)及其溫度特性，MOSFET的各種擊穿電壓，MOSFET的小信號參數(shù)、高頻等效電路及其頻率特性，MOSFET跨導(dǎo)的定義與計(jì)算以及影響跨導(dǎo)的各種因素，MOSFET的短溝道效應(yīng)以及克服短溝道效應(yīng)的措施。833筆試（閉卷180150 第二章物質(zhì)的狀態(tài)了解化學(xué)鍵的基本含義、特征等；了解離子鍵、離子的形成過程、掌握離子鍵理論、離子，離必須掌握同核雙原子分子（N2、2、2、2）的分子軌道能級圖、異核雙原子分子（F、、O等U、W、H、S、G等；掌握熱力學(xué)第一定律及計(jì)算，蓋斯定律及熱化學(xué)有關(guān)的計(jì)算；必第七章化學(xué)反應(yīng)速率（選講第九章溶液（選講內(nèi)容的標(biāo)準(zhǔn)；掌握水的離子積、pH值的含義和相關(guān)計(jì)算；了解酸堿指示劑；必須掌握弱酸和弱堿的電1、Sp了解ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA、ⅠA元素在自然界中的存在，掌握它們的基本性質(zhì)，及用。2、ds了解ⅠB、ⅠB族元素在自然界中的存在，掌握的基本性質(zhì)，及其重要化合物的制備、重要反應(yīng)和應(yīng)用；掌握常見化合物的鑒定、Hg22+Hg2+Hg的安全使用。3要價態(tài)化合物。重點(diǎn)掌握，Ti、Cr、V、Mn、Fe、Co、Ni、Pd、Pt的基本性質(zhì)，及其重要化合物4、鑭系元素及阿系元素簡介（選講了解配位化合物的基本特征；掌握配位化合物的基本概念：定義、組成、命名；理解配位數(shù)、了解配位化合物的基本特征；掌握配位化合物的基本概念：定義、組成、命名；理解配位數(shù)、了解配位化合物的化學(xué)鍵理論的基本內(nèi)容（價鍵理論、晶體場理論、分子軌道理論；必須掌握配合物形成內(nèi)外軌化合物的條件、方式和特征等；理解配合物的價鍵理論對配合物性質(zhì)的解釋；必d（穩(wěn)定常數(shù)等有關(guān)的計(jì)算。了解配位化合物的實(shí)際應(yīng)用與配位化合物的發(fā)展前景。836筆試（閉卷180150《SIGNALSANDSYSTEMSA.V.Oppenheim（第二版）“信號與系統(tǒng)”部分主要包括信號與系統(tǒng)的基本概念；系統(tǒng)的二大類分析方法和四大數(shù)學(xué)工具LTIS域分析方法。準(zhǔn)確理解雙邊拉普拉斯變換的定義、收斂域的反變換）LTIH(s)對系統(tǒng)基本特性的表征；能熟練地運(yùn)用雙邊或單邊拉普拉斯變換求解系統(tǒng)（包括具體電路）LTI系統(tǒng)的LTIZZ變換的定義、收斂域的概念以ZZ變換的收斂域；ZZ變換（包括反變換）的方法；深LTIH(z)Z變LTI系統(tǒng)的方框圖表達(dá)、系統(tǒng)函數(shù)和線性常系數(shù)差分方程““數(shù)字電路”部分1、數(shù)字電路基礎(chǔ)知識、概念與定理體系2、組合電路、時序電路分析與設(shè)計(jì)3、綜合分析與應(yīng)用計(jì)算題837筆試（閉卷1801502010年全國碩士研（一）1234（二）（三）（四）12（五）12（六）123839筆試（閉卷180150微分方程式；傳遞函數(shù)；脈沖響應(yīng)；框圖；狀態(tài)方程式；及其相互轉(zhuǎn)換。z二階系統(tǒng)的時域分析；穩(wěn)定性；Routh判據(jù)；穩(wěn)態(tài)誤差；根軌跡法；Bode圖；Nyquist圖；Nyquist穩(wěn)定判據(jù)；相對穩(wěn)定性；PID控制規(guī)律；超前補(bǔ)償；滯后補(bǔ)償；反饋補(bǔ)償狀態(tài)方程及其解；狀態(tài)空間表達(dá)式；可控性可觀測性；Lyapunov穩(wěn)定性；狀態(tài)反饋、輸出反饋與841筆試（閉卷180150《模擬電路分析與設(shè)計(jì)基礎(chǔ)》吳援明科學(xué)出版社2006第一章半導(dǎo)體材料及二極管本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體（PN型；本征激發(fā)與復(fù)合；雜質(zhì)電離；空穴導(dǎo)電原理；多子；PNPN結(jié)。 一、理解BJT工作原理NPNPNP管；放大偏置特點(diǎn)；放大偏置時內(nèi)部載流子傳輸；放大偏置時外電流關(guān)系（直流傳輸方程，αβ，ICBO，ICEO的概念vBE、vCE的作用（正向電壓的指數(shù)控制作用和反向電壓的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)；BJT的截止與飽和狀態(tài)及特點(diǎn)。二、BJT三、BJT參數(shù)理解α、β、a、b、ICBO、ICEO、ICM、PCM、BVCEOfT的含義p模型熟練掌握兩種簡化模型（gm參數(shù)和b參數(shù)模型）及其模型參數(shù)的計(jì)算方法。 BJT放大電路BJTQ原理和穩(wěn)定條件。三、BJT三種基本組態(tài)放大器（中頻段）CE、CC、CB放大電路、指標(biāo)及特點(diǎn)；熟練掌握等效電路分析法。CE放大器的交流負(fù)載線的畫法和動態(tài)范圍的分析方法；理解截止失真與飽和失真。 MOSFET及其放大電路一、FET原理FETNMOSFETNJFET；放大區(qū)vGSvDSiD的影響。二、FETNMOSFETFET的結(jié)構(gòu)特性曲線和輸出特性曲線，掌握放大區(qū)的三、FET偏置電路（自給偏壓和混合偏置PFETNFET偏置極性的差別。四、FET的小信號模型gmrds含義、完整小信號模型；掌握低頻小信號模型。五、FETCSCD組態(tài)放大器 fL、fH、BW的定義；理解幅頻特 差放的信號分解（vic、vid與任模信號關(guān)系（ICM，PCM，BVCEO xsxixf；A放大器、BA與閉環(huán)第八、九 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路與設(shè)842筆試（閉卷180150掌握用“逐段線性化”掌握低功率線性變壓器（寬帶變壓器）明確插入損耗,EMI器件(如π型,T型,τ型或吸收型)的插損計(jì)算。AP筆試（閉卷180200（100分（一）：緒論12(二)一階微分方程的初等解法1234512123筆試（閉卷180200（100分?jǐn)?shù)學(xué)準(zhǔn)備知識（矢量分析和場論開；重點(diǎn)掌握處理靜電問題的方法：（1）分離變量法（定解問題、Laplace方程的求解（2）鏡；（3）掌握用矢勢和標(biāo)勢描述電磁場；理解規(guī)范變換與規(guī)范不變性、Lorentz規(guī)范、推遲勢（重點(diǎn)理解了解相對論的實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)；重點(diǎn)掌握狹義相對論的基本原理以及Lorentz（同時的相對性、Einstein時鐘延緩、Lorentz收縮、因果律；掌握相對論的四維協(xié)變形式，電動1、選擇題：××2、填空題：××3、簡答題：××筆試（閉卷180200（100分《電路分析》胡翔駿高等教育出版社2001電路的基礎(chǔ)知識：電阻電路分析：動態(tài)電路的時域分析：了解二階電路，RLC正弦穩(wěn)態(tài)分析：RLC串聯(lián)諧振電路分析，諧振角頻率，品質(zhì)因素，通頻帶，帶通濾波特性，1、選擇題：××2、填空題：××3、簡答題：××筆試（閉卷180200（100分過程及重要概念。掌握標(biāo)準(zhǔn)溶液的濃度（物質(zhì)的量的濃度的滴定度）的有關(guān)計(jì)算，及待測成份結(jié)果計(jì)算及表示方法。TF分布。掌握少量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的數(shù)理統(tǒng)計(jì)處理，包括平均值的精密度、平均值的量倍區(qū)方法。掌握絡(luò)合滴定法的基本原理、絡(luò)合滴定曲線的計(jì)算、終點(diǎn)誤差的林邦計(jì)算公式,絡(luò)合滴能性及酸度的選擇（與PH的關(guān)系，KMYPH的關(guān)系、分步滴定的判別式，最佳酸度，掌握氧化還原反應(yīng)的基本概念及能斯方程，氧化還原反應(yīng)平衡常數(shù)，等當(dāng)點(diǎn)位的計(jì)算方掌握氧化還原反應(yīng)的基本概念及能斯方程，氧化還原反應(yīng)平衡常數(shù)，等當(dāng)點(diǎn)位的計(jì)算方指示劑作用原理及常見氧化還原滴定方法（高錳酸鉀法、重鉻酸鉀法，碘量法等。教材：武漢大學(xué)《分析化學(xué)》第四版，高教出版社，2000筆試（閉卷180200（100分12Cauchy-Riemann方程；掌握初等解析函數(shù)的性質(zhì)及其單葉性區(qū)域的確定；3Cauchy積分定理、復(fù)合閉路定理；Cauchy積分公式的意義、證明方法和應(yīng)用，掌握與其相關(guān)的一些重要推論；能夠Rouche定理的意義和應(yīng)用；掌握最大模原理的意義。6計(jì)算題筆試（閉卷180200（100分（一）2345、概率的三個重要公式——6（二）1234567891011（三）123456（四）123456、分布函數(shù)弱收斂及連續(xù)性（列維－克拉美）78、強(qiáng)（弱）9101、選擇題：××2、填空題：××3、簡答題：××筆試（閉卷180200（100分（一）誤差與算法基本概念（二）解線性方程組的直接方法（三）插值方法（四）數(shù)據(jù)擬合方法Bezier（五）數(shù)值積分方法（六）常微分方程數(shù)值解歐拉公式與龍格—（七）非線性方程求根方法（八）解線性方程組的迭代法筆試（閉卷180200（100分《計(jì)算機(jī)組成原理》羅克露電子工業(yè)出版社20042010年全國碩士研(一計(jì)算機(jī)工作原理的幾個重要概念，如信息數(shù)字化、存儲程序式計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)、構(gòu)成計(jì)算機(jī)(二)數(shù)值型數(shù)據(jù)的表示方法：數(shù)制、碼制、定點(diǎn)數(shù)和浮點(diǎn)數(shù)的表示；字符表示；指令信息的表I/O指令的設(shè)置方式以及相應(yīng)的訪問工作過程。(三)UPU的邏輯組成(內(nèi)部數(shù)據(jù)通路結(jié)構(gòu))，U的工作機(jī)制()(組合邏輯控制與微程序控制、同步控制與異步控制、各種周期和不同周期之間的時間關(guān)系等)，幾種四則運(yùn)算方法(補(bǔ)碼加減法、原碼乘法、補(bǔ)碼乘法、原碼除法和補(bǔ)碼除法，以及浮點(diǎn)四則運(yùn)算)，組合邏輯控制器與微程序控制器設(shè)計(jì)的基本方法。(四熟練掌握半導(dǎo)體存儲器的邏輯設(shè)計(jì)方法，包括在給定芯片的情況下，進(jìn)行芯片地址空間分配(五)了解主機(jī)與外部設(shè)備的連接模式，總線類型與總線標(biāo)準(zhǔn)，接口功能與接口分類。掌握三種基I/O傳送方式：直接程序傳送方式及接口；中斷方式及接口：中斷的基本概念，中斷的產(chǎn)生、擴(kuò)展方法；DMA方式及接口：DMA的基本概念，DMA控制器的組成，DMA接口的組成，DMA(六)I/OCRT60綜合設(shè)計(jì)題 包括指令流程及操作時間表、存儲器、中斷接口以及CRT顯示筆試（閉卷180200（100分《量子力學(xué)》(上冊)進(jìn)行基本的量子力學(xué)計(jì)算（如德布洛意波長、非簡并微擾、算符平均值和矩陣法求解本征值問題等。（一）德布洛意波，波動方程及求 （二）力學(xué)量算符及基本對易關(guān)系，厄密算符及性質(zhì)，矩陣力學(xué)，對稱性和守恒定 （三）中心力場問題（氫原子和無限深球方勢阱 （四）近似方法（非簡并微擾法；變分法的基本步驟 （五）一般角動量與電子自 （六）電磁場中的原子（塞曼效應(yīng)和斯塔克斯效應(yīng) 14分，52025分，4203、計(jì)算題（I）：量子力學(xué)基本計(jì)算（德布洛意波長，力學(xué)量平均值等；154、計(jì)算題（II）：矩陣力學(xué)計(jì)算 155、證明題：量子力學(xué)常用關(guān)系的證明或應(yīng)用；156、計(jì)算題（III）：非簡并微擾計(jì)算 15筆試（閉卷180200（100分極管（FET）BJT和FET基本放大器的小信號等效電路分析方法，并應(yīng)用于實(shí)用電路的工程估算；理解放大器的頻IC中重要單元電路，如第一 半導(dǎo)體材料及二極1本征半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體（PN型；本征激發(fā)與復(fù)合；雜質(zhì)電離；空穴導(dǎo)電原理；多；PNPN結(jié)。23第二 雙極型晶體三極管1BJTNPNPNP管；放大偏置特點(diǎn)；放大偏置時內(nèi)部載流子傳輸；放大偏置時外電流關(guān)系（握直流傳輸方程，αβ，ICBO，ICEO的概念vBE、vCE的作用（正向電壓的指數(shù)控制作用和反向電壓的基區(qū)寬調(diào)效應(yīng)；BJT的截止與飽和狀態(tài)及特點(diǎn)。2、BJT理解共射輸入特性曲線和輸出特性曲線（三個區(qū)）3、BJT理解4、混合Ⅰ熟練掌握兩種簡化模型（gm參數(shù)和?參數(shù)模型）第三 BJT放大電12BJTQ原理和穩(wěn)定條件3、BJT三種基本組態(tài)放大器（中頻段）CE、CC、CBCE放大器的交流負(fù)載線的畫法和動態(tài)范圍的分析方法；理解截止失真與飽和失真。第四 MOSFET及其放大電1、FETFETNJFETNMOSFET的工作原理；放vGSvDSiD的影響。2、FETNFET（JFETMOSFET）FET的結(jié)構(gòu)特性曲線和輸出特性曲3、FET偏置電路（自給偏壓和混合偏置PFETNFET偏置極性的差別。4、FET的小信號模型五、FETCSCD組態(tài)放大器第五 模擬集成單元電123掌握互補(bǔ)功放的電路原理及滿激勵指標(biāo)（效率、管耗、電源功率）（ICM，PCM，BVCEO第六 放大器的頻率響12fLfH第七第七 負(fù)反饋技理解產(chǎn)生自激振蕩的原因和自激條件；了解用已知的T(jⅠ)和A(jⅠ)的波特圖判斷穩(wěn)定性的第八 集成運(yùn)算放大器及其應(yīng)用電路與設(shè)計(jì)算題復(fù) 日語寫作與翻筆試（閉卷120200（100分1、日譯漢裁多樣，可以包括散文、敘事、小說、議論、新聞、說明等