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sic康勇l提出多層基板結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)，將模塊寄生電感降低至1nH，充分發(fā)揮碳化硅器件高速優(yōu)勢l提出芯片嵌入式多層基板封裝技術(shù)，降低多層基板封裝熱阻提出銅夾材料及結(jié)構(gòu)優(yōu)化技術(shù)，實現(xiàn)低感低熱阻銅夾互術(shù)，實現(xiàn)低熱阻、高可靠的高溫SiC功率器件l研發(fā)大電流1200V/1000A柔性基板互連封裝SiC功率模塊l提出適用于柔性互連封裝的低感布局結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)了極小尺寸、極低寄生電感、極高動態(tài)均流性能提出納米銅-銀復(fù)合焊膏、陣列式復(fù)合納米線等新型互連制備技術(shù)，為解決現(xiàn)有商用納米銀膏成本高、納米銅研究內(nèi)容7：輕質(zhì)高導(dǎo)熱、低CTE復(fù)合散熱材料l提出金屬/碳基材料復(fù)合結(jié)構(gòu)和制備工藝l研制出可兼顧輕質(zhì)、高導(dǎo)熱、低CTE新型散熱底板l提出高性能功率器件的高密度系統(tǒng)集成技術(shù)，實現(xiàn)140kW/L的高功率密度逆變器l提出中大功率電路的高密度系統(tǒng)級封裝技術(shù)，功率密度提升至現(xiàn)有商用水平的3~5倍統(tǒng)集成度l低EMI驅(qū)動集成技術(shù)，實現(xiàn)驅(qū)動芯片在大功率SiC功率器件中的封裝集成總結(jié)：碳化硅器件已經(jīng)經(jīng)歷了30多年的研究發(fā)展，剛剛進(jìn)入產(chǎn)業(yè)應(yīng)用階段，其優(yōu)異性能還未充分發(fā)揮，無論是研究還是產(chǎn)業(yè)，未封裝集成技術(shù)的進(jìn)步，是充分發(fā)揮碳化硅器件性能的重要保障，基于碳化硅為代表的寬禁帶功率半導(dǎo)體的優(yōu)良特性，成技術(shù)的進(jìn)步，有望實現(xiàn)電力變換功率密

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