無機材料科學基礎(chǔ)Ⅱ?qū)W習通超星期末考試答案章節(jié)答案2024年

無機材料科學基礎(chǔ)Ⅱ?qū)W習通超星期末考試章節(jié)答案2024年計算CdI2晶體中的I-及CaTiO3的O2-電價是否飽和？（所謂飽和，即通過計算所得到陰離子所帶電荷數(shù)正好等于其所在分子式中的化學價態(tài)。）

答案:Cdl2晶體中Cd2+的配位數(shù)CN=6，每個Cd2+處在6個I-組成的八面體中心，每個I-與三個在同一邊的Cd2+相連，且I-的配位數(shù)CN=3。所以，即I-電價飽和。CaTiO3晶體中，Ca2+的配位數(shù)CN=12，Ti4+的配位數(shù)CN=6，O2-的配位數(shù)CN=6，結(jié)構(gòu)中Ca2+和O2-一起構(gòu)成面心立方最緊密堆積，Ca2+位于頂角，O2-位于面心，Ti4+位于體心，處于的配位多面體是[OCa4Ti2]。所以，即O2-電價飽和。名詞解釋：弗倫克爾缺陷肖特基缺陷熱缺陷濃度

答案:1、弗倫克爾缺陷指能量足夠大的質(zhì)點離開正常格點后擠入晶格間隙位置，形成間隙質(zhì)點，而原來位置上形成空位，其特點是空位和間隙質(zhì)點成對出現(xiàn)，晶體的體積不發(fā)生改變。2、肖特基缺陷正常格點上的質(zhì)點獲得能量后離開平衡位置遷移到新表面位置，在晶體表面形成新的一層，同時在晶體內(nèi)部正常格點上留下空位。3、熱缺陷濃度設(shè)構(gòu)成完整晶體的總節(jié)點數(shù)為N，在TK溫度時形成n個孤立熱缺陷，則用n/N表示熱缺陷在總節(jié)點中所占分數(shù)，即熱缺陷濃度。4、熱缺陷熱缺陷又稱為本征缺陷，是指晶體溫度高于絕對0K時，由于熱起伏使一部分能量較大的質(zhì)點（原子或離子）離開平衡位置所產(chǎn)生的空位和/或間隙質(zhì)點。CeO2為螢石結(jié)構(gòu)，其中加入15%（摩爾分數(shù)）CaO形成固溶體，測得固溶體密度d=7.01g/cm3，晶胞參數(shù)α=0.5417nm，試通過具體的計算判斷生成的是哪一種類型固溶體。已知原子Ce：140.12，Ca：40.08，O：16.00。

答案:計算得到6.989g/cm3接近7.01g/cm3，形成間隙固溶體，存在間隙Ca2+離子。MgO的密度是3.58g/cm3，其晶胞參數(shù)是0.42nm，計算單位晶胞中MgO的肖特基缺陷數(shù)。已知原子量：Mg;24.31;

O是16.00.

答案:7177個空位。影響置換型固溶體形成的因素有哪些?各因素是怎么影響的？

答案:影響形成置換型固溶體主要因素：（1）晶體結(jié)構(gòu)因素?；|(zhì)晶體與外來組分結(jié)構(gòu)類型相同，是形成完全互溶固溶體的必要條件。對部分互溶固溶體，若基質(zhì)晶體與外來組分的結(jié)構(gòu)相同，則溶解度通常較大。（2）尺寸因素。(r1-r2)/r1<15%，才有可能形成溶解度較大甚至完全互溶固溶體；(r1-r2)/r1=15%~40%，則形成部分互溶固溶體；(r1-r2)/r1>40%，則不能形成固溶體。（3）電價因素。只有等價離子置換才有可能形成完全互溶的固溶體，不等價離子置換僅可能形成部分互溶固溶體。（4）電負性因素。電負性差值小，有利于形成固溶體；電負性差值大，傾向于形成化合物。除上述因素，還有場強、能量效應(yīng)、化學親和力大小、溫度和壓力等影響因素。試述石英晶體、石英熔體、Na2O·2SiO2熔體結(jié)構(gòu)和性質(zhì)上的區(qū)別。

答案:結(jié)構(gòu)上，石英晶體中硅氧四面體按共頂方式，嚴格規(guī)則排列，遠程有序；石英熔體處于固態(tài)和氣態(tài)之間的狀態(tài)，基本結(jié)構(gòu)單元[SiO4]呈架狀結(jié)構(gòu)，遠程無序；Na2O·2SiO2熔體基本結(jié)構(gòu)單元為[Si6O18]12-，呈六節(jié)環(huán)或八節(jié)環(huán)，遠程無序。性質(zhì)上，石英晶體是固體，無流動性，熔點高，硬度大，導電性差，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，化學穩(wěn)定性好；石英熔體具有流動性，粘度大，電導率大，表面張力大；Na2O·2SiO2有流動性，粘度小于石英熔體，電導率大，表面張力大。自由度

答案:在一定范圍內(nèi)，可以任意改變而不引起舊相消失或新相產(chǎn)生的獨立變量稱為自由度。確定下列已達化學平衡體系的獨立組元數(shù)、相數(shù)和自由度數(shù)。(1)加熱到2273.15K的水蒸氣，氣相中還有H2、O2、OH、O與H；(2)HgO(s)、Hg(s)和O2(g)；(3)Fe(s)、FeO(s)、CO(g)和CO2(g)。

答案:(1)水蒸氣加熱到2273.15K，氣相中建立的平衡關(guān)系為：H2O(g)=H2(g)+O2(g)體系中能獨立存在的物種為H2O(g)、H2(g)和O2(g)，存在濃度關(guān)系滿足P(H2)=2P(O2)條件，所以體系的獨立組元數(shù)C=1，相數(shù)P=1，自由度數(shù)F=2，如果溫度恒定則自由度數(shù)F=1。(2)在HgO(s)、Hg(s)和O2(g)的體系中存在下列平衡關(guān)系：HgO(s)=Hg(g)+1/2O2(g)氣相中濃度關(guān)系滿P(Hg)=2P(O2)條件。因此體系的獨立組元數(shù)C=1，相數(shù)P=2，自由度數(shù)F=1。(3)在Fe(s)、FeO(s)、CO(g)和CO2(g)體系中存在下列反應(yīng)：FeO(s)+CO(g)=Fe(s)+CO2(g)因此獨立組元數(shù)C=3，相數(shù)P=3，自由度數(shù)F=2。已知固體硫有兩種晶型，即單斜硫、斜方硫，因此，硫系統(tǒng)可能有四個相，如果某人實驗得到這四個相平衡共存，試判斷這個實驗有無問題?

答案:有問題，根據(jù)吉布斯相律知，F(xiàn)=C-P+n=1-P+2，則當F=0時Р取最大P=3，則硫系統(tǒng)最多只能是三相平衡共存。什么是吉布斯相律？

答案:吉布斯相律即在相平衡系統(tǒng)中，系統(tǒng)的自由度數(shù)F組元數(shù)C相數(shù)Р和對系統(tǒng)的平衡狀態(tài)能夠發(fā)生影響因素數(shù)n之間的關(guān)系為:F=C-P+n。名詞解釋：1）一致熔融化合物2）不一致熔融化合物

答案:1）一致熔融化合物是一種穩(wěn)定的化合物，與正常的純物質(zhì)一樣具有固定的熔點，加熱這樣的化合物到熔點時，即熔化為液態(tài)，所產(chǎn)生的液相與化合物的晶相組成相同。2）不一致熔融化合物是一種不穩(wěn)定的化合物，加熱這種化合物到某一溫度便發(fā)生分解，分解產(chǎn)物是一種液相和另一種晶相﹐二者組成與原來化合物組成完全不同。/star3/origin/cca26d9d35cc8332a42d2a3bd89a653e.png

答案:(1)六方鈣長石熔點約1280°C(B點)，正鈣長石熔點約1170°C(C點)，三斜鈣長石的熔點約為1550C(A點)。(2)三斜與六方晶型的轉(zhuǎn)變是可逆的。因為六方晶型加熱到轉(zhuǎn)變溫度會轉(zhuǎn)變成三斜晶型，而高溫穩(wěn)定的三斜晶型冷卻到轉(zhuǎn)變溫度又會轉(zhuǎn)變成六方晶型，兩者的多晶轉(zhuǎn)變溫度約為300°C低于兩種晶型的熔點。(3)正交晶型是介穩(wěn)態(tài)。因為正交晶型與相應(yīng)條件下六方和三斜晶型相比有較大的蒸氣壓，即能量較高，處于介穩(wěn)態(tài)。假定碳在α-Fe（體心立方）和γ-Fe（面心立方）中的擴散系數(shù)分別為：Dα=0.0079exp(-83600/RT)cm2/s；Dγ=0.21exp(-141284/RT)cm2/s，計算800℃時各自的擴散系數(shù)，并解釋其差別。

答案:【解】將T=1073K代入題中兩式分別得Dα1073=6.7×10-7cm2/sDγ1073=2.7×10-8cm2/s。原因:擴散介質(zhì)結(jié)構(gòu)對擴散有很大影響。α-Fe為體心立方，而γ-Fe為面心立方，體心立方較面心立方疏松。結(jié)構(gòu)疏松，擴散阻力小而擴散系數(shù)大。實驗測得不同溫度下碳在鈦中的擴散系數(shù)分別為2×10-9cm2/s(736°C)、5×10-9cm2/s(782°C)、1.3×10-8cm2/s(838°C)。(1)判斷該實驗結(jié)果是否合理；(2)計算擴散活化能，并求出在500°C時碳的擴散系數(shù)。

答案:【解】(1)D1=2×10-9

cm2/s

(T1=1009K)D2=5×10-9

cm2/s

(T2=1055K)D3=1.3×10-8

cm2/s

(T3=1111K)將D1、D2和T1、T2代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得Q1=176290J/mol；同理將D2、D3和T2、T3代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得Q2=166274J/mol。Q1≈Q2，可以認為該實驗符合公式；(2)

由上步可知Q=2342787J/mol；將T=773K代入公式D=D0exp(-Q/RT)可求得D733=1.87×1010-46

cm2/s。Zn2+在ZnS中擴散時，563℃時的擴散系數(shù)為3×10-4cm2/s；450°C時的擴散系數(shù)為1.0×10-4cm2/s，求:(1)擴散活化能和D0；(2)750℃時的擴散系數(shù)；(3)根據(jù)你對結(jié)構(gòu)的了解，請從運動的觀點和缺陷的產(chǎn)生來推斷活化能的含義。

答案:【解】(1)由D=D0exp(-Q/RT)，得：Q=48856J/mol，D0=0.339cm2/s(2)把T=(750+273)=1023K代入D=D0exp(-Q/RT)得D1023k=1.085×10-3cm2/s(3)活化能的含義：擴散粒子從一個位置移動到另一個位置需要克服的能壘。解釋并區(qū)分下列概念:（1）穩(wěn)定擴散與不穩(wěn)定擴散;（2）本征擴散與非本征擴散；（3）自擴散與互擴散；（4）擴散系數(shù)與擴散通量。

答案:(1）穩(wěn)定擴散∶是指擴散物質(zhì)的濃度分布不隨時間變化的擴散過程，使用菲克第一定律可解決穩(wěn)定擴散問題。不穩(wěn)定擴散：是指擴散物質(zhì)濃度分布隨時間變化的一類擴散，這類問題的解決應(yīng)借助于菲克第二定律。(2）本征擴散：不含有任何雜質(zhì)的物質(zhì)中由于熱起伏引起的擴散。非本征擴散：由于雜質(zhì)引入引起的擴散。(3）自擴散：一種原子或離子通過由該種原子或離子所構(gòu)成的晶體中的擴散?；U散：兩種或兩種以上的原子或離子同時參與的擴散。(4)）擴散系數(shù)：當濃度為一個單位時，單位時間內(nèi)，垂直通過擴散方向x的物質(zhì)流量。擴散通量：單位時間垂直通過擴散方向x的單位面積的物質(zhì)的流量。下列有關(guān)質(zhì)點擴散的說法，正確的是()。

答案:固溶體中，溶劑原子和溶質(zhì)原子都會發(fā)生擴散下列元素中在γ-Fe中的擴散系數(shù)活化能最小的是()。

答案:С對于A、B兩種原子形成的固溶體，下列說法正確的是()。

答案:形成置換型固溶體時，A、B兩種原子都會發(fā)生擴散一般來說，下列幾種擴散方式中，擴散速率最快的是()。

答案:表面擴散下列點陣不屬于布拉維點陣的是()。

答案:密排六方密排六方和面心立方均屬密排結(jié)構(gòu)，它們的不同點是()。

答案:原子密排面的堆垛方式不同構(gòu)成層狀硅酸鹽[Si4O10]4-片中的Si4+通常被一定數(shù)目的Al3+所取代，為滿足鮑林第二規(guī)則(靜電價規(guī)則)，在層結(jié)構(gòu)中結(jié)合有OH-和各種二價或三價金屬離子，這種以Al3+取代Si4+的現(xiàn)象稱()。

答案:同晶置換同一種物質(zhì)在面心立方結(jié)構(gòu)晶體中的擴散系數(shù)()在體心立方結(jié)構(gòu)晶體中的擴散系數(shù)。

答案:小于同一種物質(zhì)在晶體中的擴散系數(shù)()在玻璃中的擴散系數(shù)。

答案:小于氣體通過玻璃的滲透率隨玻璃中以下物質(zhì)含量的增加而增加()。

答案:網(wǎng)絡(luò)形成離子ZrO2晶體結(jié)構(gòu)中，O2-作簡單立方堆積，Zr4+填充()。

答案:1/2立方體空隙在離子型材料中，影響擴散的缺陷來自兩方面:(1)熱缺陷(肖特基缺陷和弗侖克爾缺陷);(2)摻雜點缺陷(組成缺陷)。由摻雜點缺陷引起的擴散稱為()。

答案:非本征擴散氣體通過玻璃的滲透率隨玻璃中以下物質(zhì)含量的增加而增大()。

答案:網(wǎng)絡(luò)形成離子當溫度不變時，硅酸鹽熔體中的聚合物種類、數(shù)量與熔體組成(O/Si比)有關(guān)。O/Si比值增大，表示堿性化合物含量增加，這時熔體中的()。

答案:高聚體數(shù)量減少從鍵型考慮，形成玻璃的理想鍵型為()

答案:極性共價鍵熔體轉(zhuǎn)變成玻璃體的過程中，Tf為玻璃的軟化溫度，對應(yīng)黏度為()Pa·s。

答案:108熔體中加入具有表面活性的組分，如B2O3、PbO、K2O等，則這些組分將富集于表面層，從而()表面張力。

答案:降低在硅酸鹽熔體中，當O/S比值增高時，相應(yīng)熔體組成和性質(zhì)的變化:(1)熔體中破性氧化物含量()(2)非橋氧百分數(shù)(

A

)(3)低聚物數(shù)量(

A

)(4)熔體黏度(

C

)(5)熔體析晶傾向(

A

)

答案:升高硅酸鹽晶體與玻璃體的不同之處在于()。

答案:存在于晶體各個組成不同的構(gòu)造單元(絡(luò)陰離子團)有規(guī)律地周期性重復排列，而玻璃體中的各種構(gòu)造單元的排列是近程有序，遠程無序結(jié)構(gòu)作用介于玻璃網(wǎng)絡(luò)形成體和網(wǎng)絡(luò)改變體之間的氧化物(網(wǎng)絡(luò)中間體)，其單鍵強度力()。

答案:250~335kJ/mol不能單獨形成玻璃，但能改變網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，處于網(wǎng)絡(luò)外的氧化物(即網(wǎng)絡(luò)改變體或網(wǎng)絡(luò)修飾體)，其單元鍵強度為()。

答案:<250kJ/mol能單獨形成玻璃的氧化物(網(wǎng)絡(luò)形成體)其單鍵強度為()。

答案:>335kJ/mol在簡單堿金屬硅酸鹽熔體R2O-SiO2中，正離子R+的含量對熔體的黏度頗具影響。當R2O含量較高，即O/S比值較大時，降低黏度的次序為:K+>Na+>Li+，這是因為()。

答案:[SiO4]連接方式已接近島狀，四面體基本靠R-O鍵相連，R+半徑越大，R-O鍵力越弱當熔體與組成不變時，硅酸鹽熔體中各級聚合體的數(shù)量與溫度的關(guān)系是:溫度升高，()。

答案:高聚體的數(shù)量減少硅酸鹽熔體中同時存在許多聚合程度不等的負離子團，其種類、大小和復雜程度隨熔體的組成和溫度而變。當溫度不變時，熔體中堿性氧化物含量增加，O/Si比值增大，這時熔體中()。

答案:低聚體數(shù)量增多非化學計量化合物Cdl+xO，由于在化學組成上偏離化學計量而產(chǎn)生的晶格缺陷是()。

答案:間隙正離子在Al2O3中摻入0.5%(摩爾分數(shù))NiO和0.02%(卓爾分數(shù))Cr2O3所制成的金黃色人造黃玉，經(jīng)分析認為是形成了置換型固溶體，于是此人造黃玉的化學式可寫成()。

答案:Al1.9946Ni0.005Cr0.0004O2.9975體心立方(bcc)結(jié)構(gòu)的Fe中只能溶入微量C，而面心立方(fcc)結(jié)構(gòu)的Fe中的溶解度則大得多，這是因為()。

答案:fcc間隙尺寸比較大關(guān)于晶體中間隙原子的說法，正確的是()。

答案:間隙原子形成能較空位形成能大非化學計量化合物產(chǎn)生與缺陷濃度與下列何種因素無關(guān)()。

答案:雜質(zhì)組成固溶體的兩組完全互溶的必要條件是()。

答案:兩組元的晶體結(jié)構(gòu)相同半導體Fe1-xO晶體的導電機理是()。

答案:空穴導電在Fe1-xO晶體中，隨氧分壓增大，晶體的電導率()。

答案:升高根據(jù)硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)的特點，下面四種說法中哪種不正確()。

答案:結(jié)構(gòu)中Si4+和A13+可以相互取代在n個球構(gòu)成的六方或面心立方最緊密堆積中，存在四面體空隙數(shù)為()。

答案:2n個在n個球構(gòu)成的六方或面心立方最緊密堆積中，存在八面體空隙數(shù)為()。

答案:n個氯化鈉(NaCl)晶體結(jié)構(gòu)中，Cl-作面心立方最緊密堆積，Na+填充()。

答案:全部八面體空隙MgO晶體結(jié)構(gòu)中，O2-作面心立方最緊密堆積，Mg2+填充()。

答案:全部八面體空隙閃鋅礦(立方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中，S2-作面心立方最緊密堆積，Zn2+填充()。

答案:1/2四面體空隙纖鋅礦(六方ZnS)晶體結(jié)構(gòu)中，S2-作六方最緊密堆積，Zn2+填充()。

答案:1/2四面體空隙螢石(CaF2)晶體結(jié)構(gòu)中，Ca2+作面心立方最緊密堆積，F(xiàn)-填充()。

答案:全部四面體空隙對于結(jié)構(gòu)類型相同的離子晶體，其晶格能越

，則其熔體的表面張力越大;其單位晶胞邊長越

，熔體的表面張力越大。

答案:大;小足以表示形成平衡系統(tǒng)中各相組成所需要的最少數(shù)目的物質(zhì)稱為

。

答案:獨立組元固相反應(yīng)過程主要包括

和

兩個步驟。

答案:界面上的化學反應(yīng);產(chǎn)物內(nèi)部物質(zhì)傳遞和

是生成玻璃的重要標志，

是形成玻璃的重要條件。

答案:黏度;熔點;冷卻速率是區(qū)分玻璃與其他非晶態(tài)固體的重要特征。

答案:玻璃化轉(zhuǎn)變溫度根據(jù)外來組元在基質(zhì)晶體中所處位置不同，可將固溶體分為

和

兩類。

答案:置換型固溶體;間隙型固溶體MgAl2O4尖晶石結(jié)構(gòu)中，Mg2+填入（

）的（

）空隙，Al3+填入（

）和（

）空隙。

答案:1/8;四面體;1/2;八面體NaCl晶體結(jié)構(gòu)中，（

）作面心立方密堆積，（

）填入全部八面體空隙，單位晶胞內(nèi)含有（

）個分子。

答案:Cl-;Na+;4離子配位數(shù)指的是一個離子臨近周圍異號離子的個數(shù)。在CsCl晶體結(jié)構(gòu)中，Cs+配位數(shù)為(

)，Cl-配位數(shù)為(

)，單位晶胞內(nèi)含有(

)個分子。

答案:8;8;1按構(gòu)成晶體中質(zhì)點的鍵型分類，晶體可分為（

）、（

）、（

）、（

）四類，他們對應(yīng)鍵的類型分別為（

）、（

）、（

）和（

）。

答案:原子晶體;分子晶體;離子晶體;金屬晶體;共價鍵;分子鍵;離子鍵;金屬鍵點缺陷一般分成

、

和

。

答案:晶格位置缺陷;組成缺陷;電荷缺陷按照硅氧四面體在空間的組合情況，硅酸鹽晶體結(jié)構(gòu)可以分成____、____、____、____和____幾種類型。硅酸鹽晶體就是由一定的硅氧結(jié)構(gòu)單元通過其他____聯(lián)系起來而形成的。

答案:島狀;組群狀;鏈狀;層狀;架狀;金屬離子若將離子晶體中的質(zhì)點視為球體，則不等徑球的最緊密堆積通常是

作等徑球的最緊密堆積，

填充空隙。

答案:陰離子;陽離子若將離子晶體中的質(zhì)點視為球體，則等徑球的最緊密堆積方式有

和

兩種，這兩種堆積方式中都存在空隙，它們的空間利用率都為

。

答案:面心立方;六方密堆積;74.05%擴散的推動力是

，上坡擴散指的是

。

答案:化學位梯度;低濃度向高濃度的擴散比較下列幾種情況擴散系數(shù)的大小，在空白處填入“大于”“等于”或“小于”:(1)同一物質(zhì)在晶體中

在玻璃中;(2)同一物質(zhì)在面心立方結(jié)構(gòu)晶體中

在體心立方結(jié)構(gòu)晶體中;(3)間隙型固溶體

置換型固溶體。

答案:小于;小于;大于一般擴散粒子和擴散介質(zhì)性質(zhì)差別越

，則擴散系數(shù)就越大。

答案:大對于三元凝聚系統(tǒng)，其相律的數(shù)學表達式為

，系統(tǒng)中最多為

相共存，自由度最大為

。

答案:F=4-P;4;3對于二元凝聚系統(tǒng)，其相律的數(shù)學表達式為

，系統(tǒng)中最多為

相共存，自由度最大為

。

答案:F=3-P;3;2變體間的轉(zhuǎn)變可分為

和

兩類，其中對生產(chǎn)和使用影響較大的是

。

答案:重建性轉(zhuǎn)變;位移性轉(zhuǎn)變;位移性轉(zhuǎn)變從鍵型考慮，形成玻璃的理想鍵型為

，SiO2中Si-O鍵含共價鍵成分為

。

答案:極性共價鍵或半金屬共價鍵;50%熔體結(jié)晶化過程包括

和

兩個過程。

答案:晶核的形成;晶體的長大根據(jù)泰曼曲線可知，玻璃形成的動力學條件為晶體生長最大速度與晶核生成最大速率所對應(yīng)的溫度相差越

，也即析晶區(qū)域越

，則越易形成玻璃。

答案:大;小溫度是區(qū)分玻璃與其他非晶態(tài)固體(如硅膠等)的重要特征。在

溫度下，玻璃可以拉制成絲。

答案:玻璃化轉(zhuǎn)變;玻璃軟化像Na2O、Li2O等沒有表面活性，能增加表面張力的物質(zhì)稱為

。表面張力隨著溫度的升高而

。

答案:表面惰性物質(zhì);降低熔體內(nèi)原子(離子或分子)的化學鍵型對其表面張力的影響規(guī)律是:

。

答案:金屬鍵>共價鍵>離子鍵>分子鍵硅酸鹽熔體中各種聚合程度的聚合物濃度(數(shù)量)受

和

兩個因素的影響，其黏度隨溫度的變化是

(連續(xù)/不連續(xù))的。

答案:組成;溫度;不連續(xù)在外界條件(溫度、壓力等)一定的情況下，對于氧化物系統(tǒng)而言，影響固溶度的最主要的因素是

、

、

。

答案:離子半徑大小;晶體結(jié)構(gòu)類型;電價形成連續(xù)固溶體的充分必要條件是溶質(zhì)和溶劑滿足

和

兩個條件。

答案:結(jié)構(gòu)相同;?r<15%電性相反的缺陷距離接近到一定程度時，在庫侖力作用下會產(chǎn)生

。例如在NaCl晶體中，所產(chǎn)生的該反應(yīng)過程式可表示為:

。

答案:締合中心當質(zhì)點的能量足夠大，離開正常格點后擠入到晶格間隙中形成間隙質(zhì)點，而原來位置上形成空位，這種缺陷稱之為

，其特點是空位和間隙質(zhì)點

，晶體的體積

(發(fā)生/不發(fā)生)改變。

答案:弗倫克爾缺陷;成對出現(xiàn);不發(fā)生若AB2O4為正尖晶石，則A離子占據(jù)____，B離子占據(jù)____。正尖晶石與反尖晶石互為____。如果用()表示四面體位置，用[]表示八面體位置，則反尖晶石結(jié)構(gòu)式可表示為____。

答案:四面體空隙;八面體空隙;倒反結(jié)構(gòu);(BCaF2為螢石型結(jié)構(gòu)，其中Ca2+形成____立方堆積，其配位數(shù)是____，所形成的立方配位多面體結(jié)構(gòu)式為____。一個晶胞中所含分子數(shù)Z為____。

答案:面心;8;[CaF8];CaF8;4傳統(tǒng)上的無機材料是指____為主要成分制成的材料，因此又稱硅酸鹽材料，主要有____、____、____、____四種。

答案:以SiO2及其硅酸鹽化合物;水泥;陶瓷;玻璃;耐火材料自擴散

答案:單元系統(tǒng)中質(zhì)點在自身晶格中的遷移，也指質(zhì)點遷移的結(jié)果使各部分濃度不發(fā)生變化，相應(yīng)擴散系數(shù)稱為自擴散系數(shù)。泰曼溫度

答案:稱燒結(jié)溫度，指固態(tài)物質(zhì)開始燒結(jié)的溫度，也即固體質(zhì)點具有明顯可動性，燒結(jié)以可度量的速度進行。本征擴散

答案:由固體本身熱運動所產(chǎn)生的點缺陷作為遷移載體的擴散。無序擴散

答案:不存在化學位梯度時的擴散，即質(zhì)點遷移隨機地朝向任意方向進行，相應(yīng)擴散系數(shù)稱為無序擴散系數(shù)。固體表面力

答案:固體表面由于質(zhì)點排列的周期重復性中斷而使處于表面邊界上的質(zhì)點力場對稱性破壞所表現(xiàn)出的剩余結(jié)合力。不可逆多晶轉(zhuǎn)變

答案:指高能量的介穩(wěn)相向能量相對較低的穩(wěn)定相之間的轉(zhuǎn)變，相圖上的特征是多晶轉(zhuǎn)變溫度（虛擬）高于兩種晶型的熔點?？赡娑嗑мD(zhuǎn)變

答案:指加熱和冷卻時在多晶轉(zhuǎn)變點晶型之間發(fā)生互為可逆的變化，反映在相圖上的特征是多晶轉(zhuǎn)變溫度低于兩種晶型的熔點。析晶

答案:也稱結(jié)晶，指從熔體或玻璃中產(chǎn)生晶體的過程，包括晶核生成和晶體長大兩個過程。分相

答案:指玻璃在冷卻過程中或在一定溫度下熱處理時，由于內(nèi)部質(zhì)點遷移，某些組分偏聚從而形成化學組成不同的兩個相。網(wǎng)絡(luò)形成體

答案:指單鍵強度＞335kJ/mol，能單獨形成網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，也即能單獨形成玻璃的氧化物，其陽離子稱為網(wǎng)絡(luò)形成離子。網(wǎng)絡(luò)中間體

答案:指單鍵強度介于250~335kJ/mol

之間，能幫助擴大玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，但不能獨自形成玻璃的氧化物，其陽離子稱為網(wǎng)絡(luò)中間離子。網(wǎng)絡(luò)改變體

答案:也稱網(wǎng)絡(luò)外體，指單鍵強度＜250kJ/mol，起破壞玻璃網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)作用并最終導致結(jié)晶的氧化物，其陽離子稱為網(wǎng)絡(luò)改變離子。單鍵強度

答案:定義為氧化物的離解能（離解為氣態(tài)原子時所需的總能量）除以該氧化物正離子配位數(shù)所得的商。解聚

答案:指熔體中的高聚物在升溫或游離氧作用下分化形成低聚物的過程。縮聚

答案:指熔體中的復合陰離子團（聚合物）隨溫度或游離氧的降低，其低聚物相互作用形成級次較高聚合物同時釋放出部分游離氧的過程。固溶度

答案:固溶體中溶質(zhì)的最大含量，也即溶質(zhì)在溶劑中的極限溶解度。非化學計量化合物

答案:化學式中原子組成偏離給定整數(shù)比的化合物。非本征缺陷

答案:即組成缺陷或雜質(zhì)缺陷，指由于基質(zhì)晶體中固溶引人的雜質(zhì)質(zhì)點所引起的缺陷。離子極化率

答案:指在外電場作用下，離子自身變形的難易程度，即變形性的大小，反映離子本身被極化的難易。離子極化

答案:當離子作密堆積時，帶電離子所產(chǎn)生的電場對另一個離子的電子云產(chǎn)生吸引或排斥作用，使之發(fā)生變形的現(xiàn)象。晶格能

答案:又名點陣能，指將一摩爾的離子晶體中各離子拆散成氣態(tài)所需的能量，是離子間結(jié)合力的一個度量。電子親和能

答案:指氣態(tài)原子獲得一個電子時所放出的能量，元素的電子親和能越大，則越易獲得電子形成負離子。試說明“無規(guī)則網(wǎng)絡(luò)學說”認為AmBn形成玻璃須滿足哪些條件？

答案:答：須滿足五個條件：①每個O2-最多與兩個An+相結(jié)合；②圍繞An+的O2-數(shù)目不應(yīng)過多，一般3~4個；③網(wǎng)絡(luò)中這些氧多面體以共頂相連，不能以共棱共面相連；④每個氧多