《電子技術(shù)基礎(chǔ)》自測(cè)題8

-PAGE2-《電子技術(shù)基礎(chǔ)》自測(cè)題一、填空題（30分）。1、放大電路應(yīng)遵循的基本原則是：結(jié)正偏；結(jié)反偏。2、PN結(jié)正向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向相反，有利于的擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而不利于的漂移；PN結(jié)反向偏置時(shí)，外電場(chǎng)的方向與內(nèi)電場(chǎng)的方向，有利于的運(yùn)動(dòng)而不利于多數(shù)載流子的擴(kuò)散。3、基本放大電路的三種組態(tài)分別是：放大電路、放大電路和放大電路。4、放大電路有兩種工作狀態(tài)，當(dāng)ui＝0時(shí)電路的狀態(tài)稱為態(tài)，有交流信號(hào)ui輸入時(shí)，放大電路的工作狀態(tài)稱為態(tài)。在動(dòng)態(tài)情況下，晶體管各極電壓、電流均包含分量和分量。5、若要集成運(yùn)放工作在線性區(qū)，則必須在電路中引入反饋；若要集成運(yùn)放工作在非線性區(qū)，則必須在電路中引入正反饋或者在開(kāi)環(huán)工作狀態(tài)下。二、判斷題（10分）。1、P型半導(dǎo)體中不能移動(dòng)的雜質(zhì)離子帶負(fù)電，說(shuō)明P型半導(dǎo)體呈負(fù)電性。（）2、PN結(jié)正向偏置時(shí)，其內(nèi)外電場(chǎng)方向一致。（）3、普通放大電路中存在的失真均為交越失真。（）4、放大電路的集電極電流超過(guò)極限值ICM，就會(huì)造成管子燒損。（）5、“虛地”是指該點(diǎn)與“地”點(diǎn)相接后，具有“地”點(diǎn)的電位。（）三、選擇題（20分）。1、用萬(wàn)用表檢測(cè)某二極管時(shí)，發(fā)現(xiàn)其正、反電阻均約等于1KΩ，說(shuō)明該二極管（）。A、已經(jīng)擊穿；B、完好狀態(tài)；C、內(nèi)部老化不通；D、無(wú)法判斷。2、測(cè)得某NPN型三極管的VE＝2.1V，VB＝2.8V，VC＝4.4V，說(shuō)明此三極管處在（）。A、放大區(qū)；B、飽和區(qū)；C、截止區(qū)；D、反向擊穿區(qū)。3、將交流電變換為脈動(dòng)直流電的電路稱為：（）A.整流電路B.濾波電路C.穩(wěn)壓電路D.放大電路4、基本放大電路中，經(jīng)過(guò)晶體管的信號(hào)有（）。A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。5、功放電路易出現(xiàn)的失真現(xiàn)象是（）。A、飽和失真；B、截止失真；C、交越失真。6、（）輸入比例運(yùn)算電路的反相輸入端為虛地點(diǎn)。A、同相；B、反相；C、雙端。7、在本征半導(dǎo)體中摻入微量的3價(jià)元素，形成的雜質(zhì)半導(dǎo)體中，其多數(shù)載流子是（）。A.空穴B.自由電子C.正離子D.負(fù)離子8、當(dāng)NPN型三極管的VCE>VBE且VBE>0.5V時(shí)，則該三極管工作在（）。A.截止區(qū)B.放大區(qū)C.飽和區(qū)D.擊穿區(qū)9、送回放大器輸入端信號(hào)是電流的反饋是（）。A.電流反饋B.電壓反饋C.并聯(lián)反饋D.串聯(lián)反饋10、對(duì)于放大電路，所謂開(kāi)環(huán)是指（）。A.無(wú)信號(hào)源B.無(wú)反饋通路C.無(wú)電源D.無(wú)負(fù)載四、簡(jiǎn)述題（30分）。1、N型半導(dǎo)體中的多子是帶負(fù)電的自由電子載流子，P型半導(dǎo)體中的多子是帶正電的空穴載流子，因此說(shuō)N型半導(dǎo)體帶負(fù)電，P型半導(dǎo)體帶正電。上述說(shuō)法對(duì)嗎？為什么？2、集成運(yùn)放的理想條件是什么。3、已知一三極管工作在線性放大區(qū)，各極對(duì)地電位如下圖所示，試判斷三極管的管腳，并在圖中標(biāo)出b,c,e極；該三極管的材料為硅管還是鍺管；三極管