2022年大學電氣信息專業(yè)大學物理下冊模擬考試試卷B卷-附解析

第第頁2022年大學電氣信息專業(yè)《大學物理（下冊）》模擬考試試卷B卷附解析姓名：______班級：______學號：______考試須知：1、考試時間：120分鐘，本卷滿分為100分。2、請首先按要求在試卷的指定位置填寫您的姓名、班級、學號。一、填空題（共10小題，每題2分，共20分）1、質(zhì)量分別為m和2m的兩物體(都可視為質(zhì)點)，用一長為l的輕質(zhì)剛性細桿相連，系統(tǒng)繞通過桿且與桿垂直的豎直固定軸O轉(zhuǎn)動，已知O軸離質(zhì)量為2m的質(zhì)點的距離為l，質(zhì)量為m的質(zhì)點的線速度為v且與桿垂直，則該系統(tǒng)對轉(zhuǎn)軸的角動量(動量矩)大小為________。2、一束光線入射到單軸晶體后，成為兩束光線，沿著不同方向折射．這樣的現(xiàn)象稱為雙折射現(xiàn)象．其中一束折射光稱為尋常光，它______________定律；另一束光線稱為非常光，它___________定律。3、一圓盤正繞垂直于盤面的水平光滑固定軸O轉(zhuǎn)動，如圖射來兩個質(zhì)量相同，速度大小相同，方向相反并在一條直線上的子彈，子彈射入圓盤并留在盤內(nèi)，則子彈射入后的瞬間，圓盤的角速度_____。4、一質(zhì)點沿半徑R=0.4m作圓周運動，其角位置，在t=2s時，它的法向加速度=______，切向加速度=______。5、氣體分子的最可幾速率的物理意義是__________________。6、理想氣體向真空作絕熱膨脹。（）A.膨脹后，溫度不變，壓強減小。B.膨脹后，溫度降低，壓強減小。C.膨脹后，溫度升高，壓強減小。D.膨脹后，溫度不變，壓強不變。7、一電子以0.99c的速率運動(電子靜止質(zhì)量為9.11×10-31kg，則電子的總能量是__________J，電子的經(jīng)典力學的動能與相對論動能之比是_____________。8、一質(zhì)點在OXY平面內(nèi)運動,其運動方程為,則質(zhì)點在任意時刻的速度表達式為________；加速度表達式為________。9、三個容器中裝有同種理想氣體，分子數(shù)密度相同，方均根速率之比為，則壓強之比_____________。10、一個質(zhì)點的運動方程為（SI），則在由0至4s的時間間隔內(nèi)，質(zhì)點的位移大小為___________，在由0到4s的時間間用內(nèi)質(zhì)點走過的路程為___________。二、名詞解釋（共6小題，每題2分，共12分）1、光的衍射現(xiàn)象：2、時間、空間的相對性：3、循環(huán)過程：4、參照系：5、偏振光（線偏振光）：6、波函數(shù)：三、選擇題（共10小題，每題2分，共20分）1、一質(zhì)點在平面上運動，已知質(zhì)點位置矢量的表示式為（其中a、b為常量）,則該質(zhì)點作（）。A.勻速直線運動B.變速直線運動C.拋物線運動D.一般曲線運動2、某人騎自行車以速率V向正西方行駛，遇到由北向南刮的風（設風速大小也為V），則他感到風是從（）。A.東北方向吹來B.東南方向吹來C.西北方向吹來D.西南方向吹來3、在下列說法中，哪些是正確的？（）。（1）可逆過程一定是平衡過程。（2）平衡過程一定是可逆的。（3）不可逆過程一定是非平衡過程。（4）非平衡過程一定是不可逆的。A.（1）、（4）B.（2）、（3）C.（1）、（2）、（3）、（4）D.（1）、（3）4、以下四種運動形式中，加速度保持不變的運動是（）。A.拋體運動B.勻速圓周運動C.變加速直線運動D.單擺的運動5、一定量的理想氣體，在溫度不變的條件下，當體積增大時，分子的平均碰撞頻率和平均自由程的變化情況是：()。A.減小而不變B.減小而增大C.增大而減小D.不變而增大6、質(zhì)點系的內(nèi)力可以改變（）。A.系統(tǒng)的總質(zhì)量B.系統(tǒng)的總動量C.系統(tǒng)的總動能D.系統(tǒng)的總動量7、一彈簧振子作簡諧振動，當位移為振幅的一半時，其動能為總能量的（）。A.1/2B.1/4C.D.3/4E.8、花樣滑冰運動員繞通過自身的豎直軸轉(zhuǎn)動，開始時兩臂伸開，轉(zhuǎn)動慣量為，角速度為，然后將兩手臂合攏，使其轉(zhuǎn)動慣量為，則轉(zhuǎn)動角速度變?yōu)椋ǎ.B.C.D.9、下述說法中，正確的是（）。A.本征半導體是電子與空穴兩種載流子同時參予導電，而雜質(zhì)半導體(n型或p型)只有一種載流子(電子或空穴)參予導電，所以本征半導體導電性能比雜質(zhì)半導體好B.n型半導體的導電性能優(yōu)于p型半導體，因為n型半導體是負電子導電，p型半導體是正離子導電C.n型半導體中雜質(zhì)原子所形成的局部能級靠近空帶(導帶)的底部，使局部能級中多余的電子容易被激發(fā)躍遷到空帶中去，大大提高了半導體導電性能D.p型半導體的導電機構(gòu)完全決定于滿帶中空穴的運動10、在單縫夫瑯禾費衍射實驗中，若增大縫寬，其他條件不變，則中央明條紋（）。A.寬度變小B.寬度變大C.寬度不變，且中心強度也不變D.寬度不變，但中心強度增大四、解答題（共4小題，每題12分，共48分）1、一衍射光柵，每厘米200條透光縫，每條透光縫寬為，在光柵后放一焦距=1m的凸透鏡，現(xiàn)以=600nm(1nm=m)的單色平行光垂直照射光柵，求：(1)透光縫a的單縫衍射中央明條紋寬度為多少？(2)在該寬度內(nèi)，有幾個光柵衍射主極大？2、以波長的單色光照射某一金屬，產(chǎn)生的光電子的最大動能，求能使該金屬產(chǎn)生光電效應的單色光的最大波長是多少？(普朗克常量)3、均質(zhì)細棒長為l質(zhì)量為m，，和一質(zhì)量也為m的小球牢固地連在桿的一端，可繞過桿的另一端的水平軸轉(zhuǎn)動。在忽略轉(zhuǎn)軸處摩擦的情況下，使桿自水平位置由靜止狀態(tài)開始自由轉(zhuǎn)下，試求：（1）當桿與水平線成θ角時，剛體的角加速度；（2）當桿轉(zhuǎn)到豎直線位置時，剛體的角速度，小球的線速度。4、如圖所示，在半徑m的區(qū)域內(nèi)有均勻磁場，方向垂直紙面向外，設磁場以T/s的勻速率增加。已知，m，試求：（1）半徑為r的導體圓環(huán)中的感應電動勢及P點處有旋電場強度的大??；（2）等腰梯形導線框中的感應電動勢，并指出感應電流的方向。參考答案一、填空題（共10小題，每題2分，共20分）1、mvl2、遵守通常的折射,不遵守通常的折射3、減小4、57.6，2.45、表示分布在該速率附近單位速率區(qū)間內(nèi)的分子數(shù)最多。6、A7、8、,9、1：2：410、8m10m二、名詞解釋（共6小題，每題2分，共12分）1、光的衍射現(xiàn)象：當光通過窄縫（縫寬小到可以與波長相比擬(10-4m數(shù)量級以下)時，在屏幕上呈現(xiàn)明暗相間的條紋的現(xiàn)象。2、時間、空間的相對性：在一切慣性系中觀察，相同兩個事件的時間間隔和空間間隔一般不相同。3、循環(huán)過程：系統(tǒng)經(jīng)歷一系列變化后又回到初始狀態(tài)的整個過程。簡稱循環(huán)。4、參照系：描述物體運動時，被選作依據(jù)或標準的物體或物體系。5、偏振光（線偏振光）：光振動只沿某一固定方向的光。6、波函數(shù)：波函數(shù)