GB/T 44796-2024集成電路三維封裝帶凸點圓片劃片工藝過程和評價要求

ICS31200

CCSL.55

中華人民共和國國家標準

GB/T44796—2024

集成電路三維封裝帶凸點圓片劃片工藝

過程和評價要求

Integratedcircuit3Dpackaging—Requirementforbumping-wafer-sawing

processandevaluation

2024-10-26發(fā)布2025-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標準化管理委員會

GB/T44796—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術語和定義

3………………1

一般要求

4…………………1

設備儀器和工裝夾具

4.1、………………1

材料

4.2…………………2

一般注意事項

4.3………………………2

詳細要求

5…………………3

環(huán)境

5.1…………………3

典型工藝流程

5.2………………………3

工藝準備

5.3……………4

貼膜

5.4…………………4

揭保護膜

5.5……………5

烘片必要時

5.6()………………………5

激光預切必要時

5.7()…………………5

劃片

5.8…………………5

清洗

5.9…………………5

紫外解膠必要時

5.10()…………………6

標識轉運和貯存

5.11、…………………6

包裝

5.12…………………6

記錄

5.13…………………6

評價要求

6…………………6

貼保護膜的評價要求必要時

6.1()……………………6

貼劃片膜的評價要求

6.2………………7

揭保護膜的評價要求

6.3………………7

激光預切的評價要求

6.4………………7

劃片的評價要求

6.5……………………7

清洗的評價要求

6.6……………………8

Ⅰ

GB/T44796—2024

前言

本文件按照標準化工作導則第部分標準化文件的結構和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構不承擔識別專利的責任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國集成電路標準化技術委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第五十八研究所神州龍芯智能科技有限公司

:、。

本文件主要起草人袁世偉李守委吉勇印琴任云飛鄭衛(wèi)華

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T44796—2024

集成電路三維封裝帶凸點圓片劃片工藝

過程和評價要求

1范圍

本文件規(guī)定了及以下尺寸集成電路三維封裝帶凸點圓片劃片工藝以下簡稱劃片工藝的一

12in()

般要求詳細要求和評價要求

、。

注

:1in=2.54cm。

本文件適用于及以下尺寸集成電路三維封裝帶凸點圓片劃片工藝

12in。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內容通過文中的規(guī)范性引用而構成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

潔凈室及相關受控環(huán)境第部分按粒子濃度劃分空氣潔凈度等級

GB/T25915.1—20211:

3術語和定義

下列術語和定義適用于本文件

。

31

.

帶凸點圓片bumpwafer

芯片外引出端為凸點的圓片

。

32

.

劃片wafer-sawing

通過物理方法將芯片從圓片分離的工藝

,。

4一般要求

41設備儀器和工裝夾具

.、

劃片工藝所需設備儀器應定期進行鑒定和校準工裝夾具應完好無損潔凈規(guī)格尺寸應與工藝要

。、,

求相適應常用設備儀器及工夾具應滿足表的要求