標(biāo)準(zhǔn)解讀
《GB/T 20870.4-2024 半導(dǎo)體器件 第16-4部分:微波集成電路 開關(guān)》這一標(biāo)準(zhǔn)詳細規(guī)定了用于微波頻率范圍內(nèi)的半導(dǎo)體開關(guān)的技術(shù)要求、測試方法以及質(zhì)量保證程序。該標(biāo)準(zhǔn)適用于設(shè)計、制造及使用微波集成電路上的各類開關(guān)產(chǎn)品,包括但不限于PIN二極管開關(guān)、場效應(yīng)晶體管(FET)開關(guān)等。
在技術(shù)要求方面,標(biāo)準(zhǔn)明確了不同類型微波開關(guān)的基本性能參數(shù),如插入損耗、隔離度、功率處理能力、開關(guān)速度等,并對這些參數(shù)設(shè)定了具體數(shù)值或范圍限制。此外,還涵蓋了工作溫度范圍、存儲條件等環(huán)境適應(yīng)性指標(biāo)。
針對測試方法,本文件提供了一系列標(biāo)準(zhǔn)化流程來評估上述性能特征,確保測試結(jié)果的一致性和可比性。這包括但不限于網(wǎng)絡(luò)分析儀測量法、矢量信號發(fā)生器與頻譜儀聯(lián)合測試方案等。通過這些方法能夠準(zhǔn)確地測定出設(shè)備的關(guān)鍵電氣特性。
關(guān)于質(zhì)量保證,該標(biāo)準(zhǔn)強調(diào)了從原材料采購到成品出廠整個生產(chǎn)過程中需要遵循的質(zhì)量管理體系原則,旨在提高產(chǎn)品的可靠性和一致性。它還提出了對于不合格品處理、糾正措施實施等方面的具體指導(dǎo)方針。
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....
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- 現(xiàn)行
- 正在執(zhí)行有效
- 2024-10-26 頒布
- 2024-10-26 實施
文檔簡介
ICS3108001
CCSL.56.
中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)
GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017
.:
半導(dǎo)體器件
第16-4部分微波集成電路開關(guān)
:
Semiconductordevices—
Part16-4Microwaveinteratedcircuits—Switches
:g
IEC60747-16-42017IDT
(:,)
2024-10-26發(fā)布2024-10-26實施
國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布
國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會
GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017
.:
目次
前言
…………………………Ⅲ
引言
…………………………Ⅳ
范圍
1………………………1
規(guī)范性引用文件
2…………………………1
術(shù)語和定義
3………………2
基本額定值和特性
4………………………3
電路識別與類型
4.1……………………3
應(yīng)用說明
4.2……………4
功能規(guī)定
4.3……………4
極限值絕對最大額定值體系
4.4()……………………6
工作條件在規(guī)定工作溫度范圍內(nèi)
4.5()………………7
電特性
4.6………………7
機械與環(huán)境額定值特性和數(shù)據(jù)
4.7、……………………8
附加資料
4.8……………8
測試方法
5…………………9
概述
5.1…………………9
插入損耗L
5.2(ins)………………………9
隔離度L
5.3(iso)………………………11
回波損耗L
5.4(ret)……………………12
壓縮點對應(yīng)的輸入功率P和壓縮點對應(yīng)的輸出功率P
5.51dB(i(1dB))1dB(O(1dB))……………14
導(dǎo)通時間t關(guān)斷時間t上升時間t下降時間t
5.6(on)、(off)、(r(out))、(f(out))……………15
鄰近信道功率比PP
5.7(adj/O(mod))……………………17
第n階諧波失真比PnP
5.8(th/1)……………………20
Ⅰ
GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017
.:
前言
本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定
GB/T1.1—2020《1:》
起草
。
本文件是半導(dǎo)體器件的第部分已經(jīng)發(fā)布了以下部分
GB/T20870《》4。GB/T20870:
第部分微波集成電路放大器
———16-1:;
第部分微波集成電路預(yù)分頻器
———16-2:;
第部分微波集成電路開關(guān)
———16-4:;
第部分微波集成電路振蕩器
———16-5:;
第部分單片微波集成電路技術(shù)可接收程序
———16-10:。
本文件等同采用半導(dǎo)體器件第部分微波集成電路開關(guān)
IEC60747-16-4:2017《16-4:》。
為便于使用本文件做了下列最小限度的編輯性改動
,:
修正文件中圖的編號并添加了圖的引導(dǎo)語
———,。
請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任
。。
本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出
。
本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口
(SAC/TC599)。
本文件起草單位中國電子科技集團公司第五十五研究所南京國博電子股份有限公司
:、。
本文件主要起草人陳哲答瑞琦蔡傳濤向虎施小翔吳維麗
:、、、、、。
Ⅲ
GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017
.:
引言
微波集成電路是電子行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈中的通用基礎(chǔ)產(chǎn)品為電子系統(tǒng)中的最基本單元
,。GB/T20870
半導(dǎo)體器件微波集成電路是對微波集成電路參數(shù)和測試方法確立的依據(jù)擬由個部分構(gòu)成
《》。10。
第部分微波集成電路放大器目的在于規(guī)定微波集成電路放大器的術(shù)語基本額定
———16-1:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路預(yù)分頻器目的在于規(guī)定微波集成電路預(yù)分頻器的術(shù)語字母
———16-2:。、
符號基本額定值特性以及測試方法
、、。
第部分微波集成電路變頻器目的在于規(guī)定微波集成電路變頻器的術(shù)語基本額定
———16-3:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路開關(guān)目的在于規(guī)定微波集成電路開關(guān)的術(shù)語基本額定值特
———16-4:。、、
性以及測試方法
。
第部分微波集成電路振蕩器目的在于規(guī)定微波集成電路振蕩器的術(shù)語基本額定
———16-5:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路倍頻器目的在于規(guī)定微波集成電路倍頻器的術(shù)語基本額定
———16-6:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路衰減器目的在于規(guī)定微波集成電路衰減器的術(shù)語基本額定
———16-7:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路限幅器目的在于規(guī)定微波集成電路限幅器的術(shù)語基本額定
———16-8:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分微波集成電路移相器目的在于規(guī)定微波集成電路移相器的術(shù)語基本額定
———16-9:。、
值特性以及測試方法
、。
第部分單片微波集成電路技術(shù)可接收程序目的在于規(guī)定單片微波集成電路的設(shè)計
———16-10:。、
制造和交付的術(shù)語定義符號質(zhì)量體系測試評價驗證方法以及其他要求
、、、、、、。
該系列標(biāo)準(zhǔn)等同采用系列標(biāo)準(zhǔn)保證半導(dǎo)體器件試驗方法與國際標(biāo)準(zhǔn)一致通過制
IEC60747-16,,
定該標(biāo)準(zhǔn)可以確定統(tǒng)一的測試參數(shù)測試方法和測試程序?qū)ξ⒉呻娐费兄粕a(chǎn)和檢驗和使用具
,、,、
有重要意義
。
Ⅳ
GB/T208704—2024/IEC60747-16-42017
.:
半導(dǎo)體器件
第16-4部分微波集成電路開關(guān)
:
1范圍
本文件界定了微波集成電路開關(guān)的術(shù)語和定義規(guī)定了額定值和特性描述了測試方法
,,。
開關(guān)的射頻端口有多種組合如單刀單擲單刀雙擲單刀三擲雙刀雙擲
,(SPST)、(SPDT)、(SP3T)、
等本文件基于型開關(guān)其他類型的開關(guān)也適用
(DPDT)。SPDT,。
2規(guī)范性引用文件
下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文
。,
件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于
,;,()
本文件
。
半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分總則
IEC60747-11:(Semiconductordevices—Dis-
cretedevices—Part1:General)
IEC60747-1:2006/AMD1:2010
半導(dǎo)體器件分立器件第部分微波器件
IEC60747-44:(Semiconductordevices—Discretede-
vices—Part4:Microwavediodesandtransistors)
注半導(dǎo)體器件分立器件第部分微波器件
:GB/T20516—20064:(IEC60747-4:2001,IDT)
半導(dǎo)體器件第部分微波集成電路放大器
IEC60747-16-116-1:(Semiconductordevices—
Part16-1:Microwaveintegratedcircuits—Amplifiers)
IEC60747-16-1:2001/AMD1:2007
IEC60747-16-1:2001/AMD2:2017
注半導(dǎo)體器件第部分微波集成電路放大器
:GB/T20870.1—200716-1:(IEC60747-16-1:2001,IDT)
半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路
IEC60748-22:(Semiconductordevices—Inte-
gratedcircuits—Part2:Digitalintegratedcircuits)
注半導(dǎo)體器件集成電路第部分?jǐn)?shù)字集成電路
:GB/T17574—19982:(idtIEC748-2:1985)
半導(dǎo)體器件集成電路第部分模擬集成電路
IEC60748-33:(Semiconductordevices—Inte-
gratedcircuits—Part3:A
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