GB/T 44766-2024微波電路限幅器測試方法

ICS31200

CCSL.58

中華人民共和國國家標(biāo)準(zhǔn)

GB/T44766—2024

微波電路限幅器測試方法

Microwavecircuits—Measuringmethodsforlimiter

2024-10-26發(fā)布2025-05-01實施

國家市場監(jiān)督管理總局發(fā)布

國家標(biāo)準(zhǔn)化管理委員會

GB/T44766—2024

目次

前言

…………………………Ⅲ

范圍

1………………………1

規(guī)范性引用文件

2…………………………1

術(shù)語和定義

3………………1

測試條件儀器和設(shè)備

4、……………………2

測試條件

4.1……………2

測試儀器和設(shè)備

4.2……………………3

注意事項

4.3……………3

參數(shù)測試

5…………………3

插入損耗L

5.1(i)………………………3

插損平坦度L

5.2(Δi)……………………5

電壓駐波比

5.3(VSWRi、VSWRo)……………………5

限幅電平P

5.4(lim)………………………6

尖峰泄漏功率P

5.5(leak(spike))……………7

平坦泄露功率P

5.6(leak(flat))……………8

尖峰能量W

5.7(l)………………………8

承受功率PP

5.8(cwm、pm)………………9

壓縮輸出功率P

5.91dB(o(1dB))………………………10

響應(yīng)時間t

5.10(res)……………………11

恢復(fù)時間t

5.11(r)……………………12

反射功率P

5.12(r)……………………13

三階交調(diào)IP

5.13(3)……………………14

三階交調(diào)截點功率P

5.14(OIP3)………………………15

Ⅰ

GB/T44766—2024

前言

本文件按照標(biāo)準(zhǔn)化工作導(dǎo)則第部分標(biāo)準(zhǔn)化文件的結(jié)構(gòu)和起草規(guī)則的規(guī)定

GB/T1.1—2020《1:》

起草

。

請注意本文件的某些內(nèi)容可能涉及專利本文件的發(fā)布機構(gòu)不承擔(dān)識別專利的責(zé)任

。。

本文件由中華人民共和國工業(yè)和信息化部提出

。

本文件由全國集成電路標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會歸口

(SAC/TC599)。

本文件起草單位中國電子科技集團公司第五十五研究所中國電子技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化研究院南京國博

:、、

電子股份有限公司中國電子科技集團公司第十三研究所

、。

本文件主要起草人都小凡周光輝湯朔向虎鄧世雄吳維麗

:、、、、、。

Ⅲ

GB/T44766—2024

微波電路限幅器測試方法

1范圍

本文件描述了微波電路限幅器主要電參數(shù)的測試方法

。

本文件適用于微波電路限幅器包含無源限幅器半有源限幅器有源限幅器等

,、、。

2規(guī)范性引用文件

下列文件中的內(nèi)容通過文中的規(guī)范性引用而構(gòu)成本文件必不可少的條款其中注日期的引用文

。,

件僅該日期對應(yīng)的版本適用于本文件不注日期的引用文件其最新版本包括所有的修改單適用于

,;,()

本文件

。

半導(dǎo)體器件第部分總則

IEC60747-11:(Semiconductordevices—Part1:General)

注半導(dǎo)體器件分立器件和集成電路第部分總則

:GB/T17573—19981:(IEC747-1:1983,IDT)

3術(shù)語和定義

下列術(shù)語和定義適用于本文件

。

31

.

插入損耗insertionloss

L

i

限幅器小信號工作時輸入功率與輸出功率之比

,。

32

.

插損平坦度insertionlossflatness

L

Δi

限幅器小信號工作時工作頻帶內(nèi)插入損耗最大值與最小值之差

,。

33

.

電壓駐波比voltagestandingwaveratio

VSWR

在均勻無耗傳輸線上電壓振幅最大值與電壓振