【MOOC】VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)）-東南大學(xué) 中國大學(xué)慕課MOOC答案

【MOOC】VLSI設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)基礎(chǔ)）-東南大學(xué)中國大學(xué)慕課MOOC答案第二章單元作業(yè)第二章測試1、【單選題】下面哪個(gè)圖是增強(qiáng)型NMOS轉(zhuǎn)移特性曲線本題答案：【】2、【單選題】以下哪個(gè)條件是線性區(qū)的條件本題答案：【】3、【判斷題】MOS晶體管的電學(xué)本質(zhì)：電壓控制電流源本題答案：【正確】4、【判斷題】MOS器件的最高工作頻率與其溝道長度的平方成正比，增大溝道長度L可有效地提高工作頻率。本題答案：【錯(cuò)誤】第二章單元測試21、【單選題】MOS管的小信號輸出電阻是由MOS管的____效應(yīng)產(chǎn)生的。本題答案：【溝道長度調(diào)制】2、【單選題】MOS管一旦出現(xiàn)_____現(xiàn)象，此時(shí)的MOS管將進(jìn)入飽和區(qū)。本題答案：【夾斷】3、【單選題】以下哪些為MOS管相關(guān)的二階效應(yīng)：①短溝道效應(yīng)；②窄溝道效應(yīng)；③漏致勢壘降低效應(yīng)；④閉鎖效應(yīng)；⑤熱載流子效應(yīng)本題答案：【①②③④⑤⑥】4、【單選題】當(dāng)晶體管的W值較小時(shí)，受窄溝道效應(yīng)的影響，晶體管的閾值電壓本題答案：【升高】5、【單選題】隨著MOS器件尺寸的縮小，源端和反向偏置的漏端結(jié)的耗盡區(qū)對器件的影響變得重要。由于在柵下的一部分區(qū)域已被耗盡，導(dǎo)致器件的閾值電壓本題答案：【降低】6、【單選題】我們希望柵源電壓一旦下降至閾值電壓以下時(shí)電流應(yīng)當(dāng)下降得盡可能，即斜率系數(shù)S的值越。本題答案：【快；小】7、【單選題】下面關(guān)于MOSFET電容不正確的是：本題答案：【結(jié)電容是由正向偏置的源-體和漏-體之間的pn結(jié)引起的?！?、【單選題】短溝道器件的閾值電壓往往會隨時(shí)間漂移，這是由于熱載流子效應(yīng)，一般這個(gè)效應(yīng)使NMOS器件的閾值電壓，使PMOS器件的閾值電壓。本題答案：【升高；降低】9、【單選題】下面有關(guān)MOS晶體管閾值電壓的說法不正確的是：本題答案：【隨著柵電壓的不斷提高，耗盡區(qū)寬度將逐漸增大。】第三章測試1、【單選題】下圖對應(yīng)的邏輯表達(dá)式是本題答案：【】2、【單選題】下圖等效寬長比為2:1，求ABCD四個(gè)PMOS和NMOS管的寬長比本題答案：【4,8,8,42,2,2,1】3、【單選題】寫出圖中所示電路的邏輯表達(dá)式本題答案：【F=；】4、【判斷題】對于下圖所示電路，逐級加大晶體管尺寸，降低了起主要作用的電阻，同時(shí)使得電容的增加保持在一定的范圍內(nèi)本題答案：【正確】