電子技術(shù)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋中山大學(xué)

電子技術(shù)基礎(chǔ)知到智慧樹章節(jié)測試課后答案2024年秋中山大學(xué)緒論單元測試

電路基礎(chǔ)是電學(xué)相關(guān)技術(shù)分析和定量計(jì)算的基礎(chǔ)理論。（）

A:錯(cuò)B:對

答案:對

第一章單元測試

兩個(gè)阻值相同的電阻器串聯(lián)后的等效電阻與并聯(lián)后的等效電阻之比是（）。

A:2:1B:l:4C:l:2D:4:1

答案:4:1有一段160Ω的導(dǎo)線，把它們對折起來作為一條導(dǎo)線用，其電阻是（）。

A:169B:320C:80D:40

答案:40電路中兩點(diǎn)間的電壓高，則（）。

A:兩點(diǎn)的電位一定為負(fù)B:兩點(diǎn)間的電位差大C:兩點(diǎn)的電位高D:兩點(diǎn)的電位一定為正

答案:兩點(diǎn)間的電位差大圖示電路中，A、B端電壓U=（）。

A:-2VB:2VC:-1VD:3V

答案:-2V下圖中電流I為（）。

A:1AB:2A.C:-1AD:-2A

答案:1A

圖a)所示電路的戴維南等效電路為圖b)中的（）。

A:B:C:D:

答案:3kΩ的電阻中通過2mA的電流，試問電阻兩端的電壓是（）。

A:1.5VB:10VC:6VD:6mV

答案:6V

第二章單元測試

一個(gè)電熱器，接在10V的直流電源上，產(chǎn)生的功率為P。把它改接在正弦交流電源上，使其產(chǎn)生的功率為P/2，則正弦交流電源電壓的最大值為（）。

A:5VB:10VC:7.07VD:14V

答案:10V我國交流電的周期為（）秒。

A:0.212B:0.1C:0.01D:0.02

答案:0.02通過電感L的電流為iL=6√2sin(200t+30°)A，則電源的頻率約等于（）。

A:200HzB:628HzC:100HzD:31.8Hz

答案:31.8Hz在電感性負(fù)載兩端并聯(lián)一定值的電容，以提高功率因素，下列說法正確的是（）。

A:減少負(fù)載的有功功率B:減少負(fù)載的無功功率C:減少線路的功率損耗D:減少負(fù)載的工作電流

答案:減少線路的功率損耗在三相四線制供電系統(tǒng)中，相電壓為線電壓的（）。

A:√2倍B:1/√3倍C:√3倍D:1/√2倍

答案:1/√3倍

第三章單元測試

在一個(gè)由電源、電阻、電感、開關(guān)組成的電路中，在開關(guān)閉合瞬間，電感上最可能出現(xiàn)的現(xiàn)象是（）。

A:電感電流非常大B:電感電流為零C:電感電壓非常大D:電感電壓為零

答案:電感電流為零串聯(lián)電源、電容、電阻、開關(guān)的電路，開關(guān)閉合瞬間，下列說法正確的是（）。

A:電容上的電壓不變B:電容上的電流不變C:電阻上的電壓不變D:流過電阻的電流不變

答案:電容上的電壓不變下列關(guān)于一階RC電路暫態(tài)響應(yīng)的說法中錯(cuò)誤的為（）。

A:己儲能的電容放電過程屬于零輸入響應(yīng)。B:在電源激勵(lì)下電容的放電過程屬于全響應(yīng)。C:對未儲能的電容充電過程屬于零輸入響應(yīng)。D:對具有初始儲能的電容充電過程屬于全響應(yīng)。

答案:對未儲能的電容充電過程屬于零輸入響應(yīng)。對于一階RL電路，其時(shí)間常數(shù)是（）。

A:R/LB:LC:R*LD:L/R

答案:L/R

一階RC電路中，開關(guān)閉合后，則電容電壓的穩(wěn)態(tài)值為（）。

A:小于U1B:大于U1C:0D:等于U1

答案:0

第四章單元測試

半導(dǎo)體二極管加正向電壓時(shí)，有（）。

A:電流大電阻小B:電流小電阻大C:電流大電阻大D:電流小電阻小

答案:電流大電阻小PN結(jié)正向偏置時(shí)，其內(nèi)電場被（）。

A:不確定B:削弱C:增強(qiáng)D:不變

答案:削弱半導(dǎo)體穩(wěn)壓二極管正常穩(wěn)壓時(shí)，應(yīng)當(dāng)工作于（）。

A:反向偏置未擊穿狀態(tài)B:反向偏置擊穿狀態(tài)C:正向偏置未導(dǎo)通狀態(tài)D:正向偏置導(dǎo)通狀態(tài)

答案:反向偏置擊穿狀態(tài)在本征半導(dǎo)體中摻入（）構(gòu)成P型半導(dǎo)體。

A:6價(jià)元素B:5價(jià)元素C:4價(jià)元素D:3價(jià)元素

答案:3價(jià)元素三極管飽和工作狀態(tài)時(shí)，兩個(gè)PN結(jié)的偏置狀態(tài)是（）。

A:集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)反偏B:集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)反偏C:集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏D:集電結(jié)反偏，發(fā)射結(jié)正偏

答案:集電結(jié)正偏，發(fā)射結(jié)正偏

第五章單元測試

某放大電路在負(fù)載開路時(shí)的輸出電壓為4V，接入12kΩ的負(fù)載電阻后，輸出電壓降為3V，這說明放大電路的輸出電阻為（）。

A:3KΩB:2kΩC:10kΩD:4kΩ

答案:4kΩ測量放大電路中某三極管各電極電位分別為6V、2.7V、2V，（見圖所示)則此三極管為（）。

A:NPN型硅三極管B:PNP型鍺三極管C:NPN型鍺三極管D:PNP型硅三極管

答案:NPN型硅三極管畫三極管放大電路的小信號等效電路時(shí)，直流電壓源Vcc應(yīng)當(dāng)（）。

A:保留不變B:電流源C:開路D:短路

答案:短路有兩個(gè)放大倍數(shù)相同，輸入電阻和輸出電阻不同的放大電路A和B，對同一個(gè)具有內(nèi)阻的信號源電壓進(jìn)行放大。在負(fù)載開路的條件下，測得A放大器的輸出電壓小，這說明A的（）。

A:輸入電阻小B:輸入電阻大C:輸出電阻小D:輸出電阻大

答案:輸入電阻小與甲類功率放大方式比較，乙類OCL互補(bǔ)對稱功放的主要優(yōu)點(diǎn)是（）。

A:不用輸出端大電容B:無交越失真C:不用輸出變壓器D:效率高

答案:效率高

第六章單元測試

集成運(yùn)算放大器構(gòu)成的反相比例運(yùn)算電路的一個(gè)重要特點(diǎn)是（）。

A:電壓串聯(lián)負(fù)反饋B:輸入電阻大C:電流并聯(lián)負(fù)反饋D:反相輸入端為虛地

答案:反相輸入端為虛地下列對集成電路運(yùn)算放大器描述正確的是（）。

A:是一種低電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路B:是一種高電壓增益、高輸入電阻和高輸出電阻的多級直接耦合放大電路C:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路D:是一種高電壓增益、低輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路

答案:是一種高電壓增益、高輸入電阻和低輸出電阻的多級直接耦合放大電路文氏橋振蕩器中的放大電路電壓放大倍數(shù)（）才能滿足起振條件。

A:>3B:為3時(shí)C:為1/3時(shí)D:>1/3

答案:>3LC正弦波振蕩器電路的振蕩頻率為（）Hz。

A:B:C:D:

答案:對于基本積分電路，當(dāng)其輸入為矩形波時(shí)，其輸出電壓U_0的波形為（）。

A:鋸齒波B:正弦波C:矩形波D:正負(fù)尖脈沖

答案:鋸齒波

第七章單元測試

在單相橋式整流電路中，若有一只整流管接反，則（）。

A:輸出電壓約為2UDB:變?yōu)榘氩ㄕ鰿:輸出電壓約為UD/2D:整流管將因電流過大而燒壞

答案:整流管將因電流過大而燒壞直流穩(wěn)壓電源中濾波電路的目的是（）。

A:將交流變?yōu)橹绷鰾:將高頻變?yōu)榈皖lC:將交、直流混合量中的交流成分濾掉D:保護(hù)電源

答案:將交、直流混合量中的交流成分濾掉若要組成輸出電壓可調(diào)、最大輸出電流為3A的直流穩(wěn)壓電源，則應(yīng)采用（）。

A:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路B:電容濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路C:電感濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路D:電容濾波穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路

答案:電感濾波串聯(lián)型穩(wěn)壓電路在脈寬調(diào)制式串聯(lián)型開關(guān)穩(wěn)壓電路中，為使輸出電壓增大，對調(diào)整管基極控制信號的要求是（）。

A:周期不變，占空比增大B:頻率增大﹐占空比不變C:頻率減小，占空比不變D:周期不變，占空比減小

答案:周期不變，占空比增大穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓區(qū)是其工作在（）。

A:反向截止B:反向擊穿C:正向?qū)―:正向截至

答案:反向擊穿

第八章單元測試

TTL數(shù)字集成電路與CMOS數(shù)字集成電路相比突出的優(yōu)點(diǎn)是（）。

A:微功耗B:高抗干擾能力C:電源范圍寬D:高速度

答案:高速度已知邏輯函數(shù)Y=AB+AC?+B?C，與其相等的函數(shù)為（）。

A:AB+B?CB:AB+CC:ABD:AB+AC?

答案:AB+C以下表達(dá)式中符合邏輯運(yùn)算法則的是（）。

A:0<1B:C:1+1=10D:A+1=1

答案:A+1=1當(dāng)邏輯函數(shù)有n個(gè)變量時(shí)，共有（）個(gè)變量取值組合。

A:2nB:C:nD:

答案:A+BC=（）。

A:A+CB:B+CC:A+BD:(A+B)(A+C)

答案:(A+B)(A+C)

第九章單元測試

請判斷以下哪個(gè)電路是組合邏輯電路（）。

A:觸發(fā)器B:寄存器C:計(jì)數(shù)器D:譯碼器

答案:譯碼器下列說法不正確的是（）。

A:集電極開路的門稱為0C門B:三態(tài)門輸出端有可能出現(xiàn)三種狀態(tài)（高阻態(tài).高電平.低電平）C:OC門輸出端直接連接可以實(shí)現(xiàn)正邏輯的線或運(yùn)算D:利用三態(tài)門電路可實(shí)現(xiàn)雙向傳輸

答案:OC門輸出端直接連接可以實(shí)現(xiàn)正邏輯的線或運(yùn)算已知74LS138譯碼器的輸入三個(gè)使能端（E1=1，E2A=E2B=0）時(shí)，地址碼A2A1A0=011，則輸出Y7~Y0是（）。

A:11110111B:11111111C:11111101D:10111111

答案:11111111函數(shù)F=AB+BC，使F=1的輸入ABC組合為（）。

A:ABC=000B:ABC=110C:ABC=101D:ABC=010

答案:ABC=110以下說法錯(cuò)誤的是（）。

A:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)和來自低位的進(jìn)位相加的電路叫全加器B:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)相加的電路叫全加器C:編碼器可分為普通全加器和優(yōu)先編碼器D:數(shù)字比較器可以比較數(shù)字大小

答案:實(shí)現(xiàn)兩個(gè)一位二進(jìn)制數(shù)相加的電路叫全加器

第十章單元測試

T觸發(fā)器中，當(dāng)T=1時(shí)，觸發(fā)器實(shí)現(xiàn)（）功能。

A:保持B:置0C:計(jì)數(shù)D:置1

答案:計(jì)數(shù)指出下列電路中能夠把串行數(shù)據(jù)變成并行數(shù)據(jù)的電路應(yīng)該是（）。

A:JK觸發(fā)器B:移位寄存器C:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器D:3/8線譯碼器

答案:移位寄存器要將方波脈沖的周期擴(kuò)展10倍，可采用（）

A:10位D/A轉(zhuǎn)換器B:10級施密特觸發(fā)器C:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器D:10位二進(jìn)制計(jì)數(shù)器

答案:十進(jìn)制計(jì)數(shù)器電路如圖所示，Qn+1=A+Qn電路為（）。

A:B:C:D:

答案:

TTL主從JK觸發(fā)器電路如下圖所示，初態(tài)為0，已知CP，A，B和SD的波形，請判斷Q的波形，它為（A），（），（C），（D）中的（）。

A:B:C:D:

答案:

第十一章單元測試

為構(gòu)成4096×4的ROM，需要多少片1024×1的ROM，并且需要有多少位地

址譯碼以完成尋址操作（）。

A:8片，10位B:10片，12位C:16片，14位D:16片，12位

答案:16片，12位一個(gè)6位地址碼、8位輸出的ROM，其存儲矩陣的容量為（）位。

A:512B:256C:48D:64

答案:512只能按地址讀出信息，而不能寫入信息的存儲器為（）。

A:ROMB:PROMC:RAMD:EPROM

答案:ROM存儲容量為8Kx8位的ROM存儲器，其地線為（）條。

A:13B:12C:8D:14

答案:13數(shù)據(jù)最不容易丟失的存儲器是（）。

A:ROMB:EPROMC:EEPROMD:FLASH

答案:ROM

第十二章單元測試

下列幾種A/D轉(zhuǎn)換器中，轉(zhuǎn)換速度最快的是（）。

A:逐次漸進(jìn)型A/D轉(zhuǎn)換器B:計(jì)數(shù)型A/D轉(zhuǎn)換器C:并行A/D轉(zhuǎn)換器D:雙積分A/D轉(zhuǎn)換器

答案:并行A/D轉(zhuǎn)換器一個(gè)八位D/A轉(zhuǎn)換器的最小電壓增量為0.01V，當(dāng)輸入代碼為10010001時(shí)，輸出電壓為（）V。

A:1.56B:1.54C:1.45D:1.28

答案