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數(shù)字電子技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋內(nèi)蒙古科技大學(xué)第一章單元測(cè)試
將二進(jìn)制數(shù)(101001101100)B轉(zhuǎn)換成十六進(jìn)制數(shù)是()。
A:E3BB:A6CC:A6BD:A6D
答案:A6C?十進(jìn)制數(shù)–10的8位有符號(hào)二進(jìn)制數(shù)的原碼及補(bǔ)碼表示分別是()。
A:10001010;11110101B:11110101;1110110C:10000101;11110110D:10001010;11110110
答案:10001010;11110110?將十六進(jìn)制數(shù)(4E.C)H轉(zhuǎn)換成二進(jìn)制數(shù)是()。
A:01001110.0110B:11100100.11C:01001110.0011D:01001110.11
答案:01001110.11?十進(jìn)制數(shù)8的5421BCD碼和8421BCD碼分別為()。
A:1000;1000B:1011;1000C:1110;1000D:1011;0100
答案:1011;1000?字符A的ASCII碼的十六進(jìn)制數(shù)表示為()。
A:61HB:59HC:41HD:4DH
答案:41H將二進(jìn)制碼1011轉(zhuǎn)換為格雷碼為()。
A:0111B:1100C:0110D:1110
答案:1110將格雷碼1111轉(zhuǎn)換為二進(jìn)制碼為()。
A:1010B:1110C:1111D:1000
答案:1010基本邏輯運(yùn)算為()。
A:與、或、非B:與非、或非、異或C:與非、或、非D:與、或非、非
答案:與、或、非描述邏輯函數(shù)的方法有()。
A:邏輯圖B:波形圖C:邏輯函數(shù)表達(dá)式D:真值表
答案:邏輯圖;波形圖;邏輯函數(shù)表達(dá)式;真值表對(duì)同或運(yùn)算的描述正確為()。
A:B:C:兩輸入取值不同則函數(shù)值為0,取值相同則函數(shù)值為1D:
答案:兩輸入取值不同則函數(shù)值為0,取值相同則函數(shù)值為1;已知A、B是邏輯變量,L是邏輯函數(shù)。低電平表示邏輯0,高電平表示邏輯1。如下的波形圖是()。
A:與運(yùn)算B:或運(yùn)算C:與非運(yùn)算D:或非運(yùn)算
答案:與非運(yùn)算如下的邏輯圖是()。
A:B:C:D:
答案:;
第二章單元測(cè)試
在四變量卡諾圖中,F(xiàn)=A+BC有()小方格為1。
A:12個(gè)B:5個(gè)C:10個(gè)D:6個(gè)
答案:10個(gè)邏輯函數(shù)F(A,B,C)=AB+C的最小項(xiàng)表達(dá)式為()。
A:B:C:D:
答案:以下的邏輯表達(dá)式中符合邏輯運(yùn)算法則的是()。
A:B:C:D:
答案:已知邏輯函數(shù)為,則其反函數(shù)(
)。
A:B:C:D:
答案:利用卡諾圖法將邏輯函數(shù)化簡(jiǎn)為最簡(jiǎn)與或式為()。
A:B:C:D:
答案:關(guān)于n變量的最小項(xiàng),說(shuō)法正確的是()
A:最小項(xiàng)為包含n個(gè)變量的積項(xiàng),每個(gè)變量可用原變量或非變量B:最小項(xiàng)為包含n個(gè)變量的和項(xiàng),每個(gè)變量可用原變量或非變量C:最小項(xiàng)為包含n個(gè)變量的積項(xiàng),每個(gè)變量?jī)H為原變量D:最小項(xiàng)為包含n個(gè)變量的和項(xiàng),每個(gè)變量?jī)H為非變量
答案:最小項(xiàng)為包含n個(gè)變量的積項(xiàng),每個(gè)變量?jī)H為原變量下面關(guān)于最簡(jiǎn)與或表達(dá)式表述正確的是()。
A:乘積項(xiàng)個(gè)數(shù)最少且每一項(xiàng)的變量個(gè)數(shù)最多B:乘積項(xiàng)個(gè)數(shù)最少且每一項(xiàng)的變量個(gè)數(shù)最少C:每一項(xiàng)的變量個(gè)數(shù)最少D:乘積項(xiàng)個(gè)數(shù)最少
答案:乘積項(xiàng)個(gè)數(shù)最少且每一項(xiàng)的變量個(gè)數(shù)最少如果兩個(gè)邏輯函數(shù)的表達(dá)式不同,那么它們的真值表也必然不同。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)在使用卡諾圖法化簡(jiǎn)時(shí),約束項(xiàng)既可以當(dāng)作0,也可以當(dāng)作1。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
第三章單元測(cè)試
如下的4張圖,MOSFET的開(kāi)啟電壓為VTN=1.5V,VTP=-1.5V;MOS管是截止?fàn)顟B(tài)的為()。
A:圖cB:圖dC:圖bD:圖a
答案:圖c如圖的CMOS邏輯門(mén)電路,輸出F對(duì)輸入A、B的正邏輯表達(dá)式為()。
A:B:C:D:
答案:如圖的CMOS邏輯門(mén)電路。其邏輯功能為()。
A:B:C:D:
答案:如圖的CMOS邏輯門(mén)電路。其邏輯功能可以表示為()。
A:B:C:D:
答案:已知74LVC系列CMOS門(mén),在3.3V電源供電時(shí),VIL(max)=0.8V,VOL(max)=0.2V,VIH(min)=2.0V,VOL(min)=3.1V。74LVC系列的CMOS與非門(mén),輸入端在以下()接法中屬于低電平。
A:輸入接小于0.8V電壓B:輸入端接同類與非門(mén)輸出低電平0.2VC:輸入端到地之間接10kΩ電阻D:輸入端懸空
答案:輸入接小于0.8V電壓;輸入端接同類與非門(mén)輸出低電平0.2V;輸入端到地之間接10kΩ電阻一個(gè)4輸入的與非門(mén),只使用其中的3個(gè)輸入端,另外一輸入端應(yīng)該()。
A:懸空B:正邏輯體制下,接邏輯1C:接低電平D:正邏輯體制下,接邏輯0
答案:正邏輯體制下,接邏輯1如圖由OD異或門(mén)和OD與非門(mén)構(gòu)成的電路,其邏輯關(guān)系為()。
A:B:C:D:
答案:輸出端可以并聯(lián)使用的CMOS邏輯門(mén)是()。
A:或非門(mén)B:漏極開(kāi)路門(mén),即OD門(mén)C:與非門(mén)D:三態(tài)門(mén),即TSL
答案:漏極開(kāi)路門(mén),即OD門(mén);三態(tài)門(mén),即TSL如圖的4個(gè)邏輯門(mén)符號(hào),其邏輯功能相同的是()。
A:圖a和圖cB:圖a和圖bC:圖b和圖dD:圖c和圖d
答案:圖c和圖d如圖的CMOS邏輯門(mén)組合電路,多余的輸入端要進(jìn)行處理。處理方法為()。
A:多余端1接高電平,多余端2接高電平B:多余端1接高電平,多余端2接低電平C:多余端1懸空,多余端2接地D:多余端1接低電平,多余端2接高電平
答案:多余端1接高電平,多余端2接低電平
第四章單元測(cè)試
若在編碼器中有50個(gè)編碼對(duì)象則要求輸出二進(jìn)制代碼的位數(shù)為()。
A:6B:8C:7D:5
答案:6在下列邏輯電路中,不是組合邏輯電路的有()。
A:比較器B:寄存器C:加法器D:編碼器
答案:寄存器一個(gè)16選一的數(shù)據(jù)選擇器,地址輸入端有()個(gè)。
A:3B:2C:4D:5
答案:4編碼器的邏輯功能是()。
A:把二進(jìn)制數(shù)轉(zhuǎn)化成十進(jìn)制數(shù)B:將某種二進(jìn)制代碼轉(zhuǎn)換成某種輸出狀態(tài)。C:把二進(jìn)制碼轉(zhuǎn)換為格雷碼D:把某種狀態(tài)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的二進(jìn)制代碼
答案:把某種狀態(tài)轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的二進(jìn)制代碼引起組合電路中競(jìng)爭(zhēng)冒險(xiǎn)的原因是()。
A:干擾信號(hào)B:邏輯關(guān)系錯(cuò)誤C:延時(shí)D:電源電壓不穩(wěn)定
答案:延時(shí)組合邏輯電路不帶有記憶功能。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)全加器只能完成兩個(gè)1位二進(jìn)制數(shù)的相加。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:錯(cuò)普通編碼器在任何時(shí)刻只能對(duì)一個(gè)輸入信息進(jìn)行編碼,優(yōu)先編碼器允許多個(gè)輸入信號(hào)有效,按優(yōu)先級(jí)別高的有效輸入信號(hào)進(jìn)行編碼。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)LED共陽(yáng)極型七段數(shù)碼管一般采用低電平驅(qū)動(dòng)。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)組合邏輯電路的分析就是根據(jù)邏輯電路分析找出電路的邏輯功能。()
A:錯(cuò)B:對(duì)
答案:對(duì)
第五章單元測(cè)試
以下關(guān)于鎖存器和觸發(fā)器描述正確的是()
A:鎖存器和觸發(fā)器都是脈沖邊沿敏感器件B:鎖存器和觸發(fā)器都是脈沖電平敏感器件C:鎖存器是脈沖邊沿敏感器件,觸發(fā)器是脈沖電平敏感器件D:鎖存器是脈沖電平敏感器件,觸發(fā)器是脈沖邊沿敏感器件
答案:鎖存器是脈沖電平敏感器件,觸發(fā)器是脈沖邊沿敏感器件存儲(chǔ)4位二進(jìn)制信息需要()個(gè)觸發(fā)器。
A:4個(gè)B:3個(gè)C:8個(gè)D:2個(gè)
答案:4個(gè)下列觸發(fā)器中,沒(méi)有約束條件的是()。
A:主從RS觸發(fā)器B:邊沿D觸發(fā)器C:基本RS觸發(fā)器D:同步RS觸發(fā)器
答案:邊沿D觸發(fā)器觸發(fā)器被清零(復(fù)位)后,Q和端的狀態(tài)分別為()。
A:1,1B:0,0C:0,1D:1,0
答案:0,1只有置0和置1功能的觸發(fā)器是()。
A:RS觸發(fā)器B:D觸發(fā)器C:JK觸發(fā)器D:T觸發(fā)器
答案:D觸發(fā)器當(dāng)輸入端S和R為()時(shí),由或非門(mén)構(gòu)成的基本SR鎖存器保持原狀態(tài)不變。
A:S=0,R=0B:S=1,R=0C:S=1,R=1D:S=0,R=1
答案:S=0,R=0主從型JK觸發(fā)器,當(dāng)JK=00是,完成()功能。
A:不定B:置1C:保持D:翻轉(zhuǎn)
答案:保持要實(shí)現(xiàn)JK觸發(fā)器轉(zhuǎn)換為D觸發(fā)器,應(yīng)使()。
A:J=D,K=B:K=D,J=C:J=K=D:J=K=D
答案:J=D,K=要實(shí)現(xiàn),JK觸發(fā)器的J、K取值應(yīng)為()。
A:J=1,K=0B:J=0,K=1C:J=1,K=1D:J=0,K=0
答案:J=1,K=1在下圖中,假設(shè)觸發(fā)器的初態(tài)均為0,則Q的波形圖為()。
A:B:C:D:
答案:
第六章單元測(cè)試
下列電路中不屬于時(shí)序電路的是()。
A:編碼器B:RAMC:寄存器D:計(jì)數(shù)器
答案:編碼器4個(gè)觸發(fā)器可以構(gòu)成能寄存()位二進(jìn)制數(shù)碼的寄存器。
A:4個(gè)B:16個(gè)C:3個(gè)D:8個(gè)
答案:4個(gè)用n級(jí)觸發(fā)器組成計(jì)數(shù)器,其最大計(jì)數(shù)模是()。
A:B:C:nD:2n
答案:8位移位寄存器,串行輸入時(shí)經(jīng)()脈沖后,8個(gè)數(shù)據(jù)全部移入寄存器。
A:2個(gè)B:4個(gè)C:8個(gè)D:1個(gè)
答案:8個(gè)同步計(jì)數(shù)器和異步計(jì)數(shù)器比較,同步計(jì)數(shù)器的顯著優(yōu)點(diǎn)是()。
A:電路簡(jiǎn)單B:工作速度高C:觸發(fā)器利用率高D:不受時(shí)鐘CP控制
答案:工作速度高設(shè)計(jì)一個(gè)8421BCD碼計(jì)數(shù)器至少需要()個(gè)觸發(fā)器。
A:5B:4C:3D:10
答案:4用二進(jìn)制異步計(jì)數(shù)器從0開(kāi)始計(jì)數(shù),計(jì)到十進(jìn)制數(shù)178,則最少需要()個(gè)觸發(fā)器。
A:10B:7C:8D:2
答案:8用D觸發(fā)器設(shè)計(jì)一個(gè)15進(jìn)制的計(jì)數(shù)器,至少需要()個(gè)D觸發(fā)器。
A:6B:4C:5D:3
答案:4把一個(gè)五進(jìn)制計(jì)數(shù)器和四進(jìn)制計(jì)數(shù)器串聯(lián),可得到()進(jìn)制計(jì)數(shù)器。
A:4B:20C:54D:9
答案:20如圖所示的數(shù)字邏輯部件。其中各方框中均是用模N的計(jì)數(shù)器作N次分頻器,則A處的頻率是400kHz,B處的頻率是()。
A:40HzB:40kHzC:400HzD:3200Hz
答案:40kHz
第七章單元測(cè)試
()不具有多次擦除重寫(xiě)功能。
A:E2PROMB:FlashMemoryC:PROMD:EPROM
答案:PROM一個(gè)容量為512×1的靜態(tài)RAM具有()。
A:地址線1根,數(shù)據(jù)線9根B:地址線9根,數(shù)據(jù)線1根C:地址線9根,數(shù)據(jù)線512根D:地址線512根,數(shù)據(jù)線9根
答案:地址線9根,數(shù)據(jù)線1根某EPROM有8位數(shù)據(jù)線,13位地址線,則其存儲(chǔ)容量為()。
A:16KBB:64KBC:8KBD:8KB
答案:64KB要構(gòu)成容量為4K×4的RAM,需要()片容量為256×4的RAM
A:4B:16C:2D:32
答案:16某一存儲(chǔ)器的地址線為A14~A0,數(shù)據(jù)線為D3~D0,其存儲(chǔ)容量是()。
A:32K×4位B:4K×8位C:32K×8位D:64K×4位
答案:32K×4位()存儲(chǔ)器在讀/寫(xiě)的同時(shí)需要進(jìn)行數(shù)據(jù)刷新。
A:靜態(tài)RAMB:動(dòng)態(tài)RAMC:PROMD:ROM
答案:動(dòng)態(tài)RAM隨機(jī)存取存儲(chǔ)器具有()功能。
A:無(wú)讀/寫(xiě)B(tài):讀/寫(xiě)C:只讀D:只寫(xiě)
答案:讀/寫(xiě)將4位RAM擴(kuò)展成8位RAM的方法是將下列選項(xiàng)中的()以外的信號(hào)線相應(yīng)地并聯(lián)在一起。
A:片選信號(hào)線B:讀/寫(xiě)線C:地址線D:數(shù)據(jù)線
答案:數(shù)據(jù)線一個(gè)16K×4的存儲(chǔ)系統(tǒng)的起始地址為全0,其最高地址的十六進(jìn)制地址碼為3FFFH。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)E2PROM不僅可以讀,也可以寫(xiě),則它可以替代RAM。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
第八章單元測(cè)試
多諧振蕩器可產(chǎn)生。()
A:三角波B:正弦波C:矩形脈沖D:鋸齒波
答案:矩形脈沖石英晶體多諧振蕩器的缺點(diǎn)是。()
A:帶寬很窄B:體積小C:頻率不能調(diào)節(jié)
答案:頻率不能調(diào)節(jié)以下各電路中,()可以產(chǎn)生脈沖定時(shí)。
A:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器B:施密特觸發(fā)器C:多諧振蕩器D:石英晶體多諧振蕩器
答案:多諧振蕩器石英晶體多諧振蕩器的突出優(yōu)點(diǎn)是。()
A:電路簡(jiǎn)單B:振蕩頻率穩(wěn)定C:輸出波形邊沿陡峭D:速度高
答案:振蕩頻率穩(wěn)定用555定時(shí)器組成施密特觸發(fā)器,當(dāng)輸入控制端CO外接10V電壓時(shí),回差電壓為。()
A:3.33VB:6.66VC:5VD:10V
答案:3.33V()無(wú)需外加輸入信號(hào)就能在接通電源后自動(dòng)產(chǎn)生矩形波輸出。
A:多諧振蕩器B:單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器C:施密特觸發(fā)器
答案:多諧振蕩器集成單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器可分為和兩大類。()
A:可重復(fù)觸發(fā),不可重復(fù)觸發(fā)B:周期性,非周期性C:可觸發(fā),不可觸發(fā)
答案:可重復(fù)觸發(fā),不可重復(fù)觸發(fā)脈沖整形電路有()。
A:多諧振蕩器B:555定時(shí)器C:施密特觸發(fā)器D:雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器
答案:施密特觸發(fā)器多諧振蕩器的輸出信號(hào)的周期與阻容元件的參數(shù)成正比。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:對(duì)單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的暫穩(wěn)態(tài)時(shí)間與輸入觸發(fā)脈沖寬度成正比。()
A:對(duì)B:錯(cuò)
答案:錯(cuò)
第九章單元測(cè)試
A/D模數(shù)轉(zhuǎn)換器的作用是將模擬信號(hào)轉(zhuǎn)換為:()
A:數(shù)字信號(hào)B:頻率信號(hào)C:脈沖信號(hào)D:帶通信號(hào)
答案:數(shù)字信號(hào)A/D轉(zhuǎn)換的精度通常用什么來(lái)衡量()
A:周期時(shí)間B:電壓范圍C:采樣率
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