【MOOC】微電子器件-電子科技大學(xué) 中國大學(xué)慕課MOOC答案

【MOOC】微電子器件-電子科技大學(xué)中國大學(xué)慕課MOOC答案1半導(dǎo)體器件基本方程1、【單選題】空間任意點(diǎn)的電場強(qiáng)度的散度正比于該點(diǎn)的（）。本題答案：【電荷密度】2、【多選題】輸運(yùn)方程由電子電流密度和空穴電流密度構(gòu)成，當(dāng)載流子的遷移率和擴(kuò)散系數(shù)確定以后，漂移電流取決于（）。本題答案：【載流子濃度#電場強(qiáng)度】2.1.1PN結(jié)的基本知識(shí)1、【多選題】P型區(qū)和N型區(qū)的交界面稱為（）。本題答案：【冶金結(jié)面#結(jié)面】2.1.2突變結(jié)空間電荷區(qū)和內(nèi)建電勢1、【單選題】p型空間電荷區(qū)由（）構(gòu)成。本題答案：【帶負(fù)電的電離受主雜質(zhì)】2、【多選題】PN結(jié)的內(nèi)建電勢與（）有關(guān)。本題答案：【溫度#摻雜濃度#材料種類】2.2.1突變結(jié)的電荷區(qū)的電場分布和寬度1、【單選題】采用耗盡近似，P型耗盡區(qū)內(nèi)的()完全擴(kuò)散掉。本題答案：【載流子】2、【單選題】采用耗盡近似，N型耗盡區(qū)內(nèi)的泊松方程與（）成正比。本題答案：【施主雜質(zhì)濃度】2.2.2單邊突變結(jié)的電荷區(qū)的電場分布和寬度1、【多選題】單邊突變結(jié)的（）主要取決于低摻雜一側(cè)的雜質(zhì)濃度。本題答案：【耗盡區(qū)寬度#最大電場】2.3.1平衡狀態(tài)下PN結(jié)的能帶圖1、【判斷題】處于平衡態(tài)的PN結(jié)，其費(fèi)米能級EF處處相等。本題答案：【正確】2、【判斷題】由PN結(jié)能帶圖可見，電子從N區(qū)到P區(qū)，需要克服一個(gè)高度為的勢壘。本題答案：【錯(cuò)誤】2.3.2平衡PN結(jié)的空間電荷區(qū)載流子分布1、【單選題】在近似條件下，平衡態(tài)的公式可以推廣到非平衡態(tài)。其推廣過程是將用（）代替。本題答案：【】2.4.1平衡時(shí)載流子運(yùn)動(dòng)1、【單選題】在平衡狀態(tài)下，電子的電流密度（）。本題答案：【等于0】2.4.2外加正向偏壓下載流子運(yùn)動(dòng)1、【判斷題】PN結(jié)正偏時(shí)，勢壘高度降低。這就意味著n型側(cè)中性區(qū)和p型側(cè)中性區(qū)有更多的多子可以通過漂移運(yùn)動(dòng)越過勢壘。本題答案：【錯(cuò)誤】2.4.3外加反向偏壓下載流子運(yùn)動(dòng)1、【單選題】反偏電流的電荷來源是（），所以反向電流很小。本題答案：【少子】2.5.1理想PN結(jié)直流電流電壓特性的求解思路1、【單選題】不考慮勢壘區(qū)的產(chǎn)生-復(fù)合電流，和在勢壘區(qū)為常數(shù)，這樣總的電流密度等于，這樣求解電流密度方程就只需在（）區(qū)進(jìn)行。本題答案：【中性】2.5.2外加偏壓下少子濃度分布1、【判斷題】在正偏時(shí)，從P區(qū)注入N區(qū)的非平衡空穴，其濃度在N區(qū)中隨距離作指數(shù)式衰減。這是因?yàn)榉瞧胶饪昭ㄔ贜區(qū)中一邊擴(kuò)散一邊復(fù)合的緣故。本題答案：【正確】2、【判斷題】正偏PN結(jié)中，耗盡區(qū)邊界的少子小于平衡態(tài)少子。本題答案：【錯(cuò)誤】2.5.3擴(kuò)散電流1、【判斷題】反向飽和電流的大小主要決定于半導(dǎo)體材料的種類、摻雜濃度和溫度。半導(dǎo)體材料的禁帶寬度越大，則ni越大，反向飽和電流就越大。本題答案：【錯(cuò)誤】2.6.1勢壘區(qū)復(fù)合產(chǎn)生電流1、【單選題】反向偏置情況下，除空穴擴(kuò)散電流和電子擴(kuò)散電流外，還有（）。本題答案：【勢壘區(qū)的產(chǎn)生電流】2、【判斷題】正向偏置增加了耗盡層內(nèi)的載流子濃度且高于其熱平衡值，這導(dǎo)致了該區(qū)域內(nèi)載流子出現(xiàn)復(fù)合占優(yōu)。本題答案：【正確】2.6.2勢壘區(qū)復(fù)合產(chǎn)生電流的計(jì)算1、【單選題】當(dāng)以正向擴(kuò)散電流為主時(shí)，PN結(jié)的IV特性在系統(tǒng)中的斜率為（）。本題答案：【】2.7.1準(zhǔn)費(fèi)米能級1、【單選題】在非平衡時(shí)，電子濃度可以用電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級EFn來表示，則表達(dá)式為本題答案：【n=niexp((EFn-Ei)/kT)】2.7.2非平衡態(tài)PN結(jié)能帶圖1、【單選題】外加正向偏壓為V時(shí)，勢壘區(qū)中EFn比EFp高（）。本題答案：【qV】2.8.1大注入下的結(jié)定律1、【判斷題】所謂小注入條件，是指注入某區(qū)邊界附近的非平衡少子濃度遠(yuǎn)小于該區(qū)的平衡少子濃度，大注入條件是指注入某區(qū)邊界附近的非平衡少子濃度遠(yuǎn)大于該區(qū)的平衡少子濃度。本題答案：【錯(cuò)誤】2.8.2大注入下的自建電場1、【判斷題】當(dāng)PN結(jié)發(fā)生大注入時(shí)，將產(chǎn)生自建電場，該電場的作用是阻止多子流動(dòng)，使多子（產(chǎn)生和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大小相等方向相反的漂移運(yùn)動(dòng)，那么這個(gè)電場必定使少子產(chǎn)生和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)大小相等方向相同的漂移運(yùn)動(dòng)。這相當(dāng)于使少子的擴(kuò)散系數(shù)D增大了一倍。這個(gè)現(xiàn)象稱為韋伯斯脫（Webster）效應(yīng)。本題答案：【正確】2.9.1碰撞電離率和雪崩倍增因子1、【單選題】當(dāng)載流子積累的能量超過禁帶寬度時(shí)可使被碰撞的價(jià)帶電子躍遷到導(dǎo)帶，從而產(chǎn)生一對新的電子空穴對，這就是碰撞電離過程，其主要發(fā)生在反偏PN結(jié)的（）中。本題答案：【耗盡區(qū)】2.9.2雪崩擊穿電壓的計(jì)算及其影響因素1、【單選題】隨著PN結(jié)反向電壓的增加，載流子在勢壘區(qū)積累的能量增加，會(huì)發(fā)生雪崩倍增效應(yīng)，當(dāng)（）時(shí)，雪崩倍增因子趨于無窮大，發(fā)生雪崩擊穿。本題答案：【碰撞電離率積分等于1】2.9.3隧道效應(yīng)與齊納擊穿1、【判斷題】一般說來，當(dāng)勢壘區(qū)較寬時(shí)，即雜質(zhì)濃度或雜質(zhì)濃度梯度較小時(shí)，容易發(fā)生齊納擊穿。反之，則容易發(fā)生雪崩擊穿。本題答案：【錯(cuò)誤】2.10PN結(jié)的勢壘電容1、【單選題】對突變PN結(jié)，反向電壓很大時(shí)，可以略去，這時(shí)勢壘電容與（）成反比。本題答案：【】2.11PN結(jié)的擴(kuò)散電容1、【判斷題】PN結(jié)的擴(kuò)散電容來源于中性區(qū)非平衡載流子電荷隨外加電壓的變化。本題答案：【正確】2.12.1PN結(jié)的直流開關(guān)特性1、【判斷題】由于PN結(jié)二極管具有單向?qū)щ娦?，所以可?dāng)作開關(guān)使用。當(dāng)二極管處于正向?qū)顟B(tài)時(shí)，相當(dāng)于開關(guān)閉合，稱為“開”態(tài)。當(dāng)二極管處于反向截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，相當(dāng)于開關(guān)斷開，稱為“關(guān)”態(tài)。作為開關(guān)使用的二極管稱為開關(guān)二極管。本題答案：【正確】2.12.2PN結(jié)的瞬態(tài)開關(guān)特性1、【單選題】引起反向恢復(fù)過程的原因是PN結(jié)在（）期間存儲(chǔ)在中性區(qū)中的非平衡少子電荷Q。本題答案：【正向?qū)ā?.12.3PN結(jié)的開關(guān)時(shí)間1、【單選題】在開關(guān)二極管中常采用摻金的方法來提高開關(guān)管的響應(yīng)速度。也可采用摻鉑、電子輻照、中子輻照等方法，其目的是（）。本題答案：【引入復(fù)合中心降低少子壽命】【單元作業(yè)】半導(dǎo)體器件基本方程及PN結(jié)的基本知識(shí)【單元測驗(yàn)】半導(dǎo)體器件基本方程及PN結(jié)的基本知識(shí)1、【單選題】PN結(jié)中冶金結(jié)的含義是()。本題答案：【界面】2、【單選題】反向偏置的PN結(jié)，靠近耗盡層邊界的中性區(qū)內(nèi)會(huì)發(fā)生（）過程。本題答案：【產(chǎn)生和擴(kuò)散】3、【單選題】理想PN結(jié)的電流是（）。本題答案：【少子擴(kuò)散電流】4、【單選題】對PN+結(jié)，擴(kuò)散電容上的電荷主要是儲(chǔ)存在（）的非平衡載流子電荷。本題答案：【P型中性區(qū)】5、【單選題】為了使穩(wěn)壓二極管的擊穿電壓盡量不受溫度的影響，可以通過適當(dāng)選擇PN結(jié)的雜質(zhì)濃度分布，使其擊穿電壓處于兩種擊穿機(jī)構(gòu)兼有的范圍，原因是雪崩擊穿具有（）而齊納擊穿具有與之相反的特性。本題答案：【正溫度系數(shù)】6、【多選題】PN結(jié)的空間電荷區(qū)的電荷有（）。本題答案：【施主離子#受主離子】7、【多選題】PN結(jié)中有很多參數(shù)或性能都由低摻雜一側(cè)的摻雜濃度確定的，下面（）就是這樣的。本題答案：【空間電荷區(qū)寬度#勢壘電容#反向飽和電流#反向恢復(fù)過程】8、【多選題】正向偏置的PN結(jié)，在靠近耗盡層邊界的中性區(qū)內(nèi)的少子具有（）特點(diǎn)。本題答案：【濃度高于平衡態(tài)少子濃度#一邊擴(kuò)散一邊復(fù)合】9、【多選題】PN結(jié)的擊穿種類有（）。本題答案：【雪崩擊穿#齊納擊穿#隧道擊穿#熱擊穿】10、【多選題】PN結(jié)之所以具有反向恢復(fù)過程是由于（）。本題答案：【反向電流的抽取需要時(shí)間#少子的復(fù)合需要時(shí)間#中性區(qū)有少子電荷存儲(chǔ)】11、【判斷題】冶金結(jié)附近的空間電荷是由p型一側(cè)電子和n型一側(cè)空穴的積累引起的。本題答案：【錯(cuò)誤】12、【判斷題】通常的內(nèi)建電勢小于禁帶寬度對應(yīng)的電壓值。本題答案：【正確】13、【判斷題】通過引入耗盡近似，耗盡層內(nèi)部的電荷密度完全正比于凈雜質(zhì)濃度。本題答案：【正確】14、【判斷題】歐姆接觸降低了結(jié)的內(nèi)建電壓。本題答案：【正確】15、【判斷題】根據(jù)耗盡近似得到的結(jié)，電場強(qiáng)度正好在冶金結(jié)分界處達(dá)到最大值。本題答案：【正確】16、【判斷題】假設(shè)一個(gè)p+n突變結(jié)，且，則有。本題答案：【正確】17、【判斷題】PN結(jié)的p型和n型間的勢壘隨正向偏壓而升高。本題答案：【錯(cuò)誤】18、【判斷題】線性緩變結(jié)的耗盡層寬度正比于。本題答案：【正確】19、【判斷題】反向偏置飽和電流可看成是由中性區(qū)內(nèi)少數(shù)載流子的產(chǎn)生而導(dǎo)致的。本題答案：【正確】20、【判斷題】減薄p+n突變結(jié)的輕摻雜區(qū)厚度，不但能減少存儲(chǔ)電荷，還能降低反向抽取電流。本題答案：【錯(cuò)誤】3.1.1雙極型晶體管的結(jié)構(gòu)1、【單選題】雙極晶體管效應(yīng)是通過改變（）。本題答案：【正偏PN結(jié)的偏壓來控制其附近反偏結(jié)的電流】2、【單選題】當(dāng)（）時(shí)雙極型晶體管處于飽和狀態(tài)。本題答案：【發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏】3.1.2雙極型晶體管少子分布1、【單選題】當(dāng)NPN晶體管出在放大狀態(tài)時(shí)，基區(qū)兩側(cè)耗盡區(qū)的少數(shù)載流子濃度分別為（）。本題答案：【，0】3.1.3雙極型晶體管能帶分布1、【單選題】均勻居基區(qū)PNP晶體管在放大狀態(tài)下的能帶圖為（）。本題答案：【】3.1.4雙極型晶體管的放大作用1、【多選題】要提高晶體管的電流傳輸效率，需要（）。本題答案：【NENB#WBLB】2、【判斷題】發(fā)射結(jié)正偏、集電極零偏時(shí)的IC與IB之比稱為共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)。本題答案：【錯(cuò)誤】3.2.1基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)1、【多選題】雙極型晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的表達(dá)式為（）。本題答案：【#】2、【判斷題】基區(qū)中到達(dá)集電結(jié)的少子電流與從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的少子形成的電流之比，稱為基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)。本題答案：【正確】3.2.2發(fā)射結(jié)注入效率1、【多選題】雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)注入效率的表達(dá)式為（）。本題答案：【#】2、【判斷題】從發(fā)射區(qū)注入基區(qū)的多子形成的電流與總的發(fā)射極電流之比，稱為注入效率。本題答案：【錯(cuò)誤】3.2.3電流放大系數(shù)1、【判斷題】虧損因子中，項(xiàng)反映了基區(qū)多子注入到發(fā)射區(qū)引起的損失。本題答案：【錯(cuò)誤】3.3.1緩變基區(qū)晶體管的內(nèi)建電場1、【填空題】在緩變基區(qū)晶體管中，由于基區(qū)雜質(zhì)分布不均勻，基區(qū)內(nèi)會(huì)產(chǎn)生內(nèi)建電場，少子在基區(qū)中以()運(yùn)動(dòng)為主。本題答案：【漂移】3.3.2緩變基區(qū)晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)1、【單選題】在緩變基區(qū)晶體管中，由于基區(qū)中存在內(nèi)建電場，基區(qū)渡越時(shí)間變?yōu)椋ǎ?。本題答案：【】2、【判斷題】由于平面晶體管的基區(qū)寬度WB容易做得很小，加上基區(qū)中存在加速場，因此平面晶體管的β*與1非常接近。本題答案：【正確】3.3.3緩變基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)1、【判斷題】采用方塊電阻來表示雙極型晶體管，無論是均勻基區(qū)晶體管還是緩變基區(qū)晶體管，其表達(dá)式都是一樣的。本題答案：【正確】3.3.4非理想情況下的電流放大系數(shù)1、【單選題】為了避免陷落效應(yīng)，晶體管的發(fā)射區(qū)多采用（）擴(kuò)散來代替磷擴(kuò)散。本題答案：【砷】2、【多選題】造成發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)的原因有（）。本題答案：【發(fā)射區(qū)禁帶變窄#俄歇復(fù)合增強(qiáng)】3、【判斷題】在異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管中，通常將發(fā)射結(jié)作成異質(zhì)結(jié)，即用寬禁帶材料制作發(fā)射區(qū)，用窄禁帶材料制作基區(qū)。本題答案：【正確】4、【填空題】晶體管在小電流時(shí)α與β下降的原因，是小電流時(shí)發(fā)射結(jié)（）電流占總發(fā)射極電流的比例增大，從而使注入效率γ降低。本題答案：【勢壘區(qū)復(fù)合】3.4.1集電結(jié)和發(fā)射結(jié)短路電流1、【判斷題】IES代表發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)零偏時(shí)的發(fā)射極電流。本題答案：【正確】2、【判斷題】在實(shí)際晶體管中，通常αR比α小得多。本題答案：【正確】3.4.2晶體管的直流電流電壓方程1、【判斷題】倒向晶體管與正向晶體管之間存在著一個(gè)重要的互易關(guān)系：。本題答案：【正確】3.4.3晶體管的輸出特性1、【單選題】ICBO代表()時(shí)的集電極電流，稱為共基極反向截止電流。本題答案：【發(fā)射極開路、集電結(jié)反偏】2、【判斷題】晶體管的共發(fā)射極輸出特性是指以輸入端電流IE作參量，輸出端電流IC與輸出端電壓VCE之間的關(guān)系。本題答案：【錯(cuò)誤】3.4.4厄爾利效應(yīng)1、【多選題】在實(shí)測的晶體管輸出特性曲線中，IC在放大區(qū)隨VCE的增加而略有增加，這是由（）造成的。本題答案：【基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)#厄爾利效應(yīng)】2、【判斷題】增大VA的措施是增大基區(qū)寬度WB、減小勢壘區(qū)寬度xdB。本題答案：【正確】3.5.1反向截止電流1、【單選題】在測量ICBO時(shí)，雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別處于（）。本題答案：【反偏和反偏】2、【單選題】在同一個(gè)雙極型晶體管中，三種集電極電流ICBO、ICS和ICEO的大小關(guān)系為（）。本題答案：【ICBOICSICEO】3.5.2雙極型晶體管的雪崩擊穿電壓1、【單選題】共射極接法的雙極型晶體管發(fā)生雪崩擊穿的條件是（）。本題答案：【M?1/a】2、【判斷題】發(fā)射極開路時(shí)，使I’CBO→∞時(shí)的|VBC|稱為共基極集電結(jié)雪崩擊穿電壓，記為BVCBO。本題答案：【正確】3.5.3基區(qū)穿通效應(yīng)1、【判斷題】防止基區(qū)穿通的措施是提高WB與NB。本題答案：【正確】3.6基極電阻1、【單選題】為了降低基極電阻，通常采用對非工作基區(qū)進(jìn)行（）的摻雜。本題答案：【高濃度、深結(jié)深】3.7.1與頻率相關(guān)的基本知識(shí)1、【判斷題】隨著頻率的不斷提高，晶體管的電流放大能力將會(huì)不斷降低甚至喪失。本題答案：【正確】3.7.2高頻小信號電流的變化1、【多選題】tb可以稱為（）。本題答案：【基區(qū)渡越時(shí)間#發(fā)射極擴(kuò)散電容充放電時(shí)間常數(shù)】2、【判斷題】輸出端對高頻小信號短路（即vcb=0，但VCB0）條件下的ic與ie之比稱為共基極高頻小信號短路電流放大系數(shù)，記為αω。本題答案：【正確】3.7.3高頻小信號短路電流放大系數(shù)1、【判斷題】當(dāng)|αω|下降到（即下降3分貝）時(shí)所對應(yīng)的角頻率與頻率分別稱為αω的截止角頻率與截止頻率，記為ωα與fα。本題答案：【正確】2、【判斷題】頻率每提高一倍，雙極型晶體管的電流放大系數(shù)下降一半，功率增益降為四分之一。本題答案：【正確】3.7.4特征頻率1、【判斷題】高頻下的電流增益|βω|與頻率f的乘積，是一個(gè)與頻率無關(guān)而完全取決于晶體管本身的常數(shù)。本題答案：【正確】2、【填空題】電流放大系數(shù)|βω|降到（）時(shí)所對應(yīng)的頻率，稱為晶體管的特征頻率，用fT表示。本題答案：【1】3.9功率增益和最高震蕩頻率1、【判斷題】晶體管的最大功率增益Kpmax下降到1時(shí)所對應(yīng)的頻率稱為最高振蕩頻率，記為fM。本題答案：【正確】2、【填空題】功率增益與頻率平方的乘積稱為晶體管的（），記為M。本題答案：【高頻優(yōu)值】【單元作業(yè)】雙極型晶體管【單元測驗(yàn)】雙極型晶體管1、【單選題】在異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管中，通常用（）。本題答案：【寬禁帶材料制作發(fā)射區(qū)，用窄禁帶材料制作基區(qū)】2、【單選題】()的集電結(jié)反向電壓VCB稱為共基極集電結(jié)雪崩擊穿電壓，記為BVCBO。本題答案：【發(fā)射極開路時(shí)，使】3、【單選題】對高頻小信號注入效率的影響的物理意義是，的存在意味著必須先付出對勢壘區(qū)充放電的多子電流后，才能建立起一定的。這一過程需要的時(shí)間是（）。本題答案：【發(fā)射結(jié)勢壘電容充放電時(shí)間常數(shù)】4、【單選題】高頻晶體管的工作頻率一般在()的范圍內(nèi)。本題答案：【】5、【單選題】某長方形擴(kuò)散區(qū)的方塊電阻為200Ω，長度和寬度分別為100μm和20μm，則其長度方向的電阻為（）。本題答案：【1KW】6、【單選題】當(dāng)下降到（）時(shí)所對應(yīng)的角頻率與頻率分別稱為的截止角頻率與截止頻率，記為與。本題答案：【】7、【多選題】要提高均勻基區(qū)晶體管的電流放大系數(shù)的方法（）。本題答案：【減小基區(qū)摻雜濃度#減小基區(qū)寬度】8、【多選題】防止基區(qū)穿通的措施是提高（）。本題答案：【增大基區(qū)摻雜濃度#增大基區(qū)寬度】9、【多選題】從發(fā)射結(jié)注入基區(qū)的少子，由于渡越基區(qū)需要時(shí)間tb，將對輸運(yùn)過程產(chǎn)生三方面的影響()。本題答案：【復(fù)合損失使小于1#時(shí)間延遲使相位滯后#渡越時(shí)間的分散使減小】10、【判斷題】晶體管的共發(fā)射極輸出特性是指以輸入端電流作參量，輸出端電流與輸出端電壓之間的關(guān)系。本題答案：【正確】11、【判斷題】電流放大系數(shù)與頻率成反比，頻率每提高一倍，電流放大系數(shù)下降一半，功率增益降為四分之一。本題答案：【正確】12、【判斷題】特征頻率代表的是共發(fā)射極接法的晶體管有電流放大能力的頻率極限，而最高振蕩頻率則代表晶體管有功率放大能力的頻率極限。本題答案：【正確】13、【填空題】模擬電路中的晶體管主要工作在（）區(qū)。本題答案：【放大】14、【填空題】共發(fā)射極電路中，基極電流IB是輸入電流，集電極電流IC是輸出電流。發(fā)射結(jié)正偏、集電結(jié)零偏時(shí)的IC與IB之比稱為（），記為β本題答案：【共發(fā)射極直流短路電流放大系數(shù)】15、【填空題】在緩變基區(qū)晶體管中，由于基區(qū)雜質(zhì)分布不均勻，基區(qū)內(nèi)會(huì)產(chǎn)生內(nèi)建電場。少子在基區(qū)以（）運(yùn)動(dòng)為主，因此這種晶體管又稱為漂移晶體管。本題答案：【漂移】16、【填空題】晶體管在小電流時(shí)α與β下降的原因，是小電流時(shí)（）占總發(fā)射極電流的比例增大，從而使注入效率γ降低。本題答案：【發(fā)射結(jié)勢壘區(qū)復(fù)合電流】17、【填空題】造成發(fā)射區(qū)重?fù)诫s效應(yīng)的原因有（）。本題答案：【發(fā)射區(qū)禁帶變窄和俄歇復(fù)合增強(qiáng)##%_YZPRLFH_%##發(fā)射區(qū)禁帶寬度變窄和俄歇復(fù)合增強(qiáng)##%_YZPRLFH_%##發(fā)射區(qū)禁寬變窄和俄歇復(fù)合增強(qiáng)】18、【填空題】為了避免陷落效應(yīng)，目前微波晶體管的發(fā)射區(qū)多采用（）擴(kuò)散來代替磷擴(kuò)散。本題答案：【砷##%_YZPRLFH_%##As】19、【填空題】代表發(fā)射結(jié)反偏、集電結(jié)零偏時(shí)的發(fā)射極電流，相當(dāng)于單獨(dú)一個(gè)（）構(gòu)成的PN結(jié)二極管的反向飽和電流。本題答案：【發(fā)射結(jié)】20、【填空題】在實(shí)測的晶體管輸出特性曲線中，在放大區(qū)隨的增加而略有增加，這是由（）造成的。本題答案：【基區(qū)寬度調(diào)變效應(yīng)##%_YZPRLFH_%##厄爾利效應(yīng)】4.1.1MOSFET的基本結(jié)構(gòu)及工作原理1、【多選題】以下屬于多子型器件的有（）。本題答案：【結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管#絕緣柵場效應(yīng)晶體管】4.1.2MOSFET的特性曲線和分類1、【判斷題】一個(gè)P溝道MOSFET的閾值電壓大于零，則該器件是增強(qiáng)型器件。本題答案：【錯(cuò)誤】4.2.1MOS結(jié)構(gòu)的閾電壓1、【判斷題】當(dāng)硅表面處的少子濃度達(dá)到或大于表面多子濃度時(shí)，稱表面發(fā)生了強(qiáng)反型。本題答案：【錯(cuò)誤】4.2.2MOSFET的閾電壓1、【多選題】影響MOSFET閾值電壓的因素有（）。本題答案：【柵氧化層厚度#襯底摻雜濃度#氧化層固定電荷】2、【判斷題】對于一個(gè)N型MOSFET，為了保證器件正常工作，襯底電位應(yīng)當(dāng)?shù)扔诨虻陀谠礃O電位。本題答案：【正確】4.3.1非飽和直流電流電壓方程1、【單選題】以下哪些措施可以增大MOSFET的飽和區(qū)漏極電流：（）。本題答案：【減小柵氧化層厚度】2、【多選題】在推導(dǎo)MOSFET非飽和區(qū)直流電流電壓方程時(shí)，采用了以下哪些近似：（）。本題答案：【緩變溝道近似#強(qiáng)反型近似#溝道遷移率恒定近似】4.3.2飽和區(qū)特性1、【多選題】MOSFET的飽和區(qū)漏極電流ID隨VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。本題答案：【漏區(qū)靜電場對溝道的反饋#有效溝道調(diào)制效應(yīng)】4.4MOSFET的亞閾區(qū)導(dǎo)電1、【單選題】以下哪些措施可以降低MOSFET的亞閾區(qū)擺幅：（）。本題答案：【降低襯底摻雜濃度】2、【填空題】當(dāng)MOSFET處于亞閾區(qū)時(shí)，襯底表面的少子濃度介于本征載流子濃度與襯底平衡（）濃度之間。本題答案：【多子】4.5.1MOSFET的直流參數(shù)及擊穿電壓1、【單選題】以下哪些措施可以防止MOSFET的溝道穿通：（）。本題答案：【增加襯底摻雜濃度】4.5.2MOSFET的溫度特性1、【填空題】當(dāng)N型MOSFET的溫度降低時(shí)，器件的閾值電壓將（）。本題答案：【增大】2、【填空題】當(dāng)MOSFET的柵極電壓較大時(shí)，隨著溫度的溫度升高，漏極電流將（）。本題答案：【減小】4.6MOSFET的小信號交流參數(shù)1、【單選題】MOSFET的（）是輸出特性曲線的斜率，（）是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率。本題答案：【漏源電導(dǎo)，跨導(dǎo)】2、【多選題】以下哪些措施可以提高M(jìn)OSFET的跨導(dǎo)：（）。本題答案：【減小溝道長度#增加溝道載流子遷移率】4.7.1小尺寸效應(yīng)1、【單選題】以下哪些措施可以緩解MOSFET閾電壓的短溝道效應(yīng)：（）。本題答案：【減小氧化層厚度】2、【填空題】當(dāng)MOSFET的溝道寬度很小時(shí)，閾值電壓將隨著溝道寬度的增加而（）。本題答案：【降低##%_YZPRLFH_%##減小】4.7.2遷移率調(diào)制效應(yīng)1、【多選題】MOSFET發(fā)生速度飽和之后，以下哪些物理量將與溝道長度不相關(guān)：（）。本題答案：【跨導(dǎo)#飽和漏極電流】2、【判斷題】MOSFET的溝道夾斷總是先于速度飽和發(fā)生。本題答案：【錯(cuò)誤】4.7.3強(qiáng)電場效應(yīng)1、【多選題】長時(shí)間的熱電子效應(yīng)可能會(huì)對MOSFET的器件性能產(chǎn)生哪些影響：（）。本題答案：【閾值電壓增大#亞閾區(qū)特性惡化】2、【判斷題】P溝道的短溝道MOSFET更容易發(fā)生橫向雙極擊穿。本題答案：【錯(cuò)誤】4.8MOSFET的發(fā)展方向1、【多選題】當(dāng)MOSFET的溝道長度、各種橫向和縱向尺寸都按照縮小因子K等比例縮小時(shí)，以下哪些物理量將縮小K倍。（）本題答案：【閾電壓#漏極電流】【單元作業(yè)】絕緣柵型場效應(yīng)晶體管【單元測驗(yàn)】絕緣柵型場效應(yīng)晶體管1、【單選題】以下哪些因素對MOSFET的閾值電壓無影響（）。本題答案：【溝道長度】2、【單選題】某N溝道耗盡型MOSFET，其閾值電壓為-2V，增益因子β為2A/V2。當(dāng)柵極電壓為3V，漏極電壓為4V時(shí)，器件的漏源電流為（）。本題答案：【12A】3、【單選題】某N溝道MOSFET的閾值電壓為1V，當(dāng)其柵源電壓短接且柵極電壓為3V時(shí)，漏極電流ID為4A。該器件的增益因子β為（）。本題答案：【】4、【多選題】以下哪些因素會(huì)降低MOSFET的飽和區(qū)漏極電流：（）。本題答案：【溝道長度增加#閾值電壓提高】5、【多選題】短溝道MOSFET發(fā)生溝道載流子速度飽和之后，會(huì)出現(xiàn)哪些現(xiàn)象：（）。本題答案：【飽和漏源電壓正比于溝道長度L#飽和漏極電流與溝道長度L無關(guān)#跨導(dǎo)與溝道長度L不再有關(guān)】6、【判斷題】一個(gè)增強(qiáng)型P溝道MOSFET，其閾值電壓應(yīng)該小于零。本題答案：【正確】7、【判斷題】當(dāng)硅表面處的少子濃度達(dá)到或超過體內(nèi)平衡多子濃度時(shí)，稱表面發(fā)生了強(qiáng)反型。本題答案：【正確】8、【判斷題】對于P型的MOSFET，其襯底相對于源區(qū)應(yīng)該接低電位。本題答案：【錯(cuò)誤】9、【判斷題】由于MOSFET的柵氧化層電荷通常帶正電，因此N型襯底將更難發(fā)生反型。本題答案：【正確】10、【判斷題】當(dāng)MOSFET的漏極電流較小時(shí)，隨著溫度的溫度升高，漏極電流將減小。本題答案：【錯(cuò)誤】11、【填空題】MOSFET的基本工作原理，是通過改變柵源電壓來控制溝道的導(dǎo)電能力，從而控制（）電流。本題答案：【漏極##%_YZPRLFH_%##漏端##%_YZPRLFH_%##漏】12、【填空題】硅表面發(fā)生了強(qiáng)反型是指表面處的少子濃度達(dá)到或超過體內(nèi)（）濃度。本題答案：【平衡多子】13、【填空題】當(dāng)在N型MOSFET的襯底加上一個(gè)負(fù)電位時(shí)，MOSFET的閾電壓會(huì)（），這稱為襯底偏置效應(yīng)。本題答案：【增大##%_YZPRLFH_%##加大##%_YZPRLFH_%##變大】14、【填空題】通過對溝道區(qū)進(jìn)行離子注入可調(diào)整MOSFET的閾值電壓，當(dāng)注入的雜質(zhì)與襯底雜質(zhì)的類型相同時(shí)，N溝道MOSFET的閾值電壓向（）方向調(diào)整。本題答案：【正】15、【填空題】當(dāng)MOSFET處于亞閾區(qū)時(shí)，漏源電流與柵壓呈（）關(guān)系。本題答案：【指數(shù)】16、【填空題】引起MOSFET的飽和區(qū)漏極電流ID隨VDS的增大而增大的原因是（）和漏區(qū)靜電場對溝道的反饋?zhàn)饔谩１绢}答案：【有效溝道長度調(diào)制效應(yīng)】17、【填空題】當(dāng)MOSFET的襯底表面的少子濃度介于本征載流子濃度與襯底平衡多子濃度之間時(shí)，MOSFET處于（）區(qū)。本題答案：【亞閾】18、【填空題】要提高M(jìn)OSFET的跨導(dǎo)，需要（）溝道長度和柵氧化層厚度。本題答案：【減小##%_YZPRLFH_%##縮小】19、【填空題】當(dāng)MOSFET的溝道長度很小時(shí)，閾值電壓將隨著溝道長度的減小而（），該現(xiàn)象叫做閾值電壓的短溝道效應(yīng)。本題答案：【減小##%_YZPRLFH_%##降低##%_YZPRLFH_%##變小】20、【填空題】當(dāng)MOSFET器件按照恒場法則等比例縮小時(shí)，器件的最高工作頻率將（）。本題答案：【增大##%_YZPRLFH_%##提高##%_YZPRLFH_%##變大】微電子器件試題1、【單選題】處于平衡態(tài)的PN結(jié)，其費(fèi)米能級EF（）。本題答案：【處處相等】2、【單選題】由PN結(jié)能帶圖可見，電子從N區(qū)到P區(qū)，需要克服一個(gè)高度為（）的勢壘。本題答案：【】3、【單選題】不考慮勢壘區(qū)的產(chǎn)生-復(fù)合電流，Jdn和Jdp在PN結(jié)的勢壘區(qū)（）。本題答案：【均為常數(shù)】4、【單選題】正向偏置增加了耗盡層內(nèi)的載流子濃度且高于其熱平衡值，這導(dǎo)致了該區(qū)域內(nèi)載流子出現(xiàn)（）過程占優(yōu)。本題答案：【復(fù)合】5、【單選題】對突變PN結(jié)，反向電壓很大時(shí)，可以略去，這時(shí)勢壘電容與（）成反比。本題答案：【】6、【單選題】在開關(guān)二極管中常采用摻金的方法來提高開關(guān)管的響應(yīng)速度。也可采用摻鉑、電子輻照、中子輻照等方法，其目的是（）。本題答案：【引入復(fù)合中心降低少子壽命】7、【單選題】雙極晶體管效應(yīng)是通過改變（）。本題答案：【正偏PN結(jié)的偏壓來控制其附近反偏結(jié)的電流】8、【單選題】在緩變基區(qū)晶體管中，由于基區(qū)中存在內(nèi)建電場，基區(qū)渡越時(shí)間變?yōu)椋ǎ?。本題答案：【】9、【單選題】在測量ICBO時(shí)，雙極型晶體管的發(fā)射結(jié)和集電結(jié)分別處于（）。本題答案：【反偏和反偏】10、【單選題】為了降低基極電阻，通常采用對非工作基區(qū)進(jìn)行（）的摻雜。本題答案：【高濃度、深結(jié)深】11、【單選題】ICBO代表()時(shí)的集電極電流，稱為共基極反向截止電流。本題答案：【發(fā)射極開路、集電結(jié)反偏】12、【單選題】以下哪些措施可以增大MOSFET的飽和區(qū)漏極電流：（）。本題答案：【減小柵氧化層厚度】13、【單選題】以下哪些措施可以降低MOSFET的亞閾區(qū)擺幅：（）。本題答案：【降低襯底摻雜濃度】14、【單選題】以下哪些措施可以防止MOSFET的溝道穿通：（）。本題答案：【增加襯底摻雜濃度】15、【單選題】當(dāng)MOSFET的柵極電壓較大時(shí)，隨著溫度的溫度升高，漏極電流將（）。本題答案：【減小】16、【單選題】MOSFET的（）是輸出特性曲線的斜率，（）是轉(zhuǎn)移特性曲線的斜率。本題答案：【漏源電導(dǎo)，跨導(dǎo)】17、【單選題】以下哪些措施可以緩解MOSFET閾電壓的短溝道效應(yīng)：（）。本題答案：【減小氧化層厚度】18、【多選題】PN結(jié)的空間電荷區(qū)的電荷有（）。本題答案：【施主離子#受主離子】19、【多選題】PN結(jié)的內(nèi)建電勢Vbi與（）有關(guān)。本題答案：【溫度#摻雜濃度#材料種類】20、【多選題】反向飽和電流的大小主要決定于半導(dǎo)體材料的（）。本題答案：【種類#摻雜濃度#溫度#禁帶寬度】21、【多選題】為了能用與平衡載流子濃度分布公式相類似的公式來描述非平衡載流子濃度的分布，引入了準(zhǔn)費(fèi)米能級的概念。如果用EFp和EFn分別代表空穴和電子的準(zhǔn)費(fèi)米能級。非平衡載流子的濃度分別表示（）。本題答案：【#】22、【多選題】雙極型晶體管的基區(qū)輸運(yùn)系數(shù)的表達(dá)式為（）。本題答案：【#】23、【多選題】以下屬于多子型器件的有（）。本題答案：【結(jié)型柵場效應(yīng)晶體管#絕緣柵場效應(yīng)晶體管】24、【多選題】影響MOSFET閾值電壓的因素有（）。本題答案：【柵氧化層厚度#襯底摻雜濃度#氧化層固定電荷】25、【多選題】MOSFET的飽和區(qū)漏極電流ID隨VDS的增大而略有增大，是由于什么原因引起的：（）。本題答案：【漏區(qū)靜電場對溝道的反饋#有效溝道調(diào)制效應(yīng)】26、【多選題】在推導(dǎo)MOSFET非飽和區(qū)直流電流電壓方程時(shí)，采用了以下哪些近似：（）。本題答案：【緩變溝道近似#強(qiáng)反型近似#溝道遷移率恒定近似】27、【多選題】當(dāng)MOSFET的溝道長度、各種橫向和縱向尺寸都按照縮小因