《半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液》征求意見稿編制說明

CEMIA團體標準《半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液》（征求意見稿）編制說明工作簡況任務來源國內(nèi)面板行業(yè)的崛起，推動國內(nèi)濕電子化學品需求增長提速。近十年來，濕電子化學品也已成為我國化學工業(yè)中一個重要的獨立分支和新增長點。雖然國家大力支持新型顯示行業(yè)的發(fā)展，但是濕電子化學品的國產(chǎn)化率還有待提升，目前大多企業(yè)還是選擇國外濕電子化學品。其原材料國外進口，價格高，在技術封鎖和疫情等不確定因素下，有斷供風險。而高堿濃度負膠顯影液國產(chǎn)化解決了“卡脖子”問題。目前也有許多企業(yè)在進行高堿濃度負膠顯影液的開發(fā)和生產(chǎn)，但是我國還沒有高堿濃度負膠顯影液的標準給企業(yè)的生產(chǎn)和質(zhì)量的監(jiān)督帶來不便，為了提高產(chǎn)品質(zhì)量，規(guī)范產(chǎn)品檢測標準，保障企業(yè)生產(chǎn)人員的生命安全，促進行業(yè)安全有序發(fā)展，需要制定高堿濃度顯影液產(chǎn)品行業(yè)標準。建立“高堿濃度顯影液”團體標準，可以規(guī)范行業(yè)高堿濃度負膠顯影液的生產(chǎn)標準，提高顯影液的生產(chǎn)質(zhì)量，滿足濕電子化學品的高要求，加快了新型顯示行業(yè)的發(fā)展進程。2022年9月19日，中國電子材料行業(yè)協(xié)會下發(fā)了《<有機發(fā)光二極管顯示用有機材料軌道能級測試循環(huán)伏安法>等四項團體標準網(wǎng)上公示并公開征集參與單位的公告》（中電材協(xié)2022第11號）。下達項目中，福建省佑達環(huán)保材料有限公司（以下簡稱佑達）牽頭承擔團體標準項目《半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液》，項目計劃編號：CEMIA2022-1-03。參與該團體標準制修訂工作的單位還有：福州大學、福建華佳彩有限公司。本標準由中國電子材料行業(yè)協(xié)會提出并歸口。目前已完成工作調(diào)研佑達于2022年1月開始收集國內(nèi)外半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液相關技術資料并進行對比分析，總結佑達長期以來對濕電子化學品，尤其是負膠顯影液的實際技術和產(chǎn)品質(zhì)量狀況，了解國內(nèi)外相關行業(yè)技術情況，為制定標準打下了良好基礎。標準啟動會2022年2月佑達組織本公司相關技術、生產(chǎn)、質(zhì)量及銷售人員召開了本標準的啟動會議，標準啟動會上相關人員介紹了半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的國內(nèi)外狀況、行業(yè)發(fā)展動向，技術、質(zhì)量和生產(chǎn)人員介紹了半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的產(chǎn)品質(zhì)量指標及其一般檢測方法等。會議最終確定了本標準中編寫確定的項目有：產(chǎn)品外觀、主要成分、色度、理化性能、顆粒數(shù)、陰離子雜質(zhì)含量和金屬雜質(zhì)含量等。起草標準草案2022年8月，佑達起草了本標準草案，并組織本單位及相關單位技術人員對標準草案進行了討論。根據(jù)市場調(diào)研及實際情況分析，會議確定了本標準草案中編寫的項目有半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的產(chǎn)品外觀、主要成分、色度、理化性能、顆粒數(shù)、陰離子雜質(zhì)含量和金屬雜質(zhì)含量等共計20余項。進行驗證試驗本標準工作組收集了行業(yè)內(nèi)若干主要半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液供應商在下游客戶端的應用產(chǎn)品，采用本標準中所規(guī)定的方法進行該產(chǎn)品所有相關指標的驗證。標準討論稿標準工作組于2022年9月完成標準討論稿，2022年9月中電材協(xié)組織相關技術人員對本標準內(nèi)部討論稿進行評審，評審確定本標準規(guī)定的范圍、產(chǎn)品的具體技術要求及其具體檢驗方法、產(chǎn)品的檢驗規(guī)則，以及參考的國家標準和行業(yè)標準等內(nèi)容。后續(xù)工作計劃標準工作組計劃于2023年6月完成征求意見稿，2023年7月完成送審稿，2023年8月完成報批稿。標準主要起草人及其所做的工作表1標準工作組姓名單位主要工作組長田博福建省佑達環(huán)保材料有限公司組織協(xié)調(diào)標準工作、起草制定、聯(lián)絡意見征集組員劉小勇福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與調(diào)研、資料收集、討論、匯總侯琳熙福州大學參與標準調(diào)研、討論和技術支持姚慧君福建華佳彩有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持肖龍強福州大學參與標準調(diào)研、討論和技術支持黃曉莉福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持黃子勗福建華佳彩有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持房龍翔福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持陳澤生福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與調(diào)研和實驗驗證肖小江福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持邱小真福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與調(diào)研和實驗驗證葉鑫煌福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與調(diào)研和實驗驗證李叢香福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與標準調(diào)研、討論和技術支持吳玲玲福建省佑達環(huán)保材料有限公司參與調(diào)研和實驗驗證標準編制原則和確定標準主要內(nèi)容編制原則本標準嚴格遵照GB/T1.1-2020《標準化工作導則第1部分：標準化文件的結構和起草規(guī)則》的有關規(guī)定起草。標準主要內(nèi)容范圍（1）本標準規(guī)定了半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的術語和定義、縮略語、技術要求、檢驗方法、檢驗規(guī)則以及標志、包裝、運輸、貯存和安全。術語和定義（2）本文件沒有需要界定的術語和定義?？s略語（3）下列縮略語適用于本文件。HDPE：HighDensityPolyethylene，高密度聚乙烯外觀及其檢驗（4.1）半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的外觀將能夠從直觀角度對產(chǎn)品品質(zhì)進行初步鑒定，根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的外觀為透明澄清液體，并采用于50mL具塞比色管中，加入樣品，在自然光或日光燈下目測的方法進行外觀檢測。主要化學成分及其檢驗（4.2）半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液需要達到高純試劑的基礎要求，根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定主要化學成分氫氧化鉀的含量應控制在8.38±0.10%的范圍內(nèi)。本標準依據(jù)GB/T9725的規(guī)定進行檢驗半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液中氫氧化鉀的含量。色度及其檢驗（4.3）根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的色度應不大于50Hazen單位（Pt-Co色號）。本標準依據(jù)GB/T3143檢驗半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的色度。顆粒數(shù)及其檢驗（4.4）根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液顆粒直徑≥0.5μm的顆粒數(shù)應不大于100pcs/mL。具體顆粒數(shù)的管控指標可由供應商和客戶協(xié)商決定。本標準依據(jù)SJ/T11638檢驗半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的顆粒數(shù)。陰離子雜質(zhì)含量及其檢驗（4.5）根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液中碳酸根含量≤50μg/g，氯離子含量≤1.0μg/g。具體陰離子雜質(zhì)的管控指標可由供應商和客戶協(xié)商決定。本標準碳酸根的檢測方法依據(jù)SJ/T11635-2016的規(guī)定進行，氯離子的檢測方法根據(jù)GB/T34672的規(guī)定進行。金屬雜質(zhì)含量及其檢驗（4.6）根據(jù)客戶應用指標及行業(yè)內(nèi)生產(chǎn)廠家的生產(chǎn)實際，本標準規(guī)定半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液金屬雜質(zhì)含量應不大于1.0μg/g。具體金屬雜質(zhì)的管控指標可由供應商與客戶協(xié)商決定本標準依據(jù)SJ/T11508-2015中5.6的規(guī)定檢驗半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的金屬雜質(zhì)含量。主要試驗（或驗證）的分析、綜述報告，技術經(jīng)濟論證、預期的經(jīng)濟效果主要試驗（或驗證）的分析、綜述報告本標準各項指標是根據(jù)市場供需情況總結出來的，并結合了從行業(yè)內(nèi)各相關企業(yè)收集獲得的技術資料，完全可以滿足半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的應用要求。主要對半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液的產(chǎn)品外觀、主要成分、色度、理化性能、顆粒數(shù)、陰離子雜質(zhì)含量和金屬雜質(zhì)含量等指標進行了試驗。收集行業(yè)內(nèi)主要半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液供應商在下游客戶端的應用產(chǎn)品，采用本標準中所規(guī)定的方法進行該產(chǎn)品所有相關指標的檢驗結果如下：表2半導體顯示用高堿濃度負膠顯影液樣品的檢驗結果項目指標#1#2#3#4#5#6#7#8氫氧化鉀，ω/（wt%）8.38±0.108.368.378.368.368.408.398.388.37色度/Hazen單位（Pt-Co色號）≤50<50<50<50<50<50<50<50<50顆粒（≥0.5μm）/（pcs/mL）≤1005055306044385243碳酸根（CO32-），ω/（μg/g）≤5013.6517.5414.778.4423.0918.3416.768.26氯離子（Cl-），ω/（μg/g）≤1.00.020.150.090.090.030.050.030.06銀（Ag），ω/（μg/g）≤1.00.130.130.110.220.110.190.230.16鋁（Al），ω/（μg/g）≤1.00.290.240.170.310.250.190.280.05砷（As），ω/（μg/g）≤1.00.160.020.210.190.280.190.190.29金（Au），ω/（μg/g）≤1.00.130.110.260.020.100.150.130.14硼（B），ω/（μg/g）≤1.00.190.140.110.170.140.130.150.26鋇（Ba），ω/（μg/g）≤1.00.190.250.030.100.080.090.150.04鈹（Be），ω/（μg/g）≤1.00.130.110.190.110.100.150.180.13鉍（Bi），ω/（μg/g）≤1.00.090.170.040.190.150.190.130.18鈣（Ca），ω/（μg/g）≤1.00.270.120.220.110.160.140.150.09鎘（Cd），ω/（μg/g）≤1.00.120.260.090.110.160.160.040.20鈷（Co），ω/（μg/g）≤1.00.130.160.280.220.270.030.200.17鉻（Cr），ω/（μg/g）≤1.00.200.350.170.200.240.060.270.17銅（Cu），ω/（μg/g）≤1.00.140.250.100.170.050.240.050.12銻（Sb），ω/（μg/g）≤1.00.280.120.170.220.140.240.240.03鐵（Fe），ω/（μg/g）≤1.00.060.190.180.080.200.210.140.21鎵（Ga），ω/（μg/g）≤1.00.260.270.150.280.160.100.170.17汞（Hg），ω/（μg/g）≤1.00.140.300.250.060.020.250.250.29銦（In），ω/（μg/g）≤1.00.120.060.020.270.100.260.160.25鋰（Li），ω/（μg/g）≤1.00.010.180.200.120.290.220.240.17鎂（Mg），ω/（μg/g）≤1.00.100.280.280.230.280.110.260.07錳（Mn），ω/（μg/g）≤1.00.110.050.200.180.280.230.090.30鉬（Mo），ω/（μg/g）≤1.00.230.120.090.220.130.070.030.03鎳（Ni），ω/（μg/g）≤1.00.140.170.260.260.170.220.210.25鉛（Pb），ω/（μg/g）≤1.00.290.250.260.190.270.200.000.28鉑（Pt），ω/（μg/g）≤1.00.080.350.160.210.080.230.280.29錫（Sn），ω/（μg/g）≤1.00.270.250.290.280.160.420.130.28鍶（Sr），ω/（μg/g）≤1.00.330.020.170.290.260.230.330.34鈦（Ti），ω/（μg/g）≤1.00.090.240.280.160.180.140.080.10釩（V），ω/（μg/g）≤1.00.250.150.310.020.200.140.050.21鋅（Zn），ω/（μg/g）≤1.00.270.080.170.110.030.250.230.14由表2可知，本標準中的主要指標在行業(yè)內(nèi)產(chǎn)品中處于平均水平，適合于行業(yè)內(nèi)進行推廣，并且符合產(chǎn)品在下游產(chǎn)業(yè)產(chǎn)線內(nèi)的應用需求。技術經(jīng)濟論證、預期的經(jīng)濟效果2021年，受益于宅家需求，面向個人電腦等電子產(chǎn)品和服務器的存儲器供貨出現(xiàn)激增，與此同時，由于缺貨漲價帶來的銷售額也拉高全年銷售水位，根據(jù)高德納公司（Gartner）統(tǒng)計，2021年整個半導體市場增長了25.1%，達到5835億美元，這是銷售額首次突破5000億美元的一年。美國半導體產(chǎn)業(yè)協(xié)會（SIA）最新數(shù)據(jù)也顯示，在缺芯大背景下，2021年全球共售出1.15萬億顆芯片，全球半導體行業(yè)銷售額達到創(chuàng)紀錄的5559億美元，同比增長26.2%。汽車級芯片需求增幅最大，銷售額比上年增長34%，達264億美元。隨著芯片越來越多地應用到現(xiàn)在和未來的關鍵技術中，預計未來幾年對半導體生產(chǎn)的需求將顯著增加。本標準以國內(nèi)外同類產(chǎn)品的技術資料、產(chǎn)品說明和技術規(guī)范為依據(jù)，結合國內(nèi)高堿濃度負膠顯影液的研究水平、質(zhì)量水平和實際的生產(chǎn)情況進行制訂，可充分反映當前國內(nèi)負膠顯影液生產(chǎn)企業(yè)的技術水平，并能滿足行業(yè)使用單位的生產(chǎn)要求。同時，可進一步規(guī)范負膠顯影液產(chǎn)品的技術要求，促進技術進步，推進濕電子化學品產(chǎn)業(yè)鏈的不斷完善和發(fā)展，提高國內(nèi)企業(yè)