電子行業(yè)半導體元器件與集成電路制造方案

電子行業(yè)半導體元器件與集成電路制造方案TOC\o"1-2"\h\u19755第1章半導體物理基礎 483481.1半導體材料特性 4179651.1.1摻雜特性 468461.1.2能帶結構 477951.1.3溫度依賴性 4234351.2半導體晶體結構與生長 598061.2.1晶體結構 5286281.2.2晶體生長方法 5179261.2.3晶體缺陷 5231841.3半導體器件物理 523671.3.1PN結 5254011.3.2MOS結構 5251941.3.3雙極型晶體管 5163651.3.4場效應晶體管 520176第2章半導體器件設計 6168482.1二極管與晶體管設計 620522.1.1二極管設計 674882.1.2晶體管設計 655542.2場效應晶體管設計 6299102.2.1金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）設計 6274382.2.2絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）設計 6177412.3集成電路設計基礎 7220602.3.1集成電路概述 74542.3.2集成電路設計流程 7288092.3.3集成電路設計方法 7273902.3.4集成電路設計中的關鍵問題 75391第3章半導體制造工藝 8167613.1清洗與氧化工藝 860363.1.1清洗工藝 8127123.1.2氧化工藝 8171323.2光刻與刻蝕工藝 847543.2.1光刻工藝 8295663.2.2刻蝕工藝 847523.3離子注入與摻雜工藝 870443.3.1離子注入工藝 828413.3.2摻雜工藝 897853.4化學氣相沉積與物理氣相沉積工藝 8152783.4.1化學氣相沉積（CVD）工藝 865283.4.2物理氣相沉積（PVD）工藝 928006第4章集成電路制造技術 945604.1雙極型集成電路制造 9193774.1.1基本原理 9210914.1.2制造流程 9256654.1.3關鍵技術 9133064.2CMOS集成電路制造 939074.2.1基本原理 9201564.2.2制造流程 9190154.2.3關鍵技術 9245594.3BiCMOS集成電路制造 1091014.3.1基本原理 10129604.3.2制造流程 101444.3.3關鍵技術 1019066第5章封裝與測試技術 1087025.1封裝工藝與材料 10190315.1.1封裝工藝 1062865.1.2封裝材料 1072485.2封裝設計 11146645.2.1封裝結構設計 11203105.2.2熱設計 11218165.2.3電氣設計 11324165.2.4機械設計 11224445.3集成電路測試方法 11310855.3.1功能測試 11182805.3.2參數(shù)測試 11219955.3.3穩(wěn)定性和可靠性測試 11190645.3.4熱測試 11123545.3.5三維封裝測試 112434第6章集成電路可靠性分析 1279586.1電氣可靠性 12304146.1.1電壓應力與電流應力 12289266.1.2信號完整性分析 12241516.1.3電路保護設計 1288946.2熱可靠性 1240066.2.1結溫分析與控制 12154306.2.2熱阻與熱導 12141536.2.3熱應力分析與優(yōu)化 12293876.3機械可靠性 12279266.3.1芯片粘貼與焊接可靠性 1283016.3.2機械應力與振動分析 12260316.3.3疲勞壽命預測 1326184第7章高速集成電路設計 13268347.1信號完整性分析 13132887.1.1信號完整性問題概述 13316117.1.2信號完整性分析原理 1319067.1.3信號完整性仿真與優(yōu)化 13255837.2電源完整性分析 1351227.2.1電源完整性問題概述 1379627.2.2電源完整性分析原理 13102547.2.3電源完整性仿真與優(yōu)化 13230207.3高速串行通信接口設計 13153137.3.1高速串行通信接口概述 14221717.3.2高速串行通信接口設計原理 1440967.3.3高速串行通信接口設計實現(xiàn) 1494587.3.4高速串行通信接口功能評估與優(yōu)化 143604第8章功率半導體器件與電路 14312588.1功率器件結構與原理 14223638.1.1功率器件概述 14305428.1.2功率二極管 14238738.1.3功率晶體管 14212988.1.4功率場效應晶體管 14200828.1.5其他功率器件 1420958.2功率集成電路設計 14205918.2.1功率集成電路概述 14285358.2.2功率集成電路設計方法 14252098.2.3功率集成電路的熱管理 14130108.2.4功率集成電路的封裝技術 15144888.3功率器件在新能源領域的應用 15107578.3.1新能源概述 15225138.3.2功率器件在光伏發(fā)電中的應用 15266998.3.3功率器件在風力發(fā)電中的應用 15181288.3.4功率器件在電動汽車中的應用 1588868.3.5功率器件在其他新能源領域的應用 1530229第9章微電子系統(tǒng)集成 1577949.1系統(tǒng)級封裝技術 15304319.1.1概述 1536439.1.2系統(tǒng)級封裝技術的分類及特點 15262809.1.3系統(tǒng)級封裝技術的發(fā)展趨勢 15165319.2三維集成電路 1533769.2.1三維集成電路概述 15195649.2.2三維集成電路的關鍵技術 16171369.2.3三維集成電路的應用及前景 1662479.3微電子系統(tǒng)設計方法 16112429.3.1系統(tǒng)級設計方法 16145579.3.2多層次設計方法 16291879.3.3設計自動化工具 16172199.3.4設計方法發(fā)展趨勢 1617244第10章半導體產業(yè)發(fā)展趨勢與展望 162705810.1全球半導體產業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 161542510.1.1產業(yè)規(guī)模及增長趨勢 16193610.1.2主要國家和地區(qū)發(fā)展狀況 162499010.1.3行業(yè)競爭格局與市場份額 162066010.1.4全球半導體產業(yè)鏈布局特點 161437010.2我國半導體產業(yè)現(xiàn)狀與挑戰(zhàn) 16780310.2.1我國半導體產業(yè)整體發(fā)展狀況 16958910.2.2產業(yè)政策與支持措施 162934810.2.3我國半導體產業(yè)面臨的挑戰(zhàn) 172974610.2.4存在的主要問題與瓶頸 171790110.3半導體技術發(fā)展趨勢與未來展望 172264810.3.1先進制程技術發(fā)展 171044710.3.2新材料研究與應用 1760110.3.3設計與封裝技術進步 171196610.3.4智能化、物聯(lián)網(wǎng)、5G等新興領域對半導體產業(yè)的影響 172980910.3.5綠色低碳與可持續(xù)發(fā)展趨勢 17841810.3.6存儲器技術發(fā)展及市場前景 171852810.3.7國產化替代與國際合作展望 17695010.3.8晶圓代工與封測行業(yè)的發(fā)展趨勢 17615010.3.9產業(yè)融合與創(chuàng)新驅動發(fā)展 17第1章半導體物理基礎1.1半導體材料特性半導體材料是電子行業(yè)的重要組成部分，其特性對半導體元器件與集成電路的制造具有重要意義。本節(jié)主要介紹半導體材料的基本特性。1.1.1摻雜特性半導體材料的電導率可通過摻雜過程進行調控。摻雜是指在半導體材料中引入少量雜質原子，以改變其導電功能。摻雜原子可分別為施主和受主雜質，分別提供額外的自由電子和空穴。1.1.2能帶結構半導體的能帶結構決定了其電子特性。能帶理論描述了電子在固體中的能量分布。半導體材料的價帶和導帶之間的能量差距較小，使得電子在室溫下易于激發(fā)。1.1.3溫度依賴性半導體材料的電學性質具有溫度依賴性。溫度的升高，載流子濃度和遷移率都會發(fā)生變化，從而影響半導體的導電功能。1.2半導體晶體結構與生長半導體晶體結構對其器件功能具有重要影響。本節(jié)主要討論半導體晶體的結構與生長過程。1.2.1晶體結構半導體晶體具有特定的空間排列，通常為立方、六方或四方晶系。晶體結構決定了半導體的物理、化學和電子特性。1.2.2晶體生長方法晶體生長是制備高質量半導體材料的關鍵步驟。常見的晶體生長方法包括：Czochralski（CZ）法、區(qū)熔法、分子束外延（MBE）和化學氣相沉積（CVD）等。1.2.3晶體缺陷晶體缺陷對半導體器件功能具有重要影響。常見的晶體缺陷包括位錯、層錯、空位和間隙等?？刂凭w缺陷是提高半導體材料質量的關鍵。1.3半導體器件物理半導體器件是利用半導體材料實現(xiàn)特定功能的電子元件。本節(jié)主要討論半導體器件的基本物理原理。1.3.1PN結PN結是半導體器件的基本結構之一，具有單向導電性?；赑N結的半導體器件包括二極管、晶體管等。1.3.2MOS結構金屬氧化物半導體（MOS）結構是集成電路中的基本單元。MOS結構具有電容特性，可用于存儲和放大信號。1.3.3雙極型晶體管雙極型晶體管（BJT）是一種三端半導體器件，具有放大和開關功能。它包括NPN型和PNP型兩種結構。1.3.4場效應晶體管場效應晶體管（FET）是一種利用電場控制電流的半導體器件。FET包括金屬半導體FET（MESFET）、絕緣體半導體FET（IGFET）和金屬氧化物半導體FET（MOSFET）等類型。通過以上對半導體物理基礎的介紹，為后續(xù)章節(jié)討論半導體元器件與集成電路的制造提供了必要的理論支持。第2章半導體器件設計2.1二極管與晶體管設計2.1.1二極管設計本節(jié)主要討論二極管的設計原理及方法。二極管是一種具有單向導電性的半導體器件，其基本結構包括P型半導體和N型半導體。在設計過程中，關鍵參數(shù)包括摻雜濃度、PN結的寬度以及擴散深度等。（1）摻雜濃度設計（2）PN結寬度設計（3）擴散深度設計2.1.2晶體管設計晶體管是一種具有放大作用的半導體器件，主要包括雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。本節(jié)主要關注雙極型晶體管的設計。（1）BJT結構設計（2）基區(qū)寬度設計（3）發(fā)射極摻雜濃度設計（4）集電極摻雜濃度設計2.2場效應晶體管設計2.2.1金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）設計本節(jié)介紹MOSFET的設計原理及關鍵參數(shù)。MOSFET是一種主流的場效應晶體管，具有高輸入阻抗、低功耗等優(yōu)點。（1）通道摻雜濃度設計（2）柵氧化層厚度設計（3）柵長度設計（4）源漏摻雜濃度設計2.2.2絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）設計本節(jié)主要討論IGBT的設計方法。IGBT是一種結合了MOSFET和BJT優(yōu)點的高壓、高電流功率器件。（1）IGBT結構設計（2）柵氧化層厚度與摻雜濃度設計（3）發(fā)射極摻雜濃度設計（4）集電極摻雜濃度設計2.3集成電路設計基礎2.3.1集成電路概述本節(jié)介紹集成電路的基本概念、分類及其發(fā)展歷程。2.3.2集成電路設計流程集成電路設計主要包括以下階段：（1）確定設計目標（2）設計電路原理圖（3）布局布線（4）版圖繪制（5）版圖驗證與修正（6）制造與測試2.3.3集成電路設計方法本節(jié)介紹集成電路設計的基本方法，包括：（1）數(shù)字集成電路設計（2）模擬集成電路設計（3）混合信號集成電路設計2.3.4集成電路設計中的關鍵問題在集成電路設計中，需要關注以下關鍵問題：（1）電源與地線設計（2）信號完整性分析（3）熱管理設計（4）抗干擾設計（5）可靠性設計通過以上內容，本章對半導體器件設計的基本原理和方法進行了詳細闡述，為后續(xù)章節(jié)的集成電路制造方案提供理論支持。第3章半導體制造工藝3.1清洗與氧化工藝3.1.1清洗工藝清洗工藝是半導體制造過程中的重要環(huán)節(jié)，其目的在于去除表面的污染物、微粒及自然氧化層，保證后續(xù)工藝的質量。本節(jié)將介紹濕法清洗、干法清洗以及兆聲清洗等常見清洗技術。3.1.2氧化工藝氧化工藝是半導體制造過程中另一個關鍵步驟，主要目的是在硅片表面形成高質量的氧化層。本節(jié)將討論熱氧化、等離子體增強化學氣相沉積（PECVD）氧化以及原子層沉積（ALD）氧化等氧化技術。3.2光刻與刻蝕工藝3.2.1光刻工藝光刻工藝是將電路圖案轉移到硅片上的過程。本節(jié)將介紹紫外光刻、極紫外光刻、電子束光刻等光刻技術，并探討其原理、工藝流程及關鍵參數(shù)。3.2.2刻蝕工藝刻蝕工藝是去除光刻工藝后不需要的材料，形成所需電路結構的過程。本節(jié)將闡述濕法刻蝕、干法刻蝕以及反應離子刻蝕等刻蝕技術，并分析各種技術的優(yōu)缺點。3.3離子注入與摻雜工藝3.3.1離子注入工藝離子注入是通過將摻雜離子加速后注入硅片，從而實現(xiàn)半導體材料的摻雜。本節(jié)將討論離子注入的原理、設備以及工藝參數(shù)，并介紹常見的離子注入摻雜類型。3.3.2摻雜工藝摻雜工藝是調整半導體材料電學性質的關鍵環(huán)節(jié)。本節(jié)將介紹熱擴散、離子注入摻雜等摻雜技術，并分析摻雜濃度、均勻性等關鍵參數(shù)。3.4化學氣相沉積與物理氣相沉積工藝3.4.1化學氣相沉積（CVD）工藝化學氣相沉積是一種利用化學反應在硅片表面形成薄膜的工藝。本節(jié)將討論CVD工藝的原理、分類及其在半導體制造中的應用。3.4.2物理氣相沉積（PVD）工藝物理氣相沉積是利用物理方法將材料蒸發(fā)或濺射到硅片表面形成薄膜的工藝。本節(jié)將介紹PVD工藝的原理、分類及關鍵參數(shù)，并分析其在半導體制造中的應用。第4章集成電路制造技術4.1雙極型集成電路制造4.1.1基本原理雙極型集成電路主要基于雙極型晶體管的放大特性進行設計。在本節(jié)中，我們將介紹雙極型集成電路的制造工藝，包括硅平面工藝、臺面工藝以及外延工藝。4.1.2制造流程雙極型集成電路的制造流程主要包括以下幾個步驟：外延生長、氧化、光刻、擴散、離子注入、刻蝕、金屬化以及封裝測試。以下將詳細介紹這些步驟的具體內容。4.1.3關鍵技術雙極型集成電路制造過程中的關鍵技術包括：外延層的質量控制、基區(qū)擴散和發(fā)射結的精確控制、集電極金屬化的均勻性以及封裝技術。4.2CMOS集成電路制造4.2.1基本原理CMOS（互補金屬氧化物半導體）集成電路是基于n型和p型MOS晶體管互補工作的原理。本節(jié)將介紹CMOS集成電路的制造工藝，主要包括深亞微米工藝、納米工藝等。4.2.2制造流程CMOS集成電路的制造流程包括以下幾個關鍵步驟：硅片制備、氧化、光刻、離子注入、刻蝕、柵極氧化、多晶硅柵極沉積、金屬化以及封裝測試。以下將詳細闡述這些步驟。4.2.3關鍵技術CMOS集成電路制造過程中的關鍵技術包括：淺結離子注入、高k介質材料的應用、多晶硅柵極的精確控制、金屬化層的平坦化和封裝技術。4.3BiCMOS集成電路制造4.3.1基本原理BiCMOS（雙極型互補金屬氧化物半導體）集成電路結合了雙極型晶體管的高電流放大能力和CMOS晶體管的低功耗特性。本節(jié)將介紹BiCMOS集成電路的制造工藝。4.3.2制造流程BiCMOS集成電路的制造流程包括以下幾個步驟：硅片制備、外延生長、氧化、光刻、雙極型晶體管制造、CMOS晶體管制造、金屬化以及封裝測試。以下將詳細描述這些步驟。4.3.3關鍵技術BiCMOS集成電路制造過程中的關鍵技術包括：外延層的摻雜控制、雙極型晶體管與CMOS晶體管之間的隔離技術、高精度光刻技術以及封裝技術。通過以上介紹，本章詳細闡述了雙極型、CMOS和BiCMOS集成電路的制造技術，為電子行業(yè)半導體元器件與集成電路的制造提供了重要的參考。第5章封裝與測試技術5.1封裝工藝與材料封裝作為半導體元器件與集成電路制造的關鍵環(huán)節(jié)，其工藝與材料的選擇對器件功能及可靠性具有重大影響。本節(jié)將詳細介紹常見的封裝工藝及所使用的材料。5.1.1封裝工藝（1）引線鍵合：主要包括金線鍵合、鋁線鍵合和銅線鍵合等，其工藝過程涉及鍵合機、鍵合線、鍵合壓力及溫度等參數(shù)的設置。（2）倒裝芯片：該技術通過芯片表面的焊球與封裝基板上的焊盤實現(xiàn)電氣連接，具有信號傳輸路徑短、電功能優(yōu)越等特點。（3）晶圓級封裝：該技術直接在晶圓上完成封裝，具有封裝尺寸小、熱功能好等優(yōu)點。（4）系統(tǒng)級封裝：將多個芯片及無源元件集成在一個封裝體內，實現(xiàn)系統(tǒng)級功能。5.1.2封裝材料（1）塑料封裝材料：主要包括環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂等，具有良好的絕緣功能和機械強度。（2）陶瓷封裝材料：如氧化鋁、氮化鋁等，具有優(yōu)異的熱功能和電功能。（3）金屬封裝材料：如銅、鋁等，主要用于散熱及提高封裝的機械強度。5.2封裝設計封裝設計是保證半導體器件功能和可靠性的重要環(huán)節(jié)，主要包括以下內容：5.2.1封裝結構設計根據(jù)器件的應用場景和功能要求，選擇合適的封裝結構，如QFN、BGA、CSP等。5.2.2熱設計考慮器件在工作過程中產生的熱量，合理設計封裝結構，以保證器件的可靠性和壽命。5.2.3電氣設計充分考慮信號完整性、電源完整性等因素，優(yōu)化封裝的電氣連接，提高器件的電功能。5.2.4機械設計根據(jù)應用場景，選擇合適的封裝材料及尺寸，保證封裝的機械強度和可靠性。5.3集成電路測試方法集成電路測試是保證器件功能和可靠性的關鍵環(huán)節(jié)，主要包括以下測試方法：5.3.1功能測試驗證集成電路的功能是否正常，包括邏輯功能、模擬功能等。5.3.2參數(shù)測試測試集成電路的關鍵參數(shù)，如電壓、電流、功耗、頻率等。5.3.3穩(wěn)定性和可靠性測試對集成電路進行長時間工作、溫度循環(huán)、濕度等測試，以評估其穩(wěn)定性和可靠性。5.3.4熱測試通過測量集成電路在不同工作狀態(tài)下的溫度，評估其散熱功能。5.3.5三維封裝測試針對三維封裝集成電路，采用專門的測試方法，如X射線檢測、光學檢測等，以保證其封裝質量。第6章集成電路可靠性分析6.1電氣可靠性6.1.1電壓應力與電流應力在集成電路設計中，電壓與電流應力是影響電氣可靠性的關鍵因素。本節(jié)將分析不同工作狀態(tài)下，集成電路所承受的電壓與電流應力，并提出相應的可靠性優(yōu)化策略。6.1.2信號完整性分析信號完整性是評估集成電路電氣可靠性的重要指標。本節(jié)將從傳輸線理論、反射、串擾和電磁兼容等方面對信號完整性進行分析。6.1.3電路保護設計為了提高集成電路的電氣可靠性，本節(jié)將討論電路保護設計，包括過壓保護、過流保護、靜電保護等。6.2熱可靠性6.2.1結溫分析與控制結溫是影響集成電路熱可靠性的關鍵因素。本節(jié)將介紹結溫的原因、分析方法和控制策略。6.2.2熱阻與熱導熱阻和熱導是決定集成電路熱可靠性的重要參數(shù)。本節(jié)將分析不同封裝形式、材料及結構對熱阻和熱導的影響。6.2.3熱應力分析與優(yōu)化在不同工作環(huán)境下，集成電路可能承受不同的熱應力。本節(jié)將針對熱應力問題，提出相應的分析與優(yōu)化方法。6.3機械可靠性6.3.1芯片粘貼與焊接可靠性芯片粘貼與焊接是影響集成電路機械可靠性的關鍵環(huán)節(jié)。本節(jié)將分析不同粘貼與焊接工藝對機械可靠性的影響，并提出優(yōu)化方案。6.3.2機械應力與振動分析集成電路在使用過程中可能受到機械應力與振動的影響。本節(jié)將討論這些因素對機械可靠性的影響，并提出相應的防護措施。6.3.3疲勞壽命預測針對集成電路在長期工作過程中可能出現(xiàn)的疲勞損傷問題，本節(jié)將介紹疲勞壽命預測方法，為提高集成電路的機械可靠性提供理論依據(jù)。通過以上章節(jié)的詳細分析，可以全面了解集成電路在電氣、熱及機械方面的可靠性問題，為優(yōu)化設計和提高集成電路的可靠性提供參考。第7章高速集成電路設計7.1信號完整性分析7.1.1信號完整性問題概述本節(jié)介紹高速集成電路設計中信號完整性問題的基本概念、產生原因及其對電路功能的影響。7.1.2信號完整性分析原理本節(jié)詳細闡述信號完整性分析的基本原理，包括傳輸線理論、反射、串擾、電磁干擾等。7.1.3信號完整性仿真與優(yōu)化本節(jié)介紹信號完整性仿真的方法及流程，并通過實際案例展示如何對信號完整性問題進行優(yōu)化。7.2電源完整性分析7.2.1電源完整性問題概述本節(jié)對電源完整性問題進行簡要介紹，包括電源噪聲、電源阻抗、電源紋波等。7.2.2電源完整性分析原理本節(jié)深入探討電源完整性分析的原理，重點討論電源網(wǎng)絡模型、電源阻抗分析及電源噪聲源識別。7.2.3電源完整性仿真與優(yōu)化本節(jié)通過實際案例，介紹電源完整性仿真的方法與優(yōu)化策略，以實現(xiàn)高速集成電路的穩(wěn)定供電。7.3高速串行通信接口設計7.3.1高速串行通信接口概述本節(jié)簡要介紹高速串行通信接口的背景、發(fā)展及其在電子行業(yè)中的應用。7.3.2高速串行通信接口設計原理本節(jié)詳細講解高速串行通信接口的設計原理，包括信號編碼、時鐘恢復、均衡等技術。7.3.3高速串行通信接口設計實現(xiàn)本節(jié)從實際應用出發(fā)，討論高速串行通信接口設計的具體實現(xiàn)方法，包括鏈路層設計、物理層設計等。7.3.4高速串行通信接口功能評估與優(yōu)化本節(jié)介紹如何評估高速串行通信接口的功能，并提出相應的優(yōu)化措施，以提高通信質量和傳輸效率。第8章功率半導體器件與電路8.1功率器件結構與原理8.1.1功率器件概述本節(jié)介紹功率器件的定義、分類及主要特性。8.1.2功率二極管分析功率二極管的結構、工作原理及其在電路中的應用。8.1.3功率晶體管闡述功率晶體管（BJT和MOSFET）的結構、工作原理及主要參數(shù)。8.1.4功率場效應晶體管介紹功率場效應晶體管（IGBT和MOSFET）的結構、原理及特性。8.1.5其他功率器件介紹其他常見的功率器件，如靜態(tài)感應晶體管（SIT）、雙向可控硅等。8.2功率集成電路設計8.2.1功率集成電路概述簡要介紹功率集成電路的定義、分類及其發(fā)展歷程。8.2.2功率集成電路設計方法分析功率集成電路的設計方法，包括器件級設計、電路級設計及系統(tǒng)級設計。8.2.3功率集成電路的熱管理探討功率集成電路熱管理的重要性及常見熱管理技術。8.2.4功率集成電路的封裝技術介紹功率集成電路的封裝技術及其對電路功能的影響。8.3功率器件在新能源領域的應用8.3.1新能源概述簡要介紹新能源的概念、分類及其在我國的發(fā)展現(xiàn)狀。8.3.2功率器件在光伏發(fā)電中的應用分析功率器件在光伏發(fā)電系統(tǒng)中的關鍵作用及其應用實例。8.3.3功率器件在風力發(fā)電中的應用探討功率器件在風力發(fā)電系統(tǒng)中的重要性及具體應用。8.3.4功率器件在電動汽車中的應用介紹功率器件在電動汽車驅動系統(tǒng)、充電系統(tǒng)等關鍵環(huán)節(jié)的應用。8.3.5功率器件在其他新能源領域的應用分析功率器件在其他新能源領域，如燃料電池、儲能系統(tǒng)等的應用。第9章微電子系統(tǒng)集成9.1系統(tǒng)級封裝技術9.1.1概述系統(tǒng)級封裝（SysteminPackage，SiP）技術是一種將多個半導體芯片及無源元件