電力電子技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋湖州學(xué)院

電力電子技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋湖州學(xué)院第一章單元測(cè)試

交流電直接變換為直流電的電力變換稱(chēng)為（）。

A:整流B:變頻C:斬波D:逆變

答案:整流進(jìn)入21世紀(jì)后，基于（）等新型半導(dǎo)體材料的電力電子器件逐漸開(kāi)始應(yīng)用。

A:碳化硅B:晶閘管C:晶體管D:氮化鎵

答案:碳化硅；氮化鎵電力電子技術(shù)是對(duì)電能進(jìn)行（）的技術(shù)

A:變頻B:變換C:放大D:控制

答案:變換；控制電力電子技術(shù)可應(yīng)用于航空航天和交通運(yùn)輸領(lǐng)域。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

在電力電子電路中，直接承擔(dān)電能的變換和控制任務(wù)的電路模塊為（）。

A:主電路B:控制電路C:保護(hù)電路D:檢測(cè)電路

答案:主電路IGBT器件為（）電力電子器件。

A:電流控型B:半控型C:不可控型D:全控型

答案:全控型電力電子器件一般工作于（）兩個(gè)狀態(tài)。

A:超導(dǎo)態(tài)B:通態(tài)C:斷態(tài)D:高阻態(tài)

答案:通態(tài)；斷態(tài)電力電子器件損耗通常有（）損耗。

A:高阻B:開(kāi)關(guān)C:斷態(tài)D:通態(tài)

答案:開(kāi)關(guān)；斷態(tài)；通態(tài)電力電子器件只能用于處理高功率信號(hào)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)當(dāng)電力二極管承受的反向電壓過(guò)大時(shí)，二極管會(huì)被（）。

A:反向擊穿B:正向?qū)–:截止D:正向擊穿

答案:反向擊穿維持晶閘管導(dǎo)通的最小電流稱(chēng)為（）。

A:保持電流B:維持電流C:導(dǎo)通電流D:擎住電流

答案:維持電流電力二極管的基本特性分為（）。

A:機(jī)械特性B:功率特性C:靜態(tài)特性D:動(dòng)態(tài)特性

答案:靜態(tài)特性；動(dòng)態(tài)特性晶閘管由斷態(tài)切換到通態(tài)的條件是（）。

A:G端有控制信號(hào)B:AK引腳間承受正偏電壓C:GK間有正向電壓D:AK間承受反偏電壓

答案:G端有控制信號(hào)；AK引腳間承受正偏電壓晶閘管由斷態(tài)切換到通態(tài)或由通態(tài)切換到斷態(tài)需要一個(gè)時(shí)間過(guò)程，常用開(kāi)通時(shí)間或關(guān)斷時(shí)間來(lái)描述。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電力晶體管由通態(tài)切換到斷態(tài)的條件是（）。

A:基極B無(wú)驅(qū)動(dòng)電流B:E有驅(qū)動(dòng)電流C:CE間施加正偏電壓D:基極B有驅(qū)動(dòng)電流

答案:基極B無(wú)驅(qū)動(dòng)電流電力MOSFET是一種（）全控型器件。

A:電流驅(qū)動(dòng)型B:電壓驅(qū)動(dòng)型C:功率驅(qū)動(dòng)型D:邏輯驅(qū)動(dòng)型

答案:電壓驅(qū)動(dòng)型IGBT是結(jié)合了（）的優(yōu)點(diǎn)。

A:MOSFETB:GTOC:GTRD:二極管

答案:MOSFET；GTRIGBT由斷態(tài)切換到通達(dá)的條件是（）

A:CE引腳間施加反偏電壓B:GE引腳間施加正偏驅(qū)動(dòng)電壓C:CE引腳間施加正偏電壓D:GC引腳間施加正偏驅(qū)動(dòng)電壓

答案:GE引腳間施加正偏驅(qū)動(dòng)電壓；CE引腳間施加正偏電壓電力MOSFET的GS引腳間的驅(qū)動(dòng)電壓不宜施加太大，否則會(huì)被擊穿。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)靜電感應(yīng)晶閘管SITH可以看作是SIT與GTO復(fù)合而成又被稱(chēng)為（）。

A:雙向晶閘管B:聲電晶閘管C:光電晶閘管D:場(chǎng)控晶閘管

答案:光電晶閘管集成門(mén)極換流晶閘管IGCT容量與普通GTO相當(dāng)，但（）比普通的GTO快10倍。

A:開(kāi)關(guān)速度B:導(dǎo)通電阻C:導(dǎo)通電壓D:導(dǎo)通電流

答案:開(kāi)關(guān)速度寬禁帶半導(dǎo)體材料是指禁帶寬度在3.0電子伏特左右及以上的半導(dǎo)體材料，典型的有（）。

A:硅B:碳化硅（SiC）C:金剛石變頻D:氮化鎵（GaN）

答案:碳化硅（SiC）；金剛石變頻；氮化鎵（GaN）功率集成電路的主要技術(shù)難點(diǎn)是高低壓電路之間的絕緣問(wèn)題以及溫升和散熱的處理。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

單相半波可控整流電路帶電阻負(fù)載，其輸出電壓平均值計(jì)算公式為（）。

A:B:C:D:

答案:單相橋式全控整流電路一個(gè)控制周期有（）個(gè)觸發(fā)信號(hào)。

A:4B:2C:1D:3

答案:2單相全波可控整流電路需要一個(gè)（）變壓器。

A:升壓B:雙向C:自耦D:帶中心抽頭

答案:帶中心抽頭單相橋式半控整流電路中每一個(gè)導(dǎo)電回路由（）組成。

A:一個(gè)晶閘管B:一個(gè)電感C:一個(gè)二極管D:一個(gè)電阻

答案:一個(gè)晶閘管；一個(gè)二極管單相橋式全控整流電路觸發(fā)角移相范圍為180°（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)三相半波可控整流電路三個(gè)晶閘管按（）極接法連接。

A:共陰B:共陽(yáng)C:串聯(lián)D:雙向

答案:共陰三相半波可控整流電路當(dāng)觸發(fā)角度為（）度時(shí)，負(fù)載電流處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。

A:30B:90C:60D:120

答案:30三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載時(shí)，當(dāng)觸發(fā)角小于60°時(shí)，其輸出電壓平均值計(jì)算公式為（）。

A:B:C:D:

答案:三相橋式全控整流電路帶電阻負(fù)載和帶阻感負(fù)載時(shí)觸發(fā)角移相范圍為（）。

A:120°B:60°C:90°D:30°

答案:120°；90°三相橋式全控整流電路各自然換相點(diǎn)既是相電壓的交點(diǎn)，同時(shí)也是線電壓的交點(diǎn)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)非正弦電壓u(wt)分解為傅里葉級(jí)數(shù)后，頻率與工頻相同的分量稱(chēng)為（）。

A:諧波B:噪聲C:2次諧波D:基波

答案:基波單相橋式全控整流電路的電流僅含有（）諧波。

A:2次B:奇次C:1次D:偶次

答案:奇次智能功率模塊IPM，專(zhuān)指IGBT及其輔助器件與其保護(hù)和驅(qū)動(dòng)電路的單片集成，也稱(chēng)智能（）。

A:IGBTB:MOSFETC:GTRD:GTO

答案:IGBT對(duì)于可控整流電路，既工作在整流狀態(tài)又工作在逆變狀態(tài)，稱(chēng)為（）。

A:斬波B:整流C:逆變D:變流電路

答案:變流電路對(duì)于可控整流電路，滿足一定條件就可工作于有源逆變，其電路形式未變，只是電路工作條件轉(zhuǎn)變。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

全橋逆變電路為了使輸出電壓有零電壓輸出，采用（）控制策略。

A:三相調(diào)壓B:變頻調(diào)壓C:移相調(diào)壓D:PWM調(diào)壓

答案:移相調(diào)壓三相電壓型逆變電路常采用（）導(dǎo)通控制策略，即180°導(dǎo)電方式，每橋臂導(dǎo)電180°，同一相上下兩臂交替導(dǎo)電，各相開(kāi)始導(dǎo)電的角度差120°。

A:兩相B:三三C:兩兩D:三相

答案:三三三相電壓型逆變電路輸出的線電壓有（）個(gè)電壓

A:4B:1C:3D:2

答案:3改變逆變電路兩組開(kāi)關(guān)切換頻率，可改變輸出交流電頻率（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電流型逆變電路一般是在逆變電路直流側(cè)串聯(lián)一個(gè)大（）。

A:電阻B:電感C:電壓源D:電容

答案:電感電流型逆變電路感應(yīng)線圈參數(shù)隨時(shí)間變化，必須使工作頻率適應(yīng)負(fù)載的變化而自動(dòng)調(diào)整，這種控制方式稱(chēng)為（）個(gè)觸發(fā)信號(hào)。

A:他勵(lì)方式B:自激方式C:自勵(lì)方式D:復(fù)勵(lì)方式

答案:自勵(lì)方式串聯(lián)二極管式晶閘管逆變電路是電流型三相橋式逆變電路,各橋臂的晶閘管和（）串聯(lián)變壓器。

A:電阻B:電感C:電容D:二極管

答案:二極管三相電流型逆變電路換流階段分為（）兩個(gè)階段。

A:恒壓放電B:二極管換流C:負(fù)載換流D:恒流放電

答案:二極管換流；恒流放電電流型逆變電路交流輸出電流為矩形波，與負(fù)載阻抗角無(wú)關(guān)。輸出電壓波形和相位因負(fù)載不同而不同（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電壓型逆變電路輸出電壓是（）波。

A:矩形B:三角C:梯形D:正弦

答案:矩形串聯(lián)多重逆變電路把幾個(gè)逆變電路的輸出串聯(lián)起來(lái)，多用于（）逆變電路。

A:穩(wěn)流型B:電流型C:電壓型D:諧振型

答案:電壓型兩電平逆變電路的輸出線電壓有（）種電平。

A:1B:2C:3D:4

答案:3三單元串聯(lián)的逆變電路相電壓可以產(chǎn)生（）電平。

A:±UdB:0C:±2UdD:±3Ud

答案:±2Ud；±3Ud飛跨電容型逆變電路是一種多電平逆變電路（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第五章單元測(cè)試

根據(jù)直流側(cè)電源性質(zhì)的不同，逆變電路可分為電壓型和（）。

A:電感B:電容C:電流D:電阻

答案:電流安秒平衡是指在穩(wěn)態(tài)條件下流過(guò)電容的電流在一個(gè)開(kāi)關(guān)周期內(nèi)的（）為零。

A:積分B:和C:積D:微分

答案:積分降壓斬波電路輸出電壓平均值計(jì)算公式為（）。

A:B:C:D:

答案:升壓斬波電路輸出電壓平均值計(jì)算公式為（）

A:B:C:D:

答案:降壓斬波電路電感電流連續(xù)工作模式中可分為2個(gè)時(shí)間段（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)Zeta斬波電路是一種（）斬波電路。

A:降壓B:放大C:升壓D:升降壓

答案:升降壓升壓斬波電路（）不能太小，以免造成電路損壞。

A:tonB:PWMC:TD:toff

答案:toff多重?cái)夭娐犯鲾夭娐穯卧苫閭溆?，使得總體的可靠性（）。

A:不變B:降低C:提高D:隨機(jī)

答案:提高升降壓斬波電路應(yīng)用非常廣泛，比如在電動(dòng)汽車(chē)充電器中,升降壓斬波電路可以精確控制電源輸出電壓和電流,并對(duì)電池充電過(guò)程中的電量、電壓、電流等參數(shù)進(jìn)行監(jiān)控,并且可以根據(jù)這些參數(shù)進(jìn)行調(diào)整實(shí)現(xiàn)快速充電、保護(hù)電池、延長(zhǎng)電池壽命等功能（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)間接直流變流電路分為（）電路。

A:四端B:單端C:雙端D:三端

答案:單端；雙端間接直流變流電路中增加了（），也稱(chēng)為直—交—直電路。

A:變頻環(huán)節(jié)B:直流環(huán)節(jié)C:變相環(huán)節(jié)D:交流環(huán)節(jié)

答案:交流環(huán)節(jié)正激電路是由（）斬波電路轉(zhuǎn)化而成。

A:降壓B:升壓C:調(diào)壓D:升降壓

答案:降壓（）電路由于變壓器的工作點(diǎn)也僅處于磁化曲線平面的第I象限，利用率低，而且開(kāi)關(guān)元件承受的電流峰值較大，不適合用于較大功率的電源。

A:正激B:升壓C:反激D:降壓

答案:反激正激電路簡(jiǎn)單可靠，廣泛用于功率為數(shù)百瓦~數(shù)千瓦的開(kāi)關(guān)電源中。但變壓器的工作點(diǎn)僅處于磁化曲線平面的第I象限，沒(méi)有得到充分利用。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)半橋電路S1與S2交替導(dǎo)通，使變壓器一次側(cè)形成幅值為（）的交流電壓。

A:2UiB:UiC:Ui/2D:Ui/4

答案:Ui/2全橋電路電流連續(xù)時(shí)，輸入與輸出電壓關(guān)系式為（）。

A:B:C:D:

答案:推挽電路電流連續(xù)時(shí)，輸入與輸出電壓關(guān)系式為（）。

A:B:C:D:

答案:半橋電路為了避免上下兩開(kāi)關(guān)在換流的過(guò)程中發(fā)生短暫的同時(shí)導(dǎo)通而造成短路損壞開(kāi)關(guān)，每個(gè)開(kāi)關(guān)各自的占空比不能超過(guò)（），并應(yīng)留有裕量個(gè)電壓

A:30%B:50%C:20%D:40%

答案:50%推挽電路的一個(gè)突出優(yōu)點(diǎn)是在輸入回路中僅有1個(gè)開(kāi)關(guān)的通態(tài)壓降，而半橋電路和全橋電路都有2個(gè)，因此在同樣的條件下產(chǎn)生的通態(tài)損耗較?。ǎ?/p>

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

單相交流調(diào)壓電路主要是通過(guò)兩個(gè)晶閘管反（）后串聯(lián)在交流電路中，通過(guò)對(duì)晶閘管的控制就可控制交流電力。

A:級(jí)聯(lián)B:串并聯(lián)C:串聯(lián)D:并聯(lián)

答案:并聯(lián)單相交流調(diào)壓電路帶阻感負(fù)載后，其觸發(fā)角移相范圍為（）。

A:負(fù)載角到150°B:負(fù)載角到πC:0到πD:0到150°

答案:負(fù)載角到π3三相交流調(diào)壓電路中的星形聯(lián)結(jié)電路分為三相三線和（）制。

A:二相三線B:三相二線C:三相五線D:三相四線

答案:三相四線交流-交流變流電路主要分為（）

A:變頻電路B:交流電力控制電路C:變相電路D:調(diào)壓電路

答案:變頻電路；交流電力控制電路三相交流調(diào)壓電路與單相交流調(diào)壓電路相比，沒(méi)有3倍次諧波（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)（）把晶閘管反并聯(lián)后串入交流電路中，代替電路中的機(jī)械開(kāi)關(guān)，起接通和斷開(kāi)電路的作用。

A:交流電力電子開(kāi)關(guān)B:交流調(diào)壓C:交流調(diào)功D:交流高頻

答案:交流電力電子開(kāi)關(guān)矩陣式變頻器常采用全控型開(kāi)關(guān)器件的直接變頻電路，其控制方式為（）控制。

A:斬波B:調(diào)壓C:移相D:調(diào)相

答案:斬波單相交交變頻器的電路接線方式主要有公共交流母線進(jìn)線方式和（）聯(lián)結(jié)方式。

A:輸入星形B:輸出三角形C:輸入三角形D:輸出星形

答案:輸出星形單相交交變頻器是由（）組反并聯(lián)的晶閘管變流電路構(gòu)成。

A:ZB:NC:PD:M

答案:N；P單相交交變頻器輸出電壓的諧波頻譜既和電網(wǎng)頻率fi以及變流電路的脈波數(shù)有關(guān)，也和輸出頻率fo有關(guān)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第七章單元測(cè)試

脈寬調(diào)制技術(shù)英文縮寫(xiě)為（）。

A:SVPWMB:SSPWMC:PWMD:SPWM

答案:PWM換正弦規(guī)律變化的PWM波稱(chēng)為（）波。

A:SPWMB:SVPWMC:SDPWMD:sina

答案:SPWM調(diào)制法是在調(diào)制電路中設(shè)置信號(hào)波ur及載波uc，在ur和uc的（）時(shí)刻控制IGBT的通斷變壓器。

A:上方B:極點(diǎn)C:下方D:交點(diǎn)

答案:交點(diǎn)PWM調(diào)制方式根據(jù)載波比可分為（）兩類(lèi)。

A:反向B:正向C:異步D:同步

答案:異步；同步SPWM波中諧波主要是角頻率為wc、2wc及其附近的諧波，很容易濾除。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)空間矢量脈寬調(diào)制英文縮寫(xiě)為（）。

A:SDPWMB:SVPWMC:PWMD:SPWM

答案:SVPWM在SVPWM控制中三相橋式電壓型逆變器輸出（）