電力電子技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋蘭州理工大學(xué)

電力電子技術(shù)知到智慧樹(shù)章節(jié)測(cè)試課后答案2024年秋蘭州理工大學(xué)緒論單元測(cè)試

變流還包括頻率或者相數(shù)等參數(shù)的變換。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電力電子技術(shù)的誕生是以硅整流二極管的研制成功為標(biāo)志的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)電力電子技術(shù)的基礎(chǔ)是電力半導(dǎo)體器件的制造技術(shù)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電力電子器件所采用的半導(dǎo)體材料主要是硅材料。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)光伏逆變器屬于（）變換電路。

A:DC-AC

B:AC-DC

C:AC-AC

D:DC-DC

答案:DC-AC

提出電力電子學(xué)倒三角描述的學(xué)者W.Newell是（）。

A:美國(guó)學(xué)者

B:德國(guó)學(xué)者

C:英國(guó)學(xué)者

D:法國(guó)學(xué)者

答案:美國(guó)學(xué)者

電力電子系統(tǒng)中主電路和控制電路之間的電氣隔離方式主要有（）。

A:電容隔離

B:電介質(zhì)隔離

C:磁隔離

D:光隔離

答案:磁隔離

；光隔離

電力電子學(xué)是由電子學(xué)、電力學(xué)和控制技術(shù)3門(mén)學(xué)科交叉而形成的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第一章單元測(cè)試

為減少自身?yè)p耗，提高效率，電力電子器件件一般工作在（）。

A:放大狀態(tài)

B:導(dǎo)通狀態(tài)

C:截止?fàn)顟B(tài)

D:開(kāi)關(guān)狀態(tài)

答案:開(kāi)關(guān)狀態(tài)

當(dāng)電力電子器件開(kāi)關(guān)頻率較高時(shí)，其功率損耗主要為（）。

A:開(kāi)關(guān)損耗

B:開(kāi)通損耗

C:通態(tài)損耗

D:斷態(tài)損耗

答案:開(kāi)關(guān)損耗

電力電子系統(tǒng)的主要組成部分有（）。

A:主電路

B:控制電路

C:檢測(cè)電路

D:驅(qū)動(dòng)電路

答案:主電路

；控制電路

；檢測(cè)電路

；驅(qū)動(dòng)電路

晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDSM在數(shù)值上通常應(yīng)大于轉(zhuǎn)折電壓Ubo（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)電力二極管具有的重要特性是單向?qū)щ娦?。（?/p>

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)按照門(mén)極能夠被控制的程度，電力電子器件可分為不可控型，半控型和全控型。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)晶閘管從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)，觸發(fā)信號(hào)移除后，能夠維持導(dǎo)通的最小電流稱之為維持電流。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)按照驅(qū)動(dòng)電路加在電力電子器件控制端和公共端之間控制信號(hào)的性質(zhì)，可將電力電子器件分為單極型和雙極型兩類(lèi)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)使晶閘管導(dǎo)通的條件是：晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，并在門(mén)極施加觸發(fā)電流（脈沖）。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)要使晶閘管由導(dǎo)通變?yōu)殛P(guān)斷，可利用外加電壓和外電路的作用使流過(guò)晶閘管的電流降到接近于零的某一數(shù)值以下，即降到維持電流以下，便可使導(dǎo)通的晶閘管關(guān)斷。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第二章單元測(cè)試

在整流電路中，（）是整流元件。

A:三極管

B:電容

C:電阻

D:二極管

答案:二極管

整流電路的工作原理是利用整流元件的（）。

A:穩(wěn)流特性

B:線性

C:單向?qū)щ娦?/p>

D:穩(wěn)壓特性

答案:單向?qū)щ娦?/p>

單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角α的最大移相范圍是（）。

A:0-180o

B:0-150o

C:0-90o

D:0-120o

答案:0-180o

單相全控橋整流電路中，大電感阻感負(fù)載條件下晶閘管可能承受的最大正向電壓為（）。

A:

B:

C:

D:

答案:

三相半波可控整流電路的自然換相點(diǎn)是()

A:比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)超前30°

B:比三相不控整流電路的自然換相點(diǎn)滯后60°

C:交流相電壓的過(guò)零點(diǎn)

D:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處

答案:本相相電壓與相鄰相電壓正半周的交點(diǎn)處

下列屬于整流變壓器作用的是（）。

A:電氣隔離

B:移相

C:整流

D:調(diào)壓

答案:電氣隔離

；調(diào)壓

整流電路能夠?qū)⒔涣麟娮儞Q為直流電。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)三相橋式整流電路中晶閘管的編號(hào)順序是按其導(dǎo)通順序編號(hào)的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)三相橋式全控整流電路中的六個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖相位按相序依次互差60o。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)全控整流電路中開(kāi)關(guān)器件均為可控器件。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)半控整流電路中開(kāi)關(guān)器件不全是可控器件，而有不可控器件二極管。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)對(duì)于三相半波可控整流電路，換相重疊角的影響，將使用輸出電壓平均值升高。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)在理想情況下，假定輸入電壓為無(wú)畸變的正弦波，則整流電路輸入功率因數(shù)λ=υcosφ1，其中υ為基波因數(shù)，φ1為輸入電壓與輸入電流基波分量之間的相位差。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第三章單元測(cè)試

晶閘管交-交變換電路將一種形式的交流電變?yōu)榱硪环N形式的交流電。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)交流調(diào)壓相位控制，即在電源電壓每一周期中，選定的時(shí)刻內(nèi)將負(fù)載與電源接通，改變選定的時(shí)刻來(lái)達(dá)到調(diào)壓的目的。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)交流調(diào)功電路直接調(diào)節(jié)對(duì)象是電路的平均輸出功率。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)交流電力電子開(kāi)關(guān)通常沒(méi)有明確的控制周期，只是根據(jù)需要控制電路的接通和斷開(kāi)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)可控整流電路結(jié)構(gòu)無(wú)需改變，只要滿足一定的條件就可以工作在有源逆變狀態(tài)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第四章單元測(cè)試

下列電力電子器件中，屬于單極型的器件是（）。

A:電力二極管

B:MOSFET

C:GTR

D:光控晶閘管

答案:MOSFET

下列電力電子器件中，屬于電流控制型的器件是（）。

A:GTR

B:MOSFET

C:IGBT

D:SITH

答案:GTR

下列器件中，最適合用在小功率、高開(kāi)關(guān)頻率場(chǎng)合的是()。

A:GTR

B:GTO

C:IGBT

D:MOSFET

答案:MOSFET

下列電力電子器件中，屬于復(fù)合型的器件是（）。

A:IGCT

B:MOSFET

C:電力二極管

D:GTR

答案:IGCT

在電力電子器件的驅(qū)動(dòng)電路中，一般采用的電氣隔離有（）。

A:電容隔離和磁隔離

B:光隔離和磁隔離

C:電感隔離和磁隔離

D:光隔離和電感隔離

答案:光隔離和磁隔離

IGBT是MOSFET與GTR復(fù)合而成的。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電力電子電路的開(kāi)關(guān)頻率越高，開(kāi)關(guān)損耗越小。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)IGBT與MOSFET相比，其通態(tài)電阻較大，因而導(dǎo)通損耗也較大。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)陽(yáng)極電流為1000A的GTO，其電流關(guān)斷增益為5，則關(guān)斷時(shí)門(mén)極所加的負(fù)脈沖電流約200A。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電力電子電路中，IGBT工作于輸出特性曲線的放大區(qū)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第五章單元測(cè)試

電壓型單相全橋逆變電路輸出電壓波形為：（）

A:正弦波

B:矩形波

C:余弦波

D:直線

答案:矩形波

單相電流型逆變電路忽略換流過(guò)程，輸出電流波形為：（）

A:矩形波

B:余弦波

C:正弦波

D:直線

答案:矩形波

電壓型單相半橋逆變電路中二極管的作用是：（）

A:整流

B:是負(fù)載向直流側(cè)反饋無(wú)功能量的通道

C:逆變

D:使負(fù)載電流連續(xù)的作用

答案:是負(fù)載向直流側(cè)反饋無(wú)功能量的通道

；使負(fù)載電流連續(xù)的作用

換流方式通常分為以下幾種：（）

A:強(qiáng)迫換流

B:負(fù)載換流

C:器件換流

D:電網(wǎng)換流

答案:強(qiáng)迫換流

；負(fù)載換流

；器件換流

；電網(wǎng)換流

推挽式單相逆變電路，當(dāng)交替驅(qū)動(dòng)兩個(gè)橋臂時(shí)，輸出的電壓波形為180度寬的交流方波。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)面積等效原理是PWM控制技術(shù)的重要理論基礎(chǔ)。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在PWM控制電路中，載波頻率與調(diào)制信號(hào)頻率之比稱為調(diào)制度。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)PWM波形分為單極性PWM和雙極性PWM兩種模式。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)單極性PWM模式下，PWM逆變電路輸出的PWM波形只有±Ud兩種電平。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)三電平及更多電平的逆變電路統(tǒng)稱為多電平逆變電路。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)

第六章單元測(cè)試

根據(jù)電感及負(fù)載電流大小，降壓變換電路可以工作在電流連續(xù)狀態(tài)，也可以工作在電流斷續(xù)狀態(tài)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)降壓變換電路占空比α的取值范圍是（）。

A:大于1

B:大于0

C:小于0

D:0-1之間

答案:0-1之間

降壓變換電路占空比α的調(diào)節(jié)方式主要有PWM調(diào)制、調(diào)頻型和混合型三種。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)升壓變換電路輸出電壓高于輸入電壓。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)調(diào)節(jié)升壓比可調(diào)節(jié)升壓變換電路的輸出電壓大小。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)由于升壓變換電路中電容C值不可能無(wú)窮大，這使電容C向負(fù)載放電時(shí)，輸出電壓必然會(huì)有所下降，故實(shí)際輸出電壓會(huì)略低于理論計(jì)算所得的結(jié)果。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)在升壓變換電路的控制中，占空比α可以常為1。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:錯(cuò)以下對(duì)升降壓變換電路占空比α的描述正確的是（）。

A:占空比α在0-0.5之間取值時(shí)，電路升壓運(yùn)行

B:占空比α大于1

C:占空比α在0-0.5之間取值時(shí)，電路降壓運(yùn)行

D:占空比α在0.5-1之間取值時(shí)，電路降壓運(yùn)行

答案:占空比α在0-0.5之間取值時(shí)，電路降壓運(yùn)行

升降壓變換電路輸出電壓的極性與輸入電壓極性相反。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)Cuk變換器的輸出電壓和輸入電壓的關(guān)系和升降壓變換器一樣，因此，可以得到與升降壓變換器一樣的結(jié)論，但通過(guò)調(diào)節(jié)占空比，無(wú)法控制Cuk變換器的輸出電壓。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)

第七章單元測(cè)試

PWM整流電路分為電壓型和電流型兩大類(lèi)，目前研究和應(yīng)用較多的電壓型PWM整流電路。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)電路可以實(shí)現(xiàn)能量正反兩個(gè)方向流動(dòng)，且這兩種狀態(tài)下，電路功率因數(shù)都可以達(dá)到1。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)PWM整流電路的直接電流控制方法的系統(tǒng)動(dòng)態(tài)響應(yīng)速度要比直接電流控制的快。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:錯(cuò)PWM整流電路的直接電流控制方法開(kāi)關(guān)頻率不固定，給濾波器的設(shè)計(jì)帶來(lái)一定的困難。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)斬控式交流調(diào)壓與相控調(diào)壓相比克服了輸出電壓諧波分量較大、控制角α較大時(shí)功率因數(shù)較低以及電源側(cè)電流諧波分量高等缺點(diǎn)。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)斬控式交流調(diào)壓電路工作時(shí)，在開(kāi)關(guān)頻率比較高的斬控情況下，可以將交流電源的正負(fù)半周分別當(dāng)做一個(gè)短暫的直流電壓源。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)斬控式交流調(diào)壓電路的功率因數(shù)接近于1。（）

A:對(duì)B:錯(cuò)

答案:對(duì)以下描述不正確的是（）。

A:在一定的導(dǎo)通比下，交流斬波調(diào)壓電路的斬波頻率越高，感性負(fù)載的畸變?cè)叫。ㄐ卧浇咏也?，電路功率因?shù)也就越高

B:交流斬波調(diào)壓電路與交流相控調(diào)壓電路相比，響應(yīng)速度較慢

C:交流斬波調(diào)壓電路對(duì)電源側(cè)功率因數(shù)的改善很明顯

D:為了進(jìn)一步提高功率因數(shù)，交流斬波調(diào)壓電路還可以采用不規(guī)則的控制方法

答案:交流斬波調(diào)壓電路與交流相控調(diào)壓電路相比，響應(yīng)速度較慢

以下描述正確的是（）。

A:矩陣式變頻電路的輸入電流也可以控制為正弦波

B:矩陣式變頻電路的輸出電壓頻率受電網(wǎng)頻率的限制

C:矩陣式變頻電路的輸出電壓可以控制為正弦波

D:矩陣式變頻電路可單位功率因數(shù)工作，也可以將電路功率因素控制為需要的大小

答案:矩陣式變頻電路的輸出電壓頻率受電網(wǎng)頻率的限制

諧振開(kāi)關(guān)型變換器是利用諧振的原理，使流過(guò)開(kāi)關(guān)器件的電流或施加給開(kāi)關(guān)器件的電壓，按照正弦或準(zhǔn)正弦規(guī)律變化，當(dāng)電流自然過(guò)零時(shí)使開(kāi)關(guān)器件關(guān)斷；或者當(dāng)電壓為零時(shí)使開(kāi)關(guān)器件開(kāi)通，從而使開(kāi)關(guān)損耗減小到接近于零。（）

A:錯(cuò)B:對(duì)

答案:對(duì)

第八章單元測(cè)試

過(guò)電壓抑制器件主要有（）、金屬氧化物壓敏電阻、轉(zhuǎn)折二極管等元件。

A:二極管

B:電容器

C:硒堆

D:壓敏電阻

答案:電容器

常用的系統(tǒng)的過(guò)電流保護(hù)措施有：快速熔斷器、過(guò)電流繼電器、直流快速斷路器、（）。

A:二極管

B:硒堆

C:電子電路

D:壓敏電阻

答案:電子電路

電力電子系統(tǒng)主要由（）四部分組成。

A:檢測(cè)電路

B:主電路

C:驅(qū)動(dòng)電路

D:控制電路

答案:檢測(cè)電路

；主電路

；驅(qū)動(dòng)電路

；控制電路

電力電子過(guò)電壓、過(guò)電流保護(hù)電路中，常用的電壓、電流檢測(cè)方法有（）等。

A:直流放大器檢測(cè)法

B:直流互感器檢測(cè)法

C:霍爾傳感器檢測(cè)法

D:取樣電阻直接檢測(cè)法

答案:直流放大器檢測(cè)法

；直流互感器檢測(cè)法

；霍爾傳感器檢測(cè)法

；取樣電阻直接檢測(cè)法

采用快速熔斷器是電力電子系統(tǒng)中最有效、應(yīng)用最廣的一種過(guò)電流保護(hù)措施。（）

A:對(duì)B