高等電磁波理論 課件 3 邊界條件_第1頁
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文檔簡介

第一章電磁場基本理論

1.3邊界條件浙江大學(xué)信息與電子工程學(xué)院《高等電磁波理論》12物質(zhì)中的麥克斯韋方程組（法拉第定律）（麥克斯韋-安培定律）（高斯定律）（磁高斯定律）微分形式物質(zhì)本構(gòu)關(guān)系積分形式問題：邊界處的電磁場如何處理？3電場邊界條件（切向）（法拉第定律）媒質(zhì)2媒質(zhì)1令矢量恒等式（切向電場差=邊界面磁流）4電場邊界條件（法向）媒質(zhì)2媒質(zhì)1（高斯定律）令（法向電位移差=邊界面電荷）5邊界條件（一般形式）（切向電場差=邊界面磁流）（法向電位移差=邊界面電荷）（切向磁場差=邊界面電流）（法向磁感應(yīng)差=邊界面磁荷）不獨(dú)立6邊界條件（典型情況）（一般形式）完美金屬（PEC）切向EH電磁流法向DB看面荷金屬激發(fā)面電流無源介質(zhì)全連續(xù)電場線垂直金屬面無源介質(zhì)（Dielectric/Magnets）7邊界條件（各向異性）邊界（連續(xù)）條件ε1ε2μ1μ2各向同性（isotropic）各向異性（anisotropic）ε1[ε2x,

ε2y]μ1[μ2x,

μ2y]8人工結(jié)構(gòu)邊界（一般形式）邊界面電流MetallicmeshPatcharrayLC邊界面磁流HFrequencySelectiveSurfaces,JohnWiley&Sons(2000)Bianisotropicmetasurfaces:physicsandapplications.Nanophotonics7,1069-1094(2018)Flatopticswithdispersion-engineeredmetasurfacesNatureReviewsMaterials

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